JP2005039111A - シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005039111A JP2005039111A JP2003275967A JP2003275967A JP2005039111A JP 2005039111 A JP2005039111 A JP 2005039111A JP 2003275967 A JP2003275967 A JP 2003275967A JP 2003275967 A JP2003275967 A JP 2003275967A JP 2005039111 A JP2005039111 A JP 2005039111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon epitaxial
- main surface
- single crystal
- crystal substrate
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 {110}面から最近接の<100>軸方向へ0.5°以上3°以下傾斜させたオフアングルを有するシリコン単結晶基板の主表面上に、ヘイズレベルが0.18ppm以下のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。
【選択図】 図2
Description
主表面が{110}面から最近接の<100>軸方向に1°傾斜したオフアングルを有するシリコン単結晶基板を使用した。
主表面が{110}面から最近接の<100>軸方向に3°傾斜したオフアングルを有するシリコン単結晶基板を使用した。
主表面の面方位が{110}丁度のシリコン単結晶基板を使用した。
主表面が{110}面から最近接の<100>軸方向に6°傾斜したオフアングルを有するシリコン単結晶基板を使用した。
主表面が{110}面から最近接の<111>軸方向に1°傾斜したオフアングルを有するシリコン単結晶基板を使用した。
主表面が{110}面から最近接の<111>軸方向に3°傾斜したオフアングルを有するシリコン単結晶基板を使用した。
W シリコン単結晶基板
Claims (2)
- {110}面から最近接の<100>軸方向へ0.5°以上3°以下傾斜させたオフアングルを有するシリコン単結晶基板の主表面上に、ヘイズレベルが0.18ppm以下のシリコンエピタキシャル層を形成してなることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
- {110}面から最近接の<100>軸方向へ0.5°以上3°以下傾斜させたオフアングルを有するシリコン単結晶基板の主表面上に、ヘイズレベルが0.18ppm以下のシリコンエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003275967A JP4423903B2 (ja) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003275967A JP4423903B2 (ja) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005039111A true JP2005039111A (ja) | 2005-02-10 |
JP4423903B2 JP4423903B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=34212439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003275967A Expired - Fee Related JP4423903B2 (ja) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4423903B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100904487B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2009-06-24 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
US7579261B2 (en) | 2005-09-22 | 2009-08-25 | Siltronic Ag | Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafers |
WO2009150896A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
US7659207B2 (en) | 2005-09-22 | 2010-02-09 | Siltronic Ag | Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafer |
US7922813B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-04-12 | Siltronic Ag | Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafers |
JP2011216780A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハ、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、貼り合わせsoiウェーハの製造方法、及び貼り合わせsoiウェーハ |
JP2011224658A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-10 | Samsung Electronics Co Ltd | レーザビームを利用した基板の加工方法 |
KR101625135B1 (ko) | 2010-05-20 | 2016-05-27 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102662765B1 (ko) | 2018-08-02 | 2024-05-02 | 삼성전자주식회사 | 기판과 이를 포함하는 집적회로 소자 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0826891A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-01-30 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板とその製造方法 |
JPH08139027A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2000260711A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 半導体基板製造方法 |
JP2001253797A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
JP2002050579A (ja) * | 2000-05-25 | 2002-02-15 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体基板の製造方法及びその使用 |
-
2003
- 2003-07-17 JP JP2003275967A patent/JP4423903B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0826891A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-01-30 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板とその製造方法 |
JPH08139027A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2000260711A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 半導体基板製造方法 |
JP2001253797A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
JP2002050579A (ja) * | 2000-05-25 | 2002-02-15 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体基板の製造方法及びその使用 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7659207B2 (en) | 2005-09-22 | 2010-02-09 | Siltronic Ag | Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafer |
US7579261B2 (en) | 2005-09-22 | 2009-08-25 | Siltronic Ag | Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafers |
US7922813B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-04-12 | Siltronic Ag | Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafers |
US7989073B2 (en) | 2006-09-05 | 2011-08-02 | Sumco Corporation | Epitaxial silicon wafer and fabrication method thereof |
EP1898450A3 (en) * | 2006-09-05 | 2011-01-19 | Sumco Corporation | Epitaxial silicon wafer and fabrication method thereof |
KR100904487B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2009-06-24 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
US8152919B2 (en) | 2006-09-05 | 2012-04-10 | Sumco Corporation | Epitaxial silicon wafer and fabrication method thereof |
WO2009150896A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
JP5212472B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2013-06-19 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
US8815710B2 (en) | 2008-06-10 | 2014-08-26 | Sumco Corporation | Silicon epitaxial wafer and method for production thereof |
JP2011216780A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハ、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、貼り合わせsoiウェーハの製造方法、及び貼り合わせsoiウェーハ |
JP2011224658A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-10 | Samsung Electronics Co Ltd | レーザビームを利用した基板の加工方法 |
KR101625135B1 (ko) | 2010-05-20 | 2016-05-27 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4423903B2 (ja) | 2010-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI435962B (zh) | 經磊晶塗覆之半導體晶圓及製造經磊晶塗覆之半導體晶圓之裝置與方法 | |
WO2011074453A1 (ja) | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
US8287649B2 (en) | Vertical boat for heat treatment and method for heat treatment of silicon wafer using the same | |
JP5232719B2 (ja) | エピタキシャル被覆された半導体ウェハの製造方法 | |
EP2924150B1 (en) | ß-GA2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE | |
JP4854936B2 (ja) | シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ | |
JP4423903B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
WO2011013280A1 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP5375768B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP3888416B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ | |
JP2006024840A (ja) | 燐化ガリウムウェーハのベベリング方法 | |
JP2010171330A (ja) | エピタキシャルウェハの製造方法、欠陥除去方法およびエピタキシャルウェハ | |
JP2005311108A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2006120939A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2010040876A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
CN113302718B (zh) | 硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 | |
JP2023108951A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2003197547A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
WO2023181586A1 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶基板、及び窒化アルミニウム単結晶基板の製造方法 | |
JP7063259B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2023113512A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2003203890A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5565012B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4423903 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |