JP2005026288A

JP2005026288A - 電磁アクチュエータ、ステージ装置、並びに露光装置

Info

Publication number: JP2005026288A
Application number: JP2003187311A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Totsu; 政浩戸津; Junichi Sato; 淳一佐藤
Original assignee: Nikon Corp; Sendai Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp; Sendai Nikon Corp
Priority date: 2003-06-30
Filing date: 2003-06-30
Publication date: 2005-01-27

Abstract

【課題】コイルから外部への熱の伝達が少なく、しかも、部分的な熱の伝達の抑制や、小型化にも好ましく対応可能な電磁アクチュエータを提供する。
【解決手段】ペルチェ素子１１０の発熱面１１０ａをコイル１０２に対向して配する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コイルを備える電磁アクチュエータに関し、特に、露光装置のステージ装置に用いられる電磁アクチュエータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスの製造工程では、マスク（又はレチクル）に形成された回路パターンをレジスト（感光剤）が塗布された基板（ウエハやガラスプレートなど）上に転写する露光装置が用いられている。
【０００３】
露光装置としては、マスクのパターンを基板上の複数のショット領域（露光領域）に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の露光装置（いわゆるステッパ）や、マスクと基板とを一次元方向に同期移動してマスクのパターンを基板上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などがある。
【０００４】
露光装置において、マスクを保持するマスクステージ、あるいは基板を保持する基板ステージなどのステージ装置は、リニアモータやボイスコイルモータなどの電磁アクチュエータにおいて駆動される。
【０００５】
電磁アクチュエータは、通電するとコイルの内部抵抗等により発熱することから、周辺機器へ熱影響を及ぼすおそれがある。例えば、露光装置では、ステージ装置の位置情報を光干渉計を用いて計測することが多く、電磁アクチュエータの熱が光干渉計の光が通る空間に伝わると、温度差による気体の揺らぎが生じ、光干渉計の計測精度の低下をまねく。そのため、電磁アクチュエータは、周辺機器への熱影響を抑えるために冷却される。
【０００６】
電磁アクチュエータの冷却技術としては、冷媒を流してコイルの熱を回収するものが一般的である。しかしながら、冷媒を用いた電磁アクチュエータの冷却技術では、冷媒が熱を吸収しながら流れることから、下流に向かって冷媒の温度が上昇し、その熱が外部に伝達されるおそれがある。特に、電磁アクチュエータにおける冷媒の出口側（下流側）において外部への熱の伝達が生じやすい。
【０００７】
そこで、電磁アクチュエータの外部への熱の伝達を抑制するために、コイルを囲むジャケットを２重構造とし、２種類の冷媒を内側の流路と外側の流路とに分けて流す技術がある（例えば、特許文献１参照）。あるいは、ジャケットを２重構造とし、冷媒を途中で折り返して流す技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−２５２２７号公報
【特許文献２】
特開２００１−２７５３３４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ジャケットを２重構造とする技術は、ジャケットの構成や配管構成の複雑化を招きやすく、小型化への対応が困難である。また、部分的な熱伝達の抑制についても対応が難しい。
【００１０】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、コイルから外部への熱の伝達が少なく、しかも、部分的な熱の伝達の抑制や、小型化にも好ましく対応可能な電磁アクチュエータを提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、安定した動作性能を有するステージ装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、露光精度の向上を図ることができる露光装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は、実施の形態を示す図１から図１０に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の電磁アクチュエータは、コイル（１０２）を備える電磁アクチュエータ（１０１）において、前記コイルに対向して発熱面（１１０ａ）が配されたペルチェ素子（１１０）を備えることを特徴としている。
この電磁アクチュエータでは、ペルチェ素子の発熱面がコイルに対向して配されることにより、コイルから外部への熱の伝達が抑制される。すなわち、ペルチェ素子の発熱面が熱的な壁となって、コイルから外部に向かう熱の移動が抑制される。また、この電磁アクチュエータでは、ペルチェ素子を用いることにより、部分的な熱伝達の抑制が可能となり、また、小型化にも好ましく対応できる。
【００１２】
上記の電磁アクチュエータにおいて、前記コイル（１０１）を囲むジャケット（１２７）を備え、前記コイルと前記ジャケットとは、前記ペルチェ素子（１２３）によって連結されてもよい。
この電磁アクチュエータでは、コイルとジャケットとがペルチェ素子によって連結されていることにより、ペルチェ素子の発熱面が熱的な壁となって、連結部材を介した、コイルからジャケットへの熱の伝達が抑制される。
【００１３】
また、上記の電磁アクチュエータにおいて、前記コイル（１０２）を囲むジャケット（１２７）を備え、前記ジャケットは複数の前記ペルチェ素子（１３０，１３１）と板状絶縁体（１２４，１２５）とによって構成されていてもよい。
また、上記の電磁アクチュエータにおいて、前記ペルチェ素子（１１０）と前記コイル（１０２）との間に設けられ、前記コイルを囲むジャケット（１０３）を有し、前記ジャケット（１０３）と前記ペルチェ素子（１１０）とは断熱手段（１１６）を介して接合してもよい。
【００１４】
また、上記の電磁アクチュエータにおいて、前記ジャケット（１０３）と前記コイル（１０２）との間隙に冷媒が供給されることにより、コイルの熱が冷媒によって回収される。
【００１５】
また、上記の電磁アクチュエータにおいて、前記ペルチェ素子（１１０）は、前記ジャケット（１０３）における前記冷媒の出口側に配設されていることにより、熱を吸収して温度上昇した冷媒から外部への熱の伝達が抑制される。
【００１６】
また、上記の電磁アクチュエータにおいて、前記冷媒の温度と、前記ペルチェ素子（１１０）の吸熱面（１１０ｂ）の温度との少なくとも一方を計測する計測装置（１１１，１１２，１１４）と、前記計測装置の計測結果に基づいて、前記ペルチェ素子を制御する制御装置（１１３）とを備えていることにより、電磁アクチュエータから外部への熱伝達を確実にかつ効率的に抑制することができる。
【００１７】
また、上記の電磁アクチュエータにおいて、前記ペルチェ素子（２００，２０１）は、該ペルチェ素子に流れる電流により発生するローレンツ力が互いに打ち消し合うように配置されていることにより、ペルチェ素子による磁界への影響が抑制される。
【００１８】
本発明のステージ装置は、物体を保持して移動可能な可動部（５）を有するステージ装置において、前記可動部の駆動に上記の電磁アクチュエータが用いられていることを特徴としている。
このステージ装置では、電磁アクチュエータから周辺機器への熱影響が抑制されるので、安定した動作性能を発揮することができる。
【００１９】
本発明の露光装置は、マスク（Ｒ）を保持するマスクステージ（４）と、前記マスク上に形成されたパターンが転写される基板（Ｗ）を保持する基板ステージ（７）とを有する露光装置であって、前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも一方が上記のステージ装置であることを特徴としている。
この露光装置では、マスクステージと基板ステージとの少なくとも一方が安定した動作性能を示すことにより、露光精度の向上が図られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の電磁アクチュエータの実施の形態の第１例を模式的に示す図である。
電磁アクチュエータ１０１は、例えばリニアモータなど、磁界を発生させるコイル１０２を介して電気エネルギーを電磁力に変換するものである。本例の電磁アクチュエータ１０１は、コイル１０２を囲むジャケット１０３を有しており、このジャケット１０３内にコイル１０２の熱を回収するための冷媒の流路が形成されている。電磁アクチュエータ１０１では、例えば、通電時の内部抵抗等によりコイル１０２が発熱する。そのため、ジャケット１０３内の冷媒流路は、コイル１０２から効率的に熱を吸収できるように形成されている。なお、ジャケット１０３は、高い強度を有する非磁性かつ非導電性の材料からなるのが好ましい。ジャケット１０３の材質としては、例えば、ステンレス、チタン、チタン合金、セラミック、ＭＭＣ、ＣＦＲＰ等が挙げられる。
【００２１】
ジャケット１０３の冷媒流路には、不図示のポンプを介して冷媒が供給される。冷媒としては、例えば、ハイドロフルオロエーテル、ハイドロクロロフルオロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、クロロフルオロカーボンなどの他に、フロリナート（商標）などのフッ素系不活性液体、アンモニア、空気、水等が挙げられる。本例では、冷媒として、フッ素系不活性液体が用いられる。また、冷媒は、不図示の温調装置により、所定の温度（冷却能力を有する所定温度）に調整される。
【００２２】
ジャケット１０３の外面には、ペルチェ素子１１０（ペルチェモジュール）が貼り付けられている。ペルチェ素子１１０は、２種の導体や半導体（熱電冷却素子）の接点に電流（直流電流）が流れることにより熱移動を生じさせるものであり、対向する２つの面のうちの一方が発熱面１１０ａ、他方が吸熱面１１０ｂとなる。本例では、ジャケット１０３内のコイル１０２に対向して、ペルチェ素子１１０の発熱面１１０ａが配されている。具体的には、ジャケット１０３における冷媒の出口１０３ｂの側において、ジャケット１０３の外面とペルチェ素子１１０の発熱面１１０ａとが接しており、これにより、ペルチェ素子１１０の発熱面１１０ａがコイル１０２に向けて配され、吸熱面１１０ｂがコイル１０２に対して外向きに配されている。なお、ペルチェ素子では、電流を逆向きに流すことにより、発熱面と吸熱面とが逆転する。
【００２３】
また、ジャケット１０３の冷媒流路の入口１０３ａと出口１０３ｂにはそれぞれ、冷媒の温度を計測する計測装置としての温度センサ１１１，１１２が配設されている。また、ペルチェ素子１１０の吸熱面１１０ｂにも計測装置としての温度センサ１１４が配設されている。温度センサ１１１，１１２，１１４の計測結果は、制御装置１１３に送られる。制御装置１１３は、温度センサ１１１，１１２，１１４の計測結果に基づいて、ペルチェ素子１１０に流す電流を制御するようになっている。
【００２４】
上記構成の電磁アクチュエータ１０１では、通電時において、冷媒が循環供給される。すなわち、所定の温度に調整された冷媒が、入口１０３ａからジャケット１０３内に流入し、コイル１０２の熱を吸収しながらジャケット１０３内を流れ、出口１０３ｂから流出する。入口１０３ａ及び出口１０３ｂにおける冷媒の温度はそれぞれ、温度センサ１１１，１１２によって計測され、ペルチェ素子の吸熱面の温度は温度センサ１１４で計測される。制御装置１１３は、温度センサ１１１，１１２、１１４の少なくとも何れか１つの計測結果に基づいて、ペルチェ素子１１０に電流を供給する。具体的には、制御装置１１３は、入口１０３ａと出口１０３ｂとの間での冷媒の温度差が所定の値以上になるとペルチェ素子１１０に電流を供給する。そして、ペルチェ素子１１０に電流を供給している間は、入口１０３での冷媒温度を計測する温度センサ１１１と、ペルチェ素子１１０の吸熱面１１０ｂの温度を計測する温度センサ１１４との計測結果の差が所定の温度範囲内となるようにペルチェ素子１１０に供給する電流を制御する。
【００２５】
図２は、実施の形態の第１例におけるペルチェ素子１１０の作用を説明するための図である。
ペルチェ素子１１０は、通電時においてコイル１０２に対向する面（発熱面１１０ａ）が発熱して温度が高くなる。一方、冷媒は、コイル１０２の熱を吸収しながら流れるため、特に、ジャケット１０３の出口側において温度上昇する。温度上昇した冷媒の熱はジャケット１０３を介して外部に逃げようとするものの、ペルチェ素子１１０の発熱面１１０ａが熱的な壁となって、外部に向かう熱の移動が抑制される。
【００２６】
すなわち、ペルチェ素子１１０では、通電時において、発熱面１１０ａで温度が高く、吸熱面１１０ｂで温度が低い温度勾配が形成される。その結果、ペルチェ素子１１０での温度勾配に伴う熱移動により、ジャケット１０３内から外部に向かう熱が押し戻され、押し戻された熱は冷媒とともにジャケット１０３から取り除かれる。なお、外部空間に接しているペルチェ素子１１０の吸熱面１１０ｂは温度が低い。これらのことから、この電磁アクチュエータ１０１では、コイル１０２の熱がジャケット１０３の外部へ伝達するのが抑制され、周辺機器への熱影響が防止される。
【００２７】
また、この電磁アクチュエータ１０１では、ペルチェ素子１１０が、ジャケット１０３における冷媒の出口側に配設され、入口側には配設されていない（図１参照）。そのため、冷媒の温度が上昇するジャケット１０３の出口側において、部分的に熱伝達が抑制される。また、ペルチェ素子１１０への通電は、ジャケット１０３の入口及び出口に配設された温度センサ１１１，１１２，１１４の計測結果に基づいて行われる。これらのことから、この電磁アクチュエータ１０１では、適切な場所及びタイミングにおいて、コイルから外部への熱伝達の抑制が確実に行われるとともに、ペルチェ素子１１０に対する消費電力の節約が図られる。なお、ペルチェ素子１１０の配設場所や配設面積は、ジャケット１０３内から外部に逃げる熱の移動量やその場所に応じて適宜定められる。例えば、ジャケット１０３の外面すべてを覆うようにペルチェ素子を配設してもよく、あるいは、ジャケット１０３に対して、複数のペルチェ素子を配設し、それらを個々に制御してもよい。
【００２８】
なお、本実施の形態においては温度センサを冷媒入口１０３ａ、冷媒出口１０３ｂ、ペルチェ素子吸熱面１１０ｂの３箇所に配置したが、温度センサは何れか１箇所のみに配置することもできる。温度センサを冷媒入口１０３ａのみに設けた場合、制御装置１１３は、温度センサ１１１の計測結果と、電磁アクチュエータ１０１の通電時における既知の発熱量とに基づいて、ペルチェ素子１１０に供給する電流を制御すればよい。温度センサを冷媒出口１０３ｂのみに設けた場合、制御装置１１３は、温度センサ１１２の計測結果から電磁アクチュエータ１０１の発熱量を推定し、ペルチェ素子１１０に供給する電流を制御すればよい。温度センサをペルチェ素子吸熱面１１０ｂのみに設けた場合、制御装置１１３は、温度センサ１１４の計測結果に基づいて、ペルチェ素子吸熱面１１０ｂの温度が所定の目標温度となるようにペルチェ素子１１０に供給する電流を制御すればよい。これらの場合、制御装置１１３は、１つの温度センサの計測結果に基づいてペルチェ素子１１０の制御を行なうので、制御方法を簡略化できる。また、温度センサは冷媒入口１０３ａ、冷媒出口１０３ｂ、ペルチェ素子吸熱面１１０ｂのうちのいずれか２箇所に配置しても構わない。温度センサを冷媒入口１０３ａとペルチェ素子吸熱面１１０ｂとの２箇所に設けた場合、制御装置１１３は、冷媒入口１０３ａに設けた温度センサ１１１とペルチェ素子吸熱面１１０ｂに設けた温度センサ１１４との計測結果の差が所定の温度範囲内になるようにペルチェ素子１１０に供給する電流を制御すればよい。温度センサを冷媒出口１０３ｂとペルチェ素子吸熱面１１０ｂとの２箇所に設けた場合、制御装置１１３は、冷媒出口１０３ｂに設けた温度センサ１１２で計測される冷媒出口１０３ｂの温度からペルチェ素子吸熱面１１０ｂの目標温度を求め、ペルチェ吸熱面１１０ｂに設けられた温度センサ１１４の計測結果が該目標値となるようにペルチェ素子１１０に供給する電流を制御すればよい。このとき、温度センサ１１２の計測値に基づいてペルチェ素子１１０の電流を制御するためのゲインを変更するものとしても構わない。これらの場合、制御装置１１３は１つの温度センサに基づいて制御を行なうのと比較して、より精密な温度制御を行なうことができ、またより迅速にペルチェ素子を目標の温度に制御することができる。
【００２９】
図３は、本発明の電磁アクチュエータの実施の形態の第２例を模式的に示す図である。なお、先の図１および図２に示した実施の形態例と同一の機能を有する構成要素は同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００３０】
実施の形態の第２例の電磁アクチュエータ１１５は、コイル１０２を囲むジャケット１０３とペルチェ素子１１０との間にガラス繊維断熱材で形成された断熱手段としての断熱部材１１６を備える。そして、第１の実施の形態と同様に、コイル１０２とジャケット１０３との間には冷媒流路が形成され、該冷媒流路を冷媒が流動している。これによればコイル１０２が発生した熱は冷媒の温度を上昇させ、ジャケット１０３を通じて外部へ伝わろうとするが、断熱部材１１６によって伝導を妨げられる。断熱部材１１６の外側には、断熱部材１１６に対して発熱面１１０ａを向けるようにペルチェ素子１１０が配置される。すなわち、発熱面１１０ａがコイル１０２に対向するようにペルチェ素子１１０が配置されている。そのため、断熱部材１１６を通過してきた僅かな熱も、ペルチェ阻止１１０が発生する熱移動に妨げられ外部にまでは到達しない。これにより電磁アクチュエータ１１５の動作によって発生した熱が外部に伝達するのを抑制することができる。
断熱部材１１６としてはガラス繊維断熱材以外にもセラミック板やベークライト板などを用いることができる。また、ジャケット１０３とペルチェ素子１１０との間に形成した空気層あるいは真空層を断熱部材１１６としても構わない。この場合、空気層あるいは真空層を有する中空板を断熱部材１１６として用いるのが好ましい。更に、ジャケット１０３を断熱効果のある素材で形成し、ジャケット１０３と断熱部材１１６とを一体成型しても構わない。この場合においても上記と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
図４は、本発明の電磁アクチュエータの実施の形態の第３例を模式的に示す図である。なお、先の図１に示した実施の形態例と同一の機能を有する構成要素は同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００３２】
実施の形態の第３例（電磁アクチュエータ１２１）において、上記実施の形態例と異なる点は、ペルチェ素子を、コイルとジャケットとを連結する連結部材として用いている点である。図４に示すように、ペルチェ素子１２３（ペルチェモジュール）は、筒状に形成されたＮ型半導体素子１３０とＰ型半導体素子１３１とが電気的に直列に接続された構成からなる。より具体的には、コイル１０２の外側にセラミックや樹脂材料等からなる板状絶縁体１２４，１２５が配設されており、板状絶縁体１２４と１２５との間に、複数のＮ型半導体素子１３０と複数のＰ型半導体素子１３１とが並べられている。板状絶縁体１２４と１２５とは、ペルチェ素子１２３（Ｎ型半導体素子１３０、Ｐ型半導体素子１３１）によって互いに連結されており、外側の板状絶縁体１２５は、コイル１０２に対してペルチェ素子１２３を介して支持された状態にある。また、Ｎ型半導体素子１３０及びＰ型半導体素子１３１は、端面同士が導体１２６を介して互いに電気的に接続されており、通電されるとコイル１０２に近い側が発熱面１２３ａ、反対側が吸熱面１２３ｂとなる。また、板状絶縁体１２４と１２５との間には、不図示のポンプを介して冷媒が循環供給される。なお、上記ペルチェ素子１２３（Ｎ型半導体素子１３０、Ｐ型半導体素子１３１）、及び板状絶縁体１２４，１２５等により、コイル１０２を囲むジャケット１２７が構成される。
【００３３】
上記構成の電磁アクチュエータ１２１では、ジャケット１２７内に流入した冷媒は、板状絶縁体１２４と１２５との間（並びにＮ型半導体素子１３０とＰ型半導体素子１３１との間）を流れ、コイル１０２の熱を回収する。また、ペルチェ素子１２３は、通電時において、内側の発熱面１２３ａと外側の吸熱面１２３ｂとの間で温度勾配を形成する。コイル１０２の熱の一部は、ペルチェ素子１２３（Ｎ型半導体素子１３０、Ｐ型半導体素子１３１）を介して、内側の板状絶縁体１２４から外側の板状絶縁体１２５に移動しようとするものの、ペルチェ素子１２３の発熱面が熱的な壁となり、外部に向かう熱の移動が抑制される。すなわち、この電磁アクチュエータ１２１では、ペルチェ素子１２３をジャケット１２７の連結部材として用いていることから、連結部材を介した、コイル１０２からジャケット１２７への熱の伝達が抑制される。また、この構成では、熱的な観点から、連結部材の数や位置に制限が少なく、ジャケット１２７の構造強度の向上が図りやすいという利点がある。
【００３４】
ここで、ペルチェ素子では、通電時に磁界中で移動すると、構成要素である導体あるいは半導体に流れる電流によりローレンツ力が発生する。そのため、ペルチェ素子を電磁アクチュエータで用いる場合には、ローレンツ力が打ち消されるように配置されるのが好ましい。図５及び図６は、ローレンツ力を打ち消すためのペルチェ素子の配置例を模式的に示すものであり、リニアモータにおける可動子のコイル（不図示）に対して一体的に配置した２つのペルチェ素子（ペルチェモジュール２００，２０１）を代表的に示している。なお、各ペルチェモジュール２００，２０１はそれぞれ、不図示のコイルに対向して発熱面２００ａ，２０１ａが配され、外向きに吸熱面２００ｂ，２０１ｂが配されている。
【００３５】
図５に示す例では、２つのペルチェモジュール２００，２０１が、可動子の移動方向と直交する方向に並べられるとともに、同一の磁界中に配置されている。また、２つのペルチェモジュール２００，２０１は、互いに逆方向に電流が供給され、その結果、各発熱面２００ａ，２０１ａが互いに対向して配されている。この構成では、同一磁界中に配される２つのペルチェモジュール２００，２０１に対して、互いに逆向きに電流が流れることから、ペルチェモジュール２００と２０１とでローレンツ力が逆向きに発生し、それらが互いに打ち消し合う。そのため、ローレンツ力によるリニアモータの制御性の低下が抑制される。
【００３６】
一方、図６に示す例では、２つのペルチェモジュール２００，２０１が、可動子の移動方向に平行に並べられるとともに、互いに逆向きの磁界中に配置されるように、磁極ピッチの１／２のピッチで配置されている。また、２つのペルチェモジュール２００，２０１に対して、同方向に電流が供給され、各ペルチェモジュール２００，２０１の発熱面２００ｂ，２０１ｂが同じ向きに配されている。この構成では、逆向きの磁界中に配される２つのペルチェモジュール２００，２０１に対して電流が同じ向きに流れることにより、ペルチェモジュール２００と２０１とでローレンツ力が逆向きに発生し、それらが互いに打ち消し合う。そのため、ローレンツ力によるリニアモータの制御性の低下が抑制される。
【００３７】
なお、図５及び図６に示した配置例はペルチェ素子で発生するローレンツ力を打ち消すための概念を示したものであり、ローレンツ力を打ち消すための構成としては、図５及び図６を組み合わせた形態など様々な形態が適用可能である。
【００３８】
また、ペルチェ素子では、磁界中で移動すると、構成要素である導体あるいは半導体に逆起電力が生じる。そのため、ペルチェ素子に加える電圧を、逆起電力に応じて変化させるのが好ましい。すなわち、ペルチェ素子に生じる逆起電力は、磁界中でのペルチェ素子の移動速度に応じて変化することから、例えば、電磁アクチュエータ（リニアモータ）の駆動電圧に基づいてペルチェ素子に加える電圧を制御するとよい。これにより、電磁アクチュエータの駆動時において、ペルチェ素子に所望の熱勾配を確実に形成することができ、コイルから外部への熱移動をより確実に抑制できる。
【００３９】
次に、本発明のステージ装置および露光装置の実施の形態例を、図７から図９を参照して説明する。ここでは、露光装置として、マスクとしてのレチクルと基板としてのウエハとを同期移動しつつ、レチクルに形成された半導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写する、スキャニング・ステッパ（走査型露光装置）を使用する場合の例を用いて説明する。また、この露光装置においては、本発明のステージ装置をウエハステージに適用するものとする。
【００４０】
図７に示す露光装置１は、光源（不図示）からの露光用照明光によりレチクル（マスク）Ｒ上の矩形状（あるいは円弧状）の照明領域を均一な照度で照明する照明光学系ＩＵと、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージ（マスクステージ）２および該レチクルステージ２を支持するレチクル定盤３を含むステージ装置４と、レチクルＲから射出される照明光をウエハ（基板）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを保持して移動するウエハステージ（基板ステージ）５および該ウエハステージ５を保持するウエハ定盤６を含むステージ装置７と、上記ステージ装置４および投影光学系ＰＬを支持するリアクションフレーム８とから概略構成されている。なお、ここで投影光学系ＰＬの光軸方向をＺ方向とし、このＺ方向と直交する方向でレチクルＲとウエハＷの同期移動方向をＹ方向とし、非同期移動方向をＸ方向とする。また、それぞれの軸周りの回転方向をθＺ、θＹ、θＸとする。
【００４１】
照明光学系ＩＵは、リアクションフレーム８の上面に固定された支持コラム９によって支持される。なお、露光用照明光としては、例えば超高圧水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線）およびＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）およびＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ）などが用いられる。
【００４２】
リアクションフレーム８は、床面に水平に載置されたベースプレート１０上に設置されており、その上部側および下部側には、内側に向けて突出する段部８ａおよび８ｂがそれぞれ形成されている。
【００４３】
ステージ装置４の中、レチクル定盤３は、各コーナーにおいてリアクションフレーム８の段部８ａに防振ユニット１１を介してほぼ水平に支持されており（なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せず）、その中央部にはレチクルＲに形成されたパターン像が通過する開口３ａが形成されている。なお、レチクル定盤３の材料として金属やセラミックスを用いることができる。防振ユニット１１は、内圧が調整可能なエアマウント１２とボイスコイルモータ１３とが段部８ａ上に直列に配置された構成になっている。これら防振ユニット１１によって、ベースプレート１０およびリアクションフレーム８を介してレチクル定盤３に伝わる微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている（Ｇは重力加速度）。
【００４４】
レチクル定盤３上には、レチクルステージ２が該レチクル定盤３に沿って２次元的に移動可能に支持されている。レチクルステージ２の底面には、非接触ベアリングとして複数のエアベアリング（エアパッド）１４が固定されており、これらのエアベアリング１４によってレチクルステージ２がレチクル定盤３上に数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。また、レチクルステージ２の中央部には、レチクル定盤３の開口３ａと連通し、レチクルＲのパターン像が通過する開口２ａが形成されている。
【００４５】
レチクルステージ２について詳述すると、図８に示すように、レチクルステージ２は、レチクル定盤３上を一対のＹリニアモータ１５、１５によってＹ軸方向に所定ストロークで駆動されるレチクル粗動ステージ１６と、このレチクル粗動ステージ１６上を一対のＸボイスコイルモータ１７Ｘと一対のＹボイスコイルモータ１７ＹとによってＸ、Ｙ、θＺ方向に微小駆動されるレチクル微動ステージ１８とを備えた構成になっている（なお、図７では、これらを１つのステージとして図示している）。
【００４６】
各Ｙリニアモータ１５は、レチクル定盤３上に非接触ベアリングである複数のエアベアリング（エアパッド）１９によって浮上支持されＹ軸方向に延びる固定子２０と、この固定子２０に対応して設けられ、連結部材２２を介してレチクル粗動ステージ１６に固定された可動子２１とから構成されている。このため、運動量保存の法則により、レチクル粗動ステージ１６の＋Ｙ方向の移動に応じて、固定子２０は−Ｙ方向に移動する。この固定子２０の移動によりレチクル粗動ステージ１６の移動に伴う反力を相殺するとともに、重心位置の変化を防ぐことができる。
【００４７】
なお、固定子２０は、レチクル定盤３上に代えて、リアクションフレーム８に設けてもよい。固定子２０をリアクションフレーム８に設ける場合には、エアベアリング１９を省略し、固定子２０をリアクションフレーム８に固定して、レチクル粗動ステージ１６の移動により固定子２０に作用する反力をリアクションフレーム８を介して床に逃がしてもよい。
【００４８】
レチクル粗動ステージ１６は、レチクル定盤３の中央部に形成された上部突出部３ｂの上面に固定されＹ軸方向に延びる一対のＹガイド５１、５１によってＹ軸方向に案内されるようになっている。また、レチクル粗動ステージ１６は、これらＹガイド５１、５１に対して不図示のエアベアリングによって非接触で支持されている。
【００４９】
レチクル微動ステージ１８には、不図示のバキュームチャックを介してレチクルＲ（図７参照）が吸着保持されるようになっている。レチクル微動ステージ１８の−Ｙ方向の端部には、コーナキューブからなる一対のＹ移動鏡５２ａ、５２ｂが固定され、また、レチクル微動ステージ１８の＋Ｘ方向の端部には、Ｙ軸方向に延びる平面ミラーからなるＸ移動鏡５３が固定されている。そして、これら移動鏡５２ａ、５２ｂ、５３に対して測長ビームを照射する３つのレーザ干渉計（いずれも不図示）が各移動鏡との距離を計測することにより、レチクルステージ２のＸ、Ｙ、θＺ（Ｚ軸回りの回転）方向の位置が高精度に計測される。なお、レチクル微動ステージ１８の材質として金属やコージェライトまたはＳｉＣからなるセラミックスを用いることができる。
【００５０】
図７に戻り、投影光学系ＰＬとして、ここでは物体面（レチクルＲ）側と像面（ウエハＷ）側の両方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や蛍石を光学硝材とした屈折光学素子（レンズ素子）からなる１／４（または１／５）縮小倍率の屈折光学系が使用されている。このため、レチクルＲに照明光が照射されると、レチクルＲ上の回路パターンのうち、照明光で照明された部分からの結像光束が投影光学系ＰＬに入射し、その回路パターンの部分倒立像が投影光学系ＰＬの像面側の円形視野の中央にスリット状に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系ＰＬの結像面に配置されたウエハＷ上の複数のショット領域のうち、１つのショット領域表面のレジスト層に縮小転写される。
【００５１】
投影光学系ＰＬの鏡筒部の外周には、該鏡筒部に一体化されたフランジ２３が設けられている。そして、投影光学系ＰＬは、リアクションフレーム８の段部８ｂに防振ユニット２４を介してほぼ水平に支持された鋳物等で構成された鏡筒定盤２５に、光軸方向をＺ方向として上方から挿入されるとともに、フランジ２３が係合している。なお、鏡筒定盤２５として、高剛性・低熱膨張のセラミックス材を用いてもよい。
【００５２】
フランジ２３の素材としては、低熱膨張の材質、例えばインバー（Ｉｎｖｅｒ；ニッケル３６％、マンガン０．２５％、および微量の炭素と他の元素を含む鉄からなる低膨張の合金）が用いられている。このフランジ２３は、投影光学系ＰＬを鏡筒定盤２５に対して点と面とＶ溝とを介して３点で支持する、いわゆるキネマティック支持マウントを構成している。このようなキネマティック支持構造を採用すると、投影光学系ＰＬの鏡筒定盤２５に対する組み付けが容易で、しかも組み付け後の鏡筒定盤２５および投影光学系ＰＬの振動、温度変化等に起因する応力を最も効果的に軽減できるという利点がある。
【００５３】
防振ユニット２４は、鏡筒定盤２５の各コーナーに配置され（なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せず）、内圧が調整可能なエアマウント２６とボイスコイルモータ２７とが段部８ｂ上に直列に配置された構成になっている。これら防振ユニット２４によって、ベースプレート１０およびリアクションフレーム８を介して鏡筒定盤２５（ひいては投影光学系ＰＬ）に伝わる微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている。
【００５４】
ステージ装置７は、図７から明らかなように、ステージ装置４と投影光学系ＰＬとから分離してベースプレート１０上に設けられている。ステージ装置７は、ウエハステージ５、このウエハステージ５をＸＹ平面に沿った２次元方向に移動可能に支持するウエハ定盤６、ウエハステージ５と一体的に設けられウエハＷを吸着保持する試料台ＳＴ、これらウエハステージ５および試料台ＳＴを相対移動自在に支持するＸガイドバーＸＧを主体に構成されている。ウエハステージ５の底面には、非接触ベアリングである複数のエアベアリング（エアパッド）２８が固定されており、これらのエアベアリング２８によってウエハステージ５がウエハ定盤６上に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
【００５５】
ウエハ定盤６は、ベースプレート１０の上方に、防振ユニット２９を介してほぼ水平に支持されている。防振ユニット２９は、ウエハ定盤６の各コーナーに配置され（なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せず）、内圧が調整可能なエアマウント３０とウエハ定盤６に対して推力を付与するボイスコイルモータ３１とがベースプレート１０上に並列に配置された構成になっている。これら防振ユニット２９によって、ベースプレート１０を介してウエハ定盤６に伝わる微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている。
【００５６】
図９に示すように、ＸガイドバーＸＧは、Ｘ方向に沿った長尺形状を呈しており、その長さ方向両端には電機子ユニットからなる可動子３６，３６がそれぞれ設けられている。これらの可動子３６，３６に対応する磁石ユニットを有する固定子３７，３７は、ベースプレート１０に突設された支持部３２、３２に設けられている（図７参照、なお図７では可動子３６および固定子３７を簡略して図示している）。そして、これら可動子３６および固定子３７によってムービングコイル型のリニアモータ３３、３３が構成されており、可動子３６が固定子３７との間の電磁気的相互作用により駆動されることで、ＸガイドバーＸＧはＹ方向に移動するとともに、リニアモータ３３、３３の駆動を調整することでθＺ方向に回転移動する。すなわち、このリニアモータ３３によってＸガイドバーＸＧとほぼ一体的にウエハステージ５（および試料台ＳＴ、以下単にウエハステージ５と称する）がＹ方向およびθＺ方向に駆動されるようになっている。なお、ウエハステージ５は、Ｙ方向の移動にはガイド部材を有さないガイドレスステージとなっているが、ウエハステージ５のＸ方向の移動に関しても適宜ガイドレスステージとすることができる。
【００５７】
ウエハステージ５は、ＸガイドバーＸＧとの間にＺ方向に所定量のギャップを維持する磁石およびアクチュエータからなる磁気ガイドを介して、ＸガイドバーＸＧにＸ方向に相対移動自在に非接触で支持・保持されている。また、ウエハステージ５は、ＸガイドバーＸＧに埋設された固定子３５ａを有するＸリニアモータ３５による電磁気的相互作用によりＸ方向に駆動される。なお、Ｘリニアモータの可動子は図示していないが、ウエハステージ５に取り付けられている。
【００５８】
ウエハステージ５の上面には、ウエハホルダ４１を介してウエハＷが真空吸着等によって固定される（図７参照、図９では図示略）。また、ウエハステージ５のＸ方向の位置は、投影光学系ＰＬの鏡筒下端に固定された参照鏡４２を基準として、ウエハステージ５の一部に固定された移動鏡４３の位置変化を計測するレーザ干渉計４４によって所定の分解能、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能でリアルタイムに計測される。なお、上記参照鏡４２、移動鏡４３、レーザ干渉計４４とほぼ直交するように配置された不図示の参照鏡、レーザ干渉計および移動鏡（図９に示す移動鏡４８）によってウエハステージ５のＹ方向の位置が計測される。なお、これらレーザ干渉計の中、少なくとも一方は、測長軸を２軸以上有する多軸干渉計であり、これらレーザ干渉計の計測値に基づいてウエハステージ５（ひいてはウエハＷ）のＸＹ位置のみならず、θ回転量あるいはこれらに加え、レベリング量をも求めることができるようになっている。
【００５９】
また、ＸガイドバーＸＧの−Ｘ方向側には、ボイスコイルモータで構成されたＸトリムモータ３４の可動子３４ａが取り付けられている。Ｘトリムモータ３４は、Ｘリニアモータ３５の固定子としてのＸガイドバーＸＧとリアクションフレーム８との間に介装され、その固定子３４ｂはリアクションフレーム８（図７参照）に設けられている。このため、ウエハステージ５をＸ方向に駆動する際の反力は、Ｘトリムモータ３４によりリアクションフレーム８に伝達され、さらにリアクションフレーム８を介してベースプレート１０（図７参照）に伝達される。なお、実際にはＸトリムモータ３４は、リニアモータ３３を挟んだＺ方向両側に配置されているが、図７および図９では便宜上＋Ｚ側のＸトリムモータ３４のみ図示している。
【００６０】
また、リニアモータ３３、３３及びＸリニアモータ３５にはそれぞれ冷媒が供給されるとともに、冷媒流路を形成するジャケットには、先の図１から図３に示したように、ペルチェ素子が配設されている。すなわち、リニアモータ３３、３３及びＸリニアモータ３５の各可動子のコイルに対して、ペルチェ素子の発熱面が対向して配置されている。
【００６１】
次に、上記のように構成されたステージ装置の動作および露光装置による露光処理の動作について説明する。
ここでは、予め、ウエハＷ上のショット領域を適正露光量（目標露光量）で走査露光するための各種の露光条件が設定されているものとする。そして、いずれも不図示のレチクル顕微鏡およびオフアクシス・アライメントセンサ等を用いたレチクルアライメント、ベースライン計測等の準備作業が行われ、その後アライメントセンサを用いたウエハＷのファインアライメント（ＥＧＡ；エンハンスト・グローバル・アライメント等）が終了し、ウエハＷ上の複数のショット領域の配列座標が求められる。
【００６２】
ウエハＷの露光のための準備動作が完了すると、アライメント結果に基づいてレーザ干渉計４４の計測値をモニタしつつ、リニアモータ３３、３５を制御してウエハＷの第１ショットの露光のための走査開始位置にウエハステージ５を移動する。そして、リニアモータ１５、３３を介してレチクルステージ２とウエハステージ５とのＹ方向の走査を開始し、両ステージ２、５がそれぞれの目標走査速度に達すると、照明光学系ＩＵからの露光用照明光により、レチクルＲ上の所定の矩形状の照明領域が均一な照度で照明される。この照明領域に対してレチクルＲがＹ方向に走査されるのに同期して、この照明領域と投影光学系ＰＬに関して共役な露光領域に対してウエハＷを走査する。
【００６３】
そして、レチクルＲのパターン領域を透過した照明光が投影光学系ＰＬにより１／５倍あるいは１／４倍に縮小され、レジストが塗布されたウエハＷ上に照射される。そして、ウエハＷ上の露光領域には、レチクルＲのパターンが逐次転写され、１回の走査でレチクルＲ上のパターン領域の全面がウエハＷ上のショット領域に転写される。この走査露光時には、レチクルステージ２のＹ方向の移動速度と、ウエハステージ５のＹ方向の移動速度とが投影光学系ＰＬの投影倍率（１／５倍あるいは１／４倍）に応じた速度比に維持されるように、リニアモータ１５、３３を介してレチクルステージ２およびウエハステージ５が同期制御される。
【００６４】
レチクルステージ２の走査方向の加減速時の反力は、固定子２０の移動により吸収され、ステージ装置４における重心の位置がＹ方向において実質的に固定される。また、レチクルステージ２と固定子２０とレチクル定盤３との３者間の摩擦が零でなかったり、レチクルステージ２と固定子２０との移動方向が僅かに異なる等の理由で、レチクル定盤３の６自由度方向の微少な振動が残留した場合には、上記残留振動を除去すべく、エアマウント１２およびボイスコイルモータ１３をフィードバック制御する。また、鏡筒定盤２５においては、レチクルステージ２、ウエハステージ５の移動による微振動が発生しても、６自由度方向の振動を求め、エアマウント２６およびボイスコイルモータ２７をフィードバック制御することによりこの微振動をキャンセルして、鏡筒定盤２５を定常的に安定した位置に維持することができる。
【００６５】
同様に、ステージ装置７では、レーザ干渉計４４等の計測値に基づいて、ウエハステージ５の移動に伴う重心の変化による影響をキャンセルするカウンターフォースを防振ユニット２９に対してフィードフォワードで与え、この力を発生するようにエアマウント３０およびボイスコイルモータ３１を駆動する。また、ウエハステージ５とウエハ定盤６との摩擦が零でない等の理由で、ウエハ定盤６の６自由度方向の微少な振動が残留した場合にも、上記残留振動を除去すべく、エアマウント３０およびボイスコイルモータ３１をフィードバック制御する。
【００６６】
また、動作中のステージ装置７では、通電に伴ってリニアモータ（リニアモータ３３、３３及びＸリニアモータ３５）のコイルが発熱するものの、冷媒の循環により、冷媒とコイルとの間で熱交換が行われ、コイルの熱が冷媒に回収される。
【００６７】
しかも、ステージ装置７では、ペルチェ素子の発熱面が熱的な壁となって、リニアモータのコイルから外部に向かう熱の移動が抑制される。そのため、このステージ装置７では、リニアモータからの熱による空気揺らぎが生じにくく、レーザ干渉計４４等の計測精度の低下が防止される。すなわち、このステージ装置７では、リニアモータから周辺機器への熱影響が抑制されるので、安定した動作性能を発揮することができる。そして、このステージ装置７を備える露光装置１では、ステージ装置７が安定した動作性能を示すことにより、露光精度の向上が図られる。
【００６８】
なお、本例では、ウエハ用のステージ装置の冷却について説明したが、レチクル用のステージ装置に対しても同様に、ペルチェ素子を配設する構成としてもよい。
【００６９】
また、基板としては、半導体デバイス用の半導体ウエハのみならず、液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミック基板、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７０】
露光装置としては、レチクル（マスク）とウエハ（基板）とを同期移動してレチクルのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパ；ＵＳＰ５，４７３，４１０）の他に、レチクルとウエハとを静止した状態でウエハを順次ステップ移動させながらレチクルのパターンを露光するステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００７１】
露光装置の種類としては、ウエハに半導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤなど）あるいはレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７２】
露光用照明光として、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）、Ｆ_２レーザ光（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ_６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。さらに、電子線を用いる場合は、レチクルを用いる構成としてもよいし、レチクルを用いずに直接ウエハ上にパターンを形成する構成としてもよい。また、ＹＡＧレーザ光や半導体レーザ等の高周波等の波長が２００ｎｍ〜１００ｎｍ程度の真空紫外光も適用できる。
【００７３】
投影光学系の倍率は、縮小系のみならず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系としては、エキシマレーザ光などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ_２レーザ光やＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし（レチクルも反射型タイプを用いる）、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系を用いることなく、レチクル（マスク）とウエハ（基板）とを密接させてレチクルのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用可能である。
【００７４】
ウエハステージやレチクルステージの摺動方式としては、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【００７５】
ステージの駆動装置として、二次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁石）と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力によりステージを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニットとのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。この場合でもあっても本発明を適用することができる。
【００７６】
本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７７】
半導体デバイスは、図１０に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、シリコン材料からウエハを製造するステップ２０３、前述した露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００７８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電磁アクチュエータによれば、ペルチェ素子の発熱面がコイルに対向して配されることにより、コイルから外部への熱の伝達が抑制される。また、ペルチェ素子の利用により、部分的な熱伝達の抑制が可能となり、小型化にも好ましく対応できる。
また、本発明のステージ装置によれば、電磁アクチュエータから周辺機器への熱影響が抑制されるので、安定した動作性能を発揮することができる。
また、本発明の露光装置によれば、マスクステージと基板ステージとの少なくとも一方が安定した動作性能を発揮することから、露光精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電磁アクチュエータの実施の形態の第１例を模式的に示す図である。
【図２】ペルチェ素子の作用を説明するための図である。
【図３】本発明の電磁アクチュエータの実施の形態の第２例を模式的に示す図である。
【図４】本発明の電磁アクチュエータの実施の形態の第３例を模式的に示す図である。
【図５】ローレンツ力を打ち消すためのペルチェ素子の配置例を模式的に示す図である。
【図６】ローレンツ力を打ち消すためのペルチェ素子の配置の他の例を模式的に示す図である。
【図７】本発明の露光装置の概略構成図である。
【図８】同露光装置を構成するウエハ側ステージ装置の外観斜視図である。
【図９】ウエハステージを構成するＸトリムモータの概略構成図である。
【図１０】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
Ｒ…レチクル（マスク）、Ｗ…ウエハ（基板）、ＰＬ…投影光学系、１…露光装置、２…レチクルステージ、４、７…ステージ装置、５…ウエハステージ（基板ステージ）、３３、３５…リニアモータ（電磁アクチュエータ）、４４…レーザ干渉計、１０１、１１５、１２１…電磁アクチュエータ、１０２…コイル、１０３、１２７…ジャケット、１１０ａ、１２３ａ、２００ａ、２０１ａ…発熱面、１１０ｂ、１２３ｂ、２００ｂ、２０１ｂ…吸熱面、１１０、１２３、２００、２０１…ペルチェ素子（ペルチェモジュール）、１１１、１１２、１１４…温度センサ（計測装置）、１１３…制御装置、１３０…Ｎ型半導体素子（ペルチェ素子）、１３１…Ｐ型半導体素子（ペルチェ素子）、１２４、１２５…板状絶縁体。

Claims

コイルを備える電磁アクチュエータにおいて、
前記コイルに対向して発熱面が配されたペルチェ素子を備えることを特徴とする電磁アクチュエータ。
前記コイルを囲むジャケットを備え、
前記コイルと前記ジャケットとは、前記ペルチェ素子によって連結されることを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
前記コイルを囲むジャケットを備え、
前記ジャケットは複数の前記ペルチェ素子と板状絶縁体とによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
前記ペルチェ素子と前記コイルとの間に設けられ、前記コイルを囲むジャケットを有し、
前記ジャケットと前記ペルチェ素子とは断熱手段を介して接合されることを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
前記ジャケットと前記コイルとの間隙に冷媒が供給されることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の電磁アクチュエータ。
前記ペルチェ素子は、前記ジャケットにおける前記冷媒の出口側に配設されることを特徴とする請求項５に記載の電磁アクチュエータ。
前記冷媒の温度と、前記ペルチェ素子の吸熱面の温度との少なくとも一方を計測する計測装置と、
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記ペルチェ素子を制御する制御装置とを備えることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電磁アクチュエータ。
前記ペルチェ素子は、該ペルチェ素子に流れる電流により発生するローレンツ力が互いに打ち消し合うように配置されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電磁アクチュエータ。
物体を保持して移動可能な可動部を有するステージ装置において、
前記可動部の駆動に請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電磁アクチュエータが用いられていることを特徴とするステージ装置。
マスクを保持するマスクステージと、前記マスク上に形成されたパターンが転写される基板を保持する基板ステージとを有する露光装置であって、
前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも一方が請求項９に記載のステージ装置であることを特徴とする露光装置。