JP2009037391A - 温度調整装置、露光装置、アクチュエータ装置、保持装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】温度調整用の流体が供給される空間の圧力上昇を抑制して、物体を良好に温度調整できる温度調整装置を提供する。
【解決手段】温度調整装置は、所定空間に温度調整用の流体を供給して物体の温度を調整する。温度調整装置は、所定空間に流体を供給するための供給流路と、供給流路から分岐する分岐流路と、所定空間に流入する流体の圧力に応じて、供給流路を流れる流体の少なくとも一部を分岐流路に流すことができる調整機構とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、物体の温度を調整する温度調整装置、露光光で基板を露光する露光装置、アクチュエータ装置、保持装置、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、パターンが形成されたマスクを露光光で照明し、そのマスクを介した露光光で感光性の基板を露光する。露光装置においては、マスクは、マスクステージのようなマスク保持装置に保持され、基板は、基板ステージのような基板保持装置に保持される。基板を露光する際、例えば下記特許文献１に開示されているように、マスクを保持するマスク保持装置及び基板を保持する基板保持装置のそれぞれが、リニアモータのようなアクチュエータ装置によって移動される。
特開２０００−１１４０３４号公報

例えばリニアモータは、コイルを収容するキャンと呼ばれるハウジングを備えている。リニアモータにおいては、コイルから発生する熱に起因する温度上昇を抑制するために、温度調整用の流体をハウジングの内部空間に供給することが行われる。供給される流体の圧力が上昇すると、ハウジングにかかる負荷が大きくなって、ハウジングが変形したり、損傷したりする可能性がある。その結果、リニアモータの性能が低下する可能性がある。

また、マスク保持装置及び基板保持装置に設けられている保持部材の温度を調整するために、その保持部材の内部空間に流体を供給する場合において、供給される流体の圧力が上昇すると、保持部材にかかる負荷が大きくなって、保持部材が変形したり、損傷したりする可能性がある。その結果、保持装置の性能が低下する可能性がある。

露光装置において、リニアモータ等のアクチュエータ装置、あるいは保持装置の性能が低下すると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、その露光装置を用いて製造されるデバイスが不良となる可能性がある。

本発明は、温度調整用の流体が供給される空間の圧力上昇を抑制して、物体の温度を良好に調整できる温度調整装置を提供することを目的とする。また本発明は、物体の温度を良好に調整して、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、温度調整用の流体が供給される空間の圧力上昇を抑制し、性能の低下を抑制できるリニアモータ装置、保持装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、所定空間に温度調整用の流体を供給して物体の温度を調整する温度調整装置であって、所定空間に流体を供給するための供給流路と、供給流路から分岐する分岐流路と、所定空間に流入する流体の圧力に応じて、供給流路を流れる流体の少なくとも一部を分岐流路に流すことができる調整機構と、を備えた温度調整装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、物体の温度を調整するために、上記態様の温度調整装置を備えた露光装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、コイルを有するアクチュエータ装置であって、コイルを収容する所定空間を形成するハウジングと、所定空間に温度調整用の流体を供給するための供給流路と、供給流路から分岐する分岐流路と、所定空間に流入する流体の圧力に応じて、供給流路を流れる流体の少なくとも一部を分岐流路に流すことができる調整機構と、を備えたアクチュエータ装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、保持面を有する保持部材を有する保持装置であって、保持部材の内部に配置され、保持面に静電力を発生するための電極部材と、保持部材の内部に形成された所定空間と、所定空間に温度調整用の流体を供給するための供給流路と、供給流路から分岐する分岐流路と、所定空間に流入する流体の圧力に応じて、供給流路を流れる流体の少なくとも一部を分岐流路に流すことができる調整機構と、を備えた保持装置が提供される。

本発明によれば、温度調整用の流体が供給される空間の圧力上昇を抑制して、物体の温度を良好に調整できる。また本発明によれば、物体の温度を良好に調整して、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。また本発明によれば、温度調整用の流体が供給される空間の圧力上昇を抑制し、装置の性能の低下を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸが、極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である場合を例にして説明する。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。一例として、本実施形態では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いる。

図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、感光性の基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、露光光ＥＬを発生する光源装置３と、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。

本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの表面（反射面）を露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明し、マスクＭで反射した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置、所謂スキャニングステッパである。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域に対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射して、基板Ｐを露光する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する所定空間を所定の環境状態に調整可能なチャンバ装置６を備えている。本実施形態において、チャンバ装置６は、内部空間５を形成するチャンバ部材６Ａと、内部空間５の環境状態を調整するための環境調整装置７とを備えている。露光光ＥＬが進行する所定空間は、チャンバ装置６の内部空間５を含み、露光光ＥＬは、チャンバ装置６の内部空間５を進行する。環境調整装置７は、真空システムを含み、チャンバ装置６の内部空間５を真空状態に調整可能である。制御装置４は、環境調整装置７を用いて、露光光ＥＬが進行するチャンバ装置６の内部空間５をほぼ真空状態に調整する。一例として、本実施形態においては、チャンバ装置６の内部空間５の圧力は、例えば、１×１０^−４〔Ｐａ〕程度の減圧雰囲気に調整される。

光源装置３は、露光光ＥＬを発生する。本実施形態の光源装置３は、ターゲット材料にレーザ光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂ＬＰＰ（Laser Produced Prasma）方式の光源装置である。

光源装置３は、ターゲット材料を励起させるためのレーザ光を発生するレーザ装置８と、ターゲット材料を供給する供給口９を有する供給部材１０と、レーザ装置８からのレーザ光を集光する集光光学系１１と、発生したＥＵＶ光を含む光を反射して集光する集光ミラー（コンデンサ）１２とを含む。本実施形態において、供給口９から供給されるターゲット材料は、例えば、キセノン（Ｘｅ）ガスを含む。

本実施形態において、レーザ装置８は、チャンバ部材６Ａの外側に配置されている。レーザ装置８から射出されたレーザ光は、チャンバ部材６Ａの一部に配置されている透過窓１３を介して、内部空間５に配置されている集光光学系１１に入射する。レーザ装置８から射出され、集光光学系１１で集光されたレーザ光は、供給口９から供給されるターゲット材料に照射される。レーザ光がターゲット材料に照射されることによって、ターゲット材料がプラズマ化される。これにより、ＥＵＶ光を含む光（露光光ＥＬ）が発生する。発生したＥＵＶ光を含む光は、集光ミラー１２で反射し、フィルタ１６を介して、プレート部材１８の開口（ピンホール）１７の近傍（内側）に集光する。フィルタ１６及び開口１７を通過したＥＵＶ光（露光光ＥＬ）は、照明光学系ＩＬに入射する。

なお、本実施形態においては、光源装置３が、所謂ＬＰＰ（Laser Produced Prasma）方式の光源装置である場合を例にして説明するが、光源装置が、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂ＤＰＰ（Discharge Produced Prasma）方式の光源装置であってもよい。

照明光学系ＩＬは、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。照明光学系ＩＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。照明光学系ＩＬの複数の光学素子は、第１鏡筒１９に保持されている。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つ方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの表面（反射面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面が−Ｚ方向を向くように、マスクＭを保持する。照明光学系ＩＬから射出された露光光ＥＬは、マスクステージ１に保持されているマスクＭに照射される。

本実施形態においては、マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及びマスクＭの反射面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられており、制御装置４は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。

投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、第２鏡筒２０に保持されている。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面が＋Ｚ方向を向くように、基板Ｐを保持する。投影光学系ＰＬから射出された露光光ＥＬは、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。

本実施形態においては、基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及び基板Ｐの表面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられており、制御装置４は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御する。

本実施形態において、露光装置ＥＸは、ベース部材２１と、ベース部材２１上に配置された支柱部材２２と、支柱部材２２の上端に接続された支持部材２３とを備えている。また、露光装置ＥＸは、支持部材２３上に配置された第１フレーム部材２４に支持される第１ガイド部材２５を備えている。また、露光装置ＥＸは、ベース部材２１上に第１防振システム２６を介して支持される第２ガイド部材２７を備えている。

照明光学系ＩＬの複数の光学素子を保持する第１鏡筒１９には、第２フレーム部材２８の下端が接続されている。第２フレーム部材２８の上端は、第２防振システム２９を介して、支持部材２３と接続されている。本実施形態においては、第１鏡筒１９は、第２フレーム部材２８に吊り下げられている。

投影光学系ＰＬの複数の光学素子を保持する第２鏡筒２０には、第３フレーム部材３０の下端が接続されている。第３フレーム部材３０の上端は、第３防振システム３１を介して、支持部材２３と接続されている。本実施形態においては、第２鏡筒２０は、第３フレーム部材３０に吊り下げられている。

第１ガイド部材２５は、マスクステージ１の移動をガイドする。第１ガイド部材２５は、第１開口３２と、第１開口３２の周囲に配置され、マスクステージ１の移動をガイドする第１ガイド面３３とを有する。

本実施形態において、マスクステージ１は、第１ガイド部材２５の第１開口３２を覆うように配置される。マスクステージ１は、第１ガイド面３３と対向する下面３４を有し、第１ガイド部材２５の第１ガイド面３３にガイドされつつ移動可能である。本実施形態においては、第１ガイド面３３と下面３４との間に所定のギャップが形成される。マスクステージ１に保持されるマスクＭは、第１開口３２の内側に配置される。

本実施形態において、マスクステージ１は、下面３４が形成されたステージ本体３５と、マスクＭを保持しながらステージ本体３５に対して移動可能なマスク保持部材３６とを含む。ステージ本体３５は、第１ガイド部材２５の第１開口３２を覆うように配置されている。ステージ本体３５は、第１ガイド面３３にガイドされつつ、第１ガイド面３３に沿ってＸＹ平面内を移動可能である。マスク保持部材３６は、ステージ本体３５の−Ｚ側に配置されている。マスク保持部材３６に保持されたマスクＭは、第１開口３２の内側に配置される。マスク保持部材３６は、マスクＭを保持した状態で、ステージ本体３５に対して移動可能である。マスク保持部材３６は、ステージ本体３５に対して、微かに移動可能である。

本実施形態において、マスク保持部材３６は、静電チャック機構を含み、静電力でマスクＭを保持する。マスク保持部材３６は、マスクＭを静電力で保持可能な保持面３７を有する。本実施形態において、マスク保持部材３６の保持面３７は、−Ｚ側を向き、ＸＹ平面とほぼ平行であり、マスクＭの裏面と対向可能である。

第１開口３２は、照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬが入射可能な位置に形成されている。また、支持部材２３は、第１開口３２に対応する第２開口３８を有する。照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、第２開口３８及び第１開口３２を介して、第１開口３２の内側に配置されているマスクＭに照射される。

ステージ本体３５は、基板Ｐ上の１つのショット領域の走査露光中に、マスクＭのパターン形成領域全体が照明光学系ＩＬの照明領域を通過するように、Ｙ軸方向（走査方向）に、比較的大きなストロークを有している。ステージ本体３５がＹ軸方向に移動することによって、ステージ本体３５に支持されているマスク保持部材３６も、ステージ本体３５とともにＹ軸方向に移動する。したがって、ステージ本体３５がＹ軸方向に移動することによって、マスク保持部材３６に保持されているマスクＭも、ステージ本体３５とともにＹ軸方向に移動する。

第２ガイド部材２７は、基板ステージ２の移動をガイドする。第２ガイド部材２７は、基板ステージ２の移動をガイドする第２ガイド面３９とを有する。

本実施形態において、基板ステージ２は、第２ガイド面３９と対向する下面４０を有し、第２ガイド部材２７の第２ガイド面３９にガイドされつつ移動可能である。本実施形態においては、第２ガイド面３９と下面４０との間に所定のギャップが形成される。

本実施形態において、基板ステージ２は、下面４０が形成されたステージ本体４１と、基板Ｐを保持しながらステージ本体４１に対して移動可能な基板保持部材４２とを含む。ステージ本体４１は、第２ガイド面３９にガイドされつつ、第２ガイド面３９に沿ってＸＹ平面内を移動可能である。基板保持部材４２は、ステージ本体４１の＋Ｚ側に配置されている。基板保持部材４２は、基板Ｐを保持した状態で、ステージ本体４１に対して移動可能である。基板保持部材４２は、ステージ本体４１に対して、微かに移動可能である。

本実施形態において基板保持部材４２は、静電チャック機構を含み、静電力で基板Ｐを保持する。基板保持部材４２は、基板Ｐを静電力で保持可能な保持面４３を有する。本実施形態において、基板保持部材４２の保持面４３は、＋Ｚ側を向き、ＸＹ平面とほぼ平行であり、基板Ｐの裏面と対向可能である。

図２は、マスクステージ１の近傍を示すＸＺ平面と平行な断面図である。図２において、露光装置ＥＸは、マスクステージ１を移動するための第１アクチュエータシステム４４を備えている。第１アクチュエータシステム４４は、マスクステージ１のステージ本体３５を移動する第１粗動システム４５と、ステージ本体３５に対してマスク保持部材３６を移動する第１微動システム４６とを備えている。本実施形態においては、第１粗動システム４５は、第１ガイド部材２５に対して、ステージ本体３５を、少なくともＹ軸方向に移動可能である。第１微動システム４６は、ステージ本体３５に対して、マスク保持部材３６をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、第１粗動システム４５は、ステージ本体３５に対して＋Ｘ側に配置された第１リニアモータ４７と、ステージ本体３５に対して−Ｘ側に配置された第２リニアモータ４８とを備えている。

第１リニアモータ４７は、ステージ本体３５の＋Ｘ側の側面に設けられた可動子４９と、その可動子４９に対応する固定子５０とを有する。固定子５０は、Ｙ軸方向に長く、可動子４９は、固定子５０に対してＹ軸方向に移動可能である。本実施形態において、固定子５０は、支持部材５０Ａに支持され、第１ガイド部材２５上に配置されている。

第２リニアモータ４８は、ステージ本体３５の−Ｘ側の側面に設けられた可動子５１と、その可動子５１に対応する固定子５２とを有する。固定子５２は、Ｙ軸方向に長く、可動子５１は、固定子５２に対してＹ軸方向に移動可能である。本実施形態において、固定子５２は、支持部材５２Ａに支持され、第１ガイド部材２５上に配置されている。

本実施形態において、第１リニアモータ４７の可動子４９は、磁石を含み、固定子５０は、コイルを含む。また、第２リニアモータ４８の可動子５１は、磁石を含み、固定子５２は、コイルを含む。すなわち、本実施形態の第１リニアモータ４７及び第２リニアモータ４８のそれぞれは、所謂ムービングマグネット型のリニアモータである。第１リニアモータ４７において、固定子５０のコイルに所定の電流が供給されることによって、可動子４９が固定子５０との間の電磁気的相互作用によりＹ軸方向に移動する。同様に、第２リニアモータ４８において、固定子５２のコイルに所定の電流が供給されることによって、可動子５１が固定子５２との間の電磁気的相互作用によりＹ軸方向に移動する。制御装置４は、固定子５０、５２それぞれのコイルに所定の電流を供給することによって、固定子５０、５２に対して可動子４９、５１をＹ軸方向に移動可能である。可動子４９、５１がＹ軸方向に移動することによって、マスクステージ１のステージ本体３５がＹ軸方向に移動する。

また、ステージ本体３５の＋Ｘ側に配置されている第１リニアモータ４７による駆動量と、ステージ本体３５の−Ｘ側に配置されている第２リニアモータ４８による駆動量とを異ならせることによって、ステージ本体３５のθＺ方向の位置を調整することができる。

なお、本実施形態においては、第１リニアモータ４７の固定子５０を支持する支持部材５０Ａと第１ガイド部材２５との間、及び第２リニアモータ４８の固定子５２を支持する支持部材５２Ａと第１ガイド部材２５との間のそれぞれには、ガスベアリングが配置されており、固定子５０、５２及び支持部材５０Ａ、５２Ａは、第１ガイド部材２５に対して非接触で支持されている。このため、運動量保存の法則により、ステージ本体３５の＋Ｙ方向（−Ｙ方向）の移動に応じて、固定子５０、５２及び支持部材５０Ａ、５２Ａが−Ｙ方向（＋Ｙ方向）に移動する。この固定子５０、５２及び支持部材５０Ａ、５２Ａの移動により、ステージ本体３５の移動に伴う反力が相殺されるとともに重心位置の変化を抑制することができる。すなわち、本実施形態において、固定子５０、５２及び支持部材５０Ａ、５２Ａは、所謂カウンタマスとして機能する。

本実施形態において、第１微動システム４６は、ボイスコイルモータ５３を備えている。ボイスコイルモータ５３は、マスク保持部材３６に設けられた可動子５４と、その可動子５４に対応する固定子５５とを有する。固定子５５は、ステージ本体３５に接続されている。

本実施形態において、ボイスコイルモータ５３の可動子５４は、磁石を含み、固定子５５は、ボイスコイルを含む。制御装置４は、ボイスコイルモータ５３を用いて、ステージ本体３５に対して、マスク保持部材３６を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向に移動可能である。

また、本実施形態においては、ステージ本体３５とマスク保持部材３６との間に、マスク保持部材３６のＺ軸方向に作用する自重をキャンセルする自重キャンセル機構５６が配置されている。自重キャンセル機構は、例えばベローズ部材を含む。

また、露光装置ＥＸは、第１ガイド部材２５の第１ガイド面３３と、ステージ本体３５の下面３４とのギャップを調整するギャップ調整機構５７を備えている。本実施形態において、ギャップ調整機構５７は、電磁力で、第１ガイド面３３と下面３４とのギャップを調整する。本実施形態において、第１ガイド部材２５上には、固定部材５８が配置されている。固定部材５８は、ステージ本体３５の上面と対向する下面５８Ａを有する。ギャップ調整機構５７は、固定部材５８の下面５８Ａに配置された電磁石ユニット５９を含む。ギャップ調整機構５７は、電磁石ユニット５９に供給する電力（電流）を調整することによって、固定部材５８の下面５８Ａとステージ本体３５の上面との間に発生する力（吸引力）を調整可能である。ギャップ調整機構５７は、固定部材５８の下面５８Ａとステージ本体３５の上面との間に発生する力を調整することによって、第１ガイド面３３と下面３４とのギャップを調整することができる。

図３は、基板ステージ２の近傍を示す側面図である。図３において、露光装置ＥＸは、基板ステージ２を移動するための第２アクチュエータシステム６０を備えている。第２アクチュエータシステム６０は、基板ステージ２のステージ本体４１を移動する第２粗動システム６１と、ステージ本体４１に対して基板保持部材４２を移動する第２微動システム６２とを備えている。本実施形態においては、第２粗動システム６１は、第２ガイド部材２７に対して、ステージ本体４１を、少なくともＸ軸及びＹ軸方向に移動可能である。第２微動システム６２は、ステージ本体４１に対して、基板保持部材４２をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、第２粗動システム６１は、ステージ本体４１をＹ軸方向に移動する第３リニアモータ６３と、第３リニアモータ６３に対して＋Ｙ側に配置された第４リニアモータ６４と、第３リニアモータ６３に対して−Ｙ側に配置された第５リニアモータ６５とを備えている。

本実施形態において、基板ステージ２のステージ本体４１は、Ｙ軸方向に長い貫通孔４１Ｈを有し、第３リニアモータ６３は、ステージ本体４１の貫通孔４１Ｈの内面に設けられた可動子６６と、その可動子６６に対応する固定子６７とを有する。固定子６７は、Ｙ軸方向に長く、ステージ本体４１の貫通孔４１Ｈに配置可能である。可動子６６は、固定子６７に対してＹ軸方向に移動可能である。

本実施形態において、第３リニアモータ６３の可動子６６は、磁石を含み、固定子６７は、コイルを含む。すなわち、本実施形態の第３リニアモータ６３は、所謂ムービングマグネット型のリニアモータである。第３リニアモータ６３において、固定子６７のコイルに所定の電流が供給されることによって、可動子６６が固定子６７との間の電磁気的相互作用によりＹ軸方向に移動する。制御装置４は、固定子６７のコイルに所定の電流を供給することによって、固定子６７に対して可動子６６をＹ軸方向に移動可能である。可動子６６がＹ軸方向に移動することによって、基板ステージ２のステージ本体４１がＹ軸方向に移動する。

第４リニアモータ６４は、第３リニアモータ６３の固定子６７の＋Ｙ側の端に設けられた可動子６８と、その可動子６８に対応する固定子６９とを有する。固定子６９は、Ｘ軸方向に長く、可動子６８は、固定子６９に対してＸ軸方向に移動可能である。本実施形態において、固定子６９は、支持部材６９Ａに支持され、ベース部材２７上に配置されている。

第５リニアモータ６５は、第３リニアモータ６３の固定子６７の−Ｙ側の端に設けられた可動子７０と、その可動子７０に対応する固定子７１とを有する。固定子７１は、Ｘ軸方向に長く、可動子７０は、固定子７１に対してＸ軸方向に移動可能である。本実施形態において、固定子７１は、支持部材７１Ａに支持され、第１ガイド部材２５上に配置されている。

本実施形態において、第４リニアモータ６４の可動子６８は、磁石を含み、固定子６９は、コイルを含む。また、第５リニアモータ６５の可動子７０は、磁石を含み、固定子７１は、コイルを含む。すなわち、本実施形態の第４リニアモータ６４及び第５リニアモータ６５のそれぞれは、所謂ムービングマグネット型のリニアモータである。第４リニアモータ６４において、固定子６９のコイルに所定の電流が供給されることによって、可動子６８が固定子６９との間の電磁気的相互作用によりＸ軸方向に移動する。同様に、第５リニアモータ６５において、固定子７１のコイルに所定の電流が供給されることによって、可動子７０が固定子７１との間の電磁気的相互作用によりＸ軸方向に移動する。制御装置４は、固定子６９、７１それぞれのコイルに所定の電流を供給することによって、固定子６９、７１に対して可動子６８、７０をＸ軸方向に移動可能である。可動子６８、７０がＸ軸方向に移動することによって、第３リニアモータ６３の固定子６７がＸ軸方向に移動する。第３リニアモータ６３の固定子６７がＸ軸方向に移動することによって、基板ステージ２のステージ本体４１がＸ軸方向に移動する。

また、第３リニアモータ６３の＋Ｙ側に配置されている第４リニアモータ６４による駆動量と、第３リニアモータ６３の−Ｙ側に配置されている第５リニアモータ６５による駆動量とを異ならせることによって、第３リニアモータ６３の固定子６７のθＺ方向の位置を調整することができ、ステージ本体４１のθＺ方向の位置を調整することができる。

本実施形態において、第２微動システム６２は、ボイスコイルモータ７２を備えている。ボイスコイルモータ７２は、ステージ本体４１と基板保持部材４２との間に複数配置されている。ボイスコイルモータ７２は、例えば基板保持部材４２に設けられた可動子と、その可動子に対応する固定子とを有する。固定子は、ステージ本体４１に接続されている。

本実施形態において、ボイスコイルモータ７２の可動子は、磁石を含み、固定子は、ボイスコイルを含む。制御装置４は、ボイスコイルモータ７２を用いて、ステージ本体４１に対して、基板保持部材４２を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向に移動可能である。

図４は、第４リニアモータ６４を示す斜視図、図５は、図４のＡ−Ａ線断面矢視図である。ここで、以下の説明においては、基板ステージ２を移動する第２アクチュエータシステム６０の第４リニアモータ６４について説明するが、第３、第５リニアモータ６３、６５、及びマスクステージ１を移動する第１アクチュエータシステム４４の第１、第２リニアモータ４７、４８も同等の構成を有する。

図４及び図５において、リニアモータ６４は、所定方向（Ｘ軸方向）に長い固定子６９と、固定子６９に対して移動可能な可動子６８とを有する。

固定子６９は、複数のコイル７３と、それらコイル７３を収容する内部空間７４を形成するハウジング７５とを備えている。コイル７３は、内部空間７４において、Ｘ軸方向に複数配置されている。本実施形態において、ハウジング７５は、ステンレスによって形成されている。コイル７３は、ねじ部材のような所定の固定部材でハウジング７５に固定されている。

可動子６８は、複数の磁石７６と、それら複数の磁石７６を支持するヨークと呼ばれる支持部材７７とを備えている。ヨーク７７は、図中、固定子６９の＋Ｚ側及び−Ｚ側のそれぞれに配置される内側面７７Ｓを有する。磁石７６は、固定子６９と対向するヨーク７７の内側面７７Ｓにおいて、Ｘ軸方向に複数配置されている。磁石７６のそれぞれは、永久磁石である。ヨーク７７の内側面７７Ｓにおいて、異なる磁極の磁石７６が、Ｘ軸方向に関して、所定間隔で交互に配置されている。また、固定子６９を挟んで、対向する磁石７６は、互いに異なる磁極を有する。ＸＹ平面内における磁石７６の大きさは、コイル７３の大きさより小さい。

図５に示すように、固定子６９と可動子６８とは離れている。ハウジング７５の側面７５Ｓと、そのハウジング７５の側面７５Ｓと対向するヨーク７７の内側面７７Ｓに支持された磁石７６の表面７６Ｓとの間には、所定の間隙Ｇ１が形成されている。可動子６８は、固定子６９に対して非接触状態で、Ｘ軸方向に移動可能である。

リニアモータ６４は、コイル７３を有する固定子６９と、磁石７６を有する可動子６８とを備えた、所謂ムービングマグネット型のリニアモータである。コイル７４に所定の電流が供給されることによって、可動子６８が固定子６９との間の電磁気的相互作用によりＸ軸方向に移動する。制御装置４は、コイル７３に所定の電流を供給することによって、固定子６９に対して可動子６８をＸ軸方向に移動可能である。

図４に示すように、リニアモータ６４は、ハウジング７５の内部空間７４に温度調整用の流体ＬＱを供給するための供給口７８と、ハウジング７５の内部空間７４から温度調整用の流体ＬＱを排出するための排出口７９とを有する。供給口７８及び排出口７９のそれぞれは、ハウジング７５の所定位置に形成されている。本実施形態においては、供給口７８は、ハウジング７５の＋Ｘ側の側面に形成され、排出口７９は、ハウジング７５の−Ｘ側の側面に形成されている。すなわち、供給口７８と排出口７９とは、内部空間７４のＸ軸方向（長手方向）の両側に配置されている。

温度調整用の流体ＬＱは、コイル７３の温度を調整するために、内部空間７４に供給される。具体的には、温度調整用の流体ＬＱは、コイル７３の温度上昇を抑えるために、内部空間７４に供給される。以下の説明において、温度調整用の流体ＬＱを適宜、冷媒ＬＱ、と称する。

本実施形態において、冷媒ＬＱは、液体である。冷媒ＬＱとしては、不活性なものが好ましく、例えば、ハイドロフルオロエーテル（例えば「ノベックＨＦＥ」：住友スリーエム株式会社製）、フッ素系不活性液体（例えば「フロリナート」：住友スリーエム株式会社製）等を用いることができる。コイル７３の表面には、コイル７３の導線が冷媒ＬＱに直接触れないように、所定の表面処理が施されている。なお、冷媒ＬＱが、気体であってもよい。

図６は、固定子６９のコイル７３の温度を調整するための温度調整装置８０の一例を示す概略構成図である。温度調整装置８０は、ハウジング７５の内部空間７４に冷媒ＬＱを供給して、そのハウジング７５の内側の内部空間７４に配置されているコイル７３の温度を調整する。図６において、温度調整装置８０は、内部空間７４に冷媒ＬＱを供給するための供給流路８１を形成する供給管８１Ｐと、冷媒ＬＱを供給流路８１に送出する冷媒供給装置８２と、供給管８１Ｐの所定位置に接続され、供給流路８１から分岐する分岐流路８３を形成する分岐管８３Ｐと、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力に応じて、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を分岐流路８３に流すことができる調整機構８４とを備えている。また、温度調整装置８０は、内部空間７４から排出された冷媒ＬＱが流れる排出流路８５を形成する排出管８５Ｐを備えている。

本実施形態においては、供給管８１Ｐ、分岐管８３Ｐ、及び排出管８５Ｐのそれぞれは、ステンレスで形成されている。

供給口７８は、供給管８１Ｐの供給流路８１と接続されている。供給流路８１の一端は、冷媒供給装置８２に接続され、供給流路８１の他端は、供給口７８に接続されている。冷媒供給装置８２から送出された冷媒ＬＱは、供給流路８１を介して、供給口７８に供給される。供給口７８に供給された冷媒ＬＱは、内部空間７４に供給される。

排出口７９は、排出管８５Ｐの排出流路８５と接続されている。排出流路８５の一端は、排出口７９に接続され、排出流路８５の他端は、冷媒供給装置８２に接続されている。本実施形態において、内部空間７４から排出された冷媒ＬＱは、排出流路８５を介して、冷媒供給装置８２に供給される。本実施形態においては、冷媒供給装置８２は、排出流路８５より供給された冷媒ＬＱの少なくとも一部を再利用する。

分岐流路８３は、内部空間７４を介さずに、供給流路８１と排出流路８５とを結ぶように、それら供給流路８１及び排出流路８５のそれぞれと接続されている。分岐流路８３の一端は、供給流路８１に接続され、分岐流路８３の他端は、排出流路８５に接続されている。本実施形態においては、分岐流路８３の一端は、供給口７８の近傍の供給流路８１の所定位置に接続され、分岐流路８３の他端は、排出口７９の近傍の排出流路８５の所定位置に接続されている。このように、本実施形態においては、分岐流路８３は、供給流路８１の所定位置と、排出流路８５の所定位置とを接続するように配置されている。分岐流路８３は、供給流路８１の所定位置と、排出流路８５の所定位置とを、内部空間７４を介さずに、ダイレクトに接続する。分岐流路８３の一端から分岐流路８３に流入した冷媒ＬＱは、分岐流路８３を流れて、分岐流路８３の他端から排出され、その分岐流路８３の他端から排出された冷媒ＬＱは、排出流路８５に流入することができる。

調整機構８４は、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力に応じて、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を分岐流路８３に流すことができる。本実施形態において、調整機構８４は、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたときに、冷媒ＬＱを分岐流路８３に流すことができる。

内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力は、内部空間７４の圧力を含む。また、本実施形態においては、内部空間７４と供給流路８１とは接続されており、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力は、供給流路８１の圧力を含む。

上述の、予め定められた値は、ハウジング７５の耐圧値を含む。ハウジング７５の耐圧値は、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力に起因してハウジング７５が劣化したり、破損したりしない程度の圧力値を含む。また、ハウジング７５の耐圧値は、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力に起因するハウジング７５の変形量が、許容レベル以下に抑制される圧力値を含む。ハウジング７５の耐圧値は、例えば設計値、あるいは実験又はシミュレーション等から予め求めることができる。

本実施形態において、調整機構８４は、分岐流路８３に配置された方向制御弁を含む。本実施形態において、調整機構８４は、分岐流路８３に配置された逆止弁８６を含む。図６に示すように、本実施形態においては、逆止弁８６は、供給流路８１における分岐流路８３の分岐箇所８７の近傍の分岐流路８３の所定位置に配置されている。

逆止弁８６は、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたときに、流路を開け、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を、分岐流路８３の一端から他端に送ることができる。また、逆止弁８６は、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えていないとき、流路を閉じ、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱが分岐流路８３の一端から他端に流れることを抑制するとともに、分岐流路８３から供給流路８１に冷媒ＬＱが流れる（逆流する）ことを抑制することができる。

以上、図４〜図６を参照しながら、第４リニアモータ６４及びその第４リニアモータ６４（固定子６９）に対応する温度調整装置８０について説明した。本実施形態においては、第４リニアモータ６４のみならず、第１、第２、第３、第５リニアモータ４７、４８、６３、６５のそれぞれに対応する温度調整装置も設けられている。第１、第２、第３、第５リニアモータ４７、４８、６３、６５のそれぞれに対応する温度調整装置は、第４リニアモータ６４に対応する温度調整装置８０と同等の構成を有する。そのため、第１、第２、第３、第５リニアモータ４７、４８、６３、６５、及び第１、第２、第３、第５リニアモータ４７、４８、６３、６５のそれぞれに対応する温度調整装置の説明を省略する。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。

チャンバ装置６の内部空間５が、環境調整装置７によって、真空状態に調整される。また、マスクＭがマスクステージ１に保持されるとともに、基板Ｐが基板ステージ２に保持される。制御装置４は、基板Ｐの露光処理を開始する。マスクＭを露光光ＥＬで照明するために、制御装置４は、光源装置３の発光動作を開始する。

光源装置３から射出された露光光ＥＬは、照明光学系ＩＬに入射する。照明光学系ＩＬに入射した露光光ＥＬは、その照明光学系ＩＬを進行した後、マスクステージ１に保持されているマスクＭに入射する。マスクステージ１に保持されているマスクＭは、光源装置３より射出され、照明光学系ＩＬを介した露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明される。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、その投影光学系ＰＬを進行した後、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。

制御装置４は、マスクＭのＹ軸方向への移動と同期して、基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

制御装置４は、マスクＭを保持したマスクステージ１を移動するために、第１アクチュエータシステム４４を駆動する。また、制御装置４は、基板Ｐを保持した基板ステージ２を移動するために、第２アクチュエータシステム６０を駆動する。制御装置４は、第１アクチュエータシステム４４の第１、第２リニアモータ４７、４８のコイル７３に電流を供給するとともに、第２アクチュエータシステム６０の第３、第４、第５リニアモータ６３、６４、６５のコイル７３に電流を供給する。

制御装置４は、少なくともコイル７３に電流を供給するとき、温度調整装置８０を用いて、コイル７３の温度を調整する。制御装置４は、コイル７３の温度を調整するために、温度調整装置８０を用いて、内部空間７４に冷媒ＬＱを供給する。

温度調整装置８０は、コイル７３の温度を調整するために、冷媒供給装置８２より冷媒ＬＱを送出する。冷媒供給装置８２は、冷媒ＬＱの温度を調整可能であり、温度調整された冷媒ＬＱを、供給流路８１に送出する。

図６に示すように、冷媒供給装置８２より送出された冷媒ＬＱは、供給流路８１を介して、供給口７８に供給される。供給口７８は、冷媒ＬＱを内部空間７４に供給する。供給口７８より内部空間７４に供給された冷媒ＬＱは、内部空間７４を流れる。内部空間７４の冷媒ＬＱは、その内部空間７４に配置されているコイル７３の熱を回収し、排出口７９に流れる。これにより、コイル７３の熱が、ハウジング７５の表面に伝達することが抑制される。

供給口７８は、ハウジング７５の長手方向の一端に設けられ、排出口７９は、ハウジング７５の長手方向の他端に設けられており、供給口７８から内部空間７４に供給された冷媒ＬＱは、Ｘ軸方向に複数配置されているコイル７３の全てを通過して冷却した後、排出口７９より排出される。コイル７３の熱を回収しながら内部空間７４を流れた冷媒ＬＱは、排出口７９より排出流路８５に排出される。排出口７９より排出された冷媒ＬＱは、排出流路８５を介して、冷媒供給装置８２に供給される。

冷媒供給装置８２は、排出流路８５より供給された冷媒ＬＱの少なくとも一部を再利用する。すなわち、冷媒供給装置８２は、排出流路８５より供給された冷媒ＬＱの少なくとも一部の温度調整を行った後、その温度調整した冷媒ＬＱを、供給流路８１に再び供給する。

供給流路８１より内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えていないとき、逆止弁８６を含む調整機構８４は、流路を閉じる。これにより、冷媒供給装置８２から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱは、分岐流路８３（分岐流路８３の他端）に供給されることなく、供給流路８１及び供給口７８を介して、内部空間７４に供給される。

一方、供給流路８１より内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたとき、逆止弁８６を含む調整機構８４は、流路を開ける。これにより、図７の模式図に示すように、冷媒供給装置８２から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１及び供給口７８を介して、内部空間７４に供給されるとともに、冷媒供給装置８２から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１から分岐流路８３に流れる。これにより、内部空間７４に単位時間当たりに流入する冷媒ＬＱの量が抑制される。したがって、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力、ひいては内部空間７４の圧力が上昇することが抑制される。

図７に示すように、分岐流路８３を流れる冷媒ＬＱは、分岐流路８３の他端より、排出流路８５に排出される。すなわち、調整機構８４を用いて供給流路８１より分岐流路８３の一端に流入させた冷媒ＬＱは、その分岐流路８３を流れて、排出流路８５を流れる冷媒ＬＱと合流する。分岐流路８３の他端より排出流路８５に排出された冷媒ＬＱは、その排出流路８５を流れて、冷媒供給装置８２に供給される。

なお、本実施形態においては、ハウジング７５の内部空間７４の圧力損失よりも、分岐流路８３の圧力損失のほうが小さくなるように、ハウジング７５及び分岐管８３Ｐの構造が調整されている。これにより、調整機構８４が流路を開けたとき、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部は、分岐流路８３を円滑に流れることができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力に応じて、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を分岐流路８３に流すようにしたので、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力、すなわち内部空間７４の圧力が過度に上昇することを抑制することができる。したがって、コイル７３の温度を良好に調整しながら、例えばハウジング７５が変形したり、破損したりすることを抑制することができる。

例えば、冷媒供給装置８２が誤作動したり、あるいは、冷媒供給装置８２の始動時に、内部空間７４に対する単位時間当たりの冷媒供給量がオーバーシュートしたりする等、何らかの原因で、内部空間７４に対する単位時間当たりの冷媒供給量が目標値に対して多くなり、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力、すなわち内部空間７４の圧力が上昇する可能性がある。

例えば、内部空間７４の圧力が上昇して、ハウジング７５の表面（側面７５Ｓ）が外側に膨らむように変形すると、ハウジング７５と磁石７６とが接触する可能性がある。ハウジング７５と磁石７６とが接触すると、固定子６９に対して可動子６８が円滑に移動できなくなる可能性があり、リニアモータの性能が低下する可能性がある。

また、本実施形態のように、リニアモータが真空空間（真空環境）に配置されている場合、例えば大気空間（大気環境）に配置されている場合に比べて、ハウジング７５の内部空間７４と外部空間との圧力差が大きくなるので、内部空間７４の圧力が目標値に対して僅かに変化しただけでも、ハウジング７５にかかる負荷が大きくなる可能性がある。また、リニアモータが真空空間に配置されている場合、気化熱によるリニアモータ（ハウジング７５）の冷却効果が小さい可能性があるので、ハウジング７５を十分に冷却するために、内部空間７４に対する単位時間当たりの冷媒供給量を十分にする必要がある。したがって、内部空間７４の圧力が目標値に対して僅かに変化しただけでも、ハウジング７５にかかる負荷が大きくなる可能性がある。

また、リニアモータが真空空間に配置されていなくでも（大気空間に配置されている場合でも）、ハウジング７５の内部空間７４に対する単位時間当たりの冷媒供給量が多くなると、内部空間７４の圧力が上昇し、ハウジング７５が変形したり、破損したりして、リニアモータの性能が低下する可能性がある。

ハウジング７５の厚みを厚くすることで、ハウジング７５の耐圧性を向上させることができる可能性があるが、その場合、ハウジング７５の大型化、ひいてはリニアモータの大型化を招く可能性がある。また、複数のプレート部材を溶接してハウジング７５を形成する場合、ハウジング７５（プレート部材）の厚みが厚いと、溶接作業をはじめとするハウジング７５の製造作業を円滑に行うことが困難となる可能性がある。

本実施形態によれば、ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値（ハウジング７５の耐圧値）を超えたときに、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を分岐流路８３に流すようにしたので、ハウジング７５に過度の圧力がかかることを抑制でき、リニアモータの大型化を抑制しつつ、リニアモータの性能の低下を抑制することができる。したがって、マスクＭ及び基板Ｐの位置精度を良好に維持することができ、基板Ｐを良好に露光することができる。

なお、本実施形態のリニアモータは、ムービングマグネット型のリニアモータである。したがって、リニアモータの駆動時においても、コイルに電流を供給するための配線、ハウジングに接続された供給管、排出管は、大きく移動しなくて済む。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図８は、第２実施形態に係る温度調整装置８０Ｂを示す図である。図８において、温度調整装置８０Ｂは、ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力に関する情報を検出する圧力センサ８８を備えている。また、本実施形態においては、調整機構８４Ｂは、分岐流路８３に配置された電磁バルブ８９を含む。本実施形態においては、電磁バルブ８９を含む調整機構８４Ｂは、圧力センサ８８の検出結果に基づいて制御される。本実施形態においては、電磁バルブ８９は、制御装置４に制御される。また、圧力センサ８８の検出結果は、制御装置４に制御される。制御装置４は、圧力センサ８８の検出結果に基づいて、電磁バルブ８９を制御する。

本実施形態においては、圧力センサ８８は、供給流路８１における分岐流路８３の分岐箇所８７と、ハウジング７５の内部空間７４との接続点９０との間に接続されている。供給流路８１のハウジング７５の内部空間７４との接続点９０は、供給流路８１とハウジング７５の内部空間７４との接続点であって、供給流路８１の他端とハウジング７５の供給口７８との接続部を含む。圧力センサ８８は、分岐箇所８７と接続点９０との間における供給流路８１の所定位置に接続されている。

なお、本実施形態においては、上述の第１実施形態と同様、分岐流路８３は、ハウジング７５の内部空間７４を介さずに、供給流路８１と排出流路８５とを結ぶように接続されている。

次に、本実施形態に係る温度調整装置８０Ｂの動作の一例について説明する。制御装置４は、コイル７３の温度を調整するために、温度調整装置８０Ｂの冷媒供給装置８２より冷媒ＬＱを送出する。冷媒供給装置８２より送出された冷媒ＬＱは、供給流路８１及び供給口７８を介して、ハウジング７５の内部空間７４に供給される。

ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力は、圧力センサ８８によってモニタされている。制御装置４は、圧力センサ８８の検出結果に基づいて、供給流路８１より内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えていないと判断したとき、電磁バルブ８９を用いて、分岐流路８３を閉じる。これにより、冷媒供給装置８２から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱは、分岐流路８３（分岐流路８３の他端）に供給されることなく、供給流路８１及び供給口７８を介して、内部空間７４に供給される。

一方、制御装置４は、圧力センサ８８の検出結果に基づいて、供給流路８１より内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたと判断したとき、電磁バルブ８９を用いて、分岐流路８３を開ける。これにより、図８の模式図に示すように、冷媒供給装置８２から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１及び供給口７８を介して、内部空間７４に供給されるとともに、冷媒供給装置８２から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１から分岐流路８３に流れる。これにより、内部空間７４に単位時間当たりに流入する冷媒ＬＱの量が抑制される。したがって、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力、ひいては内部空間７４の圧力が上昇することが抑制される。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図９は、第３実施形態に係る温度調整装置８０Ｃを示す図である。第３実施形態は、第２実施形態の変形例である。第２実施形態と異なる第３実施形態の特徴的な部分は、圧力センサ８８が、供給流路８１における分岐流路８３の分岐箇所８７よりも上流側に配置されている点にある。

本実施形態において、圧力センサ８８は、供給流路８１において、分岐箇所８７よりも上流側に接続されている。すなわち、圧力センサ８８は、供給流路８１において、供給口７８に対して、分岐箇所８７より離れた位置に配置されている。本実施形態においては、圧力センサ８８は、冷媒供給装置８２と分岐箇所８７との間の供給流路８１の所定位置に接続されている。冷媒ＬＱは、圧力センサ８８が接続された箇所を流れた後、分岐箇所８７を流れて、供給口７８に供給される。

本実施形態においても、圧力センサ８８は、ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力をモニタすることができる。制御装置４は、圧力センサ８８の検出結果に基づいて、分岐流路８３に配置された電磁バルブ８９を制御することができる。

なお、上述の第１〜第３実施形態においては、温度調整装置が分岐流路（分岐管）を備えている場合を例にして説明したが、リニアモータが分岐流路（分岐管）を備えていてもよい。換言すれば、第１、第２アクチュエータシステムが、供給流路及び排出流路のそれぞれに接続される分岐流路を備えていてもよい。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第４実施形態に係る温度調整装置８０Ｄを示す図である。上述の第１〜第３実施形態においては、分岐流路８３の他端が排出流路８５に接続されている場合を例にして説明したが、第４実施形態の特徴的な部分は、分岐流路８３Ｄが、排出流路８５とは独立に、冷媒供給装置８２に接続されている点にある。

図１０において、温度調整装置８０Ｄは、供給流路８１に冷媒ＬＱを送出する冷媒供給装置８２と、供給流路８１から分岐する分岐流路８３Ｄとを備えている。本実施形態において、分岐流路８３Ｄの一端は、供給流路８１に接続され、分岐流路８３Ｄの他端は、ハウジング７５の内部空間７４を介さずに、且つ排出流路８５と接続されることなく、排出流路８５と独立に、冷媒供給装置８２に接続されている。

ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたときに、供給流路８１を流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部が、分岐流路８３Ｄに流れる。分岐流路８３Ｄを流れた冷媒ＬＱは、冷媒供給装置８２に供給される。冷媒供給装置８２は、分岐流路８３Ｄより供給された冷媒ＬＱを再利用することができる。

本実施形態によれば、分岐流路８３Ｄを流れる冷媒ＬＱを、排出流路８５を流れる冷媒ＬＱ（コイル７３の熱を回収した冷媒ＬＱ）と合流させることなく、冷媒供給装置８２に供給することができる。

なお、図１０においては、調整機構８４Ｄとして、逆止弁８６が分岐流路８３Ｄに配置されている場合が示されているが、上述の第２、第３実施形態で説明したように、調整機構８４Ｄが電磁バルブ８９を有していてもよい。また、上述の第２、第３実施形態と同様、供給流路８１の所定位置に圧力センサ８８を接続し、その圧力センサ８８の検出結果に基づいて、電磁バルブ８９が制御されるようにしてもよい。

なお、本実施形態において、分岐流路８３Ｄの他端が、冷媒供給装置８２に接続されずに、別の所定の装置に接続されていてもよい。また、分岐流路８３Ｄの他端を、冷媒ＬＱを廃棄可能な廃棄空間に接続し、分岐流路８３Ｄの他端より排出された冷媒ＬＱを再利用せずに、廃棄してもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１１は、第５実施形態に係る温度調整装置８０Ｅを示す図である。第５実施形態の特徴的な部分は、温度調整装置８０Ｅが、少なくとも分岐流路８３Ｅを収容する収容空間９１を形成する収容部材９２を備えている点にある。

図１１において、温度調整装置８０Ｅは、冷媒ＬＱを収容可能であり、収容した冷媒ＬＱの温度を調整可能な冷媒収容部９３と、冷媒収容部９３に流路９４を介して接続され、冷媒収容部９３に収容されている冷媒ＬＱを供給流路８１に送出可能なポンプ９５とを備えている。供給流路８１の一端は、ポンプ９５に接続され、供給流路８１の他端は、ハウジング７５の供給口７８に接続されている。また、ハウジング７５の排出口７９には排出流路８５が接続されている。排出流路８５の一端は、ハウジング７５の排出口７９に接続され、排出流路８５の他端は、冷媒収容部９３に接続されている。ハウジング７５の内部空間７４より排出口７９を介して排出流路８５に排出された冷媒ＬＱは、冷媒収容部９３に供給される。

分岐流路８３Ｅは、ハウジング７５の内部空間７４を介さずに、供給流路８１と排出流路８５とを結ぶように接続されている。本実施形態においては、調整機構８４Ｅとして、分岐流路８３Ｅの所定位置に電磁バルブ８９が配置されている。また、供給流路８１における分岐流路８３Ｅの分岐箇所８７Ｅよりも上流側には、圧力センサ８８が接続されている。

本実施形態においては、収容部材９２の収容空間９１に、冷媒収容部９３、ポンプ９５、分岐流路８３Ｅ、電磁バルブ８９、及び圧力センサ８８が収容されている。本実施形態においては、収容部材９２と、それら収容部材９２に収容された冷媒収容部９３、ポンプ９５、分岐流路８３Ｅ、電磁バルブ８９、及び圧力センサ８８によって、温度調整装置８０Ｅの冷媒供給装置８２Ｅが形成されている。

本実施形態において、収容部材９２を含む冷媒供給装置８２Ｅは、ハウジング７５（リニアモータ）が配置された真空空間（真空環境）とは異なる大気空間（大気環境）に配置されている。また、温度調整装置８０Ｅは、収容部材９２の収容空間９１を大気空間に設定可能である。すなわち、本実施形態の温度調整装置８０Ｅは、収容空間９１の環境状態と、ハウジング７５が配置された空間（チャンバ装置６の内部空間５）の環境状態とを異なる環境状態に設定可能である。

ここで、環境状態は、圧力、温度等に関する状態を含む。本実施形態においては、温度調整装置８０Ｅは、収容空間９１の圧力を、チャンバ装置６の内部空間５と異なる状態に設定する。また、温度調整装置８０Ｅが、収容空間９１の温度を、チャンバ装置６の内部空間５と異なる状態に設定してもよい。

次に、第５実施形態に係る温度調整装置８０Ｅの動作の一例について説明する。制御装置４は、コイル７３の温度を調整するために、温度調整装置８０Ｅの冷媒供給装置８２Ｅより冷媒ＬＱを送出する。制御装置４は、冷媒供給装置８２Ｅのポンプ９５を駆動して、冷媒収容部９３に収容されている冷媒ＬＱを供給流路８１に送出する。冷媒供給装置８２Ｅのポンプ９５より送出された冷媒ＬＱは、供給流路８１及び供給口７８を介して、ハウジング７５の内部空間７４に供給される。

内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力は、圧力センサ８８によってモニタされている。制御装置４は、圧力センサ８８の検出結果に基づいて、供給流路８１より内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えていないと判断したとき、電磁バルブ８９を用いて、分岐流路８３Ｅを閉じる。これにより、ポンプ９５から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱは、分岐流路８３Ｅ（分岐流路８３Ｅの他端）に供給されることなく、供給流路８１及び供給口７８を介して、内部空間７４に供給される。

一方、制御装置４は、圧力センサ８８の検出結果に基づいて、供給流路８１より内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたと判断したとき、電磁バルブ８９を用いて、分岐流路８３Ｅを開ける。これにより、図１２の模式図に示すように、ポンプ９１から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１及び供給口７８を介して、内部空間７４に供給されるとともに、ポンプ９５から供給流路８１に送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１から分岐流路８３Ｅに流れる。これにより、内部空間７４に単位時間当たりに流入する冷媒ＬＱの量が抑制される。したがって、内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力、ひいては内部空間７４の圧力が上昇することが抑制される。本実施形態においては、分岐流路８３Ｅに流れた冷媒ＬＱは、排出流路８５を流れる冷媒ＬＱと合流し、冷媒収容部９３に送られる。

本実施形態によれば、冷媒収容部９３、ポンプ９５、分岐流路８３Ｅ、電磁バルブ８９、及び圧力センサ８８を収容部材９２に収容して、ユニット化することができる。また、冷媒供給装置８２Ｅは、大気空間に配置されているので、作業者は、冷媒供給装置８２Ｅに容易にアクセスできる。また、収容部材９２の外側の供給管８１Ｐ及び排出管８５Ｐの一部分が大気空間に配置されている場合、例えば作業者が誤ってその部分（図１２中、符号ＡＲ参照）に力を加えてしまう可能性があるが、その大気空間に配置されている供給管８１Ｐ及び排出管８５Ｐに力が加えられたとしても、ハウジング７５の内部空間７４の圧力が過度に上昇することを抑制することができる。また、本実施形態によれば、分岐流路８３Ｅ、ポンプ９５に接続された供給流路８１の一部、及び冷媒収容部９３に接続された排出流路８５の一部が、所定の環境に調整された収容空間９１に配置されているので、それら流路の劣化を抑制することができる。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１３は、第６実施形態に係る温度調整装置８０Ｆを示す図である。第６実施形態は、第５実施形態の変形例である。第５実施形態と異なる第６実施形態の特徴的な部分は、冷媒供給装置８２Ｆの圧力センサ８８が、供給流路８１における分岐流路８３Ｅの分岐箇所８７Ｅと、供給流路８１とハウジング７５の内部空間７４との接続点９０Ｅとの間に配置されている点にある。

本実施形態においても、圧力センサ８８は、ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力をモニタすることができる。制御装置４は、圧力センサ８８の検出結果に基づいて、分岐流路８３Ｅに配置された電磁バルブ８９を制御することができる。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１４は、第７実施形態に係る温度調整装置８０Ｇを示す図である。第７実施形態は、第５実施形態の変形例である。第５実施形態と異なる第７実施形態の特徴的な部分は、冷媒供給装置８２Ｇの分岐流路８３Ｇの他端が、排出流路８５とは独立に、冷媒収容部９３に接続されている点にある。

本実施形態によれば、分岐流路８３Ｇを流れる冷媒ＬＱを、排出流路８５を流れる冷媒ＬＱ（コイル７３の熱を回収した冷媒ＬＱ）と合流させることなく、冷媒収容部９３に供給することができる。

なお、上述の第５〜第７実施形態においては、分岐流路に電磁バルブ８９が配置されている場合を例にして説明したが、分岐流路に逆止弁８６が配置されていてもよい。その場合、圧力センサ８８を省略することができる。

なお、上述の第１〜第７実施形態においては、ハウジング７５の内部空間７４を流れた冷媒ＬＱが、冷媒供給装置に戻される場合を例にして説明したが、ハウジング７５の内部空間７４を流れた冷媒ＬＱが、冷媒供給装置８２に戻されずに、別の所定の装置に戻されてもよいし、再利用されずに、廃棄されてもよい。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

本実施形態においては、温度調整装置８０Ｈが、基板Ｐを保持する保持面４３を有する保持部材４２の少なくとも一部の温度を調整する場合を例にして説明する。

図１５は、第８実施形態に係る保持部材４２の一例を示す側断面図、図１６は、図１５のＸＹ平面と平行な断面図である。上述したように、本実施形態においては、基板ステージ２の保持部材４２は、静電力で基板Ｐを保持する静電チャック機構を含む。

図１５及び図１６において、保持部材４２は、基板Ｐの裏面と対向可能な保持面４３と、保持部材４２の内部に配置され、保持面４３に静電力を発生するための電極部材９６とを有する。保持部材４２は、基板Ｐの裏面を保持する。基板Ｐの裏面は、露光光ＥＬが照射される表面とは反対側の面である。

保持部材４２は、基板Ｐの裏面と対向可能な対向面４２Ａと、対向面４２Ａ上に設けられ、基板Ｐの裏面を支持する支持部材９７とを有する。本実施形態においては、対向面４２Ａは、＋Ｚ方向を向くように配置され、ＸＹ平面とほぼ平行である。

支持部材９７は、例えばピン状の部材であり、対向面４２Ａ上に複数配置されている。支持部材９７は、所定の間隔をあけて、対向面４２Ａの複数の位置のそれぞれに配置されている。支持部材９７は、基板Ｐの裏面を支持する上面（支持面）９７Ａを有する。上面９７Ａのそれぞれは、Ｚ軸方向に関してほぼ同じ位置（高さ）に配置されている。

本実施形態においては、保持面４３は、保持部材４２の対向面４２Ａ、及び支持部材９７の上面９７Ａを含む。

本実施形態の保持部材４２は、静電チャック機構を含み、基板Ｐの裏面を静電力で保持する。保持部材４２は、静電力を発生させるための電極部材９６を有する。電極部材９６は、保持部材４２の複数の所定位置のそれぞれに設けられている。電極部材９６のそれぞれは、電気配線９９を介して、電源９８と電気的に接続可能である。電源９８は、電極部材９６のそれぞれに、所定の電圧を印加可能である。電源９８は、例えばチャンバ装置６の外側に配置されている。

なお、本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式であって、電極部材９６は、正の電位が与えられる保持用電極と、負の電位が与えられる保持用電極とを含む。なお、図１５においては、正の電位が与えられる電極部材９６のみが示されており、負の電位が与えられる保持用電極の図示が省略されている。

本実施形態の保持部材４２は、低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。保持部材４２の少なくとも一部は、静電チャック機構の誘電体として機能する。対向面４２Ａは、上述の低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。電極部材９６は、対向面４２Ａの−Ｚ側の保持部材４２の内部に配置されている。

複数の電極部材９６のそれぞれは、印加される電圧に応じて、基板Ｐを支持部材９７に吸着するための静電力を発生させる。制御装置４は、電源９８を用いて、電極部材９６に所定の電圧を印加することによって、基板Ｐと保持部材４２との間にクーロン力（ジャンセン・ラーベック力）を発生させる。これにより、基板Ｐは静電力によって支持部材９７に吸着され、保持部材４２は、静電力で基板Ｐを保持する。

本実施形態において、保持部材４２は、冷媒ＬＱが流れる内部流路７４Ｈを有する。本実施形態においては、内部流路７４Ｈは、電極部材９６の−Ｚ側に形成されている。保持部材４２は、内部流路７４Ｈに冷媒ＬＱを供給する供給口１０２と、内部流路７４Ｈの冷媒ＬＱを排出する排出口１０３とを備えている。

本実施形態においては、温度調整装置８０Ｈは、電極部材９６の温度を調整するために、内部流路７４Ｈに冷媒ＬＱを供給する。本実施形態においては、電極部材９６は、冷媒ＬＱが供給される内部流路７４Ｈの外側に配置されている。温度調整装置８０Ｈは、内部流路７４Ｈに冷媒ＬＱを供給して、その内部流路７４Ｈの外側に配置されている電極部材９６の温度を調整する。

温度調整装置８０Ｈは、保持部材４２の内部流路７４Ｈに冷媒ＬＱを供給するための供給流路８１Ｈを形成する供給管８１ＨＰと、冷媒ＬＱを供給流路８１Ｈに送出する冷媒供給装置８２Ｈと、供給管８１ＨＰの所定位置に接続され、供給流路８１Ｈから分岐する分岐流路８３Ｈを形成する分岐管８３ＨＰと、保持部材４２の内部流路７４Ｈから排出された冷媒ＬＱが流れる排出流路８５Ｈを形成する排出管８５ＨＰと、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力に応じて、供給流路８１Ｈを流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を分岐流路８３Ｈに流すことができる調整機構８４Ｈとを備えている。本実施形態において、調整機構８４Ｈは、分岐流路８３Ｈに配置された逆止弁８６を含む。

保持部材４２に形成されている供給口１０２は、供給管８１ＨＰの供給流路８１Ｈと接続されている。供給流路８１Ｈの一端は、冷媒供給装置８２Ｈに接続され、供給流路８１Ｈの他端は、保持部材４２の供給口１０２に接続されている。冷媒供給装置８２Ｈから送出された冷媒ＬＱは、供給流路８１Ｈを介して、供給口１０２に供給される。供給口１０２に供給された冷媒ＬＱは、保持部材４２の内部流路７４Ｈに供給される。

保持部材４２に形成されている排出口１０３は、排出管８５ＨＰの排出流路８５Ｈと接続されている。排出流路８５Ｈの一端は、保持部材４２の排出口１０３に接続され、排出流路８５Ｈの他端は、冷媒供給装置８２Ｈに接続されている。本実施形態において、保持部材４２の内部流路７４Ｈから排出された冷媒ＬＱは、排出流路８５Ｈを介して、冷媒供給装置８２Ｈに供給される。本実施形態においては、冷媒供給装置８２Ｈは、排出流路８５Ｈより供給された冷媒ＬＱの少なくとも一部を再利用する。

分岐流路８３Ｈは、保持部材４２の内部流路７４Ｈを介さずに、供給流路８１Ｈと排出流路８５Ｈとを結ぶように、それら供給流路８１Ｈ及び排出流路８５Ｈのそれぞれと接続されている。分岐流路８３Ｈの一端は、供給流路８１Ｈに接続され、分岐流路８３Ｈの他端は、排出流路８５Ｈに接続されている。分岐流路８３Ｈの一端から分岐流路８３Ｈに流入した冷媒ＬＱは、分岐流路８３Ｈを流れて、分岐流路８３Ｈの他端から排出され、その分岐流路８３Ｈの他端から排出された冷媒ＬＱは、排出流路８５Ｈに流入することができる。

調整機構８４Ｈは、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力に応じて、供給流路８１Ｈを流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を分岐流路８３Ｈに流すことができる。本実施形態において、調整機構８４Ｈは、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたときに、冷媒ＬＱを分岐流路８３Ｈに流すことができる。

上述の予め定められた値は、保持部材４２の耐圧値を含む。保持部材４２の耐圧値は、内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力に起因して保持部材４２が劣化したり、破損したりしない程度の圧力値を含む。また、保持部材４２の耐圧値は、内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力に起因する保持部材４２（保持面４３）の変形量が、許容レベル以下に抑制される圧力値を含む。保持部材４２の耐圧値は、例えば設計値、あるいは実験又はシミュレーション等から予め求めることができる。

逆止弁８６は、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたときに、流路を開け、供給流路８１Ｈを流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を、分岐流路８３Ｈの一端から他端に送ることができる。また、逆止弁８６は、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えていないとき、流路を閉じ、供給流路８１Ｈを流れる冷媒ＬＱが分岐流路８３Ｈの一端から他端に流れることを抑制するとともに、分岐流路８３Ｈから供給流路８１Ｈに冷媒ＬＱが流れる（逆流する）ことを抑制することができる。

制御装置４は、保持部材４２で基板Ｐを保持するとき、電極部材９６に電力を供給する。制御装置４は、少なくとも電極部材９６に電力を供給するとき、温度調整装置８０Ｈを用いて、電極部材９６の温度を調整する。制御装置４は、電極部材９６の温度を調整するために、温度調整装置８０Ｈを用いて、内部流路７４Ｈに冷媒ＬＱを供給する。

温度調整装置８０Ｈは、電極部材９６の温度を調整するために、冷媒供給装置８２Ｈより冷媒ＬＱを送出する。冷媒供給装置８２Ｈは、冷媒ＬＱの温度を調整可能であり、温度調整された冷媒ＬＱを、供給流路８１Ｈに送出する。

冷媒供給装置８２Ｈより送出された冷媒ＬＱは、供給流路８１を介して、供給口１０２に供給される。供給口１０２は、冷媒ＬＱを保持部材４２の内部流路７４Ｈに供給する。供給口１０２より内部流路７４Ｈに供給された冷媒ＬＱは、内部流路７４Ｈを流れる。内部流路７４Ｈの冷媒ＬＱは、その内部流路７４Ｈの近傍に配置されている電極部材９６の熱を回収し、排出口１０３に流れる。これにより、電極部材９６の熱が保持部材４２の表面（保持面４３）に伝達することが抑制される。

電極部材９６の熱を回収しながら内部流路７４Ｈを流れた冷媒ＬＱは、排出口１０３より排出流路８５Ｈに排出される。排出口１０３より排出された冷媒ＬＱは、排出流路８５Ｈを介して、冷媒供給装置８２Ｈに供給される。

供給流路８１Ｈより内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えていないとき、逆止弁８６を含む調整機構８４Ｈは、流路を閉じる。これにより、冷媒供給装置８２Ｈから供給流路８１Ｈに送出された冷媒ＬＱは、分岐流路８３Ｈ（分岐流路８３Ｈの他端）に供給されることなく、供給流路８１Ｈ及び供給口１０２を介して、内部流路７４Ｈに供給される。

一方、供給流路８１Ｈより内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたとき、逆止弁８６を含む調整機構８４Ｈは、流路を開ける。これにより、冷媒供給装置８２Ｈから供給流路８１Ｈに送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１Ｈ及び供給口１０２を介して、内部流路７４Ｈに供給されるとともに、冷媒供給装置８２Ｈから供給流路８１Ｈに送出された冷媒ＬＱの一部は、供給流路８１Ｈから分岐流路８２Ｈに流れる。これにより、内部流路７４Ｈに単位時間当たりに流入する冷媒ＬＱの量が抑制される。したがって、内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力、ひいては内部流路７４Ｈの圧力が上昇することが抑制される。

分岐流路８３Ｈを流れる冷媒ＬＱは、分岐流路８３Ｈの他端より、排出流路８５Ｈに排出される。すなわち、調整機構８４Ｈを用いて供給流路８１Ｈより分岐流路８３Ｈの一端に流入させた冷媒ＬＱは、その分岐流路８３Ｈを流れて、排出流路８５Ｈを流れる冷媒ＬＱと合流する。分岐流路８３Ｈの他端より排出流路８５Ｈに排出された冷媒ＬＱは、その排出流路８５Ｈを流れて、冷媒供給装置８２Ｈに供給される。

以上説明したように、本実施形態によれば、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力に応じて、供給流路８１Ｈを流れる冷媒ＬＱの少なくとも一部を分岐流路８２Ｈに流すようにしたので、内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力、すなわち内部流路７４Ｈの圧力が過度に上昇することを抑制することができる。したがって、電極部材９６の温度を良好に調整しながら、例えば保持部材４２が変形したり、破損したりすることを抑制することができる。したがって、保持部材４２で基板Ｐを良好に保持して、その基板Ｐを良好に露光することができる。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１７は、第９実施形態に係る保持部材４２の温度を調整する温度調整装置８０Ｊの一例を示す図である。図１７において、温度調整装置８０Ｊは、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力に関する情報を検出する圧力センサ８８Ｊを備えている。本実施形態においては、圧力センサ８８Ｊは、供給流路８１Ｊにおける分岐流路８３Ｊの分岐箇所８７Ｊと、内部流路７４Ｈとの接続点９０Ｊとの間に接続されている。

また、本実施形態においては、調整機構８４Ｊは、分岐流路８３Ｊに配置された電磁バルブ８９Ｊを含む。本実施形態においては、電磁バルブ８９Ｊを含む調整機構８４Ｊは、圧力センサ８８Ｊの検出結果に基づいて制御される。本実施形態においては、電磁バルブ８９Ｊは、制御装置４に制御される。また、圧力センサ８８Ｊの検出結果は、制御装置４に制御される。制御装置４は、圧力センサ８８Ｊの検出結果に基づいて、電磁バルブ８９Ｊを制御する。また、分岐流路８３Ｊは、保持部材４２の内部流路７４Ｊを介さずに、供給流路８１Ｊと排出流路８５Ｊとを結ぶように接続されている。

次に、本実施形態に係る温度調整装置８０Ｊの動作の一例について説明する。制御装置４は、電極部材９６の温度を調整するために、温度調整装置８０Ｊの冷媒供給装置８２Ｊより冷媒ＬＱを送出する。冷媒供給装置８２Ｊより送出された冷媒ＬＱは、供給流路８１Ｊ及び供給口１０２を介して、保持部材４２の内部流路７４Ｈに供給される。

保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力は、圧力センサ８８Ｊによってモニタされている。制御装置４は、圧力センサ８８Ｊの検出結果に基づいて、供給流路８１Ｊより保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えていないと判断したとき、電磁バルブ８９Ｊを用いて、分岐流路８３Ｊを閉じる。一方、制御装置４は、圧力センサ８８Ｊの検出結果に基づいて、供給流路８１Ｊより保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたと判断したとき、電磁バルブ８９Ｊを用いて、分岐流路８３Ｊを開ける。これにより、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力、ひいては保持部材４２の内部流路７４Ｈの圧力が上昇することが抑制される。

＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第１０実施形態に係る温度調整装置８０Ｋを示す図である。第１０実施形態は、第９実施形態の変形例である。第９実施形態と異なる第１０実施形態の特徴的な部分は、圧力センサ８８Ｊが、供給流路８１Ｊにおける分岐流路８３Ｊの分岐箇所８７Ｊよりも上流側に配置されている点にある。

本実施形態において、圧力センサ８８Ｊは、供給流路８１Ｊにおいて、分岐箇所８７Ｊよりも上流側に接続されている。すなわち、圧力センサ８８Ｊは、供給流路８１Ｊにおいて、供給口１０２に対して、分岐箇所８７Ｊより離れた位置に配置されている。本実施形態においては、圧力センサ８８Ｊは、冷媒供給装置８２Ｊと分岐箇所８７Ｊとの間の供給流路８１Ｊの所定位置に接続されている。冷媒ＬＱは、圧力センサ８８Ｊが接続された箇所を流れた後、分岐箇所８７Ｊを流れて、供給口１０２に供給される。

本実施形態においても、圧力センサ８８Ｊは、保持部材４２の内部流路７４Ｈに流入する冷媒ＬＱの圧力をモニタすることができる。制御装置４は、圧力センサ８８Ｊの検出結果に基づいて、分岐流路８３Ｊに配置された電磁バルブ８９Ｊを制御することができる。

なお、上述の第８〜第１０実施形態においては、温度調整装置が分岐流路（分岐管）を備えている場合を例にして説明したが、保持部材４２が分岐流路（分岐管）を備えていてもよい。換言すれば、基板ステージ２が、供給流路及び排出流路のそれぞれに接続される分岐流路を備えていてもよい。

なお、上述の第８〜第１０実施形態において、分岐流路の他端が、排出流路８５とは独立に、冷媒供給装置８２に接続されていてもよい。

また、上述の第８〜第１０実施形態において、分岐流路の他端が、冷媒供給装置に接続されずに、別の所定の装置に接続されていてもよい。また、分岐流路の他端を、冷媒ＬＱを廃棄可能な廃棄空間に接続し、分岐流路の他端より排出された冷媒ＬＱを、再利用せずに、廃棄してもよい。

なお、上述の第８〜第１０実施形態においては、保持部材４２の内部流路７４Ｈを流れた冷媒ＬＱが、冷媒供給装置に戻される場合を例にして説明したが、保持部材４２の内部流路７４Ｈを流れた冷媒ＬＱが、冷媒供給装置に戻されずに、別の所定の装置に戻されてもよいし、再利用せずに、廃棄されてもよい。

なお、基板保持部材４２の温度が、図１１〜図１４を参照して説明したような、基板保持部材４２が配置される真空空間とは異なる大気空間に配置された冷媒供給装置を含む温度調整装置によって調整されてもよい。

なお、上述の第８〜第１０実施形態においては、温度調整装置が、基板ステージ２の基板保持部材４２の温度を調整する場合を例にして説明したが、上述の各実施形態で説明した温度調整装置と同等の構成を有する温度調整装置が、静電チャック機構を有するマスクステージ１のマスク保持部材３６の温度を調整することができる。その場合、マスク保持部材３６の内部には、冷媒ＬＱが流れる内部流路が形成され、内部流路を流れる冷媒ＬＱは、マスク保持部材３６に設けられている電極部材の外側で、その電極部材の温度を調整する。

なお、上述の各実施形態で説明した温度調整装置を用いて、例えばペルチェ素子の温度を調整することもできる。

なお、上述の圧力センサ８８を用いた各実施形態においては、その圧力センサ８８の検出結果に基づいて、調整機構８４の電磁バルブが制御されるが、例えばリニアモータのハウジング７５の変形（歪み）を検出可能な歪みセンサを配置し、その歪みセンサの検出結果に基づいて、調整機構８４の電磁バルブが制御されてもよい。ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力が予め定められた値を超えたとき、その圧力に応じて、ハウジング７５が変形する可能性がある。したがって、そのハウジング７５の変形量を歪みセンサで検出することによって、ハウジング７５の内部空間７４に流入する冷媒ＬＱの圧力に関する情報を求めることができる。同様に、保持部材４２の変形（歪み）を検出可能な歪みセンサを配置し、その歪みセンサの検出結果に基づいて、調整機構を調整することができる。

なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸがＥＵＶ露光装置である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いてもよい。また、上述の各実施形態においては、露光光ＥＬが進行する所定空間が真空空間である場合を例にして説明したが、空気、窒素ガス等、所定のガスで満たされた空間であってもよい。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、例えば米国特許第６，８９７，９６３号公報、欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号公報などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクを介した露光光で基板を露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１実施形態に係るマスクステージの近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係る基板ステージの近傍を示す側面図である。 第１実施形態に係るリニアモータの一例を示す斜視図である。 図４のＡ−Ａ断面矢視図である。 第１実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第１実施形態に係る温度調整装置の動作の一例を説明するための図である。 第２実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第３実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第４実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第５実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第５実施形態に係る温度調整装置の動作の一例を説明するための図である。 第６実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第７実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第８実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第８実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第９実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第１０実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…マスクステージ、２…基板ステージ、５…内部空間、６…チャンバ装置、３６…マスク保持部材、４２…基板保持部材、４３…保持面、４４…第１アクチュエータシステム、４５…第１粗動システム、４６…第１微動システム、４７…第１リニアモータ、４８…第２リニアモータ、４９…可動子、５０…固定子、５１…可動子、５２…固定子、６０…第２アクチュエータシステム、６１…第２粗動システム、６２…第２微動システム、６３…第３リニアモータ、６４…第４リニアモータ、６５…第５リニアモータ、６６…可動子、６７…固定子、６８…可動子、６９…固定子、７０…可動子、７１…固定子、７３…コイル、７４…内部空間、７４Ｈ…内部流路、７５…ハウジング、７６…磁石、７８…供給口、７９…排出口、８０…温度調整装置、８１…供給流路、８２…冷媒供給装置、８３…分岐流路、８４…調整機構、８５…排出流路、８６…逆止弁、８７…分岐箇所、８８…圧力センサ、８９…電磁バルブ、９０…接続点、９１…収容空間、９２…収容部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…冷媒、Ｍ…マスク、Ｐ…基板

Claims (35)

1. 所定空間に温度調整用の流体を供給して物体の温度を調整する温度調整装置であって、
   前記所定空間に前記流体を供給するための供給流路と、
   前記供給流路から分岐する分岐流路と、
   前記所定空間に流入する前記流体の圧力に応じて、前記供給流路を流れる前記流体の少なくとも一部を前記分岐流路に流すことができる調整機構と、を備えた温度調整装置。
2. 前記調整機構は、前記流体の圧力が予め定められた値を超えたときに、前記流体を前記分岐流路に流す請求項１記載の温度調整装置。
3. 前記調整機構は、前記分岐流路に配置された逆止弁を含む請求項１又は２記載の温度調整装置。
4. 前記流体の圧力に関する情報を検出する圧力センサを備え、
   前記調整機構は、前記圧力センサの検出結果に基づいて制御される請求項１〜３のいずれか一項記載の温度調整装置。
5. 前記調整機構は、前記分岐流路に配置された電磁バルブを含む請求項４記載の温度調整装置。
6. 前記圧力センサは、前記供給流路における前記分岐流路の分岐箇所よりも上流側に接続されている請求項４又は５記載の温度調整装置。
7. 前記圧力センサは、前記供給流路における前記分岐流路の分岐箇所と前記所定空間との接続点との間に接続されている請求項４又は５記載の温度調整装置。
8. 前記所定空間から出た前記流体が流れる排出流路を備え、
   前記分岐流路は、前記所定空間を介さずに前記供給流路と前記排出流路とを結ぶように接続されている請求項１〜７のいずれか一項記載の温度調整装置。
9. 前記流体を前記供給流路に送出する流体供給装置と、
   前記所定空間から出た前記流体が流れる排出流路とを備え、
   前記分岐流路は、前記排出流路とは独立に前記流体供給装置に接続されている請求項１〜７のいずれか一項記載の温度調整装置。
10. 少なくとも前記分岐流路を収容する収容空間を形成する収容部材を備える請求項１〜９のいずれか一項記載の温度調整装置。
11. 前記収容空間の環境状態と前記所定空間を形成する所定部材が配置された第１空間の環境状態とを異なる環境状態に設定可能である請求項１０記載の温度調整装置。
12. 前記物体は、前記所定空間の内側に配置される請求項１〜１１のいずれか一項記載の温度調整装置。
13. 前記物体は、前記所定空間の外側に配置される請求項１〜１１のいずれか一項記載の温度調整装置。
14. 露光光で基板を露光する露光装置であって、
    物体の温度を調整するために、請求項１〜１３のいずれか一項記載の温度調整装置を備えた露光装置。
15. コイルを有するアクチュエータ装置を備え、
    前記物体は、前記コイルを含む請求項１４記載の露光装置。
16. 前記所定空間を形成するハウジングを備え、
    前記コイルは、前記ハウジングの内側に配置される請求項１５記載の露光装置。
17. 保持面を有する保持部材と、前記保持部材の内部に配置され、前記保持面に静電力を発生するための電極部材とを有する保持装置を備え、
    前記物体は、前記電極部材を含む請求項１４記載の露光装置。
18. 前記所定空間は、前記保持部材の内部に形成され、
    前記電極部材は、前記所定空間の外側に配置される請求項１７記載の露光装置。
19. 請求項１４〜１８のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
20. コイルを有するアクチュエータ装置であって、
    前記コイルを収容する所定空間を形成するハウジングと、
    前記所定空間に温度調整用の流体を供給するための供給流路と、
    前記供給流路から分岐する分岐流路と、
    前記所定空間に流入する前記流体の圧力に応じて、前記供給流路を流れる前記流体の少なくとも一部を前記分岐流路に流すことができる調整機構と、を備えたアクチュエータ装置。
21. 前記調整機構は、前記流体の圧力が予め定められた値を超えたときに、前記流体を前記分岐流路に流す請求項２０記載のアクチュエータ装置。
22. 前記調整機構は、前記分岐流路に配置された逆止弁を含む請求項２０又は２１記載のアクチュエータ装置。
23. 前記流体の圧力に関する情報を検出する圧力センサを備え、
    前記調整機構は、前記圧力センサの検出結果に基づいて制御される請求項２０〜２２のいずれか一項記載のアクチュエータ装置。
24. 前記調整機構は、前記分岐流路に配置された電磁バルブを含む請求項２３記載のアクチュエータ装置。
25. 前記圧力センサは、前記供給流路における前記分岐流路の分岐箇所よりも上流側に接続されている請求項２３又は２４記載のアクチュエータ装置。
26. 前記圧力センサは、前記供給流路における前記分岐流路の分岐箇所と前記所定空間との接続点との間に接続されている請求項２３又は２４記載のアクチュエータ装置。
27. 前記所定空間から流出した前記流体が流れる排出流路を備え、
    前記分岐流路は、前記所定空間を介さずに前記供給流路と前記排出流路とを結ぶように接続されている請求項２０〜２６のいずれか一項記載のアクチュエータ装置。
28. 保持面を有する保持部材を有する保持装置であって、
    前記保持部材の内部に配置され、前記保持面に静電力を発生するための電極部材と、
    前記保持部材の内部に形成された所定空間と、
    前記所定空間に温度調整用の流体を供給するための供給流路と、
    前記供給流路から分岐する分岐流路と、
    前記所定空間に流入する前記流体の圧力に応じて、前記供給流路を流れる前記流体の少なくとも一部を前記分岐流路に流すことができる調整機構と、を備えた保持装置。
29. 前記調整機構は、前記流体の圧力が予め定められた値を超えたときに、前記流体を前記分岐流路に流す請求項２８記載の保持装置。
30. 前記調整機構は、前記分岐流路に配置された逆止弁を含む請求項２８又は２９記載の保持装置。
31. 前記流体の圧力に関する情報を検出する圧力センサを備え、
    前記調整機構は、前記圧力センサの検出結果に基づいて制御される請求項２８〜３０のいずれか一項記載の保持装置。
32. 前記調整機構は、前記分岐流路に配置された電磁バルブを含む請求項３１記載の保持装置。
33. 前記圧力センサは、前記供給流路における前記分岐流路の分岐箇所よりも上流側に接続されている請求項３１又は３２記載の保持装置。
34. 前記圧力センサは、前記供給流路における前記分岐流路の分岐箇所と前記所定空間との接続点との間に接続されている請求項３１又は３２記載の保持装置。
35. 前記所定空間から流出した前記流体が流れる排出流路を備え、
    前記分岐流路は、前記所定空間を介さずに前記供給流路と前記排出流路とを結ぶように接続されている請求項２８〜３４のいずれか一項記載の保持装置。

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