JP2009277680A - 流体供給装置、温度調整装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所定空間に流体を良好に供給できる流体供給装置を提供する。
【解決手段】流体供給装置６０は、流体が流れる第１チューブと、第１チューブ６１の少なくとも一部を内部に収容可能な第２チューブ６２と、第１チューブと第２チューブとの間の空間の気体を排出する排気装置６５とを備えている。第１チューブは第２チューブに比べて流体に対する耐性が高く、第２チューブは第１チューブに比べて、アウトガスが少なくステンレス等のベローズで構成される。
【選択図】図５

Description

本発明は、流体供給装置、温度調整装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているように、流体供給装置より所定空間に流体を供給して、物体の温度を調整することが行われている。
米国特許第６７００６４１号明細書

所定空間に流体を良好に供給できず、例えば流体の一部が放出されたり、流体が流れる部材からアウトガスが放出されたりすると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、流体を良好に供給できる流体供給装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、流体を用いて物体の温度を良好に調整できる温度調整装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、流体が流れる第１チューブと、第１チューブの少なくとも一部を内部に収容可能な第２チューブと、第１チューブと第２チューブとの間の空間の気体を排出する排気装置と、を備えた流体供給装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、流体が流れる第１チューブと、第１チューブの少なくとも一部を内部に収容可能で、第１チューブよりアウトガスが少なく、且つ、流体に対するバリア性が高い第２チューブと、を備えた流体供給装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、所定空間に温度調整用の流体を供給して物体の温度を調整する温度調整装置であって、所定空間に流体を供給するために、第１、第２の態様の流体供給装置を有する温度調整装置が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、露光装置を構成している複数の物体のうち、少なくとも１個の物体の温度を調整するために、第３の態様の温度調整装置を備えた露光装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明によれば、流体を良好に供給でき、その流体を用いて物体の温度を良好に調整できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸが、極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である場合を例にして説明する。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。一例として、本実施形態では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いる。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置３とを備えている。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材、及びその基材の表面に形成された感光材（レジスト）の膜を含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの表面（反射面）を露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明し、マスクＭで反射した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置３は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域に対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射して、基板Ｐを露光する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する所定空間を所定の環境状態に調整可能なチャンバ装置４を備えている。本実施形態において、チャンバ装置４は、内部空間５を形成するチャンバ部材６と、内部空間５の環境状態を調整するための環境調整装置７とを備えている。露光光ＥＬは、内部空間５を進行する。環境調整装置７は、真空システムを含み、内部空間５を真空状態に調整可能である。制御装置３は、環境調整装置７を用いて、内部空間５をほぼ真空状態に調整する。一例として、本実施形態においては、内部空間５の圧力は、例えば、１×１０^−４〔Ｐａ〕程度の減圧雰囲気に調整される。チャンバ装置４（チャンバ部材６）の外部空間４５は、ほぼ大気圧である。本実施形態において、照明光学系ＩＬの少なくとも一部、マスクステージ１、投影光学系ＰＬ、及び基板ステージ２のそれぞれが、内部空間５に配置される。

照明光学系ＩＬは、光源装置（不図示）からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。光源装置は、例えばキセノン（Ｘｅ）等のターゲット材料にレーザー光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂、ＬＰＰ（Laser Produced Prasma）方式の光源装置を含む。なお、光源装置が、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂、ＤＰＰ（Discharge Produced Prasma）方式の光源装置でもよい。光源装置で発生したＥＵＶ光（露光光ＥＬ）は、照明光学系ＩＬに入射する。

照明光学系ＩＬは、複数の光学素子を含み、所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬは、照明領域に配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つ方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの表面（反射面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面が−Ｚ方向を向くように、マスクＭを保持する。照明光学系ＩＬから射出された露光光ＥＬは、マスクステージ１に保持されているマスクＭに照射される。

本実施形態においては、マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及びマスクＭの反射面の位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられている。制御装置３は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を実行する。

投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を含み、所定の投影領域に露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域に配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面が＋Ｚ方向を向くように、基板Ｐを保持する。投影光学系ＰＬから射出された露光光ＥＬは、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。

本実施形態においては、基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及び基板Ｐの表面の位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられている。制御装置３は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を実行する。

本実施形態において、露光装置ＥＸは、ベース部材８と、ベース部材８上に配置された支柱部材９と、支柱部材９の上端に接続された支持部材１０とを備えている。また、露光装置ＥＸは、支持部材１０上に配置されたフレーム部材１１に支持されるガイド部材１２を備えている。また、露光装置ＥＸは、ベース部材８上に防振システム１３を介して支持されるガイド部材１４を備えている。照明光学系ＩＬは、フレーム部材１５及び防振システム１６を介して、支持部材１０に支持されている。投影光学系ＰＬは、フレーム部材１７及び防振システム１８を介して、支持部材１０に支持されている。

ガイド部材１２は、マスクステージ１の移動をガイドするガイド面１２Ｇを有する。本実施形態において、マスクステージ１は、ガイド部材１２の開口１２Ｋを覆うように配置される。マスクステージ１は、ステージ本体１９と、マスクＭを保持しながらステージ本体１９に対して移動可能なマスク保持部材２０とを含む。ステージ本体１９は、開口１２Ｋを覆うように配置されている。ステージ本体１９は、ガイド面１２ＧにガイドされつつＸＹ平面内を移動可能である。マスク保持部材２０は、ステージ本体１９の−Ｚ側に配置されている。マスク保持部材２０に保持されたマスクＭは、開口１２Ｋの内側に配置される。マスク保持部材２０は、マスクＭを保持した状態で、ステージ本体１９に対して、微かに移動可能である。

本実施形態において、マスク保持部材２０は、静電チャック機構を含み、静電力でマスクＭを保持する。マスク保持部材２０は、マスクＭを静電力で保持可能な保持面２１を有する。保持面２１は、−Ｚ側を向き、ＸＹ平面とほぼ平行であり、マスクＭの裏面と対向可能である。

開口１２Ｋは、照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬが入射可能な位置に形成されている。支持部材１０は、開口１２Ｋに対応する開口１０Ｋを有する。照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、開口１０Ｋ及び開口１２Ｋを介して、マスク保持部材２０に保持されているマスクＭに照射される。

ステージ本体１９は、基板Ｐ上の１つのショット領域の走査露光中に、マスクＭのパターン形成領域全体が照明光学系ＩＬの照明領域を通過するように、Ｙ軸方向（走査方向）に、比較的大きなストロークを有している。ステージ本体１９がＹ軸方向に移動することによって、マスク保持部材２０及びマスクＭも、ステージ本体１９とともにＹ軸方向に移動する。

ガイド部材１４は、基板ステージ２の移動をガイドするガイド面１４Ｇを有する。基板ステージ２は、ステージ本体２２と、基板Ｐを保持しながらステージ本体２２に対して移動可能な基板保持部材２３とを含む。ステージ本体２２は、ガイド面１４ＧにガイドされつつＸＹ平面内を移動可能である。基板保持部材２３は、ステージ本体２２の＋Ｚ側に配置されている。基板保持部材２３は、基板Ｐを保持した状態で、ステージ本体２２に対して、微かに移動可能である。

本実施形態において、基板保持部材２３は、静電チャック機構を含み、静電力で基板Ｐを保持する。基板保持部材２３は、基板Ｐを静電力で保持可能な保持面２４を有する。保持面２４は、＋Ｚ側を向き、ＸＹ平面とほぼ平行であり、基板Ｐの裏面と対向可能である。

図２は、マスクステージ１の近傍を示すＸＺ平面と平行な断面図である。図２において、露光装置ＥＸは、マスクステージ１を移動するためのアクチュエータ装置２５を備えている。アクチュエータ装置２５は、ステージ本体１９を移動する粗動システム２６と、ステージ本体１９に対してマスク保持部材２０を移動する微動システム２７とを備えている。

本実施形態において、粗動システム２６は、ステージ本体１９に対して＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに配置されたリニアモータ２８を備えている。リニアモータ２８は、ステージ本体１９の側面に設けられた可動子２９と、その可動子２９に対応する固定子３０とを有する。固定子３０は、支持部材３１に支持され、ガイド部材１２上に配置されている。本実施形態において、可動子２９は、磁石を含み、固定子３０は、コイルを含む。すなわち、本実施形態のリニアモータ２８は、所謂ムービングマグネット型のリニアモータである。制御装置３は、リニアモータ２８を用いて、ガイド部材１２に対して、ステージ本体１９を、Ｙ軸方向に移動可能である。また、制御装置３は、ステージ本体１９の＋Ｘ側に配置されているリニアモータ２８による駆動量と、−Ｘ側に配置されているリニアモータ２８による駆動量とを異ならせることによって、θＺ方向に関するステージ本体１９の位置を調整可能である。

なお、本実施形態においては、支持部材３１とガイド部材１２との間にガスベアリングが配置されており、固定子３０及び支持部材３１は、ガイド部材１２に対して非接触で支持されている。このため、運動量保存の法則により、ステージ本体１９の＋Ｙ方向（−Ｙ方向）の移動に応じて、固定子３０及び支持部材３１が−Ｙ方向（＋Ｙ方向）に移動する。この固定子３０及び支持部材３１の移動により、ステージ本体１９の移動に伴う反力が相殺されるとともに重心位置の変化を抑制することができる。すなわち、本実施形態において、固定子３０及び支持部材３１は、所謂カウンタマスとして機能する。

本実施形態において、微動システム２７は、ボイスコイルモータ３２を備えている。ボイスコイルモータ３２は、マスク保持部材２０に設けられた可動子３３と、その可動子３３に対応する固定子３４とを有する。固定子３４は、ステージ本体１９に接続されている。本実施形態において、可動子３３は、磁石を含み、固定子３４は、ボイスコイルを含む。制御装置３は、ボイスコイルモータ３２を用いて、ステージ本体１９に対して、マスク保持部材２０を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。

また、本実施形態においては、ステージ本体１９とマスク保持部材２０との間に、マスク保持部材２０のＺ軸方向に作用する自重をキャンセルする自重キャンセル機構３５が配置されている。自重キャンセル機構３５は、例えばベローズ部材を含む。また、本実施形態においては、ガイド面１２Ｇとステージ本体１９の下面とのギャップを調整するギャップ調整装置が設けられている。ギャップ調整装置は、電磁力でギャップを調整する。ガイド部材１２上には固定部材３７が配置されている。固定部材３７の少なくとも一部は、ステージ本体１９の上面と対向する。ギャップ調整装置は、固定部材３７に配置された電磁石ユニット３６を有する。制御装置３は、電磁石ユニット３６に供給する電力（電流）を調整することによって、固定部材３７とステージ本体１９との間に発生する力（吸引力）を調整可能である。固定部材３７とステージ本体１９との間に発生する力が調整されることによって、ガイド面１２Ｇとステージ本体１９の下面とのギャップが調整される。

図３は、基板ステージ２の近傍を示す側面図である。図３において、露光装置ＥＸは、基板ステージ２を移動するためのアクチュエータ装置３８を備えている。アクチュエータ装置３８は、ステージ本体２２を移動する粗動システム３９と、ステージ本体２２に対して基板保持部材２３を移動する微動システム４０とを備えている。

本実施形態において、粗動システム３９は、ステージ本体２２をＹ軸方向に移動するリニアモータ４１と、ステージ本体２２に対して＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれに配置されたリニアモータ４２を備えている。本実施形態において、ステージ本体２２は、Ｙ軸方向に長い貫通孔２２Ｈを有する。リニアモータ４１は、貫通孔２２Ｈの内面に設けられた可動子４３と、その可動子４３に対応する固定子４４とを有する。固定子４４は、Ｙ軸方向に長く、貫通孔２２Ｈに配置可能である。本実施形態において、可動子４３は、磁石を含み、固定子４４は、コイルを含む。すなわち、本実施形態のリニアモータ４１は、所謂ムービングマグネット型のリニアモータである。制御装置３は、リニアモータ４１を用いて、固定子４４に対して、ステージ本体２２を、Ｙ軸方向に移動可能である。リニアモータ４２は、固定子４４の端に設けられた可動子４６と、その可動子４６に対応する固定子４７とを有する。固定子４７は、支持部材４８に支持され、ベース部材１４上に配置されている。本実施形態において、可動子４６は、磁石を含み、固定子４７は、コイルを含む。すなわち、本実施形態のリニアモータ４２は、所謂ムービングマグネット型のリニアモータである。制御装置３は、リニアモータ４２を用いて、ガイド部材１４に対して、固定子４４及びステージ本体２２を、Ｘ軸方向に移動可能である。また、制御装置３は、ステージ本体２２の＋Ｙ側に配置されているリニアモータ４２による駆動量と、−Ｙ側に配置されているリニアモータ４２による駆動量とを異ならせることによって、θＺ方向に関するステージ本体２２の位置を調整可能である。

本実施形態において、微動システム４０は、ボイスコイルモータ４９を備えている。ボイスコイルモータ４９は、ステージ本体２２と基板保持部材２３との間に複数配置されている。ボイスコイルモータ４９は、例えば基板保持部材２３に設けられた可動子と、その可動子に対応する固定子とを有する。固定子は、ステージ本体２２に接続されている。本実施形態において、ボイスコイルモータ４９の可動子は、磁石を含み、固定子は、ボイスコイルを含む。制御装置３は、ボイスコイルモータ４９を用いて、ステージ本体２２に対して、基板保持部材２３を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。

図４は、リニアモータ４２を示す斜視図である。本実施形態において、リニアモータ４２と、リニアモータ２８、４１とはほぼ同等の構成である。以下、リニアモータ４２について主に説明し、リニアモータ２８、４１についての説明は簡略若しくは省略する。

図４において、リニアモータ４２は、所定方向（Ｘ軸方向）に長い固定子４７と、固定子４７に対して移動可能な可動子４６とを有する。固定子４７は、複数のコイル５０と、それらコイル５０を収容する内部空間５１を形成するハウジング５２とを備えている。コイル５０は、内部空間５１において、Ｘ軸方向に複数配置されている。本実施形態において、ハウジング５２は、ステンレスによって形成されている。コイル５１は、ねじ部材等、所定の固定部材でハウジング５２に固定されている。

可動子４６は、複数の磁石５３と、それら複数の磁石５３を支持するヨーク５４とを備えている。磁石５３は、固定子４７と対向するヨーク５４の内側面において、Ｘ軸方向に複数配置されている。磁石５３は、永久磁石である。ヨーク５４の内側面において、異なる磁極の磁石５３が、Ｘ軸方向に関して、所定間隔で交互に配置されている。また、固定子４７を挟んで、対向する磁石５３は、互いに異なる磁極を有する。ＸＹ平面内における磁石５３の大きさは、コイル５０の大きさより小さい。固定子４７と可動子４６とは離れている。可動子４６は、固定子４７に対して非接触状態で、Ｘ軸方向に移動可能である。

リニアモータ４２は、ハウジング５２の内部空間５１に流体を流入させるための入口５５と、内部空間５１から流体を流出させるための出口５６とを有する。入口５５及び出口５６のそれぞれは、ハウジング５２の所定位置に形成されている。本実施形態においては、入口５５は、ハウジング５２の＋Ｘ側の側面に形成され、出口５６は、ハウジング５２の−Ｘ側の側面に形成されている。入口５５と出口５６とは、内部空間５１のＸ軸方向（長手方向）の両側に配置されている。

流体は、温度調整用の流体である。流体は、コイル５０の温度を調整するために、内部空間５１に供給される。例えば電力（電流）の供給によって、コイル５０は、発熱する。流体は、コイル５０の温度上昇を抑制するために、内部空間５１に供給される。流体は、コイル５０を冷却するための冷却剤として機能する。本実施形態においては、流体として、液体を用いる。

図５は、コイル５０の温度を調整するための温度調整装置１００の一例を示す概略構成図、図６は、図５の一部を拡大した側断面図である。温度調整装置１００は、ハウジング５２の内部空間５１に流体を供給して、そのハウジング５２の内側の内部空間５１に配置されているコイル５０の温度を調整する。

図５及び図６において、温度調整装置１００は、内部空間５１に流体を供給するための流体供給装置６０を備えている。流体供給装置６０は、流体が流れる流路６３を有する第１チューブ６１と、第１チューブ６１の少なくとも一部を内部に収容可能な第２チューブ６２とを備えている。すなわち、本実施形態において、流体供給装置６０は、二重管構造を有する。本実施形態において、第１チューブ６１の外面と第２チューブ６２の内面とは離れている。第１チューブ６１の外面と第２チューブ６２の内面との間に空間６４が形成される。

また、流体供給装置６０は、温度調整用の流体を送出する流体供給部５７を備えている。流体供給部５７は、送出する流体の温度を調整する調整器を備えている。流体供給部５７は、所定の温度に調整された流体を送出する。

第１チューブ６１の一端は、入口５５に接続され、他端は、流体供給部５７に接続されている。流体供給部５７は、外部空間４５に配置されている。流体供給部５７から送出された流体は、第１チューブ６１の流路６３を流れ、入口５５を介して、内部空間５１に供給される。

第２チューブ６２は、内部空間５に配置されている。第２チューブ６２は、内部空間５において第１チューブ６１の外面が露出しないように、第１チューブ６１の周囲に配置される。第２チューブ６２の一端は、ハウジング５２に接続され、他端は、チャンバ部材６の内面に配置された継手機構５８Ａに接続される。

第１、第２チューブ６１、６２は、可撓性である。本実施形態において、第１、第２チューブ６１、６２は、合成樹脂製である。

第１チューブ６１の材料は、流体の種類に応じて定められている。第１チューブ６１は、流体に対する耐性が高い材料で形成されている。耐性は、流体に対する耐溶解性を含む。すなわち、本実施形態においては、第１チューブ６１は、流体と接触しても溶解が抑制される材料で形成されている。本実施形態において、第１チューブ６１は、第２チューブ６２より流体に対する耐性が高い。なお、流体に対する耐性が、第１チューブ６１と第２チューブ６２とで同程度に高くてもよい。

第２チューブ６２は、アウトガスが少ない材料で形成されている。真空の内部空間５に配置された場合でも、第２チューブ６２は、アウトガスが抑制される材料で形成されている。本実施形態において、第２チューブ６２は、第１チューブ６１よりアウトガスが少ない。なお、アウトガスの量が、第１チューブ６１と第２チューブ６２とで同程度に少なくてもよい。

また、第２チューブ６２は、流体に対するバリア性が高い材料で形成されている。バリア性は、流体に対する透過性を含む。本実施形態において、流体は液体であり、第２チューブ６２は、液体の気化成分が外部（内部空間５）に放出されることを抑制できる材料で形成されている。本実施形態において、第２チューブ６２は、第１チューブ６１より流体に対するバリア性が高い。これにより、流路６３を流れる液体の気化成分が、第１チューブ６１を透過して、空間６４に移動した場合でも、第２チューブ６２により、内部空間５に放出されることを抑制できる。なお、流体に対するバリア性が、第１チューブ６１と第２チューブ６２とで同程度に高くてもよい。

本実施形態においては、流体（液体）として、例えばハイドロフルオロエーテル（例えば「ノベックＨＦＥ」：住友スリーエム株式会社製）、フッ素系不活性液体（例えば「フロリナート」：住友スリーエム株式会社製）等を用いる。第１チューブ６１は、ウレタン樹脂製である。第２チューブ６２は、オレフィン樹脂製である。本実施形態において、第１チューブ６１を内部に収容する第２チューブ６２は、第１チューブ６１よりアウトガスが少なく、且つ、流体に対するバリア性が高い。

なお、流体として、水を用いてもよい。流体として水を用いる場合、第１チューブ６１を、オレフィン樹脂製とすることができる。

本実施形態において、流体供給装置６０は、第１チューブ６１と第２チューブ６２との間の空間６４の気体を排出する排気装置６５を備えている。排気装置６５は、真空システム等の吸引装置を有し、空間６４の気体を吸引することによって、その空間６４から気体を排出することができる。

また、本実施形態において、温度調整装置１００は、内部空間５１の流体を回収するための流体回収装置７０を備えている。流体回収装置７０は、流体が流れる流路７３を有する第３チューブ７１と、第３チューブ７１の少なくとも一部を内部に収容可能な第４チューブ７２とを備えている。第３チューブ７１の外面と第４チューブ７２の内面との間に空間７４が形成される。

また、流体回収装置７０は、流体を回収する流体回収部５９を備えている。流体回収部５９は、真空システム等の吸引装置を有し、流体を吸引して回収可能である。

第３チューブ７１の一端は、出口５６に接続され、他端は、流体回収部５９に接続される。流体回収部５９は、外部空間４５に配置される。出口５６から出た内部空間５１の流体は、第３チューブ７１の流路７３を流れ、流体回収部５９に回収される。

第４チューブ７２は、内部空間５に配置される。第４チューブ７２は、内部空間５において第３チューブ７１の外面が露出しないように、第３チューブ７１の周囲に配置される。第４チューブ７２の一端は、ハウジング５２に接続され、他端は、チャンバ部材６の内面に配置された継手機構５８Ｂに接続される。

本実施形態において、第３チューブ７１は、第１チューブ６１と同じ材料で形成され、第４チューブ７２は、第２チューブ６２と同じ材料で形成されている。

本実施形態において、流体回収装置７０は、第３チューブ７１と第４チューブ７２との間の空間７４の気体を排出する排気装置７５を備えている。排気装置７５は、真空システム等の吸引装置を有し、空間７４の気体を吸引することによって、その空間７４から気体を排出することができる。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。

チャンバ装置４の内部空間５が、環境調整装置７によって、真空状態に調整される。また、マスクＭがマスクステージ１に保持されるとともに、基板Ｐが基板ステージ２に保持される。制御装置３は、基板Ｐの露光処理を開始する。マスクＭを露光光ＥＬで照明するために、制御装置３は、照明光学系ＩＬより露光光ＥＬを射出する。照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクステージ１に保持されているマスクＭに入射する。マスクＭは、露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明される。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、その投影光学系ＰＬを進行した後、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。制御装置３は、マスクＭのＹ軸方向への移動と同期して、基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

制御装置３は、マスクＭを保持したマスクステージ１を移動するために、アクチュエータ装置２５を駆動する。また、制御装置３は、基板Ｐを保持した基板ステージ２を移動するために、アクチュエータ装置３８を駆動する。制御装置３は、アクチュエータ装置２５のリニアモータ２８のコイル５０に電流を供給するとともに、アクチュエータ装置３８のリニアモータ４１、４２のコイル５０に電流を供給する。

制御装置３は、少なくともコイル５０に電流を供給するとき、温度調整装置１００を用いて、コイル５０の温度を調整する。制御装置３は、コイル５０の温度を調整するために、流体供給部５７を作動して、流体供給部５７より流体を送出する。流体は、流路６３を流れた後、入口５５を介して、内部空間５１に流入する。入口５５より内部空間５１に流入したガスは、内部空間５１を流れる。内部空間５１の流体は、その内部空間５１に配置されているコイル５０の熱を回収し、出口５６に流れる。出口５６から流出した流体は、流路７３を介して、流体回収部５９に吸引(回収）される。

以上説明したように、本実施形態によれば、第１チューブ６１の周囲に第２チューブ６２を配置したので、例えば流体の気体成分が内部空間５に放出されたり、アウトガスが放出されたりすることを抑制できる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

内部空間５に流体の気体成分が放出されたり、アウトガスが放出されたりすると、例えば照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＬの光学素子の反射面が汚染されたり、露光光ＥＬの照射状態が変化したりする可能性がある。そのような問題が生じると、露光不良が発生する可能性がある。本実施形態によれば、第１チューブ６１の周囲に配置される第２チューブ６２は、第１チューブ６１よりアウトガスが少なく、且つ、流体に対するバリア性が高い。そのため、流路６３を流れる流体の気体成分が内部空間５に放出されたり、アウトガスが放出されたりすることを抑制できる。

また、本実施形態によれば、排気装置６５を用いて、空間６３の気体を排出するので、内部空間５に流体の気体成分が放出されることをより一層、抑制することができる。例えば、流路６３を流れる流体の気体成分が第１チューブ６１を透過して、空間６４に移動しても、その気体成分を排気装置６５で空間６４から排出することができる。したがって、その空間６４の流体の気体成分が内部空間５に移動することを抑制することができる。

また、本実施形態においては、第１，第２チューブ６１、６２は、合成樹脂製であり、柔軟性及び耐久性が高い。したがって、内部空間５に流体の気体成分が放出されることを抑制することができる。

また、本実施形態においては、流体回収装置７０の第３、第４チューブ７１、７２は、流体供給装置６０の第１、第２チューブ６０と同等の構成を有する。また、流体回収装置７０は、流体供給装置６０の排気装置５７と同様の排気装置５９を有する。したがって、流体回収装置７０から内部空間５に流体の気体成分が放出されたり、アウトガスが放出されたりすることを抑制することができる。

なお、図７及び図８に示すように、第２チューブ６２の内部に複数の第１チューブ６１が配置されてもよい。図７及び図８は、第１、第２チューブ６１、６２の断面図である。図７及び図８に示す例によれば、空間６４が大きくなるので、排気効率が向上され、排気装置６５は、空間６４の気体を効率良く円滑に排出することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図９は、第２実施形態に係る流体供給装置６０Ｂの一例を示す図である。図９において、流体供給装置６０Ｂは、流体が流れる流路６３を有する第１チューブ６１と、第１チューブ６１を内部に収容可能な第２チューブ６２Ｂとを有する。本実施形態において、第２チューブ６２Ｂは、金属製である。

本実施形態において、第２チューブ６２Ｂは、可撓性を有する金属ベローズである。本実施形態において、第２チューブ６２Ｂは、ステンレス製である。

実施形態の第１チューブ６１は、上述の第１実施形態の第１チューブ６１と同等である。金属製の第２チューブ６２Ｂは、第１チューブ６１よりアウトガスが少ない。また、金属性の第２チューブ６２Ｂは、第１チューブ６１より流体に対するバリア性が高い。

本実施形態において、第１チューブ６１と第２チューブ６２Ｂとの間の空間６４Ｂは、ほぼ密閉されている。本実施形態において、空間６４Ｂは、ほぼ真空状態に調整されている。なお、上述の第１実施形態と同様、空間６４Ｂの気体を排気装置で排出してもよい。

第１チューブ６１の周囲に第２チューブ６２Ｂを配置することにより、例えば流体の気体成分が内部空間５に放出されたり、アウトガスが放出されたりすることを抑制できる。本実施形態においては、第２チューブ６２Ｂは、金属製であり、流体に対するバリア性が高く、アウトガスが少ない。

また、本実施形態によれば、第２チューブ６２Ｂが金属ベローズであり、第１チューブ６１が合成樹脂製なので、第１チューブ６１及び第２チューブ６２Ｂは、柔軟に曲がることができる。また、流体は、第１チューブ６１のなめらかな内面で形成された流路６３を流れるので、圧力損失の増大を抑制できる。

また、本実施形態においては、空間６４Ｂ及び内部空間５のそれぞれはほぼ真空状態であり、空間６４Ｂと内部空間５との圧力差は小さい。したがって、圧力差に起因する第２チューブ６２Ｂの変形を抑制できる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

本実施形態においては、温度調整装置１００Ｃが、基板Ｐを保持する保持面２４を有する保持部材２３の少なくとも一部の温度を調整する場合を例にして説明する。図１０は、第３実施形態に係る保持部材２３の一例を示す側断面図、図１１は、図１０のＸＹ平面と平行な断面図である。

図１０及び図１１において、基板ステージ２の保持部材２３は、基板Ｐの裏面と対向可能な保持面２４を有する。保持部材２３は、基板Ｐの裏面を保持する。基板Ｐの裏面は、露光光ＥＬが照射される表面とは反対側の面である。保持部材２３は、基板Ｐの裏面と対向可能な対向面２３Ａと、対向面２３Ａ上に設けられ、基板Ｐの裏面を支持する支持部材９１とを有する。本実施形態においては、対向面２３Ａは、＋Ｚ方向を向くように配置され、ＸＹ平面とほぼ平行である。支持部材９１は、例えばピン状の部材であり、対向面２３Ａに複数配置されている。支持部材９１は、所定の間隔をあけて、対向面２３Ａの複数の位置のそれぞれに配置されている。支持部材９１は、基板Ｐの裏面を支持する上面（支持面）９１Ａを有する。上面９１Ａのそれぞれは、Ｚ軸方向に関してほぼ同じ位置（高さ）に配置されている。本実施形態においては、保持面２４は、対向面２３Ａ及び上面９１Ａを含む。

本実施形態において、保持部材２３は、静電チャック機構を含み、基板Ｐの裏面を静電力で保持する。保持部材２３は、保持面２４に静電力を発生するための電極部材９０を有する。電極部材９０は、保持部材２３の内部に配置されている。電極部材９０は、保持部材２３の複数の所定位置のそれぞれに設けられている。電極部材９０のそれぞれは、電気配線９２を介して、電源９３と電気的に接続可能である。電源９３は、電極部材９０のそれぞれに、所定の電圧を印加可能である。電源９３は、例えばチャンバ装置４の外側に配置されている。

なお、本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式である。電極部材９０は、正の電位が与えられる保持用電極と、負の電位が与えられる保持用電極とを含む。なお、図１０においては、正の電位が与えられる電極部材９０のみが示されており、負の電位が与えられる保持用電極の図示が省略されている。

本実施形態の保持部材２３は、低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。保持部材２３の少なくとも一部は、静電チャック機構の誘電体として機能する。対向面２３Ａは、上述の低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。電極部材９０は、対向面２３Ａの−Ｚ側の保持部材２３の内部に配置されている。

複数の電極部材９０のそれぞれは、印加される電圧に応じて、基板Ｐを支持部材９１に吸着するための静電力を発生させる。制御装置３は、電源９３を用いて、電極部材９０に所定の電圧を印加することによって、基板Ｐと保持部材２３との間にクーロン力（ジャンセン・ラーベック力）を発生させる。これにより、基板Ｐは静電力によって支持部材９１に吸着され、保持部材２３は、静電力で基板Ｐを保持する。

本実施形態において、保持部材２３は、温度調整用の流体が流れる内部流路５１Ｃを有する。本実施形態においては、内部流路５１Ｃは、電極部材９０の−Ｚ側に形成されている。保持部材２３は、内部流路５１Ｃに流体を流入させるための入口５５Ｃと、内部流路５１Ｃから流体を流出させるための出口５６Ｃとを備えている。

本実施形態において、温度調整装置１００Ｃは、入口５５Ｃに接続され、入口５５Ｃを介して内部流路５１Ｃに流入させるための流体が流れる流路６３Ｃを形成する第１チューブ６１Ｃと、第１チューブ６１Ｃを内部に収容する第２チューブ６２Ｃとを有する。また、温度調整装置１００Ｃは、出口５６Ｃに接続され、出口５６Ｃを介して内部流路５１Ｃから流出した流体が流れる流路７３Ｃを形成する第３チューブ７１Ｃと、第３チューブ７１Ｃを内部に収容する第４チューブ７２Ｃとを有する。入口５５Ｃには、流体供給部から送出され、流路６３Ｃを流れた流体が供給される。出口５６Ｃより出た内部流路５１Ｃの流体は、流路７３Ｃを流れて、流体回収部に回収される。また、温度調整装置１００Ｃは、第１チューブ６１Ｃと第２チューブ６２Ｃとの間の空間６４Ｃの気体を排出する排気装置と、第３チューブ７１Ｃと第４チューブ７２Ｃとの間の空間７４Ｃの気体を排出する排気装置とを有する。

温度調整装置１００Ｃは、電極部材９０の温度を調整するために、入口５５Ｃを介して内部流路５１Ｃに流体を供給する。内部流路５１Ｃに流体が流れることによって、内部空間５１Ｃの外側に配置されている電極部材９０の温度が調整される。本実施形態によれば、発熱する電極部材９０を冷却することができる。

なお、上述の第２実施形態で説明したような、第２チューブ６２Ｂ（金属ベローズ）の内部に配置された第１チューブ６１の流路６３を介して、内部流路５１Ｃに流体を供給することができる。

なお、本実施形態の温度調整装置１００Ｃと同様の温度調整装置を、マスク保持部材２０に設けることができる。

なお、上述の第１〜第３実施形態においては、温度調整用の流体が液体である場合を例にして説明したが、気体でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸがＥＵＶ露光装置である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いてもよい。また、上述の各実施形態においては、露光光ＥＬが進行する内部空間５が真空状態である場合を例にして説明したが、空気、窒素ガス等、所定のガスで満たされた空間でもよい。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１２に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクを介した露光光で基板を露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１実施形態に係るマスクステージの近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係る基板ステージの近傍を示す側面図である。 第１実施形態に係るリニアモータの一例を示す斜視図である。 第１実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第１実施形態に係る流体供給装置の一部を拡大した側断面図である。 第１実施形態に係る流体供給装置の一例を示す断面図である。 第１実施形態に係る流体供給装置の一例を示す断面図である。 第２実施形態に係る流体供給装置の一部を拡大した側断面図である。 第３実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 第３実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…マスクステージ、２…基板ステージ、２０…マスク保持部材、２３…基板保持部材、２８…リニアモータ、４１…リニアモータ、４２…リニアモータ、５０…コイル、５１…内部空間、５２…ハウジング、５５…入口、５６…出口、６０…流体供給装置、６１…第１チューブ、６２…第２チューブ、６３…流路、６４…空間、６５…排気装置、１００…温度調整装置、７０…電極部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｐ…基板

Claims (24)

1. 流体が流れる第１チューブと、
   前記第１チューブの少なくとも一部を内部に収容可能な第２チューブと、
   前記第１チューブと前記第２チューブとの間の空間の気体を排出する排気装置と、を備えた流体供給装置。
2. 前記第２チューブは、前記第１チューブよりアウトガスが少ない請求項１記載の流体供給装置。
3. 前記第１チューブは、前記第２チューブより前記流体に対する耐性が高い請求項１又は２記載の流体供給装置。
4. 前記第２チューブは、合成樹脂を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の流体供給装置。
5. 前記第２チューブは、オレフィン樹脂を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の流体供給装置。
6. 前記第２チューブは、前記第１チューブより前記流体に対するバリア性が高い請求項１〜５のいずれか一項記載の流体供給装置。
7. 前記第２チューブは、金属を含む請求項６記載の流体供給装置。
8. 前記第２チューブは、ベローズを含む請求項１〜７のいずれか一項記載の流体供給装置。
9. 前記第１チューブは、合成樹脂を含む請求項１〜８のいずれか一項記載の流体供給装置。
10. 前記第１チューブは、ウレタン樹脂を含む請求項９記載の流体供給装置。
11. 流体が流れる第１チューブと、
    前記第１チューブの少なくとも一部を内部に収容可能で、前記第１チューブよりアウトガスが少なく、且つ、前記流体に対するバリア性が高い第２チューブと、を備えた流体供給装置。
12. 前記第１チューブは、前記第２チューブより前記流体に対する耐性が高い請求項１１記載の流体供給装置。
13. 前記第２チューブは、金属ベローズを含む請求項１１又は１２記載の流体供給装置。
14. 前記第２チューブは、ステンレスを含む請求項１３記載の流体供給装置。
15. 前記第１チューブは、合成樹脂を含む請求項１１〜１４のいずれか一項記載の流体供給装置。
16. 前記第１チューブは、オレフィン樹脂を含む請求項１５記載の流体供給装置。
17. 前記第１チューブは、ウレタン樹脂を含む請求項１５記載の流体供給装置。
18. 所定空間に温度調整用の流体を供給して物体の温度を調整する温度調整装置であって、
    前記所定空間に流体を供給するために、請求項１〜１７のいずれか一項記載の流体供給装置を有する温度調整装置。
19. 露光光で基板を露光する露光装置であって、
    該露光装置を構成している複数の物体のうち、少なくとも１個の物体の温度を調整するために、請求項１８記載の温度調整装置を備えた露光装置。
20. コイルを有するアクチュエータ装置を備え、
    前記少なくとも１個の物体は、前記コイルを含む請求項１９記載の露光装置。
21. 前記所定空間を形成するハウジングを備え、
    前記コイルは、前記ハウジングの内側に配置される請求項２０記載の露光装置。
22. 保持面を有する保持部材と、前記保持部材に配置され、前記保持面に静電力を発生するための電極部材とを有する保持装置を備え、
    前記少なくとも１個の物体は、前記電極部材を含む請求項２０記載の露光装置。
23. 前記所定空間は、前記保持部材の内部に形成され、
    前記電極部材は、前記所定空間の外側に配置される請求項２２記載の露光装置。
24. 請求項１９〜２３のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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