JP2005019973A - 光半導体素子用ステムの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 放熱性が高い放熱部を備えた光半導体素子用ステムを、生産効率が高く、かつ精度よく製造できる光半導体素子用ステムの製造方法を提供する。
【解決手段】 第１金属層１０が下側第２金属層１２ａと上側第２金属層１２ｂとに挟まれた構造の金属板１３を用意する工程と、金属板１３にプレス加工を行うことにより、金属板１３の上側第２金属層１２ｂの一部分に開口部１２ｘが設けられた構造を形成する工程と、金属板１３にプレス加工を行うことにより、上側第２金属層１２ｂの開口部１２ｘ上に第１金属層１０を立設させて放熱部２０を形成する工程とを含む。
【選択図】 図４

Description

本発明は、光半導体素子用ステムの製造方法に関し、さらに詳しくは、光通信装置や光ディスク装置などに適用される半導体レーザ素子などが実装される光半導体素子用ステムの製造方法に関する。

従来、光半導体素子が実装される金属製のステムがある。図９は光半導体素子用ステムの一例を示す斜視図である。図９に示すように、光半導体素子用ステム１００は、基体部を構成するアイレット１０２とその上に立設された放熱部１０４とにより構成されている。アイレット１０２には位置出し用の切り欠き部１０２ａが設けられている。また、放熱部１０４はその側面に光半導体素子が実装される素子実装面１０４ａを備えている。

光半導体素子用ステム１００においては、光半導体素子が実装される放熱部１０４は、放熱性を向上させるために熱伝導性が高い銅（Ｃｕ）などの金属から構成されることが望ましい。また、アイレット１０２上の周辺部には光半導体素子を気密封止するための金属キャップが抵抗溶接されるため、アイレット１０２はその表層部に抵抗溶接に適した鉄層が設けられている。

このような光半導体素子用ステム１００の従来の製造方法としては、図１０（ａ）に示すように、まず、鉄層１０８ａ／銅層１０６／鉄層１０８ｂの構造のクラッド材１１０を用意する。その後、図１０（ｂ）に示すように、このクラッド材１１０をプレス加工することにより、クラッド材１１０上に立設する放熱部１１２を形成する。

しかしながら、この製造方法では、放熱部１１２の表層部に熱伝導率の低い鉄層１０８ｂが残るため、光半導体素子が素子実装面１１２ａに実装される際に放熱部１１２での放熱性が十分に得られないという問題がある。このような製造方法は、例えば特許文献１及び２に記載されている。

この対策として、特許文献３には、クラッド材（鉄層／銅層／鉄層）の放熱部が形成される部分の鉄層を予めエッチングで除去した後に、プレス加工を行うことにより、表面に銅層が露出する放熱部を形成する方法が記載されている。
特開平６−２９１２２４号公報 特開２００１−１３５７４５号公報 特開平１１−１８６６４９号公報

しかしながら、クラッド材の鉄層を予めエッチングにより除去する方法は、マスク形成工程及びエッチング工程を必要とし、かつこれらの工程では多くの製造装置を必要とするため、プレス加工に比べて処理スピードが遅く、かつコストが高くなるという欠点がある。

このため、プレス加工の前にエッチング工程を特別に追加する方法では、生産効率が極めて低く、引いては製品のコスト上昇を招いてしまう。しかも、エッチングにより形成した鉄層の開口部に金型を位置合わせしてプレス加工を行うので、位置合わせ精度が悪く、高い精度が要求されるステムの製造には適用できない場合が想定される。

以上のことから、抵抗溶接が可能なアイレット上に熱伝導性の高いＣｕブロックからなる放熱部が立設された光半導体素子用ステムを、生産効率が高く、かつ精度よく製造できる製造方法が切望されている。

本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、放熱性が高い放熱部を備えた光半導体素子用ステムを、生産効率が高く、かつ精度よく製造できる光半導体素子用ステムの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は光半導体素子用ステムの製造方法に係り、第１金属層が下側第２金属層と上側第２金属層とに挟まれた構造の金属板を用意する工程と、前記金属板にプレス加工を行うことにより、前記金属板の前記上側第２金属層の一部分に開口部が設けられた構造を形成する工程と、前記金属板にプレス加工を行うことにより、前記上側第２金属層の開口部上に前記第１金属層を立設させて放熱部を形成する工程とを有することを特徴とする。

本発明では、まず、下側第２金属（鉄層など）／第１金属層（銅層など）／上側第２金属層（鉄層など）の構造の金属板に、プレス加工を行うことにより、上側第２金属層の一部分に開口部が設けられた構造を形成する。

本発明の一つの好適な態様では、この工程は２つのプレス工程からなり、最初に、金属板に第１のプレス加工を行うことにより、上側第２金属層の開口部と第１金属層の開口部とにより構成される凹部を形成する。

続いて、金属板に第２のプレス加工を行うことにより、凹部のうちの第１金属層の開口部を第１金属層で選択的に埋め込む。この工程は、好適には、凹部のうちの上側第２金属層の開口部に嵌合される凸部を有する金型が金属板上に配置された状態で行われる。これにより、第１金属層がその開口部側に押し込まれることで第１金属層の開口部が埋め込まれる共に、上側第２金属層の開口部は金型の凸部によってブロックされて上側第２金属層の開口部が残される。

あるいは、金属板にプレス加工を行うことにより、上側第２金属層の一部分が選択的に突出する凸部を形成し、次いで上側第２金属層の凸部を切削により除去して、第１金属層を部分的に露出させる上側第２金属層の開口部を形成するようにしてもよい。

このようにして、エッチング工程を特別に追加することなく、金属板の上側第２金属層の一部分（放熱部が立設される部分）にプレス加工（切削を含む）により開口部を形成することができる。

次いで、金属板にプレス加工を行うことにより、上側第２金属層の開口部上に第１金属層を立設させて放熱部を形成する。これにより、放熱部の表層部には熱伝導性の低い上側第２金属層（鉄層など）は残存せず、表面に熱伝導性の高い第１金属層（銅層など）が露出した状態で形成される。

しかも、金属板の表層部には、抵抗溶接に適した上側第２金属層（鉄層など）が残されるため、金属板の周辺部に光半導体素子を気密封止する金属キャップを容易に抵抗溶接できるようになる。

このように、本発明では、処理スピードが遅く、コスト高になるエッチング工程を特別に追加することなく、一連のプレス加工により、金属板上に放熱性の高い放熱部を容易に形成することができる。プレス加工は、エッチング処理に比べてかなり処理スピードが速く、かつ位置合わせが一連のプレス加工の間で行われるので放熱部を精度よく成形することができる。従って、信頼性の高い光半導体素子用ステムを低コストで製造することができるようになる。

以上説明したように、本発明では、エッチング工程を使用せずに、プレス加工によって金属板上に放熱性の高い放熱部を形成するようにしたので、高精度の光半導体素子用ステムを低コストで製造することができる。

本発明の実施の形態について、図を参照しながら説明する。

（第１の実施の形態）
図１〜図４は本発明の第１実施形態に係る光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図である。第１実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法は、図１（ａ）に示すように、最初に、下側鉄層１２ａ（下側第２金属層）、銅層１０（第１金属層）、上側鉄層１２ｂ（上側第２金属層）の構造からなるクラッド材１３（金属板）を用意する。クラッド材１３の中央部の第１金属層は、後にステムの放熱部を構成するので、熱伝導性の高い材料が使用される。熱伝導性の高い材料としては、銅の他に、銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金、銅（Ｃｕ）−モリブデン（Ｍｏ）合金、銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）−モリブデン（Ｍｏ）合金などが使用される。

また、クラッド材１３は後にステムの基体部を構成するアイレットとなり、該アイレット上に金属キャップが抵抗溶接されるため、クラッド材１３の上側第２金属層は抵抗溶接に適した鉄から構成される。抵抗溶接に適した金属としては、鉄の他に、ニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）合金、又はニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）合金（コバール）などが使用される。

本実施形態の特徴の一つは、エッチング工程を特別に遂行することなく、このような構造のクラッド材１３をプレス加工することにより、Ｃｕブロックからなる放熱部を有するステムを製造することにある。

このため、クラッド材１３の放熱部が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂの部分がプレス加工により除去される。プレス加工の方法を説明すると、図１（ｂ）に示すように、まず、凸部１４ａを有する第１金型１４を用意する。この第１金型１４は、クラッド材１３の放熱部が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂ及びＣｕ層１０の部分に凹部を形成するためのものである。

従って、金型１４の凸部１４ａの高さは、クラッド材１３の上側鉄層１２ｂとＣｕ層１０とのトータルの厚みに概ね対応している。また、金型１４の凸部１４ａの先端部の面積は、後述する放熱部の先端部の面積と概ね同一又はそれ以上に設定される。

次いで、図２（ａ）に示すように、この第１金型１４でクラッド材１３を押圧することにより、クラッド材１３の上側鉄層１２ｂ及びＣｕ層１０の一部分を下側鉄層１２ａ側に排斥する（第１のプレス加工）。

これにより、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘとＣｕ層１０の開口部１０ｘとにより構成される凹部１３ｘが形成される。このとき、プレスされたＣｕ層１０の部分は軟性のため押し潰されて下側鉄層１２ａ内に押し込まれる共に、プレスされた上側鉄層１２ｂの部分は硬性のためプレス片１１となって下側鉄層１２ａ内に押し込まれる。その後に、第１金型１４をクラッド材１３から取り外す。

続いて、図２（ｂ）に示すように、凸部１６ａを備えた第２金型１６を用意する。第２金型１６の凸部１６ａは、クラッド材１３に設けられた凹部１３ｘのうちの上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘに嵌合するものである。

次いで、図３（ａ）に示すように、第２金型１６の凸部１６ａが上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘに嵌合するようにして、第２金型１６をクラッド材１３上に配置し、クラッド材１３を押圧する（第２のプレス加工）。これにより、軟性のＣｕ層１０がその開口部１０ｘ側に押し込まれる。その結果、図３（ｂ）に示すように、凹部１３ｘのうちＣｕ層１０の開口部１０ｘがＣｕ層１０によって選択的に埋め込まれて、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘが残された状態となる。このとき、Ｃｕ層１０は横方法に移動した分に対応してその厚みが薄くなる。

第２のプレス加工では、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘに第２金型１６の凸部１６ａが嵌合された状態でプレスされるため、上側鉄層１２ｂがその開口部１２ｘ側に押し込まれるとしても、第２金型１６の凸部１６ａでブロックされて上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘが確保されるようになっている。

このとき、Ｃｕ層１０の開口部１０ｘに埋め込まれたＣｕ層１０内に上側鉄層１２ｂのプレス片１１が含まれないように、前述した第１金型１４でプレス加工する際に、プレス片１１全体が下側鉄層１２ａに押し込まれるようにすることが好ましい。

また、後述するように、Ｃｕ層１０の開口部１０ｘに埋め込まれたＣｕ層１０がプレス加工により上側に立設するので、Ｃｕ層１０の開口部１０ｘがＣｕ層１０で完全に埋め込まれていることが望ましい。このため、Ｃｕ層１０の開口部１０ｘの大きさに合わせてＣｕ層１０の厚みが適宜調整される。その一例としては、Ｃｕ層１０の開口部１０ｘの大きさが１〜２ｍｍ□の場合、Ｃｕ層１０の厚みは０．５〜２ｍｍ程度に設定される。

以上の第１及び第２のプレス加工により、エッチング工程を特別に追加することなく、クラッド材１３の放熱部が立設される部分に対応する上側鉄層１２ａの部分に開口部１２ｘを形成することができる。これにより、クラッド材１３に第３のプレス加工を行って放熱部を形成するための準備が完了する。

次いで、図４（ａ）に示すように、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘに対応する凹部１８ａを備えた第３金型１８を用意する。続いて、第３金型１８の凹部１８ａの外周部が上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘの外周部に配置されるように位置合わせして、第３金型１８をクラッド材１３上に配置し、第３金型１８でクラッド材１３を押圧する（第３のプレス加工）。

これにより、図４（ｂ）に示すように、Ｃｕ層１０が第３金型１８の凹部１８ａ側に押し込まれることにより、上側に突出する凸部が形成されて放熱部２０が得られる。

このとき、クラッド材１３の放熱部２０が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂの部分は第１及び第２のプレス加工により選択的に除去されているので、放熱部２０はその上面及び側面にＣｕ層１０が露出した状態で形成される。またこのとき、Ｃｕ層１０が上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘから上方に延びた分に対応してＣｕ層１０の厚みが薄くなる。

続いて、クラッド材１３をプレス加工することによりリードを挿入するための貫通孔（不図示）を形成する。その後、位置出し用の切り欠き部（不図示）を含むアイレット１３ａの形状にクラッド材１３をプレス加工により打ち抜く。あるいは、クラッド材１３を予めアイレット１３ａの形状に打ち抜いた後に、前述した一連のプレス加工によりアイレット１３ａ上に放熱部２０を形成してもよい。

これにより、アイレット１３ａとその上に立設された放熱部２０とにより基本構成される光半導体素子用ステム１が完成する。放熱部２０は、側面に素子実装面２０ａを備えており、その素子実装面２０ａに半導体レーザ素子などの光半導体素子が実装される。

なお、光半導体素子用ステム１に半導体レーザ素子とその出力をモニタする受光素子とが実装される場合、放熱部２０を形成する第３のプレス加工の工程（図４（ａ））で、放熱部２０の近傍のクラッド材１３に受光素子が実装されるへこみ部を同時に形成するようにしてもよい。

以上のように、本実施形態の製造方法では、まず、クラッド材１３に第１のプレス加工を行うことにより、クラッド材１３の放熱部２０が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂ及びＣｕ層１０の部分に連通する開口部１２ｘ，１０ｘを形成して凹部１３ｘを得る。その後、クラッド材１３に第２のプレス加工を行うことにより、凹部１３ｘのうちのＣｕ層１０の開口部１０ｘをＣｕ層１０で選択的に埋め込む。

このようにすることにより、エッチング工程を特別に追加することなく、プレス加工によりクラッド材１３の放熱部２０が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂの部分に開口部１２ｘが設けられた構造を容易に得ることができる。

続いて、クラッド材１３に第３のプレス加工を行うことにより、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘ上にＣｕ層を立設させて放熱部２０を形成する。これにより、表層部に上側鉄層１２ｂが設けられたアイレット１３ａと、その上に一体成形されたＣｕブロックからなる放熱部２０とにより基本構成される光半導体素子用ステム１が得られる。

このように、本実施形態では、クラッド材１３に一連の第１〜第３のプレス加工を行うことにより、クラッド材１３上にＣｕブロックからなる放熱部を容易に形成することができる。従って、従来のプレス加工する前にエッチングにより鉄層を予め除去する方法よりも、処理スピードが格段に速く、かつ低コストでステムを製造することができる。

しかも、上側鉄層１２ｂに開口部１２ｘが形成された構造を形成する工程（図２（ａ）〜図３（ｂ））と、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｘに第３金型１８の凹部１８ａを位置合わせしてプレス加工する工程（図４（ａ））とが、同種のプレス加工により行われるため、位置合わせ精度を向上させることができ、設計要求に応じた精度が高いステム１を製造することができる。

第１実施形態に係る光半導体素子用ステム１では、放熱部２０は熱伝導性の高いＣｕが露出した状態で形成され、さらに放熱部はアイレット１３ａのＣｕ層１０と一体的に成形されているので、放熱部２０の素子形成面２０ａに光半導体素子が実装される際に、十分な放熱性が得られるようになる。

また、アイレット１３ａのうちの放熱部２０が立設された以外の部分には、鉄層１２ｂが露出して設けられているので、光半導体素子を気密封止するための金属キャップをアイレット１３ａ上に抵抗溶接により容易に接合することができる。

（第２の実施の形態）
図５〜図８は本発明の第２実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図である。第２実施形態では、プレス加工と切削によって上側鉄層１２ｂに開口部が形成される。第２実施形態の光半導体用ステムの製造方法は、図５（ａ）に示すように、まず、第１実施形態の図１（ａ）と同様に、下側鉄層１２ａ（下側第２金属層）、銅層１０（第１金属層）、上側鉄層１２ｂ（上側第２金属層）の構造からなるクラッド材１３（金属板）を用意する。

次いで、図５（ｂ）に示すように、凹部２４ａを備えた第１金型２４を用意する。第１金型２４は、クラッド材１３の放熱部が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂの部分に凸部を選択的に形成するためのものである。従って、第１金型２４の凹部２４ａの面積は後に形成される放熱部の先端部の面積に対応しており、凹部２４ａの深さは上側鉄層１２ｂの厚みに概ね対応している。

そして、図６（ａ）に示すように、この第１金型２４をクラッド材１３上に配置し、クラッド材１３を押圧することにより、第１金型２４の凹部２４ａ内に上側鉄層１２ｂを部分的に押し上げる。これにより、図６（ｂ）に示すように、後に放熱部が立設される部分に上側鉄層１２ｂが選択的に突出して凸部１２ｙが形成される。

続いて、図６（ｃ）に示すように、上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙを切削するための切刃２８を備えたプレス機（不図示）を用意する。そして、図７（ａ）に示すように，プレス機の切刃２８を上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙの側面下部に対応させて横方向に押圧してスライドさせることにより、上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙをクラッド材１３から切削して除去する。このように、第２実施形態では、図７（ｂ）に示すように、後に放熱部が立設される上側鉄層１２ｂの部分が選択的に除去されて上側鉄層１２ｂに開口部１２ｚが形成され、その開口部１２ｚにＣｕ層１０が露出した状態となる。

なお、上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙを切削する際に、凸部１２ｙの下のＣｕ層１０が不必要に除去されずに、かつ凸部１２ｙ（鉄層）が残らない程度に、上述した図６（ａ）の工程において，上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙの下面がその周辺の上側鉄層１２ｂの上面と略同一高さになるようにプレス加工されることが好ましい。

また、上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙを切削する際に、切削された凸部１２ｙが下側に落下して容易に廃棄されるように、上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙを下側に向けた状態で切削することが好ましい。

次いで、図７（ｃ）に示すように、前述した第１実施形態の第３の金型１８（図４（ａ））と同様な、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｚに対応する部分に凹部２６ａを備えた第２金型２６を用意する。続いて、第２金型２６の凹部２６ａの外周部が上側鉄層１２ｂの開口部１２ｚの外周部に配置されるように位置合わせして、第２金型２６をクラッド材１３上に配置し、第２金型２６でクラッド材１３を押圧する。

これにより、図８（ａ）に示すように、Ｃｕ層１０が第２金型２６の凹部２６ａの中に押し込まれることにより、上側に突出する凸部が形成されて放熱部２０が得られる。

このとき、放熱部２０が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂの部分は切削によって選択的に除去されているので、第１実施形態と同様に、放熱部２０はその上面及び側面にＣｕ層１０が露出した状態で形成される。またこのとき、Ｃｕ層１０が上側鉄層１２ｂの開口部１２ｚから上方に延びた分に対応してＣｕ層１０の厚みが薄くなる。

その後に、クラッド材１３をプレス加工することによりリードを挿入するための貫通孔（不図示）を形成する。さらに、位置出し用の切り欠き部（不図示）を含むアイレット１３ａの形状にクラッド材１３をプレス加工により打ち抜く。あるいは、クラッド材１３を予めアイレット１３ａの形状に打ち抜いた後に、前述したプレス加工及び切削によりアイレット１３ａ上に放熱部２０を形成してもよい。

これにより、図８（ｂ）に示すようなアイレット１３ａとその上に立設された放熱部２０とにより基本構成される光半導体素子用ステム１ａが完成する。

第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、放熱部２０は、側面に素子実装面２０ａを備えており、その素子実装面２０ａに半導体レーザ素子などの光半導体素子が実装される。

以上説明したように、第２実施形態では、まず、第１金型２４でクラッド材１３にプレス加工を行うことにより、クラッド材１３の放熱部２０が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂの部分を選択的に上側に押し上げて凸部１２ｙを形成する。その後に、上側鉄層１２ｂの凸部１２ｙを切削により除去することにより、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｚを形成し、その部分にＣｕ層１０を露出させる。

このようにすることにより、第１実施形態と同様に、エッチング工程を特別に追加することなく、プレス加工及び切削によりクラッド材１３の放熱部２０が立設される部分に対応する上側鉄層１２ｂの部分に開口部１２ｚが設けられた構造を容易に得ることができる。

続いて、第２金型２６でクラッド材１３にプレス加工を行うことにより、上側鉄層１２ｂの開口部１２ｚ上にＣｕ層を立設させて放熱部２０を形成する。これにより、第１実施形態と同様に、表層部に上側鉄層１２ｂが設けられたアイレット１３ａと、その上に一体成形されたＣｕブロックからなる放熱部２０とにより基本構成される光半導体素子用ステム１ａが得られる。

第２実施形態においても、プレス加工及び切削により上側鉄層１２の所要部に開口部１２ｚを形成し、その開口部１２ｚからＣｕ層１０を立設させて放熱部２０を形成するので、第１実施形態と同様に、速い処理スピードで、かつ低コストで精度の高いステムを安定して製造することができるようになる。

また、第２実施形態に係る光半導体素子用ステム１ａでは、第１実施形態と同様に、放熱部２０に熱伝導性の低い鉄層が残らないので、放熱部２０に光半導体素子が実装される際に十分な放熱性が得られるようになる。また、アイレット１３ａの放熱部２０が立設された以外の部分には上側鉄層１２ｂが残されるので、光半導体素子を気密封止するための金属キャップをアイレット１３ａ上に抵抗溶接により容易に接合することができる。

図１は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その１）である。 図２は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その２）である。 図３は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その３）である。 図４は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その４）である。 図５は本発明の第２実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その１）である。 図６は本発明の第２実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その２）である。 図７は本発明の第２実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その３）である。 図８は本発明の第２実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図（その４）である。 図９は光半導体素子用ステムの一例を示す斜視図である。 図１０は従来技術に係る光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図である。

符号の説明

１，１ａ・・・光半導体素子用ステム、
１０・・・Ｃｕ層（第１金属層）、
１１・・・プレス片、
１２ａ・・・下側鉄層（下側第２金属層）、
１２ｂ・・・上側鉄層（上側第２金属層）、
１２ｘ，１２ｚ・・・開口部
１３・・・クラッド材（金属板）、
１３ａ・・・アイレット、
１３ｘ，１８ａ，２４ａ，２６ａ・・・凹部、
１４，２４・・・第１金型、
１４ａ，１２ｙ，１６ａ・・・凸部、
１６，２６・・・第２金型、
１８・・・第３金型、
２０・・・放熱部、
２０ａ・・・素子実装面、
２８・・・切刃。

Claims (10)

1. 第１金属層が下側第２金属層と上側第２金属層とに挟まれた構造の金属板を用意する工程と、
   前記金属板にプレス加工を行うことにより、前記金属板の前記上側第２金属層の一部分に開口部が設けられた構造を形成する工程と、
   前記金属板にプレス加工を行うことにより、前記上側第２金属層の開口部上に前記第１金属層を立設させて放熱部を形成する工程とを有することを特徴とする光半導体素子用ステムの製造方法。
2. 前記金属板の前記上側第２金属層の一部分に開口部が設けられた構造を形成する工程は、
   前記金属板に第１のプレス加工を行うことにより、前記上側第２金属層の開口部と前記第１金属層の開口部とにより構成される凹部を形成する工程と、
   前記金属板に第２のプレス加工を行うことにより、前記凹部のうちの前記第１金属層の開口部を該第１金属層で選択的に埋め込む工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
3. 前記金属板に第１のプレス加工を行う工程は、前記凹部に対応する凸部を備えた第１金型で前記金属板を押圧する工程であることを特徴とする請求項２に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
4. 前記金属板に第２のプレス加工を行う工程は、
   前記凹部のうちの上側第２金属層の開口部に嵌合される凸部を備えた金型を前記金属板上に配置した状態で、前記金属板を押圧する工程であることを特徴とする請求項２又は３に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
5. 前記金属板の前記上側第２金属層の一部分に開口部が設けられた構造を形成する工程は、
   前記金属板にプレス加工を行うことにより、前記上側第２金属層の一部分が選択的に突出する凸部を形成する工程と、
   前記上側第２金属層の前記凸部を切削により除去して、前記第１金属層を部分的に露出させる前記上側第２金属層の前記開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
6. 前記上側第２金属層の前記凸部を形成する工程は、凹部を備えた金型で前記金属板を押圧することにより、前記金型の凹部内に前記上側第２金属層を押し込んで前記凸部を形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
7. 前記上側第２金属層の前記凸部を形成する工程において、前記上側第２金属層の凸部の下面が、該凸部の周辺の前記上側第２金属層の上面と同一高さになって形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
8. 前記放熱部を形成する工程は、
   前記上側第２金属層の開口部に対応して位置合わせされる凹部を備えた金型で前記金属板を押圧することにより、前記金型の凹部内に前記第１金属層を押し込む工程であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
9. 前記放熱部は、表面に前記第１金属層が露出した状態で形成され、前記放熱部の側面には光半導体素子が実装されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。
10. 前記第１金属層は銅又は銅合金からなり、前記第２金属層は鉄又は鉄合金からなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステムの製造方法。

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