JP2004535039A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、全体的には真空プラズマ処理装置に関し、より具体的には、どのRF電源も直接的に結合されないような接地への接続部を有する電極間で、一定の非ゼロRF電圧が維持される、真空プラズマ処理方法および装置に関する。
本発明によれば、プラズマ処理装置は、ワークピースを処理するための真空プラズマ・チャンバを含み、このチャンバは、チャンバ内のガスと電気的に結合するためのリアクタンス性インピーダンス要素と、どのRF電源も直接的に結合されないようなRF接地への接続部を有する電極とを含む。電極のRF接地への接続部は、有限の非ゼロRF電圧が電極とRF接地の間に発生するようにされている。十分な電力が、リアクタンス性インピーダンス要素に供給されて、チャンバ内のガスをプラズマに励起し、この間に、一定で有限の非ゼロRF電圧が、接続部内の電極とRF接地との間で維持される。
好ましくは、電極と接地の間のRF電圧、および/または電極と接地との間に流れるRF電流を検出することによって、接続部内の電極とRF接地との間に、一定電圧を維持する。検出された接続部内の電圧および/または電流に応答して、接続部内の電極と接地との間の可変RFインピーダンスを制御し、実質的に一定で、有限の非ゼロRF電圧を提供する。
一つの好ましい実施形態においては、可変RFインピーダンスは、可変リアクタンス、好ましくはインダクタおよび/またはレジスタ、および/または検出された接続部内の電圧および/または電流によって制御される値を有するキャパシタを含む。検出された接続部内の電圧および/または電流は、(1)インダクタ、キャパシタもしくはレジスタのいずれを、またはそれらのどの組合せを、接続部の一部とするか、および(2)接続されたインピーダンス(1つまたは複数)の値、を制御するのに使用される。
前述の結果として、接地インピーダンスが一定の値に維持されて、プラズマに供給される電力を正確に制御するのを補助する。同時に、供給された電力の正確な制御および接地インピーダンスを一定値に維持することによって、処理装置のユーザが処理装置の性能に大きな影響を及ぼす多数のRFパラメータを、ほとんど完全に制御することができる。このことは、同一のプロセスを実行する多数の処理装置を整合させたり、長時間にわたって同一の処理装置のプロセス安定性を維持するときに、特に有利である。供給される電力を正確に制御し、かつ接地インピーダンスを一定値に維持するための原理は、同一の名目型式の処理装置を製造するときに、一定の特性を維持するのにも使用することができる。処理装置のRF特性を正確に計測し、調整することによって、末端ユーザに対して処理装置を出荷するに先立ち、処理装置の製造時に性能を保証することができる。
接続部内の電極とRF接地との間で、一定で有限の非ゼロRF電圧を維持するプラズマ処理装置を、リアクタンス性インピーダンスおよびそれが励起するプラズマを含む負荷の両端で、一定の電力を維持するリアクタンス性インピーダンス要素を駆動するRF電源を制御するための装置とともに利用するのが好ましいが、必ずしも必要ではない。
Claims (29)
- ワークピースを処理するための真空プラズマ・チャンバであって、このチャンバ内のガスと電気的に結合させるためのリアクタンス性インピーダンス要素を含むチャンバと、
チャンバ内のガスを、リアクタンス性インピーダンス要素に接続されたプラズマに励起するのに十分な電力を有するRF電源とを含み、
チャンバが、どのRF電源も直接的に結合されないようなRF接地への接続部を有する電極を含み、この電極のRF接地への接続部が、電極とRF接地との間に有限の非ゼロRF電圧が発生するようにされており、この電極のRF接地への接続部が、電極とRF接地との間に実質的に一定で有限の非ゼロRF電圧が維持されるように配設された可変RFインピーダンスを含む組合せ。 - 電極と接地との間の接続部における少なくとも1つのRFパラメータを検出するための検出装置と、検出装置に応答するように接続されて、可変RFインピーダンスを制御して実質的に一定で有限の非ゼロRF電圧を提供するコントローラとをさらに含む、請求項1に記載の組合せ。
- 可変RFインピーダンスが、可変リアクタンスを含み、コントローラが、検出装置に応答するように配設されて可変リアクタンスの値を制御する、請求項2に記載の組合せ。
- 可変リアクタンスが可変インダクタを含む、請求項3に記載の組合せ。
- 可変リアクタンスが可変キャパシタを含む、請求項3に記載の組合せ。
- 可変リアクタンスが、可変インダクタンスと可変キャパシタとを含み、コントローラが、検出装置に応答するように配設されて、前記電極のRF接地への接続部における前記可変リアクタンスとして、前記可変インダクタおよび/または可変キャパシタを選択的に接続する、請求項3に記載の組合せ。
- 検出装置が、前記電極のRF接地への接続部に電気的かつ磁気的に結合された電圧・電流プローブを含む、請求項2乃至6のいずれかに記載の組合せ。
- 検出装置がチャンバ上に装着されている、請求項2乃至7のいずれかに記載の組合せ。
- 可変RFインピーダンスが可変レジスタを含み、コントローラが検出装置に応答するように配設されて、前記電極のRF接地への接続部における前記可変RFインピーダンスとして、前記可変レジスタを接続し、かつ前記可変レジスタの値を制御する、請求項2乃至8のいずれかに記載の組合せ。
- チャンバが、チャンバ内のガスと電気的に結合するためのリアクタンス性インピーダンス要素と、
チャンバ内のガスをプラズマに励起するのに十分な電力を有するRF電源と、
電源とリアクタンス性インピーダンス要素との間に接続された整合ネットワークと、
一端をRF電源に接続され、第二端を整合ネットワークに接続されたケーブルと、
整合ネットワークとリアクタンス性インピーダンス要素との間に接続されて、整合ネットワークによってリアクタンス性インピーダンス要素とリアクタンス性インピーダンス要素に結合されたプラズマ負荷とに適用されるパラメータを示す少なくとも1つの信号を取り出すプローブと、
前記少なくとも1つの信号に応答するように接続されて、RF電源がケーブルの一端に印加する電力に影響を与えるパラメータを制御するコントローラとを含む、請求項1乃至9のいずれかに記載の組合せ。 - 整合ネットワークがリアクタンス性インピーダンス要素およびリアクタンス性インピーダンス要素に結合されたプラズマ負荷に印加する電圧および電流をそれぞれ示す第1および第2の信号を取り出すように、プローブが配設されているとともに、コントローラが第1および第2の信号に応答するように接続されている、請求項10に記載の組合せ。
- プローブが、真空プラズマ・チャンバの、RF電源周波数の波長の1/8以内に、装着されている請求項10または11に記載の組合せ。
- プローブがチャンバ上に装着されている、請求項11に記載の組合せ。
- 整合ネットワークが可変リアクタンスを含み、組合せが、ケーブルが整合ネットワークに供給する電圧および電流を示す信号を取り出す検出装置をさらに含み、コントローラが、ケーブルが整合ネットワークに供給する電圧および電流を示す信号に応答するように接続されて、整合ネットワークの可変リアクタンスを制御する、請求項10乃至13のいずれかに記載の組合せ。
- チャンバ内のガスと電気的に結合させるためのリアクタンス性インピーダンス要素と、どのRF電源も直接的に結合されないようなRF接地への接続部を有する電極とを含む、真空プラズマ処理チャンバ内でワークピースをプラズマで処理する方法であって、
電極のRF接地への接続部が、有限の非ゼロRF電圧が電極とRF接地の間で発生するようにされているとともに、接続部内で電極とRF接地との間に一定で有限の非ゼロRF電圧を維持しながら、リアクタンス性インピーダンス要素にチャンバ内のガスをプラズマに励起するのに十分な電力を供給する方法。 - 電極のRF接地への接続部が可変RFインピーダンスを含み、接続部内の可変RFインピーダンスの両端で一定のRF電圧を維持することによって、電極とRF接地との間に一定で有限の非ゼロRF電圧が供給される、請求項15に記載の方法。
- 方法が複数のワークピース上で実施され、複数のワークピースが真空プラズマ・チャンバ内で処理される間に、電極と接地との間で、同一の一定で有限の非ゼロRF電圧が維持される、請求項15または16に記載の方法。
- 実質的に同一の特性を有する複数の真空プラズマ・チャンバ上で実施される方法において、異なる真空プラズマ・チャンバの特性が、異なるチャンバの電極と接地との間の接続部内に異なる非ゼロRF電圧を発生させるほど互いに異なり、同一の条件の下で作動する複数の真空プラズマ・チャンバ内の電極と接地との間で同一の一定の非ゼロRF電圧を維持する、請求項15乃至17のいずれかに記載の方法。
- 方法が、電極とRF接地との間の接続部内に可変RFインピーダンスを接続するとともに、可変RFインピーダンスの両端で、一定で有限の非ゼロRF電圧を維持することによって実施される、請求項15乃至18のいずれかに記載の方法。
- 電極と接地の間の一定で有限の非ゼロRF電圧が、電極と接地との間のRF電圧および電極と接地との間に流れるRF電流を示す、少なくとも1つのパラメータを検出するとともに、検出された少なくとも1つのパラメータに応答して可変RFインピーダンスを制御することによって維持される、請求項15乃至19のいずれかに記載の方法。
- 可変RFインピーダンスの両端における有限の非ゼロRF電圧が、検出された少なくとも1つのパラメータに応答して、可変RFインピーダンスの値を制御することによって維持される、請求項19乃至20に記載の方法。
- 可変RFインピーダンスが可変キャパシタと可変インダクタとを含み、制御のステップが、電極とRF接地との間の接続部において可変キャパシタおよび可変インダクタの一方または両方を接続するステップを含む、請求項19乃至21のいずれかに記載の方法。
- 可変RFインピーダンスが可変リアクタンスと可変レジスタとを含み、制御のステップが、電極とRF接地との間の接続部において可変リアクタンスと可変レジスタの一方または両方を接続するステップと、かつ可変リアクタンスまたは可変レジスタの値を制御するステップとを含む、請求項19乃至21のいずれかに記載の方法。
- チャンバが、チャンバ内のガスと電気的に結合されたリアクタンス性インピーダンス要素と、電源とリアクタンス性インピーダンス要素との間に接続された整合ネットワークと、一端をRF電源に接続され、第2端を整合ネットワークに接続されたケーブルとを含む方法であって、
整合ネットワークによってリアクタンス性インピーダンス要素とリアクタンス性インピーダンス要素に結合されたプラズマ負荷とに適用される、少なくとも1つのパラメータを検出するステップと、
検出された少なくとも1つのパラメータに応答して、RF電源によってケーブルの一端に印加されるRF電力に影響を与えるパラメータを制御するステップとを含む、請求項15乃至23のいずれかに記載の方法。 - 少なくとも1つのパラメータが電圧および電流を含む、請求項24に記載の方法。
- 電圧および電流が、真空プラズマ・チャンバのRF電源周波数の波長の1/8以内で検出される、請求項24に記載の方法。
- 電圧および電流がチャンバにおいて検出される、請求項24に記載の方法。
- 制御のステップが、RF電源がケーブルの一端に印加するRF電力に影響を与える、複数のパラメータを制御するステップを含む、請求項24乃至27のいずれかに記載の方法。
- 整合ネットワークが可変リアクタンスを含む方法であって、ケーブルによって整合ネットワークに供給される電圧および電流を検出するステップと、検出された、ケーブルによって整合ネットワークに供給される電圧および電流に応答して、整合ネットワークの可変リアクタンスを制御するステップとをさらに含む、請求項24乃至28のいずれかに記載の方法。
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Families Citing this family (61)
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WO2003046959A1 (fr) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement de plasma |
JP3897620B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-03-28 | 三菱重工業株式会社 | 高周波電力供給構造およびそれを備えたプラズマcvd装置 |
US20040118344A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Lam Research Corporation | System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit |
US7042311B1 (en) * | 2003-10-10 | 2006-05-09 | Novellus Systems, Inc. | RF delivery configuration in a plasma processing system |
US20110104381A1 (en) * | 2004-01-15 | 2011-05-05 | Stefan Laure | Plasma Treatment of Large-Scale Components |
US7276135B2 (en) | 2004-05-28 | 2007-10-02 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor including control in response to DC bias voltage |
US7105075B2 (en) * | 2004-07-02 | 2006-09-12 | Advanced Energy Industries, Inc. | DC power supply utilizing real time estimation of dynamic impedance |
US7292045B2 (en) * | 2004-09-04 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Detection and suppression of electrical arcing |
US20090123662A1 (en) * | 2005-04-11 | 2009-05-14 | Stefan Laure | Plasma Coating Device and Method |
JP5116667B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2013-01-09 | バード テクノロジーズ グループ インク. | 半導体プラズマ発生システムにおける電力潮流を解析するシステムと方法 |
US7851368B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-12-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for igniting a low pressure plasma |
US20080006205A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-10 | Douglas Keil | Apparatus and Method for Controlling Plasma Potential |
US7902991B2 (en) * | 2006-09-21 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Frequency monitoring to detect plasma process abnormality |
JP4689586B2 (ja) * | 2006-12-06 | 2011-05-25 | 太陽誘電株式会社 | 低歪可変周波数増幅器 |
US8055203B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-11-08 | Mks Instruments, Inc. | Multipoint voltage and current probe system |
US8450635B2 (en) * | 2007-03-30 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for inducing DC voltage on wafer-facing electrode |
US20170213734A9 (en) * | 2007-03-30 | 2017-07-27 | Alexei Marakhtanov | Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber |
US7649363B2 (en) | 2007-06-28 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for a voltage/current probe test arrangements |
CN101478857A (zh) * | 2008-01-04 | 2009-07-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理装置 |
US20090230089A1 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | Kallol Bera | Electrical control of plasma uniformity using external circuit |
US7970562B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-06-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring power |
US8018164B2 (en) * | 2008-05-29 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with high speed plasma load impedance tuning by modulation of different unmatched frequency sources |
US8002945B2 (en) * | 2008-05-29 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of an unmatched low power RF generator |
US8324525B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of a source power or bias power RF generator |
US8337661B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-12-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of an unmatched low power RF generator |
US7967944B2 (en) * | 2008-05-29 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma load impedance tuning by modulation of an unmatched low power RF generator |
US20090297404A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with high speed plasma impedance tuning by modulation of source power or bias power |
US8357264B2 (en) * | 2008-05-29 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of a source power or bias power RF generator |
US20090294275A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma load impedance tuning by modulation of a source power or bias power rf generator |
US8040068B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
US8674844B2 (en) * | 2009-03-19 | 2014-03-18 | Applied Materials, Inc. | Detecting plasma chamber malfunction |
US9275838B2 (en) * | 2009-09-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Arrangements for manipulating plasma confinement within a plasma processing system and methods thereof |
US20110209995A1 (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Applied Materials, Inc. | Physical Vapor Deposition With A Variable Capacitive Tuner and Feedback Circuit |
US20120000888A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for radio frequency (rf) plasma processing |
KR101151419B1 (ko) | 2010-07-30 | 2012-06-01 | 주식회사 플라즈마트 | Rf 전력 분배 장치 및 rf 전력 분배 방법 |
KR101251930B1 (ko) * | 2011-06-03 | 2013-04-08 | (주)스마텍 | 필드 강화 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 형성 방법 |
US20130284369A1 (en) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Two-phase operation of plasma chamber by phase locked loop |
US9161428B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor |
US9620334B2 (en) * | 2012-12-17 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match |
JP6078419B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2017-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US9312106B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Digital phase controller for two-phase operation of a plasma reactor |
US10431428B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
US9594105B2 (en) * | 2014-01-10 | 2017-03-14 | Lam Research Corporation | Cable power loss determination for virtual metrology |
US9876476B2 (en) * | 2015-08-18 | 2018-01-23 | Mks Instruments, Inc. | Supervisory control of radio frequency (RF) impedance tuning operation |
US10187032B2 (en) * | 2016-06-17 | 2019-01-22 | Lam Research Corporation | Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations |
CN106856644A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 等离子体射流装置 |
KR102544625B1 (ko) * | 2017-02-16 | 2023-06-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 환경에서 무선 주파수 전력을 측정하기 위한 전압-전류 프로브 및 이를 교정하는 방법 |
US10727029B2 (en) * | 2017-07-10 | 2020-07-28 | Reno Technologies, Inc | Impedance matching using independent capacitance and frequency control |
US11398370B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-26 | Reno Technologies, Inc. | Semiconductor manufacturing using artificial intelligence |
US11101110B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-08-24 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10714314B1 (en) | 2017-07-10 | 2020-07-14 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11289307B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-03-29 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11521833B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Combined RF generator and RF solid-state matching network |
US11393659B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-19 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11476091B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-10-18 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network for diagnosing plasma chamber |
JP6772117B2 (ja) | 2017-08-23 | 2020-10-21 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法およびエッチング装置 |
US10536130B2 (en) | 2017-08-29 | 2020-01-14 | Mks Instruments, Inc. | Balancing RF circuit and control for a cross-coupled SIMO distribution network |
CN112119485B (zh) | 2019-04-22 | 2024-01-02 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理方法 |
JP7110492B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-08-01 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US11348761B2 (en) * | 2020-09-04 | 2022-05-31 | Tokyo Electron Limited | Impedance matching apparatus and control method |
CN115696709B (zh) * | 2022-12-28 | 2023-03-21 | 江苏奥文仪器科技有限公司 | 监测射频辉光放电光谱仪放电室内等离子体稳定性的装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4333814A (en) | 1979-12-26 | 1982-06-08 | Western Electric Company, Inc. | Methods and apparatus for improving an RF excited reactive gas plasma |
JPS5825475A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-15 | Nec Corp | スパツタ装置 |
JPS58158929A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマ発生装置 |
JPS60126832A (ja) | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法および装置 |
US4626312A (en) * | 1985-06-24 | 1986-12-02 | The Perkin-Elmer Corporation | Plasma etching system for minimizing stray electrical discharges |
JPS62111431A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
JP2775656B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1998-07-16 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置 |
US5605567A (en) * | 1991-12-05 | 1997-02-25 | Weyerhaueser Company | Method of producing cellulose dope |
US5286297A (en) * | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
JP2592217B2 (ja) | 1993-11-11 | 1997-03-19 | 株式会社フロンテック | 高周波マグネトロンプラズマ装置 |
JP2956494B2 (ja) | 1994-10-26 | 1999-10-04 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
DE69509046T2 (de) | 1994-11-30 | 1999-10-21 | Applied Materials Inc | Plasmareaktoren zur Behandlung von Halbleiterscheiben |
US5982099A (en) | 1996-03-29 | 1999-11-09 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for igniting a plasma in an r.f. plasma processor |
US5892198A (en) | 1996-03-29 | 1999-04-06 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for electronically controlling r.f. energy supplied to a vacuum plasma processor and memory for same |
US5689215A (en) | 1996-05-23 | 1997-11-18 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for controlling reactive impedances of a matching network connected between an RF source and an RF plasma processor |
US6041734A (en) * | 1997-12-01 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing |
US5929717A (en) | 1998-01-09 | 1999-07-27 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for minimizing plasma instability in an RF processor |
JP3310608B2 (ja) * | 1998-01-22 | 2002-08-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スパッタリング装置 |
US6198616B1 (en) * | 1998-04-03 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system |
JP3497091B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2004-02-16 | 名古屋大学長 | プラズマ生成用高周波パワーの制御方法、およびプラズマ発生装置 |
JP2000049216A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法 |
US6222718B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-04-24 | Lam Research Corporation | Integrated power modules for plasma processing systems |
US6265831B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-07-24 | Lam Research Corporation | Plasma processing method and apparatus with control of rf bias |
JP4437347B2 (ja) * | 1999-10-14 | 2010-03-24 | キヤノンアネルバ株式会社 | 前処理エッチング装置及び薄膜作成装置 |
-
2001
- 2001-12-28 US US10/028,312 patent/US6677711B2/en not_active Expired - Lifetime
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2002
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