JP2004530912A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 少なくとも一つの材料サンプル（３；３ａ、３ｂ、３ｃ）を検討するための装置（１；１ａ）であって：
   前記材料サンプルは当該装置（１；１ａ）に挿入可能であり、かつ、電磁波（４）により照射され；
   前記電磁波（４）は、特にＸ線であり、かつ、
   該電磁波（４）を用いて測定位置にて照射するように、かつ、サンプルの変化中、ビーム路（４）に移動可能な封鎖要素（８）を用いて前記ビーム路（４）を妨害するように、前記材料サンプルを投射することが可能であり；かつ
   レイ（４）に向かい合う前記封鎖要素（８）の側面は、サンプルの変化中、参照測定が実施可能な様式にて、参照サンプル（９）に設けられている；
   前記封鎖要素（８）上の参照サンプル（９）及び検査される材料サンプル（３；３ａ、３ｂ、３ｃ）は、検査されるべく、当該装置（１；１ａ）中の少なくとも実質的に同様の位置に常に配置可能であり；
   前記封鎖要素（８）は、一つの平面に実質的に延びており、かつ、前記ビーム路（４）に旋回可能である；
   ことを特徴とする装置。
2. 前記封鎖要素（８）は、該封鎖要素の平面に実質的に垂直に延びる短路を介してビーム路（４）に配置されている位置に移動可能であり、かつかかる移動において弾力シール（１３）を圧縮または開放することを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記封鎖要素（８）が前記シール（１３）を圧縮する位置において、前記封鎖要素（８）が強固な隣接部（１４）に保持されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
4. 前記参照サンプルを前記ビーム路から離れた偏向位置に収納するための、前記参照サンプルを機械的障害から防護するためのポケット（１１）をさらに備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
5. 前記封鎖要素は、前記材料サンプルまたは材料サンプル（３；３ａ、３ｂ、３ｃ）に依存して、移動可能であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
6. 複数の材料サンプル（３ａ、３ｂ、３ｃ）が回転盤（２ａ）上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記材料サンプル（３；３ａ、３ｂ、３ｃ）は、サンプルの変化中、移動装置（１７）により、前記封鎖要素（８）の前記参照サンプル（９）により占有されている位置へと移動可能であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の装置。
8. 前記材料サンプル（３；３ａ、３ｂ、３ｃ）を前記参照サンプル（９）の長軸平面に垂直に移動するため、サンプルホルダー（２；２ａ）上で機能するリフティング機構（１８）を設けられたことを特徴とする請求項７に記載の装置。
9. 材料サンプルの検討装置を制御する方法であって、前記検討装置は、異なる材料サンプルを測定可能な、特にＸ線源である、電磁波を放射する少なくとも一つの放射源を備えており、このことにより、異なる材料サンプルを測定可能で、材料プローブが測定される可能性があり；
   封鎖要素が、前記ビーム路に挿入され、続いて前記源に向かい合う前記封鎖要素の側面が、サンプルの変化中、測定される参照サンプルを設けられ；
   前記封鎖要素（８）は、平面に延び、かつ、前記平面に垂直に伸びる軸の周囲で前記ビーム路（４）にて旋回される；
   ことを特徴とする方法。
10. 測定される前記材料サンプルは、各時間毎、前記封鎖要素の前記参照サンプルが、該封鎖要素の閉口状態に保持されている位置へと移動可能であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 複数の材料サンプルは、回転盤上に配置可能であり、かつ、前記回転盤のそれぞれの移動の間、前記参照サンプルに関して測定が行われることを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。
12. サンプルの変化中、前記封鎖要素は、使用者により閉口され、かつ、前記放射源が制御状態にある一方、前記封鎖要素の前記参照サンプルに関して測定が行われることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 前記放射源は、真空チャンバーに収納され、かつ、材料サンプルの測定の間と同様に参照サンプルの測定の間、前記電磁波により照射された前記チャンバー内で、同様の温度、圧力及びガス組成であることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の方法。