JP2004530165A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 偏光ビームスプリッターであって、
   複数の第１の材料層と複数の第２の材料層とを含み、それぞれの材料層が３８０ｎｍよりも短い吸収端を有する、通過軸を有する複屈折性フィルムと、
   前記複屈折性フィルムの第１の主面に隣接した基材を有し、１．９より小さい屈折率を有する少なくとも１つのプリズムと、
   を備える、偏光ビームスプリッター。
2. 前記第１及び第２の材料層が、７２０ｎｍよりも長い第２の吸収端をさらに有している、請求項１に記載の偏光ビームスプリッター。
3. 前記少なくとも１つのプリズムの屈折率が１．６よりも大きい、請求項１に記載の偏光ビームスプリッター。
4. 前記少なくとも１つのプリズムが、第１の直角プリズム及び第２の直角プリズムを備え、前記第１の直角プリズム及び前記第２の直角プリズムが、実質的に立方体を形成するように位置決めされており、前記複屈折性フィルムが、前記立方体の対角面に沿って存在するように前記第１の直角プリズム及び前記第２の直角プリズム間に配置される、請求項１に記載の偏光ビームスプリッター。
5. 前記第１の材料層が、それぞれ、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレートとポリエチレンナフタレートとのエステル交換コポリマーからなる群より選択されるポリマーである、請求項１に記載の偏光ビームスプリッター。
6. ポリエチレンテレフタレートとポリエチレンナフタレートとの前記エステル交換コポリマーが前記第１の材料全体を基準にして５０モル％未満のポリエチレンナフタレートを含有する、請求項５に記載の偏光ビームスプリッター。
7. 前記第２の材料層が、それぞれ、コポリエステルおよびシンジオタクチックポリスチレンからなる群より選択される、請求項１に記載の偏光ビームスプリッター。
8. 前記コポリエステルが、１，４−ジメチルテレフタレート、１，２−エタンジオール、１，４−ジメチルシクロヘキサンジカルボキシレート、１，４−シクロヘキサンジメタノール、およびトリメチロールプロパンを含む、請求項７に記載の偏光ビームスプリッター。
9. 前記コポリエステルが、ネオペンチルグリコールおよび２−ブチル２−エチル１，３−プロパンジオールをさらに含む、請求項８に記載の偏光ビームスプリッター。
10. 前記コポリエステルが、５〜４５モル％の１，４−ジメチルテレフタレート、５〜４５モル％の１，２−エタンジオール、５〜４５モル％の１，４−ジメチルシクロヘキサンジカルボキシレート、５〜４５モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノール、０．５〜５モル％のトリメチロールプロパン、０〜１０モル％のネオペンチルグリコール、および０〜１０モル％の２−ブチル２−エチル１，３−プロパンジオールを含む、請求項９に記載の偏光ビームスプリッター。
11. 前記プリズムと前記複屈折性フィルムとの間に配置された接合手段をさらに備え、前記接合手段が、光透過方向において前記フィルムの屈折率の０．０５単位以内の屈折率を有する接着材である、請求項１に記載の偏光ビームスプリッター。
12. （ａ）請求項１〜１１のいずれか１項に記載の偏光ビームスプリッターであって、第１の偏光状態の光に対して前記偏光ビームスプリッターを通り抜ける第１の経路が規定された偏光ビームスプリッターと、
    （ｂ）光を反射させて前記偏光ビームスプリッターに戻すように配置された少なくとも１つのイメージャーであって、前記少なくとも１つのイメージャーが受けた光の一部分は偏光回転され、偏光回転された光は、前記イメージャーから前記偏光ビームスプリッターを通り抜ける第２の経路に沿って伝播するイメージャーと、
    を備える、光デバイス。
13. 前記光を発生する光源と、前記偏光ビームスプリッターに達する前に前記光を調整する光調整光学素子と、をさらに備える、請求項１２に記載の光デバイス。
14. 前記少なくとも１つのイメージャーから画像光を投影する投影レンズシステムをさらに備える、請求項１２に記載の光デバイス。