JP2004507879A - 個別配置 - Google Patents

Abstract

互いに位置合わせされた、少なくとも１つの構造および第２の構造を含む構造が提供される個別配置である。第２の構造に対する第１の構造の相対位置を検出する位置検出デバイスが提供され、構成において操作が行なわれたことを確認する。個別配置は、互いに位置合わせされた、少なくとも第１の構造と第２の構造とを含む構造、および第１の構造と第２の構造との間に相対位置を検出する、位置検出デバイスを有する。位置格納デバイスが提供され、位置格納デバイス内に、第１の構造と第２の構造との間の相対位置に関する情報が格納される。位置検出デバイスは、比較デバイスを有し、比較デバイスは、位置格納デバイス内に格納された情報を、検出された相対位置と比較する。第１の構造と第２の構造は、それぞれ、少なくとも部分的にオーバーラップして接触する導電性コンタクトである。第１の構造のコンタクトは、第２の構造のコンタクトよりも少ない面積を有する。
【選択図】図４

Description

【０００１】
本発明は、請求項１による個別配置に関する。
【０００２】
特に、電子支払トランザクション、電子認証等のために、より安全なコンポーネント、すなわち、操作されていないコンポーネントまたは操作不可能なコンポーネントを用いる必要性が益々高まっている。これは、例えば、パスワード、コードワード等を、コンポーネントに格納して保護することと理解され得る。しかしながら、コンポーネント上で行なわれる手順が操作されることも回避される必要がある。このような操作と取り組む試みにおいて、コンポーネントが損傷し、新しい保護されないコンポーネントと置き換えられるか、または操作された後、動作するように修復されることがよくある。この理由から、一方で、コンポーネントを個別化、すなわち、各コンポーネントが一意に定まることを保証し、他方、損傷を受けたコンポーネントが再び修復され得ることを回避することが必要である。このような損傷は、多くの場合、コンタクト、すなわちコンポーネントにおいてメタライゼーションレベルが除去され、コンポーネントにおいて、その下に位置する保護された情報に到達することである。
【０００３】
従って、本発明の課題は、単純な手段を用いて個別性が保持され、損傷した場合、これらの手段が修復されない個別配置を提供することである。
【０００４】
この課題は、本発明により、請求項１に記載される措置を用いて解決される。
【０００５】
超小型電子コンポーネントの製作において最高の精度であっても、予定された位置決めからの偏差は常に生じ、このような偏差は、通常、ランダムであることで、位置検出デバイスを用いて、第２の構造に対する第１の構造の相対的位置を決定することによって個別性が確認され得る。コンポーネントを検査するために、第１の構造または第２の構造、あるいはこれらの両方が除去されなければならないことで、次に同じ個別性を製作することはもはや不可能である。
【０００６】
本発明のさらなる有利な実施形態は、従属請求項に記載される。位置格納デバイスが個別配置において提供されることによって、個別配置上で、格納された位置情報と、実際に検出された位置情報との比較を用いて、配置に関する操作が行なわれたかどうかが確認され得る。第１の構造および第２の構造として金属コンタクトが提供されることによって、コンポーネント上のメタライゼーション層の除去、または重なり合って位置する２つのコンポーネントの分離も確認することが可能である。
【０００７】
以下において、本発明は、図面を参照し、実施例を用いて詳細に説明される。
【０００８】
図１による第１の実施例において、例えば、図２〜図６に示されるように、第１の構造４および第２の構造５が提供される構成が提供される。位置検出デバイス２を用いて、位置情報、すなわち、第１の構造４と第２の構造５との間の相対位置が検出可能である。位置格納デバイス３において、位置情報が格納され、位置検出デバイスは、詳細に図示されていない比較デバイスを用いて、格納された位置情報を、構成１における実際に存在する位置情報と比較し得、対応する信号Ｓを出力し得る。
【０００９】
図２において、金属コンタクト４が備えられた第１の層１０が提供される。さらに金属コンタクトが提供された第２の層２０が、この第１の層と境界を接する。２つのコンタクトは境界層において互いに付着し合う。これは、２つのメタライゼーションレベルであり得るか、互いに面を載せ合っている２つのコンポーネントのコンタクト面でもあり得る。
【００１０】
位置検出デバイス２は、次に、抵抗測定を介して、オーバーラッピングの程度、従って、配置についての位置情報を確認することができる。図２による配置が平面図で示されている、図３から読み取れ得るように、これは、２方向へのずれ、すなわち、第１のずれＶ１および第２のずれＶ２であり得る。
【００１１】
このような配置の場合、正直なところ、抵抗測定を用いて位置情報を推測することは困難である。このために、いわゆる４点測定を行なうことが必要であろう。
【００１２】
図４による配置を用いて、位置情報の獲得は比較的容易になされる。ここで、面積が比較的大きい第２のコンタクト５と接触する、複数の第１のコンタクト４が提供される。第２のコンタクト５と接触する第１のコンタクト４を決定することによって、位置情報が得られ得る。
【００１３】
原理から類似であるのは、図５による構成を有する位置情報の獲得である。ここでは、第１のコンタクト４の大きさが、第２のコンタクト５の大きさと類似して構成されている。しかしながら、第１のコンタクト４の間隔と第２のコンタクト５の間隔には異なった距離が提供される。従って、第２の層２０に対する第１の層１０のずれが生じた場合、これらのずれは、接触しているコンタクトを特定することによって、スケール（Ｎｏｎｉｕｓ）と同じように確認され得ることが明らかである。
【００１４】
図６において、第２の実施例が図示される。ここで、例として、ＥＥＰＲＯＭセル６の、２つの連続して位置するトランジスタが図示される。前の実施例に対応して、ここで、ゲートを示す第２の構造５が提供される。ＥＥＰＲＯＭセルにおけるトランジスタの周知の機能には、いわゆる「埋め込みチャンネル」４が提供される。トランジスタの機能モードのために、埋め込みチャンネル４は、点線の位置に配置され、従って、チャンネル長Ｌが形成される。製作において不正確さを最小にすることによって、その所定の位置から左または右へオフセットＤＬが生じる。従って、Ｅ＝Ｌ＋ＤＬまたはＥ＝ＬＤＬを有する有効なチャンネル長Ｅが生じる。
【００１５】
有効なチャンネル長Ｅは測定可能であり、個々のトランジスタごとにモニタリングされ得る。
【００１６】
以下において、上述の個別構成の動作モードについて説明される。配置が初めて作動する際に、位置検出デバイスは、第１の構造４と第２の構造５との間の相対位置を確認する。これが抵抗測定か、個々のコンタクトの検出か、または有効なチャンネル長の決定かは重要ではない。従って、検出された位置情報は、位置格納デバイス３において１回だけ格納される。個別配置の動作において、格納された情報は、実際に存在する配置と一致しているかどうか点検される。これは、個別配置の各新規作動の際に第１の構造４と、第２の構造５との間の相対位置が検出され、この相対位置と、位置格納デバイスに格納された位置情報とが比較される。両方が一致した場合、例えば、配置において操作が存在しなかったことを示す信号Ｓが発信されることが提供され得る。あるいは、一致が存在しない場合、配置における操作を示す信号が発信されることが提供され得る。
【００１７】
さらに、位置格納デバイス３を用いないことが考えられ得る。このような場合、個別配置の初めて作動する際に、個々の位置情報は外部装置によって格納され、配置が新たに動作されるとすぐに、これらの情報が呼出される。
【００１８】
本明細書中に示されないが、本発明の趣旨に相当する、複数のさらなる実施形態が考えられ得ることが容易に理解され得る。記載された構造は、関連する構造の広がりに応じて、μｍからサブμｍの範囲の位置を検出するための精度を提供することが明らかである。
【００１９】
複数の構造を組合せること、例えば、粗いスケールおよび細かいスケールが提供されることも可能である。構造を除去する際に、正確な位置を再び模造することは不可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明による、個別配置のブロック図である。
【図２】図２は、本発明による、個別配置の第１の構造４および第２の構造５の断面図である。
【図３】図３は、図２による配置を平面図で示す。
【図４】図４は、本発明による、個別配置の第１の構造４および第２の構造５の第２の実施形態を示す。
【図５】図５は、本発明による、個別配置の第１の構造４および第２の構造５の配置の、もう１つのさらなる実施形態である。
【図６】図６は、本発明による個別配置の第２の実施例である。

Claims (9)

1. 個別配置であって、互いに位置合わせされた、少なくとも第１の構造（４）と第２の構造（５）とを含む構造（１）、および該第１の構造（４）と該第２の構造（５）との間に相対位置を検出する、位置検出デバイス（２）を有する個別配置。
2. 位置格納デバイス（３）が提供され、該位置格納デバイス内に、前記第１の構造（４）と前記第２の構造（５）との間の相対位置に関する情報が格納される、請求項１に記載の個別配置。
3. 位置検出デバイス（２）は、比較デバイスを有し、該比較デバイスは、前記位置格納デバイス（３）内に格納された情報を、検出された前記相対位置と比較する、請求項２に記載の個別配置。
4. 前記第１の構造（４）と前記第２の構造（５）は、それぞれ、少なくとも部分的にオーバーラップして接触する導電性コンタクトである、請求項１〜３の１つに記載の個別配置。
5. 前記第１の構造（４）のコンタクトは、前記第２の構造（５）のコンタクトよりも少ない面積を有する、請求項１〜４の１つに記載の個別配置。
6. 相対位置情報は、前記第１の構造（４）のコンタクトの数によって決定され、該第１の構造のコンタクトは、前記第２の構造（５）のコンタクトに接触する、請求項５に記載の個別配置。
7. 前記第１の構造のコンタクトは、一列で位置し、第１の距離で互いに間隔を置き、前記第２の構造のコンタクトは、一列で位置し、第２の距離で互いに間隔を置き、該第１の距離と該第２の距離は異なる、請求項１〜４の１つに記載の個別配置。
8. 前記第１の構造（４）は、ＭＯＳトランジスタのいわゆる「埋め込みチャンネル」であり、前記第２の構造（５）は、該ＭＯＳトランジスタのゲートである、請求項１〜３の１つに記載の個別配置。
9. 相対位置情報は、所定の位置からの偏差（ＤＬ）である、請求項８に記載の個別配置。