JP3327279B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JP3327279B2 JP3327279B2 JP35970299A JP35970299A JP3327279B2 JP 3327279 B2 JP3327279 B2 JP 3327279B2 JP 35970299 A JP35970299 A JP 35970299A JP 35970299 A JP35970299 A JP 35970299A JP 3327279 B2 JP3327279 B2 JP 3327279B2
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- Japan
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- contact hole
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- pattern
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に、半導体製造工程におけるマス
クの位置ずれの検出に用いて好適な半導体装置及びその
製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に、半導体製造工程におけるマス
クの位置ずれの検出に用いて好適な半導体装置及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴って、各層毎の
マスクの位置合わせは高い精度が要求されてきており、
マスクの位置ずれ量を正確に測定することは半導体装置
の製造にとって重要な技術である。
マスクの位置合わせは高い精度が要求されてきており、
マスクの位置ずれ量を正確に測定することは半導体装置
の製造にとって重要な技術である。
【０００３】この位置ずれ量を測定する方法として、位
置ずれ測定用のパターンを転写した後、人間が光学顕微
鏡を用いて観察したり、転写されたパターンのエッジを
画像処理によって検出して、エッジの中心点のずれから
マスクの相対的な位置ずれを検出する方法等がとられて
いた。
置ずれ測定用のパターンを転写した後、人間が光学顕微
鏡を用いて観察したり、転写されたパターンのエッジを
画像処理によって検出して、エッジの中心点のずれから
マスクの相対的な位置ずれを検出する方法等がとられて
いた。
【０００４】具体的には、まず、ある幅の短冊状の配線
層等のパターンを形成し、その上層に、他の配線層等の
レジストパターンを形成し、先に形成した配線等のパタ
ーンとその上層に形成したレジストパターンとの重なり
具合を確認することによって、次工程に進むか、不良と
して前工程に戻るかの判断を行っていた。
層等のパターンを形成し、その上層に、他の配線層等の
レジストパターンを形成し、先に形成した配線等のパタ
ーンとその上層に形成したレジストパターンとの重なり
具合を確認することによって、次工程に進むか、不良と
して前工程に戻るかの判断を行っていた。
【０００５】しかしながら、人間が位置ずれ量を計測す
る場合には、光学顕微鏡の解像度の限界から十分な計測
が困難になってきており、また、計測に個人差が生じた
り測定に多大な時間を要してしまうといった問題があ
り、また、画像処理によって位置ずれ量を演算処理する
場合には、パターンの認識に時間を要したり、パターン
が複雑な場合には誤ってパターン認識をしてしまうとい
う問題がある。
る場合には、光学顕微鏡の解像度の限界から十分な計測
が困難になってきており、また、計測に個人差が生じた
り測定に多大な時間を要してしまうといった問題があ
り、また、画像処理によって位置ずれ量を演算処理する
場合には、パターンの認識に時間を要したり、パターン
が複雑な場合には誤ってパターン認識をしてしまうとい
う問題がある。
【０００６】そこで、より確実かつ簡便に位置ずれ量を
検出する方法として、ＴＥＧを用いた電気的検査が行わ
れており、予め半導体基板上に堆積した絶縁膜に所定の
コンタクトホールを形成し、その上層に基準配線パター
ンを設け、このコンタクトホールと基準配線パターンと
を接続することによって、その導通状態から位置ずれを
検出する方法が提案されている。
検出する方法として、ＴＥＧを用いた電気的検査が行わ
れており、予め半導体基板上に堆積した絶縁膜に所定の
コンタクトホールを形成し、その上層に基準配線パター
ンを設け、このコンタクトホールと基準配線パターンと
を接続することによって、その導通状態から位置ずれを
検出する方法が提案されている。
【０００７】この方法について、図３を参照して説明す
る。図３は、従来の位置ずれ検出方法を模式的に説明す
るための図であり、予め半導体基板に堆積した絶縁膜に
一対のコンタクトホール１を形成した後、その上層に一
対のコンタクトホール１が完全に覆われるように基準配
線パターン２を形成し、このコンタクトホール１に接続
されるＴＥＧの電気的特性を検出することによって、位
置ずれがあるか否かを判別するものである。
る。図３は、従来の位置ずれ検出方法を模式的に説明す
るための図であり、予め半導体基板に堆積した絶縁膜に
一対のコンタクトホール１を形成した後、その上層に一
対のコンタクトホール１が完全に覆われるように基準配
線パターン２を形成し、このコンタクトホール１に接続
されるＴＥＧの電気的特性を検出することによって、位
置ずれがあるか否かを判別するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の位置ずれ検出方法では、基準配線パターン２が
にコンタクトホール１を完全に覆う状態で形成されるた
めに、基準配線パターン２の微妙な位置ずれに対して、
ＴＥＧの電気的特性の変動が検出できず、従って精度の
高い位置合わせを実現することができなかった。
た従来の位置ずれ検出方法では、基準配線パターン２が
にコンタクトホール１を完全に覆う状態で形成されるた
めに、基準配線パターン２の微妙な位置ずれに対して、
ＴＥＧの電気的特性の変動が検出できず、従って精度の
高い位置合わせを実現することができなかった。
【０００９】すなわち、従来のＴＥＧでは、マスクの位
置ずれが大きくならない限り、コンタクトホール１と基
準配線パターン２との接続状態が変化しないため、微妙
なマスクの位置ずれに対しては、ＴＥＧの電気的特性の
変動が見られなかったためである。
置ずれが大きくならない限り、コンタクトホール１と基
準配線パターン２との接続状態が変化しないため、微妙
なマスクの位置ずれに対しては、ＴＥＧの電気的特性の
変動が見られなかったためである。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、マスクの位置ずれを簡
便かつ確実に検出することができる半導体装置及びその
製造方法を提供することにある。
のであって、その主たる目的は、マスクの位置ずれを簡
便かつ確実に検出することができる半導体装置及びその
製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１の視点において、所定の回路パター
ンの周囲に配設された、マスクの位置ずれを測定するた
めの複数の対のコンタクトホールと、各対の前記コンタ
クトホールの上部に形成され、前記コンタクトホールの
直径よりも小さい幅の基準配線パターンと、を有し、前
記基準配線パターンの長さ方向の中心線が前記コンタク
トホールの中心に対して前記所定の回路パターン側にず
れるように、前記基準配線パターンが偏って配設されて
いるものである。
に、本発明は、第１の視点において、所定の回路パター
ンの周囲に配設された、マスクの位置ずれを測定するた
めの複数の対のコンタクトホールと、各対の前記コンタ
クトホールの上部に形成され、前記コンタクトホールの
直径よりも小さい幅の基準配線パターンと、を有し、前
記基準配線パターンの長さ方向の中心線が前記コンタク
トホールの中心に対して前記所定の回路パターン側にず
れるように、前記基準配線パターンが偏って配設されて
いるものである。
【００１２】本発明は、第２の視点において、所定の回
路パターンの周囲に配設された、マスクの位置ずれを測
定するための複数の対のコンタクトホールと、各対の前
記コンタクトホールの上部に形成され、前記コンタクト
ホールの直径よりも小さい幅の基準配線パターンと、を
有し、前記基準配線パターンの長さ方向の中心線が前記
コンタクトホールの中心に対して前記所定の回路パター
ン側にずれるように、前記基準配線パターンが偏って配
設されている半導体装置であって、前記コンタクトホー
ルと前記基準配線パターンとに位置ずれ量に対応した、
前記コンタクトホールに接続されるＴＥＧの電気的特性
を予め記憶し、該記憶した電気的特性と、前記ＴＥＧの
実際の電気的特性とを比較する手段と、前記比較結果を
参照して、前記コンタクトホールと前記基準配線パター
ンとの実際の位置ずれ量を検出する手段と、を備えたも
のである。
路パターンの周囲に配設された、マスクの位置ずれを測
定するための複数の対のコンタクトホールと、各対の前
記コンタクトホールの上部に形成され、前記コンタクト
ホールの直径よりも小さい幅の基準配線パターンと、を
有し、前記基準配線パターンの長さ方向の中心線が前記
コンタクトホールの中心に対して前記所定の回路パター
ン側にずれるように、前記基準配線パターンが偏って配
設されている半導体装置であって、前記コンタクトホー
ルと前記基準配線パターンとに位置ずれ量に対応した、
前記コンタクトホールに接続されるＴＥＧの電気的特性
を予め記憶し、該記憶した電気的特性と、前記ＴＥＧの
実際の電気的特性とを比較する手段と、前記比較結果を
参照して、前記コンタクトホールと前記基準配線パター
ンとの実際の位置ずれ量を検出する手段と、を備えたも
のである。
【００１３】また、本発明は、第３の視点において、所
定の回路パターンの周囲に、マスクの位置ずれを測定す
るための複数の対のコンタクトホールを開口する工程
と、各対の前記コンタクトホールの上部に、前記コンタ
クトホールの径よりも小さい幅の基準配線パターンを、
前記コンタクトホールの中心に対して前記所定の回路パ
ターン側に偏った位置に配設する工程と、前記コンタク
トホールと前記基準配線パターンとに位置ずれ量に対応
した、前記コンタクトホールに接続されるＴＥＧの電気
的特性を予め記憶し、該記憶した電気的特性と、前記Ｔ
ＥＧの実際の電気的特性とを比較する工程と、前記比較
結果を参照して、前記コンタクトホールと前記基準配線
パターンとの実際の位置ずれ量を検出する工程と、を少
なくとも有するものである。
定の回路パターンの周囲に、マスクの位置ずれを測定す
るための複数の対のコンタクトホールを開口する工程
と、各対の前記コンタクトホールの上部に、前記コンタ
クトホールの径よりも小さい幅の基準配線パターンを、
前記コンタクトホールの中心に対して前記所定の回路パ
ターン側に偏った位置に配設する工程と、前記コンタク
トホールと前記基準配線パターンとに位置ずれ量に対応
した、前記コンタクトホールに接続されるＴＥＧの電気
的特性を予め記憶し、該記憶した電気的特性と、前記Ｔ
ＥＧの実際の電気的特性とを比較する工程と、前記比較
結果を参照して、前記コンタクトホールと前記基準配線
パターンとの実際の位置ずれ量を検出する工程と、を少
なくとも有するものである。
【００１４】本発明においては、前記基準配線パターン
の幅が、前記コンタクトホールの径の略半分に設定され
ていることが好ましい。
の幅が、前記コンタクトホールの径の略半分に設定され
ていることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置の製造方
法は、その好ましい一実施の形態において、回路パター
ン（図１の４）の周囲に複数の対のコンタクトホール
（図１の１）を開口し、各々の対のコンタクトホールの
上部には、コンタクトホールの径よりも幅が小さい基準
配線パターン（図１の２）を、コンタクトホールの中心
に対して回路パターン側にずらして配設し、予め記憶さ
れたコンタクトホールと基準配線パターンとの位置ずれ
に対する所定の回路の電気的特性と、所定の回路の実際
の電気的特性とを比較して、その比較結果からコンタク
トホールと基準配線パターンとの実際の位置ずれ量を検
出するものである。
法は、その好ましい一実施の形態において、回路パター
ン（図１の４）の周囲に複数の対のコンタクトホール
（図１の１）を開口し、各々の対のコンタクトホールの
上部には、コンタクトホールの径よりも幅が小さい基準
配線パターン（図１の２）を、コンタクトホールの中心
に対して回路パターン側にずらして配設し、予め記憶さ
れたコンタクトホールと基準配線パターンとの位置ずれ
に対する所定の回路の電気的特性と、所定の回路の実際
の電気的特性とを比較して、その比較結果からコンタク
トホールと基準配線パターンとの実際の位置ずれ量を検
出するものである。
【００１６】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の一実施例にかかる位置ずれ
検出方法について、図１及び図２を参照して説明する。
図１及びは、本発明の一実施例に係る位置ずれ検出方法
を説明するための平面図であり、図１は位置ずれがない
場合、図２は、位置ずれがある場合を示すものである。
詳細に説明すべく、本発明の一実施例にかかる位置ずれ
検出方法について、図１及び図２を参照して説明する。
図１及びは、本発明の一実施例に係る位置ずれ検出方法
を説明するための平面図であり、図１は位置ずれがない
場合、図２は、位置ずれがある場合を示すものである。
【００１７】まず、本実施例の構成について図１を参照
して説明する。図１に示すように、本実施例に係る位置
ずれ検出方法は、チェックトランジスタ３が形成された
回路パターン４の周りに形成された基準配線パターン２
からなるＴＥＧと、その基準配線パターン２と接続する
ためにコンタクトコンタクトホール１とから構成されて
いる。
して説明する。図１に示すように、本実施例に係る位置
ずれ検出方法は、チェックトランジスタ３が形成された
回路パターン４の周りに形成された基準配線パターン２
からなるＴＥＧと、その基準配線パターン２と接続する
ためにコンタクトコンタクトホール１とから構成されて
いる。
【００１８】本実施例では、基準配線パターン２は、
Ｘ、Ｙ、θのいずれの位置ずれに対しても検出すること
ができるように、回路パターン４の四隅の外側にＸ方向
及びＹ方向に延びる配線を各々配置しており、また、各
々の基準配線パターン２に対して、各々２つのコンタク
トホール１が配設されている。
Ｘ、Ｙ、θのいずれの位置ずれに対しても検出すること
ができるように、回路パターン４の四隅の外側にＸ方向
及びＹ方向に延びる配線を各々配置しており、また、各
々の基準配線パターン２に対して、各々２つのコンタク
トホール１が配設されている。
【００１９】ここで、従来は、基準配線パターン２に対
して、基準配線パターン２の中心線とコンタクトホール
１の中心とが相重なるように形成していたが、本実施例
では、微妙な位置ずれも検出することができるように、
回路パターン４の最外周に対して、Ｘ方向（図の左右方
向）、Ｙ方向（図の上下方向）の外側にコンタクトホー
ル１の中心がずれるように基準配線パターン２を形成し
ている。
して、基準配線パターン２の中心線とコンタクトホール
１の中心とが相重なるように形成していたが、本実施例
では、微妙な位置ずれも検出することができるように、
回路パターン４の最外周に対して、Ｘ方向（図の左右方
向）、Ｙ方向（図の上下方向）の外側にコンタクトホー
ル１の中心がずれるように基準配線パターン２を形成し
ている。
【００２０】具体的には、コンタクトホール１ａ、１ｂ
に対して、基準配線パターン２ａ、２ｂは図の左側、コ
ンタクトホール１ｃ、１ｄに対して、基準配線パターン
２ｃ、２ｄは図の上側、コンタクトホール１ｅ、１ｆに
対して、基準配線パターン２ｅ、２ｆは図の右側、コン
タクトホール１ｇ、１ｈに対して、基準配線パターン２
ｇ、２ｈは図の下側にずらして形成される。
に対して、基準配線パターン２ａ、２ｂは図の左側、コ
ンタクトホール１ｃ、１ｄに対して、基準配線パターン
２ｃ、２ｄは図の上側、コンタクトホール１ｅ、１ｆに
対して、基準配線パターン２ｅ、２ｆは図の右側、コン
タクトホール１ｇ、１ｈに対して、基準配線パターン２
ｇ、２ｈは図の下側にずらして形成される。
【００２１】なお、基準配線パターン２とコンタクトホ
ール１とのずれ量は検出しようとする位置ずれ量に応じ
て任意に設定することができるが、本実施例では、検出
が容易となる条件として、基準配線パターン２にコンタ
クトホール１の略半分が相重なるように設定している。
ール１とのずれ量は検出しようとする位置ずれ量に応じ
て任意に設定することができるが、本実施例では、検出
が容易となる条件として、基準配線パターン２にコンタ
クトホール１の略半分が相重なるように設定している。
【００２２】次に、本実施例の位置ずれ検出方法につい
て説明する。リソグラフィー工程におけるコンタクトホ
ール１に対する基準配線パターン２のＸ，Ｙ方向へのズ
レが０の時、Ｘ方向へ０．０１μｍ、０．０２μｍ…、
Ｙ方向へ０．０１μｍ、０．０２μｍ…の場合の、それ
ぞれのＴＥＧの電気的特性を予め理論値で計算するか、
もしくは測定によって算出しておく。
て説明する。リソグラフィー工程におけるコンタクトホ
ール１に対する基準配線パターン２のＸ，Ｙ方向へのズ
レが０の時、Ｘ方向へ０．０１μｍ、０．０２μｍ…、
Ｙ方向へ０．０１μｍ、０．０２μｍ…の場合の、それ
ぞれのＴＥＧの電気的特性を予め理論値で計算するか、
もしくは測定によって算出しておく。
【００２３】そして、コンタクトホール１、基準配線パ
ターン２を形成した後、各々のＴＥＧの電気特性を測定
し、その特定値と予め計算もしくは算出した値とを比較
することによって、マスクの位置ずれ量を検出する。
ターン２を形成した後、各々のＴＥＧの電気特性を測定
し、その特定値と予め計算もしくは算出した値とを比較
することによって、マスクの位置ずれ量を検出する。
【００２４】例えば、図２に示すように、基準配線パタ
ーン２のマスクが図の右方向にずれた場合には、コンタ
クトホール１ｅ及び１ｆに対して基準配線パターン２ｅ
及び２ｆは右側にずれ、コンタクトホール１ｅ及び１ｆ
と基準配線パターン２ｅ及び２ｆとは断線状態になるた
め、ＴＥＧの電気的特性が変化し、従って、コンタクト
ホール１と基準配線パターン２のマスクの位置ずれ量を
検出することができる。
ーン２のマスクが図の右方向にずれた場合には、コンタ
クトホール１ｅ及び１ｆに対して基準配線パターン２ｅ
及び２ｆは右側にずれ、コンタクトホール１ｅ及び１ｆ
と基準配線パターン２ｅ及び２ｆとは断線状態になるた
め、ＴＥＧの電気的特性が変化し、従って、コンタクト
ホール１と基準配線パターン２のマスクの位置ずれ量を
検出することができる。
【００２５】また、本実施例では、Ｘ、Ｙ方向の位置ず
れの場合について説明したが、本発明は、上記実施例に
限定されるものではなく、θ方向のずれやショットの伸
縮、ウェハの伸縮に対しても同様に適用することがで
き、位置ずれに対する電気的特性を理論値で計算し、も
しくは測定によって算出し、この値と実デバイス上での
電気的特性の値とを比較することによって、ＰＲ工程に
おける位置ずれ量を検出することができる。
れの場合について説明したが、本発明は、上記実施例に
限定されるものではなく、θ方向のずれやショットの伸
縮、ウェハの伸縮に対しても同様に適用することがで
き、位置ずれに対する電気的特性を理論値で計算し、も
しくは測定によって算出し、この値と実デバイス上での
電気的特性の値とを比較することによって、ＰＲ工程に
おける位置ずれ量を検出することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば、リソグラフィーの際に発生する
位置ずれ量を簡便かつ確実に検出することができるとい
う効果を奏する。
置の製造方法によれば、リソグラフィーの際に発生する
位置ずれ量を簡便かつ確実に検出することができるとい
う効果を奏する。
【００２７】その理由は、コンタクトホールの径よりも
幅が小さい基準配線パターンを回路パターンの最外周に
配置し、基準配線パターンの長さ方向の中心線がコンタ
クトホールの中心に対してずれた位置になるように基準
配線パターンを配設することによって、微少な位置ずれ
に対してもＴＥＧの電気的導通からマスクの位置ずれを
検出することができるからである。
幅が小さい基準配線パターンを回路パターンの最外周に
配置し、基準配線パターンの長さ方向の中心線がコンタ
クトホールの中心に対してずれた位置になるように基準
配線パターンを配設することによって、微少な位置ずれ
に対してもＴＥＧの電気的導通からマスクの位置ずれを
検出することができるからである。
【図１】本発明の一実施例に係る位置ずれ検出方法を模
式的に説明するための平面図であり、位置ずれがない場
合を示す図である。
式的に説明するための平面図であり、位置ずれがない場
合を示す図である。
【図２】本発明の一実施例に係る位置ずれ検出方法を模
式的に説明するための平面図であり、位置ずれがある場
合を示す図である。
式的に説明するための平面図であり、位置ずれがある場
合を示す図である。
【図３】従来の位置ずれ検出方法を模式的に説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
１、１ａ〜１ｈ コンタクトホール ２、２ａ〜２ｈ 基準配線パターン ３ チェックトランジスタ ４ 回路パターン
Claims (5)
- 【請求項１】所定の回路パターンの周囲に配設された、
マスクの位置ずれを測定するための複数の対のコンタク
トホールと、各対の前記コンタクトホールの上部に形成
され、前記コンタクトホールの直径よりも小さい幅の基
準配線パターンと、を有し、 前記基準配線パターンの長さ方向の中心線が前記コンタ
クトホールの中心に対して前記所定の回路パターン側に
ずれるように、前記基準配線パターンが偏って配設され
ている、ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】所定の回路パターンの周囲に配設された、
マスクの位置ずれを測定するための複数の対のコンタク
トホールと、各対の前記コンタクトホールの上部に形成
され、前記コンタクトホールの直径よりも小さい幅の基
準配線パターンと、を有し、 前記基準配線パターンの長さ方向の中心線が前記コンタ
クトホールの中心に対して前記所定の回路パターン側に
ずれるように、前記基準配線パターンが偏って配設され
ている半導体装置であって、 前記コンタクトホールと前記基準配線パターンとに位置
ずれ量に対応した、前記コンタクトホールに接続される
ＴＥＧの電気的特性を予め記憶し、該記憶した電気的特
性と、前記ＴＥＧの実際の電気的特性とを比較する手段
と、 前記比較結果を参照して、前記コンタクトホールと前記
基準配線パターンとの実際の位置ずれ量を検出する手段
と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】前記基準配線パターンの幅が、前記コンタ
クトホールの直径の略半分に設定されていることを特徴
とする請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】所定の回路パターンの周囲に、マスクの位
置ずれを測定するための複数の対のコンタクトホールを
開口する工程と、 各対の前記コンタクトホールの上部に、前記コンタクト
ホールの径よりも小さい幅の基準配線パターンを、前記
コンタクトホールの中心に対して前記所定の回路パター
ン側に偏った位置に配設する工程と、 前記コンタクトホールと前記基準配線パターンとに位置
ずれ量に対応した、前記コンタクトホールに接続される
ＴＥＧの電気的特性を予め記憶し、該記憶した電気的特
性と、前記ＴＥＧの実際の電気的特性とを比較する工程
と、 前記比較結果を参照して、前記コンタクトホールと前記
基準配線パターンとの実際の位置ずれ量を検出する工程
と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】前記基準配線パターンの幅が、前記コンタ
クトホールの径の略半分である、ことを特徴とする請求
項４記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35970299A JP3327279B2 (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35970299A JP3327279B2 (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176782A JP2001176782A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3327279B2 true JP3327279B2 (ja) | 2002-09-24 |
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ID=18465868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35970299A Expired - Fee Related JP3327279B2 (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3327279B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP4541847B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-09-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 位置合わせ精度検出方法 |
| JP4641430B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2011-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP4845005B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2011-12-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-12-17 JP JP35970299A patent/JP3327279B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2001176782A (ja) | 2001-06-29 |
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