JP2004507114A - 光電的構成素子及びその製造方法並びに複数の光電的構成素子を備えたモジュール及びそのようなモジュールを備えた装置 - Google Patents
光電的構成素子及びその製造方法並びに複数の光電的構成素子を備えたモジュール及びそのようなモジュールを備えた装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004507114A JP2004507114A JP2002521371A JP2002521371A JP2004507114A JP 2004507114 A JP2004507114 A JP 2004507114A JP 2002521371 A JP2002521371 A JP 2002521371A JP 2002521371 A JP2002521371 A JP 2002521371A JP 2004507114 A JP2004507114 A JP 2004507114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor chip
- support
- component
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01055—Cesium [Cs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
Description
本発明は、半導体チップを備えた光電素子、特にプリント基板切欠部への組付け用の表面実装可能な光電素子に関している。また本発明は、そのような複数の光電素子を製造するための方法並びにそのような複数の光電素子を備えたモジュールに関しており、さらにそのようなモジュールを備えた表示装置並びに照明装置ないしバックライト照明装置に関している。
【0002】
発光ダイオード素子のような光電素子(オプトエレクトロニクス構成素子)は、典型的にはいわゆるラジアル構造形式(これは差込式でプリント基板に固定される)か、表面実装可能な構造形式で提供される。これに対しては、例えば公知文献“F.Moellmer, G. Waitl, SIEMENS SMT−TOPLED fuer die Oberflaechenmontage, Siemens Components 29(1991) Heft 4, P147−149”が参照される。この2つの構造形式は、技術的に著しく高いコストをかけないとプリント基板切欠部または貫通部への配設ができない。
【0003】
本発明の課題は、特に、光電素子の構造形式に改良を加えて、構造的に僅かな高さが実現されるようにし、プリント基板切欠部や貫通部への位置付けが容易にできるように改善を行うことである。
【0004】
前記課題は、請求項1の特徴部分に記載された本発明による光電素子によって解決される。請求項6には、本発明による光電素子を複数個備えた有利なモジュールが記載されている。そのようなモジュールを備えた有利な光学的表示装置とそのようなモジュールを備えた照明装置ないしバックライト装置は、請求項9ないし10の対象である。本発明による複数の構成素子の有利な製造方法は、請求項13の対象である。
【0005】
フレキシブルなチップ支持体上の導体路の形成によって、このフレキシブルなチップ支持体自体が構成素子の1つの要素となり、これは同時に構成素子の有利にはパッケージにも用いられ得る。
【0006】
有利にはこの種の構成素子は、実装装置にフレキシブルな支持体、例えばパッケージベルトで提供されるのではなく、フレキシブルなチップ支持体がフレキシブルなチップ支持体の分割に相応して構成素子内で切断され、そのようにして得られた構成素子がプリント基板上に載置される。セパレート式のパッケージベルトは、有利には本発明による構造形式のもとでは不要である。
【0007】
有利な実施形態によれば、フレキシブルなチップ支持体はプラスチック性のシートないしフォイルである。
【0008】
別の有利な実施形態によれば、前記半導体チップが発光ダイオードチップである。これはフレキシブルなチップ支持体上に形成されたケーシングフレームの中心に配置されている。それによりその構造高さが僅かな光源が得られ、これは特に移動体無線機器内の導体路切欠部で、例えばキーボードやディスプレイのバックライトとして用いるのに適している。
【0009】
前述した請求項に係わる対象のさらに別の有利な実施例や改善例はさらなる従属請求項にも記載されている。
【0010】
以下の明細書では、本発明の有利な実施例およびその利点を図1から図6に基づいて詳細に説明する。これらの図面のうち、
図1は、本発明による発光ダイオード素子の平面図を概略的に示した図であり、
図2は、図1の発光ダイオード素子の断面図を概略的に示した図であり、
図3は、本発明による発光ダイオード素子の別の実施例の平面図を概略的に示した図であり、
図4は、図3による発光ダイオード素子の断面図を概略的に示した図であり、
図5は、複数の本発明による構成素子を備えたモジュールを概略的に示した図であり、
図6は、複数の本発明による構成素子を備えたバックライト装置を有する液晶表示装置の断面図を概略的に示した図である。
【0011】
実施例の説明
次に本発明を図面に基づき以下の明細書では詳細に説明する。なおこれらの図面中、同じ構成部あるいは機能の同じ構成部には、それぞれ共通の同じ参照符号を付している。
【0012】
図1と図2に示されている構成素子は、例えば発光ダイオード素子であり、これらはビームを発光する半導体チップ1を有している。この半導体チップ1は、さらにビームを発光する活性層2を含んでいる。この活性層2の下側で、当該半導体チップ1は第1のコンタクト層3と導電的に接続される。半導体チップ1の上側は、ボンディングワイヤ4を介して第2のコンタクト層5に接続されている。これらの第1のコンタクト層3と第2のコンタクト層5は、例えばメタルシートで形成され、これがフレキシブルなチップ支持体シート6上に被着されている。
【0013】
2つの電気的な接続面を上側に有する、代替的な半導体チップの場合では、その2つの接続面が例えばボンディングワイヤを用いてコンタクト層3,5に接続される。この場合の半導体チップも同じように2つのコンタクト面3と5のうちの一方に固定されてもよいし、これらの2つのコンタクト面3と5の間に固定されてもよい。
【0014】
半導体チップ1は、漏斗形状で反射的に形成された内側8を有する環状の反射フレーム7の中心におかれている。それによってこの反射フレーム7は、半導体チップ1から側方に発光されたビームも照射方向9に偏向させるような配置となる。
【0015】
反射フレーム7で取囲まれている内部空間は、透明な充填材10で充填される。その中には発光性の顔料が埋込まれていてもよい。それにより、半導体チップ1から送出されたビームの少なくとも一部が吸収され、この吸収されたビームとは別の波長のビームが再発光されるようになる。
【0016】
図3と図4には、図1と図2に基づいて説明した発光ダイオード素子の変化実施例が示されている。この変化実施例では半導体チップ1が、傾斜した第1のコンタクト層3と第2のコンタクト層5の側面で固定されている。このケースでは活性層2がチップ支持体シート6に対して直角の関係におかれている。この配置構成の利点は、半導体チップ1をコンタクト層に固定するためのボンディングワイヤが不要になることである。しかしながら欠点としてはいずれにせよ、活性層2の1つの面がチップ支持体シート6によって覆われてしまう。さらに半導体チップ1の上側と下側が少なくとも部分的に、当該半導体チップ1の第1のコンタクト層3と第2のコンタクト層5への固定に用いられている材料に覆われてしまう。それ故に、図1及び図2に示されている実施例に比べれば、図3及び図4による発光ダイオードでの発光量の方が劣る。
【0017】
チップ支持体シート6に対する材料として特に対象となるのは、耐熱性があって金属被覆可能なプラスチックシートである。例えばチップ支持体シート6は、エポキシ樹脂をベースにしたチップ支持体シートであってもよいし、ポリイミドやポリエステル、例えばポリエチレンナフサラートで形成されていてもよい。反射フレーム7の材質としては、特に温度安定性が高くて光学的な反射性を備えた材料、例えばポリ−フタラミド(PPA)、液晶ポリマー(LCP)、ポリ−エーテル−エーテル−ケトン(PEEK)などが適している。これら以外にも温度安定性と光学的反射性を備えている限りはさらに別の熱可塑性材料ないし熱塑性樹脂が対象に挙げられる。この種の熱可塑性材料は、例えばTiO2などの顔料が埋込まれることによって非常に高い反射性を有するようになる。
【0018】
これらの材料は、次のように選択される。すなわち反射フレーム7がチップ支持体シート6上に付着されるように選択される。この反射フレーム7とチップ支持体シート6の間の接続を向上させるためには、チップ支持体シート6において少なくとも1つの貫通部または切欠部を設けその中に反射フレーム7のホルダピン11を係合させてもよい。
【0019】
充填材10の材料としては、オプトエレクトロニクス半導体素子の製造に慣用的な反応性樹脂、例えばエポキシ樹脂やシリコン樹脂、アクリル酸樹脂等の化合物が用いられてもよい。
【0020】
蛍光物質としては、セリウムドーピングされたイットリウムアルミニウムガーネットをベースにした顔料、例えば(Y1 − x − yGdxTby)3Al5O12 : Ce,(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)が適している。
【0021】
さらに付加的な発光物質として、充填剤10内には、さらなる拡散材料、例えば二酸化チタン、過酸化バリウム、二酸化ジルコニウム、三酸化ジアルミニウムなどが存在する。これらの拡散材料は、有利には光ビームの均質な形成にも寄与する。ビームの変換が何も行われないのではなく、送出されたビームの分散のみが行われるべき場合には、それに対して充填剤10内には拡散材料だけで発光物質は何も含まれるべきでない。
【0022】
発光ダイオードの製造に対しては、有利にはまずチップ支持体シートのベルト上に金属箔が被着され、引続きフォトレジスト層が積層される。このフォトレジスト層は、露光され、それに続いてこのフォトレジスト層と金属箔がそれ自体公知のエッチング処理によって構造化される。それにより複数のコンタクト層の対3,5が得られる。さらにこのフォトレジスト層の残りが除去され、反射フレーム7がチップ支持体シートベルト上に例えば射出成形またはトランスファー成形などを用いて被着される。チップ支持体シート6への反射フレーム7の固定は、当該の貫通孔部内で反射フレーム7のピン11の係合によって行われる。
【0023】
反射フレームの射出成形もしくはトランスファー成形の代わりに、事前に形成された反射フレーム7をチップ支持体シート6に単に差込んで取付けたりおよび/または接着したりすることも考えられる。
【0024】
その後では、半導体チップ1の各々がチップ支持体シートベルト上に載置される。この半導体チップ1のそれぞれのボンディングと、チップ1上側コンタクトとコンタクト層5の間のワイヤ接続の形成の後では、対応する反射フレーム7の内部空間が充填材10で充填される。チップ支持体シート6は、最終的に折り込まれたり巻かれたりして、取扱いのし易い発光ダイオードパッケージング単位が得られる。
【0025】
前述した手法に変えて、それぞれの反射フレーム7を、対応する半導体チップ1のチップ支持体シート6への取付けの後で初めて被着させることも可能である。
【0026】
図1から図4に示されている実施例では、チップ支持体シート6がベルト状に構成されており、その場合半導体チップ1はチップ支持体シート6上に整列されている。さらにそれに加えてチップ支持体シート6は、発光ダイオードチップの複数の列が相互にスペースを見つけられるように広めに選択されてもよい。
【0027】
その他にも複数の半導体チップ1を唯一の反射フレーム7内に配置し、そのようにすることで特に異なった色に発光するもしくは混合色の光を送出する複数の発光ダイオード素子を得ることも可能である。
【0028】
さらに本発明による構造のもとではより簡単に、チップ支持体シート6の裏側にも金属被覆層ないし金属被覆構造部を特に平坦に設けてもよい。それらは高周波が用いられた場合の障害波のシールドに用いられる。
【0029】
ここで述べた構造形態は、比較的僅かな所要スペースの点と、プリント基板貫通孔内へのほぼ完全な埋込みが可能である点で傑出している。さらにフレキシブルなチップ支持体シート6は何の問題もなく異なる空間の所要性への適合化が可能である。さらにチップ支持体シート6は一般に薄く構成されているので、発光ダイオードは、一般的に僅かな構造高さしか有さない。それ故に非常にフラットな構成素子が得られる。
【0030】
さらなる利点は、チップ支持体シート6と反射フレーム7が、同じかもしくは非常に類似した熱膨張係数を有する材料から製造可能なことである。それにより、熱サイクルのもとでの発光ダイオードの信頼性が非常に高くなる。
【0031】
さらに、チップ支持体シート6を用いて製造された発光ダイオード素子がパッケージングと輸送に対して特別なパッケージングベルトをもはや必要としないことである。弾性的なチップ支持体シートは、有利には、(リードフレーム技法で必要とされるような)パッケージングベルトの役割も完全に果たし得る。
【0032】
このチップ支持体シートベルトは、有利には、構成素子の取付けの直前に、所望の個別構成素子へ、もしくは複数の構成素子からなる構成素子群へ切断される。
【0033】
このように形成された発光ダイオード素子を例えば移動体無線機器のキーボードバックライトに使用する場合には、このチップ支持体シートを移動無線機器毎の取付けラインに分けて、予定している発光ダイオード群を一緒に移動無線機器内へ挿入することも可能である。合目的なやり方としてこの種の適用方法のもとでは既に発光ダイオードチップの駆動制御に必要な回路がチップ支持体シート6上に形成されている。
【0034】
本発明による方法は、前記説明では発光ダイオードに基づいて説明してきたが、しかしながらその他の半導体チップを前述したような形式でパッケージングして適用処理することも可能である。
【0035】
図5には、本発明による複数の構成素子を備えたモジュールが示されている。支持体要素19,例えば基板内には、複数の貫通孔部20が形成されている。さらにこの支持体要素19は、照射側21を有している。
【0036】
支持体19の照射側21とは反対側には複数の本発明によるビーム発行素子が固定されており、この場合ビーム発光素子のそれぞれ1つのケーシングフレーム7が、貫通孔部の1つの内部に突出し、当該貫通孔部20を通って照射方向24に延在している。
【0037】
それぞれのチップ支持体6は、構成素子の電気的な導体路3,5と共に照射側21とは反対側の支持体要素19表面に載置される。これらの構成素子の固定には、接着剤が用いられてもよいし、ろう付けされてもよい。有利には扁平に構成されたチップ支持体6に基づいて、水平方向と垂直方向の所要スペースが従来技法による構成素子のものよりも明らかに少なくなる。特に本発明は、少なくとも部分的に埋め込まれる構成素子の取り付けが可能である。
【0038】
フレキシブルに構成されたチップ支持体6に基づいて、この構成素子はケーシング上またはそこにある発光チップに障害的な緊張を強いることなく、緊張や変形を弾性的もしくは場合によって塑性的に補足するのに十分にフレキシブルである。この取付け配置構成は、特に密にパッケージングされたフラットディスプレイに適している。
【0039】
有利には、支持体もしくは少なくとも照射側の表面は、ビーム吸収性に構成され、例えば黒色にされ(黒化)、それにより個々のビーム発光素子のコントラストを周辺よりも高める。このことは、特に表示装置として設けられている場合に有利な配置構成となる。
【0040】
図6には本発明による構成素子のさらなる配置構成が示されている。この場合前述した配置構成と異なる点は、図6に示した配置構成が特にバックライト照明、例えば液晶表示のためのバックライト照明に適している点である。
【0041】
支持体19上には、前述の実施例と同じように本発明によるビーム発光素子が埋め込まれるように取付けられている。照射側ではこの支持体19ないしは構成素子に後続するように制御プレート22が配置されている。さらに支持体19もしくはこの支持体19の少なくとも照射側の表面は、有利には均質に拡散され反射的に構成され、例えば白色化されている。それによって特にフラット構造の十分に均質なバックライト照明装置が得られる。この制御プレートに続けて例えば照明すべき液晶表示(LCD)23が配置される。
【0042】
支持体19は、前述したように堅固にも、あるいはプラスチックシートやセラミックシートのようにフレキシブルにも構成することが可能である。そのためバックライトモジュールまたはディスプレイモジュールが種々異なった形態で簡単に適応化でき、有利には、変化のある面にも問題なく組み付けることが可能である。
【0043】
図面に示された実施例に基づいて説明してきた本発明の内容は、もちろん本発明の限定を意図したものではない。例えば接着剤でチップを直接チップ支持体のチップ取付け面に取付けてもよいし、チップを専らワイヤリング接続を用いて導体路と電気的に接続させることも可能である。またチップはチップ支持体内に埋め込まれている別個の断熱的端子に取付けて、導体路とワイヤリング接続で導電的に接続してもよい。これらのすべての実施形態は、本発明の基本的な考察を逸していない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による発光ダイオード素子の平面図を概略的に示した図である。
【図2】図1の発光ダイオード素子の断面図を概略的に示した図である。
【図3】本発明による発光ダイオード素子の別の実施例の平面図を概略的に示した図である。
【図4】図3による発光ダイオード素子の断面図を概略的に示した図である。
【図5】複数の本発明による構成素子を備えたモジュールを概略的に示した図である。
【図6】複数の本発明による構成素子を備えたバックライト装置を有する液晶表示装置の断面図を概略的に示した図である。
Claims (14)
- 半導体チップ(1)を備えた光電的な構成素子において、
前記半導体チップ(1)は、フレキシブルなチップ支持体(6)上に取付けられており、前記チップ支持体における第1の主要面には、前記半導体チップ(1)の電気的な接続のための導体路(3,5)が形成されており、さらにケーシングフレーム(7)が配置され、該ケーシングフレーム(7)はビーム透過性の媒体、特に充填材料で充填されていることを特徴とする構成素子。 - 前記半導体チップは、発光ダイオードチップ(1)である、請求項1記載の構成素子。
- 前記ケーシングフレーム(7)の内面は、反射器として形成されており、該反射器は、半導体チップ(1)から側方に照射された電磁ビームを照射方向(9)に偏向させ、および/または構成素子の外方から入射した、当該半導体チップ(1)によって受信すべき電磁ビームをこの方向に偏向させる、請求項2記載の構成素子。
- チップ支持体(6)の第1の主要面とは反対側の第2の主要面に、障害波を遮断するための遮蔽層が形成されている、請求項1から3いずれか1項記載の構成素子。
- 前記充填材料は蛍光性材料および/または拡散性材料を含んでいる、請求項1から4いずれか1項記載の構成素子。
- 複数の貫通孔部を備えた支持体要素(19)が設けられており、さらに複数の構成素子がそれぞれチップ支持体(6)と共に支持体要素(19)の構成素子側に固定され、この固定においてケーシングフレーム(7)がそれぞれ複数の貫通孔部(20)のうちの1つの中に突出するかそれを突き出るように構成されていることを特徴とする、請求項2から5に記載の構成素子を複数個備えたモジュール。
- 前記支持体要素(19)は、フレキシブルに構成されている、請求項6記載のモジュール。
- 前記支持体要素(19)上に電気的な線路構造部が、構成素子の電気的な接続のために形成されている、請求項6または7記載のモジュール。
- 支持体要素(19)の照射側表面が、ビーム吸収性に構成され、特に黒色化されていることを特徴とする、請求項6から8に記載のモジュールを備えた光学的表示装置。
- 支持体要素(19)の照射側表面が、拡散的にかつ反射的に構成され、特に白色化されていることを特徴とする、請求項6から8に記載のモジュールを備えた照明装置ないしバックライト照明装置。
- 支持体要素(19)の照射側表面に続けて制御プレート(22)が配設されている、請求項10記載の照明装置ないしバックライト照明装置。
- 観察側とは反対の側に、請求項10または11記載の装置が設けられていることを特徴とする、液晶表示装置。
- 請求項1から5に記載の複数の構成素子を製造しパッケージングするための方法において、
a)チップ支持体シートベルトを供給し、
b)前記チップ支持体シードベルト上でそれぞれ1つの半導体チップ(1)に対して複数の導体路対(3,5)を形成し、
c)チップ支持体シートベルトにおける、半導体チップ(1)または個々の構成素子からなる半導体チップ装置が特に射出成形ないしトランスファー成形を用いて設けられる各箇所において、それぞれ1つのケーシングフレーム(7)を形成し、
d)複数の半導体チップ(1)を前記チップ支持体シートベルトに取付け、
e)前記ケーシングフレーム(7)によって形成されるビーム窓を充填材(10)によって少なくとも部分的に充填するようにしたことを特徴とする方法。 - 前記チップ支持体シートベルトを、取付けられカプセル化された半導体チップと共に、表面実装可能な複数の構成素子を有するパッケージ単位にまとめて巻き上げる、請求項13記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10041328.5A DE10041328B4 (de) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | Verpackungseinheit für Halbleiterchips |
DE10041328.5 | 2000-08-23 | ||
PCT/DE2001/003197 WO2002017405A1 (de) | 2000-08-23 | 2001-08-22 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung, modul und vorrichtung mit einem solchen modul |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004507114A true JP2004507114A (ja) | 2004-03-04 |
JP2004507114A5 JP2004507114A5 (ja) | 2011-12-22 |
JP5064639B2 JP5064639B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=7653483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002521371A Expired - Fee Related JP5064639B2 (ja) | 2000-08-23 | 2001-08-22 | 光電的構成素子及びその製造方法並びに複数の光電的構成素子を備えたモジュール及びそのようなモジュールを備えた装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7446347B2 (ja) |
EP (1) | EP1312124B1 (ja) |
JP (1) | JP5064639B2 (ja) |
CN (1) | CN1237629C (ja) |
DE (1) | DE10041328B4 (ja) |
TW (1) | TW501276B (ja) |
WO (1) | WO2002017405A1 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005142236A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2005311314A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led実装用モジュール、ledモジュール、led実装用モジュールの製造方法及びledモジュールの製造方法 |
JP2006156462A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
JP2006324623A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Yo Hifuku | 発光デバイス及びその製造方法 |
JP2007235085A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-09-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
JPWO2009119847A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-07-28 | 京セラ株式会社 | 光学デバイスおよび光学デバイスの製造方法 |
JP2011171765A (ja) * | 2011-05-24 | 2011-09-01 | Towa Corp | 光デバイス及び光デバイスの組立方法 |
JP2011187979A (ja) * | 2011-05-24 | 2011-09-22 | Towa Corp | 保護用全体部材付の全体基板及びその製造方法 |
JP2013138221A (ja) * | 2006-02-03 | 2013-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
JP2013225713A (ja) * | 2013-08-08 | 2013-10-31 | Towa Corp | 光デバイスの生産方法 |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US9035439B2 (en) | 2006-03-28 | 2015-05-19 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9722158B2 (en) | 2009-01-14 | 2017-08-01 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Aligned multiple emitter package |
JP2017224852A (ja) * | 2012-01-31 | 2017-12-21 | ローム株式会社 | 発光装置 |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
US10892383B2 (en) | 2007-10-31 | 2021-01-12 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10228634A1 (de) * | 2002-06-26 | 2004-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10234978A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP1525619A1 (de) | 2002-07-31 | 2005-04-27 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Oberflächenmontierbares halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
DE10237084A1 (de) * | 2002-08-05 | 2004-02-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements |
EP1388916A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-11 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Optoelectronic package |
DE10245933B4 (de) * | 2002-09-30 | 2013-10-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms |
DE10252357B4 (de) * | 2002-11-11 | 2012-06-06 | Giesecke & Devrient Gmbh | Chipmodul für eine Chipkarte |
DE10303969B4 (de) * | 2003-01-31 | 2008-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung mit einem Leuchtdiodenträger und einer Mehrzahl von Leuchtdioden |
DE10307800A1 (de) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Vishay Semiconductor Gmbh | Halbleiterbauteil |
DE10321257B4 (de) * | 2003-05-06 | 2006-04-27 | Infineon Technologies Ag | Optische oder optoelektronische Anordnung mit mindestens einem auf einem Metallträger angeordneten optoelektronischen Bauelement |
DE10324909B4 (de) * | 2003-05-30 | 2017-09-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102004013680A1 (de) * | 2004-03-18 | 2005-10-20 | Siemens Ag | Lichtquelle für Bilderzeugungseinheit |
DE102004045950A1 (de) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
EP1524705B1 (en) * | 2005-01-12 | 2008-03-12 | NeoBulb Technologies, Inc. | Flip chip type LED lighting device and its manufacturing method |
DE102005055293A1 (de) | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip |
JP4262726B2 (ja) | 2005-08-24 | 2009-05-13 | 任天堂株式会社 | ゲームコントローラおよびゲームシステム |
DE102006032428A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
JP2009517853A (ja) * | 2005-11-28 | 2009-04-30 | ネオバルブ テクノロジーズ,インコーポレイテッド | 半導体向けマルチチップモジュール単一パッケージ構造 |
TWI378742B (en) * | 2005-12-09 | 2012-12-01 | Epistar Corp | Multiphase driving method and device for ac_led |
DE102006008793A1 (de) * | 2006-02-24 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauteil |
US11210971B2 (en) | 2009-07-06 | 2021-12-28 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Light emitting diode display with tilted peak emission pattern |
US7635915B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
JP5052829B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2012-10-17 | 住友化学株式会社 | カプセル状マイクロ発光素子の製造方法 |
DE102007004303A1 (de) | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund |
US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
JP4775578B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2011-09-21 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
DE102007004304A1 (de) | 2007-01-29 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips |
TW200848782A (en) * | 2007-04-03 | 2008-12-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light output device |
JP2009094282A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Cosmo Electronics Corp | ハイパワー発光ダイオード構造 |
USD615504S1 (en) | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
KR100998233B1 (ko) | 2007-12-03 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | 슬림형 led 패키지 |
DE102008013898A1 (de) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
US8049230B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
US9480133B2 (en) * | 2010-01-04 | 2016-10-25 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting element repair in array-based lighting devices |
DE102010007476B4 (de) * | 2010-02-09 | 2015-07-23 | Alre-It Regeltechnik Gmbh | Monochromes Display mit farbig hervorgehobenen Bereichen und Regler mit einem derartigen Display |
KR101055003B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-08-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지, 조명 시스템, 및 발광 소자 제조방법 |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
DE102010025319B4 (de) | 2010-06-28 | 2022-05-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente |
US8455882B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs |
US8486724B2 (en) | 2010-10-22 | 2013-07-16 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Wafer level reflector for LED packaging |
CN102832142A (zh) * | 2011-06-14 | 2012-12-19 | 弘凯光电股份有限公司 | 封装结构的制造方法 |
CN103000794B (zh) * | 2011-09-14 | 2015-06-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
DE102012202102A1 (de) * | 2012-02-13 | 2013-08-14 | Osram Gmbh | Leuchtvorrichtung mit Volumenstrahler-LED-Chips auf einem gemeinsamen Substrat |
US9081226B2 (en) * | 2012-03-29 | 2015-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting module |
CN103775860A (zh) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 欧司朗股份有限公司 | Led发光模块及灯具 |
WO2015036887A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Koninklijke Philips N.V. | Frame based package for flip-chip led |
GB2519587A (en) | 2013-10-28 | 2015-04-29 | Barco Nv | Tiled Display and method for assembling same |
US10134714B2 (en) * | 2013-11-08 | 2018-11-20 | Osram Sylvania Inc. | Flexible circuit board for LED lighting fixtures |
DE102014112818A1 (de) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
WO2017005704A1 (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-12 | Firecomms Limited | An optoelectronic device |
JP6720814B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-07-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN108540086A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-09-14 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池接线盒的导电模块 |
DE102018125127A1 (de) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919788A (ja) * | 1972-02-28 | 1974-02-21 | ||
JPS5787550U (ja) * | 1980-11-17 | 1982-05-29 | ||
JPS58118758U (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-13 | スタンレー電気株式会社 | Led表示装置 |
JPS5978584A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-07 | Toshiba Corp | 発光ダイオ−ドシ−トとその製造装置 |
JPH02206179A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体装置及びその製造方法 |
JPH07135341A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-05-23 | Rohm Co Ltd | Led表示ユニット |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4241277A (en) | 1979-03-01 | 1980-12-23 | Amp Incorporated | LED Display panel having bus conductors on flexible support |
JPS5789276A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | Alps Electric Co Ltd | Photo chip element |
DE3148843C2 (de) * | 1981-12-10 | 1986-01-02 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Mehrfach-Leuchtdiodenanordnung |
JPS59107584A (ja) | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Casio Comput Co Ltd | 発光ダイオ−ド |
JP2623087B2 (ja) * | 1986-09-27 | 1997-06-25 | 潤一 西澤 | カラーディスプレー装置 |
US4929965A (en) * | 1987-09-02 | 1990-05-29 | Alps Electric Co. | Optical writing head |
US5265792A (en) | 1992-08-20 | 1993-11-30 | Hewlett-Packard Company | Light source and technique for mounting light emitting diodes |
JPH06112536A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 光源装置およびその製造方法 |
JP2613846B2 (ja) * | 1994-02-04 | 1997-05-28 | 帝国通信工業株式会社 | 電極シート片付きチップ型電子部品 |
JPH08125228A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | 照光式メンブレン基板 |
DE29504631U1 (de) * | 1995-03-17 | 1995-05-11 | Siemens Ag | Leuchteinrichtung |
JP3535602B2 (ja) * | 1995-03-23 | 2004-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 面実装型led |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US6340824B1 (en) * | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
JPH11121808A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Idec Izumi Corp | Led表示用デバイス |
US6113248A (en) | 1997-10-20 | 2000-09-05 | The Standard Products Company | Automated system for manufacturing an LED light strip having an integrally formed connector |
TW408497B (en) * | 1997-11-25 | 2000-10-11 | Matsushita Electric Works Ltd | LED illuminating apparatus |
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
JPH11284233A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Stanley Electric Co Ltd | 平面実装型led素子 |
DE19829197C2 (de) * | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
DE19951865A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-08-03 | Mannesmann Vdo Ag | Leiterplatte mit einer Lichtquelle |
JP4125848B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2008-07-30 | ローム株式会社 | ケース付チップ型発光装置 |
AU3226101A (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-20 | Nippon Leiz Corporation | Light source |
US6712529B2 (en) * | 2000-12-11 | 2004-03-30 | Rohm Co., Ltd. | Infrared data communication module and method of making the same |
US6833566B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode with heat sink |
-
2000
- 2000-08-23 DE DE10041328.5A patent/DE10041328B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-22 JP JP2002521371A patent/JP5064639B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-22 CN CNB018178413A patent/CN1237629C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-22 US US10/362,614 patent/US7446347B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-22 WO PCT/DE2001/003197 patent/WO2002017405A1/de active Application Filing
- 2001-08-22 EP EP01971630.7A patent/EP1312124B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-23 TW TW090120710A patent/TW501276B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919788A (ja) * | 1972-02-28 | 1974-02-21 | ||
JPS5787550U (ja) * | 1980-11-17 | 1982-05-29 | ||
JPS58118758U (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-13 | スタンレー電気株式会社 | Led表示装置 |
JPS5978584A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-07 | Toshiba Corp | 発光ダイオ−ドシ−トとその製造装置 |
JPH02206179A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体装置及びその製造方法 |
JPH07135341A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-05-23 | Rohm Co Ltd | Led表示ユニット |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005142236A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2005311314A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led実装用モジュール、ledモジュール、led実装用モジュールの製造方法及びledモジュールの製造方法 |
JP2006156462A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
JP4673610B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-04-20 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型発光ダイオード |
JP2006324623A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Yo Hifuku | 発光デバイス及びその製造方法 |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
JP2007235085A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-09-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
JP2015181201A (ja) * | 2006-02-03 | 2015-10-15 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
JP2013138221A (ja) * | 2006-02-03 | 2013-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
US9035439B2 (en) | 2006-03-28 | 2015-05-19 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US10892383B2 (en) | 2007-10-31 | 2021-01-12 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
JPWO2009119847A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-07-28 | 京セラ株式会社 | 光学デバイスおよび光学デバイスの製造方法 |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US9722158B2 (en) | 2009-01-14 | 2017-08-01 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Aligned multiple emitter package |
JP2011187979A (ja) * | 2011-05-24 | 2011-09-22 | Towa Corp | 保護用全体部材付の全体基板及びその製造方法 |
JP2011171765A (ja) * | 2011-05-24 | 2011-09-01 | Towa Corp | 光デバイス及び光デバイスの組立方法 |
JP2017224852A (ja) * | 2012-01-31 | 2017-12-21 | ローム株式会社 | 発光装置 |
JP2013225713A (ja) * | 2013-08-08 | 2013-10-31 | Towa Corp | 光デバイスの生産方法 |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1237629C (zh) | 2006-01-18 |
DE10041328B4 (de) | 2018-04-05 |
EP1312124B1 (de) | 2014-10-01 |
DE10041328A1 (de) | 2002-03-14 |
EP1312124A1 (de) | 2003-05-21 |
US20040047151A1 (en) | 2004-03-11 |
JP5064639B2 (ja) | 2012-10-31 |
US7446347B2 (en) | 2008-11-04 |
TW501276B (en) | 2002-09-01 |
CN1471734A (zh) | 2004-01-28 |
WO2002017405A1 (de) | 2002-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5064639B2 (ja) | 光電的構成素子及びその製造方法並びに複数の光電的構成素子を備えたモジュール及びそのようなモジュールを備えた装置 | |
US11476227B2 (en) | Light-emitting apparatus | |
JP7125636B2 (ja) | 発光装置 | |
US7478925B2 (en) | Lighting source unit, illuminating apparatus using the same and display apparatus using the same | |
US7381995B2 (en) | Lighting device with flipped side-structure of LEDs | |
US9257626B2 (en) | Light emitting device package | |
US20050276066A1 (en) | Backlight unit of liquid crystal display | |
US20100237360A1 (en) | Light emitting diode and back light module thereof | |
JP2006339147A (ja) | 可撓性回路担体を使用した光源 | |
KR20050105838A (ko) | 백라이트용 발광 다이오드 어레이 모듈 및 이를 구비한백라이트 유닛 | |
TWI784376B (zh) | 發光裝置以及液晶顯示裝置 | |
KR101494705B1 (ko) | 멀티칩 엘이디 패키지 | |
EP3343649B1 (en) | Light emitting device and integrated light emitting device | |
JP4138261B2 (ja) | 光源装置 | |
JP2001230451A (ja) | 発光ダイオード | |
KR20100118457A (ko) | 백라이트 유닛 및 그의 제조 방법 | |
CN205723605U (zh) | 发光元件、包括其的发光模块、背光单元及显示装置 | |
KR20090047306A (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
KR20220036681A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110428 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110725 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110801 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under section 19 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20111028 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120521 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120711 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120809 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5064639 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |