TW501276B - Opto-electronic element with a semiconductor chip, module with a semiconductor chip, module with a plurality of elements optical display device, illumination or background illumination device, liquid crystal display - Google Patents

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501276 五、發明説明(1 ) 本 發 明 是 有關於具有半導體晶片光電(光學電子)構 件 其 是 •種可表面安裝之光電構件用於安裝於印刷 電 路 板 之 洞 孔(break-through)中。此外,它是有關一種 方 法 用 於 製 造多個此種光電構件,具有多個此種光電構 件 之 模 組 (m odule)、顯示裝置、以及具有此種模具之 照 明 裝 置 或 背景照明裝置。 光 電 構 件 像是發光二極體構件典型地是所謂的放射 式 結 構 形 狀 ,其以插入式安裝固定於印刷電路板上,或 者 以 表 面 可 安裝的結構形狀提供。人們例如可以比較 刊 載 於 S m ens Components 29( 1 99 1 )第 4 冊第 147 至 149 : 由 F. M0llmer,G.Waitt 所著之”SIMENS SMT· TOPLED fill • die OberflSchenmontage。此兩個結構形 狀 型 式 使 得 只有以可觀的技術費用而配置於電路板之 凹 □ 或 洞 孔 中〇 本 發 明 的 目的尤其是發展用於光電構件之結構形狀, 使 得 可 以' 以 小的結構高度,本身尤其以簡單的方式定位 於 電 路 板 凹 口或洞孔中。 此 的 是 藉由具有申請專利範圍第1項特徵之光電 構 件 而 達 成 。在申請專利範圍第6項中說明具有多個 根 據 本 發 明 光電構件之較佳模組。一個具有此種模組 之 較 佳 光 學 顯示裝置,以及具有此種模組之照明或背景 照 明 裝 置 ,是申請專利範圍第9或10項之標的。一較 佳 之 方 法 用 於製造多個根據本發明之構件是申請專利 範 圍 第 1 3項之標的。 ‘ -3 - 501276 五、發明説明(2 ) 藉由在撓性晶片載體上形成導軌此撓性晶片載體本 身是構件之元件,其較佳可以被考慮同時用於構件之封 裝。 較佳此種構件在裝備機器中不是由撓性載體(例如是 封裝帶)拿起,而是此撓性晶片載體相對應於撓性晶片 載體之劃分而切割成構件,並且將此如此獲得之構件設 置在印刷電路板上。個別的封裝帶是在根據本發明之 結構形式中有利地不須要。 在較佳的實施形式中,此撓性晶片載體是塑料箔。因 此產生特別扁平的構件。 在一較佳的實施形式中,此半導體晶片是發光二極體 晶片,其配置於形成於撓性晶片載體之殼體框之中央之 中。因此產生較結構高度之光源,其尤其是用於無線電 行動裝置中之導軌穿孔,例如用於特有之鍵盤或顯示器 之背景照明。 此在申請專利範圍第1,6,9,10與13項中所提及之標 的之有利的其他發展與實施形式,是在此等申請專利範 圍上直接或間接依附之申請專利範圍附屬項中說明。 本發明之其他有利之配置與優點,是在以下與第1至 6圖有關而說明的實施例中產生。 ρ式之簡單說明 第1圖爲根據本發明在發光二極體構件上之俯視圖 之槪要圖式說明, 第2圖爲第1圖之發光二極體構件之橫截面之槪要 -4- 501276 五、發明説明(3 ) 圖式說明。 第3圖爲根據本發明之發光二極體構件之另一個實 施例之俯視圖之槪要圖式說明。 第4圖爲第3圖之發光二極體構件之橫截面之槪要 圖式說明。 第5圖爲具有多個根據本發明之構件之模組之槪要 截面圖式。 第6圖爲具有背景照明裝置(其具有多個根據本發明 之構件)之液晶顯示器之槪要截面圖式。 在不同的實施例中相同或相同作用的組成成份各設 有相同的參考號碼。 此在第1與2圖中所說明的構件例如是發光二極體 構件,並且具有發光半導體晶片1,其包括發光活性層 2。以其底面此半導體晶片1與第1接觸層3導電連 接。此半導體晶片1之表面經由連接線4而與第二接 觸層5連接。此第一接觸層3與第二接觸層5例如是 由金屬箔所製成,其膠合在撓性晶片載體箔6之上。 在另一個半導體晶片1中,此兩個電性連接表面具有 在表面上此兩個連接表面例如借助於連接線(bond wire) 而與接觸3與5連接。此半導體晶片因此可以同樣地 固定在接觸表面3與5之一上,或是在兩個接觸表面3 與5之間。 此半導體晶片1是在具有所形成漏斗形內側8之環 形反射器框架7的中央之中,其較佳形成反射式。因此 501276 五、發明説明(4 ) 此反射器框架7是在此位置,一個由半導體晶片1至其 面所發射之光線掉頭至發射方向9。 此由反射器框架7包圍之內呈是以透明之塡充物質 1 0塡滿,在其中可埋入發光材料色素,其至少將一部份 由半導體晶片1所發出的光線吸收,並且以與吸收光線 不同波長的光線重新發射。 在第3與4圖中是說明與第1與2圖有關之變化實 施例其描述發光二極體構件。在此實施例中此半導體 晶片1是在側表面上傾斜,而固定在第一接觸層3與第 二接觸層5上。在此情況中,活性層2是位於對晶片載 體箔6的直角中。此配置具有優點,其不須要連接線以 便用於將半導體晶片1固定於接觸層上。誠然其缺點 爲,此活性層2的一面由晶片載體箔6取下。此外,此 半導體晶片1之正面與底面至少部份地以材料覆蓋,其 被使用於將半導體晶1固定在第一接觸層3與第二接 觸層5上。相較於此在第1與2圖中所說明之實施例, 因此在此根據第3與4圖之發光二極體中之光線產量 (yield)較小。 作爲用於晶片載體箔6之材料首先考慮溫度固定並 且可金屬化之塑料一箔。此晶片載體箔6例如可以是 以環氧樹脂爲主之晶片載體箔,或是由聚亞胺或聚酯例 如由聚一乙基一萘所製成。作爲用於反射器框架7的 材料尤其適用溫度穩定並且能光學反射之材料,像是 聚·酞醯胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)、以及聚一乙醚一 -6- 501276 五、發明説明(5 ) 乙醚一酮(PEEK)。除此之外還可以考慮其他的熱塑性 塑料,只要它對溫度穩定並且是光學反射式。此種熱塑 性塑料可以藉由埋入色素(像是例如Ti02)而具有非常 高的反射性。
須選擇材料,使得反射器框架i7可以附著在晶片載體 箔6上。爲了改善在反射器框架7與晶片載體箔6之 間連接之牢固性,在晶片載體箔中至少設有穿孔及凹口, 其中嚙合反射器框架7之支撐榫頭1 1。 作爲用於塡充物質10之材料可以考慮用於製造光電 半導體構件通常所使用的反應性樹脂,像是例如環氧樹 脂,砂樹脂或丙烯類似物之化合物。 作爲發光材料例如適用一種以鉋摻雜爲主之釔鋁顆 粒色素,像是例如(Y^-yGdxTbyhaLsOaCe,而 0$ X‘ l,0gy‘ 1 以及 x + y$ 1。
除了發光材料外在此塡滿塊1 0還有一種擴散材料如 二氧化鈦、鋇氧化物、二氧化锆、或雙一三氧化鋁。 此擴散材料有利地有助於所發射光線之均勻之外表形 狀。應該沒有實施光線轉換,而是只有此所發射光線之 擴散,因此在此塡充物質10中可以只包含擴散材料並 且不包括發光材料。 爲了製造發光二極體較佳首先在晶片載體箔帶上膠 合金屬箔,並且然後塗以光阻層。此光阻層被塗層並且 然後此光阻層與金屬箔藉由一個本身所熟知的蝕刻方 法而結構化,因此產生多個接觸層對3與5。然後此光 -7- 501276 五、發明説明(6 ) 阻層之殘餘部份被去除,並且將反射器框架7例如借助 於射出擠壓或射出成形而塗佈在晶片載體箔帶上。爲 了將反射器框架7固定在晶片載體箔6上,而在此箔中 形成洞孔,此反射器框架7可以嚙合於榫1 1中。 對於反射器框架之射出成形或射出壓擠之另一種方 式,可以想像將預先製成的反射器框架7簡單容易地插 在及/或黏在晶片載體箔6上。 然後將各半導體晶片1置放在晶片載體箔帶上。在 將半導體晶片1各自接線之後,以及在晶片1之表面接 觸與接觸層5之間之佈線連接製成之後,將屬於反射器 框架7內室以塡充物質1 0塡滿。此晶片載體箔6然後 被折疊或捲起,因此產生用於發光二極體之可使用之封 裝單元。 對以上所說明方式不同之另一種方式,各反射器框架 7只有在安裝了所屬之半導體晶片1後,才可塗佈在晶 片載體箔6之上。 此在第1至4圖中所說明之實施例中形成帶狀之晶 片載體箔6,其中半導體晶片1成串排列在晶片載體箔 6上。此外,晶片載體箔6還須要選擇爲寬,使得多列之 發光二極體晶片可以找到彼此相鄰的位置。 此外可以將多個半導體晶片1配置在僅有的反射器 7中,並且此外以此方式獲得發光二極體組件,其在不同 的顏色中發光或是發出混合顏色的光。 此外,在根據本發明之結構形式中,可以以簡單的方 501276 五、發明説明(7 ) 式在晶片載體箔6之反面尤其是整個表面設有金屬化 層或金屬化結構,其在高頻使用時可用於屏蔽干擾波。
在此所說明之結構形狀藉由其比較小的位置須求而 突顯其特色,藉由此可能產生幾乎完全深埋在印刷電路 板洞孔中。此外,此撓性之晶片載體箔6可以沒有困難 地適應不同的空間之實際情況。此外由於通常此晶片 載體箔6形成得薄,此發光二極體通常具有較小的結構 高度。因此產生特別扁平的構件。 另一個優點是,此晶片載體箔6與反射器框架7可由 此種材料構成,其具有相同或至少非常接近之熱膨脹係 數。因此,此發光二極體之可靠度在溫度循環中非常的 高。
其最後還有優點,此藉助於晶片載體箔6所製成之發 光二極體構件不再須要另外特別之封裝帶用於封裝與 運輸。此撓性晶片載體箔可以有利地完全擔任封裝帶 之角色,如同其在lead frame 技術中所須要者。 此晶片載體箔帶較佳是在將此組件安裝於所想要的 各個構件或構件組(其由多個構件形成)中之前,才迅速 地切開。 如果如此製成之發光二極體構件例如使用於行動式 無線電裝置之鍵盤背景照明,此晶片載體箔可以在用於 行動式無線電裝置之生產線上被分開,並且此所設之發 光二極體之組一起使用於行動式無線電裝置中。在此 種應用中是適合將此用於驅動發光二極體晶片所須之 -9- 501276 五、發明説明(8 ) 電路形成於晶片載體箔6上。 此方法在以上根據發光二極體說明。然而它還可以 將其他的半導體晶片,以此說明之方法與方式封裝,並 且使得可以使用。 在第5圖中顯示模組(module),其具有多個根據本發 明之構件。在載體元件1 9(例如是印刷電路板)中形成 多個洞孔20。此外,此載體元件19具有發射面21。 在此載體元件19之面對發射面21之面上,將多個根 據本發明之光線發射構件固定,其中光線發射構件各殼 體框架7突入洞孔20中,並且發射方向24穿過洞孔20 而延伸。 此晶片載體6與此等構件之電性導軌3與5是設置 於此載體元件1 9之面對發射面21的表面上。爲了固 定構件可以使用粘貼式連接或焊接式連接。由於形成 較佳平坦晶片載體6之原因,其水平與垂直位置的須求 明顯地小於在根據習知技術中所製之構件者。本發明 尤其使得此等構件至少可以作部份埋入式的安裝。 由於所形成撓性晶片載體6之故,此構件是足夠的撓 性,以便將壓力或變形以撓性或許也許塑性的方式支撐, 而沒有將有害之壓力傳送至殼體或位於其中之發光晶 片。此種安裝配置尤其適合用於緊密封裝之扁平顯示 模組。 較佳此載體或至少此光線發射表面能夠吸收光線,例 如使得變黑,因此可以將各個發光構件相對於其周圍的 -10- 501276 五、發明説明(9 ) 對比提高。這尤其有利地設置於作爲顯示裝置的配置 中 〇 在第6圖中顯示根據本發明構件之另一個配置。不 同於先前所說明的配置,此在第6圖中所顯示之配置尤 其適合作爲例如用於液晶顯示器之背景照明。 在載體1 9上如同在上一個實施例中根據本發明將光 線發射構件埋入式安裝。在光線發射側將載體或構件 額外配置擴散板22。此外,此載體1 9或至少載體1 9之 光線發射側表面較佳實施均勻地擴散反射,例如是白 色。因此使得在非常扁平的結構中可以有相當均勻的 背景照明。此擴散板被額外配置於待照明之液晶顯示 器(LCD)23。
此載體1 9可以不但如以上所說明是僵硬而且可以是 撓性,例如成塑料成陶瓷箔之形式,因此此背景照明或 顯示模組以簡單的方式適應不同的形狀,並且甚至可以 有利地安裝於本身變化的表面上。 本發明之根據此等所顯示之實施例之說明顯然不能 被理解爲作爲本發明之限制,例如晶片可以直接地安裝 (例如粘貼)於晶片載體之晶片安裝表面上,並且此晶片 僅僅藉助於佈線連接而與導軌電性連接。此晶片同樣 可以在各別的熱接合中安裝,其埋入於此晶片載體中, 並且再度借助於電性佈線連接而與導軌連接。所有這 些實施形式均不能偏離本發明之基本思想。 -11- 501276 五、發明説明(1()) 符號說明 1.. .半導體晶片 2.. .活性層 3 ...接觸層 4 ...連接線 5 ...接觸層 6.. .晶片載體箔 7.. .反射器框架 8…內側 9 ...發射方向 10.. .塡充材料 19…載體元件 2 0 ...洞孔 2 1…發射面 2 2 ...擴散板 24.. .發射方向 -12-

Claims (1)

  1. 501276 六、申請專利範圍 第90120710號「具有半導體晶片之光電構件、具有多個構件 之模組、光學顯示裝置、照明或背景照明裝置、液晶顯示器、 製造與封裝多個構件之方法」專利案 (91年2月修正) 六申請專利範圍 1. 一種具有半導體晶片(1)之光電構件,其安裝於撓性晶片載 "i S 體(6)上,其特徵爲 Π 其中在第一主要表面上形成導軌(3,5)用於電性連接性 Ιΐ 此等半導體晶片(1),並且在此表面上配置殼體框架(7),其 史 寫% 以可透光介質,尤其以塡充材料塡滿。 Ϊ 5 2.如申請專利範圍第1項之構件,其中 是》S I I 此半導體晶片是發光二極體晶片(1)。 $ $ 3.如申請專利範圍第2項之構件,其中 :ί 此殻體框架(7)之內部表面形成作爲反射器,其將由半導 體晶片(1)側面對發射方向(9)所發射之電磁射線反轉方向, 及/或將一個由在構件外部所產生由半導體晶片(1)可接收 之電磁射線對此反轉方向。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之構件,其中 在此晶片載體(6)之面對第一主要表面之第二主要表面 上形成屏蔽層用以屏蔽干擾波。 5. 如申請專利範圍第1或2項之構件,其中 此塡充材料包括發光材料及/或擴散材料。 6. —種模組,其具有多個如申請專利範圍第2至5項中任一 項之構件,其特徵爲: 其中載軌構件(1 9)設有多個洞孔(20),並且此等構件各 5〇1276 六、申請專利範圍 與晶片載體(6)須固定於載體元件(19)之構件面,使得此等 載體框架(7)各突出進入或突出穿過各此等洞孔(20)中。 7·如申請專利範圍第6項之模組,其中 此載體元件(19)形成撓性。 f堺 8.如申請專利範圍第6或7項之模組,其中 ' 在載體(19)上形成電性線路結構,用於電性連接此等構 變 €. 示 件。 質 内 容 是艿 否 准 予甩 修所 正提 〇之 9· 一種光學顯示裝置,具有如申請專利範圍第6至8項中任 一項之模組,其特徵爲: 此等載體元件(19)之光線發射表面會吸收光線(尤其會 變黑)。 10·—種照明或背景照明裝置,其具有如申請專利範圍第6至 8項中任一項之模組,其特徵爲: 此等載體元件(19)之光線發射表面擴散式地反射尤其 成爲白色光。 U·如申請專利範圍第10項之照明或背景照明裝置,其中此載 體元件(1 9)之光線發射側額外地配置擴散板(22)。 12· —種液晶顯示器,其特徵爲: 它是配置於如申請專利範圍第10或11項之裝置之背 向觀看面之面上。 也一種製造與封裝多個如申請專利範圍第1至5項中任一 項之構件所用之方法,其特徵爲具有以下步驟: a) 提供一些晶片載體箔帶; b) 製造多個導軌對(3,5),用於在晶片載體箔帶上之各半導 501276 六、申請專利範圍 體晶片(1), c) 在晶片載體箔帶之各位置上形成各殻體框架(7),在其t (尤其借助於射出成形射出壓擠方法)設置各個構件之 半導體晶片U)或半導體晶片配置, d) 在此晶片載體箔帶上安裝多個半導體晶片(1),以及
    e) 將此由殼體框架(7)所形成之發射窗口,至少以_ (10)部份地塡滿。 K如申請專利範圍第13項之方法,其中 被發 此具有安裝與封裝之半導體晶片之晶片載體箱帶 展成具有多個可表面安裝構件之封裝單元。
TW090120710A 2000-08-23 2001-08-23 Opto-electronic element with a semiconductor chip, module with a semiconductor chip, module with a plurality of elements optical display device, illumination or background illumination device, liquid crystal display TW501276B (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
DE10234978A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1525619A1 (de) 2002-07-31 2005-04-27 Osram Opto Semiconductors GmbH Oberflächenmontierbares halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
EP1388916A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-11 Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - Optoelectronic package
DE10245933B4 (de) * 2002-09-30 2013-10-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms
DE10252357B4 (de) * 2002-11-11 2012-06-06 Giesecke & Devrient Gmbh Chipmodul für eine Chipkarte
DE10303969B4 (de) * 2003-01-31 2008-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung mit einem Leuchtdiodenträger und einer Mehrzahl von Leuchtdioden
DE10307800A1 (de) * 2003-02-24 2004-09-02 Vishay Semiconductor Gmbh Halbleiterbauteil
DE10321257B4 (de) * 2003-05-06 2006-04-27 Infineon Technologies Ag Optische oder optoelektronische Anordnung mit mindestens einem auf einem Metallträger angeordneten optoelektronischen Bauelement
DE10324909B4 (de) * 2003-05-30 2017-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement
JP4934944B2 (ja) * 2003-11-04 2012-05-23 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置の製造方法
DE102004013680A1 (de) * 2004-03-18 2005-10-20 Siemens Ag Lichtquelle für Bilderzeugungseinheit
JP4754850B2 (ja) * 2004-03-26 2011-08-24 パナソニック株式会社 Led実装用モジュールの製造方法及びledモジュールの製造方法
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP4673610B2 (ja) * 2004-11-25 2011-04-20 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
EP1524705B1 (en) * 2005-01-12 2008-03-12 NeoBulb Technologies, Inc. Flip chip type LED lighting device and its manufacturing method
TWI256737B (en) * 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
DE102005055293A1 (de) 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip
JP4262726B2 (ja) 2005-08-24 2009-05-13 任天堂株式会社 ゲームコントローラおよびゲームシステム
DE102006032428A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
JP2009517853A (ja) * 2005-11-28 2009-04-30 ネオバルブ テクノロジーズ,インコーポレイテッド 半導体向けマルチチップモジュール単一パッケージ構造
TWI378742B (en) * 2005-12-09 2012-12-01 Epistar Corp Multiphase driving method and device for ac_led
JP5956937B2 (ja) * 2006-02-03 2016-07-27 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法
JP5232369B2 (ja) * 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
DE102006008793A1 (de) * 2006-02-24 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
JP5052829B2 (ja) * 2006-06-19 2012-10-17 住友化学株式会社 カプセル状マイクロ発光素子の製造方法
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
DE102007004303A1 (de) 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP4775578B2 (ja) * 2006-10-26 2011-09-21 ミネベア株式会社 面状照明装置
DE102007004304A1 (de) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
TW200848782A (en) * 2007-04-03 2008-12-16 Koninkl Philips Electronics Nv Light output device
JP2009094282A (ja) * 2007-10-09 2009-04-30 Cosmo Electronics Corp ハイパワー発光ダイオード構造
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
DE102008013898A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
WO2009119847A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 京セラ株式会社 光学デバイスおよび光学デバイスの製造方法
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US9480133B2 (en) * 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
DE102010007476B4 (de) * 2010-02-09 2015-07-23 Alre-It Regeltechnik Gmbh Monochromes Display mit farbig hervorgehobenen Bereichen und Regler mit einem derartigen Display
KR101055003B1 (ko) * 2010-03-09 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지, 조명 시스템, 및 발광 소자 제조방법
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
DE102010025319B4 (de) 2010-06-28 2022-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8486724B2 (en) 2010-10-22 2013-07-16 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level reflector for LED packaging
JP2011171765A (ja) * 2011-05-24 2011-09-01 Towa Corp 光デバイス及び光デバイスの組立方法
JP2011187979A (ja) * 2011-05-24 2011-09-22 Towa Corp 保護用全体部材付の全体基板及びその製造方法
CN102832142A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 弘凯光电股份有限公司 封装结构的制造方法
CN103000794B (zh) * 2011-09-14 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
JP2013179271A (ja) * 2012-01-31 2013-09-09 Rohm Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
DE102012202102A1 (de) * 2012-02-13 2013-08-14 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit Volumenstrahler-LED-Chips auf einem gemeinsamen Substrat
US9081226B2 (en) * 2012-03-29 2015-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting module
CN103775860A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 欧司朗股份有限公司 Led发光模块及灯具
JP2013225713A (ja) * 2013-08-08 2013-10-31 Towa Corp 光デバイスの生産方法
WO2015036887A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Koninklijke Philips N.V. Frame based package for flip-chip led
GB2519587A (en) 2013-10-28 2015-04-29 Barco Nv Tiled Display and method for assembling same
US10134714B2 (en) * 2013-11-08 2018-11-20 Osram Sylvania Inc. Flexible circuit board for LED lighting fixtures
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
DE102014112818A1 (de) * 2014-09-05 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
WO2017005704A1 (en) * 2015-07-08 2017-01-12 Firecomms Limited An optoelectronic device
JP6720814B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN108540086A (zh) * 2018-01-18 2018-09-14 浙江人和光伏科技有限公司 一种太阳能电池接线盒的导电模块
DE102018125127A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4919788A (zh) 1972-02-28 1974-02-21
US4241277A (en) 1979-03-01 1980-12-23 Amp Incorporated LED Display panel having bus conductors on flexible support
JPS6125276Y2 (zh) 1980-11-17 1986-07-29
JPS5789276A (en) * 1980-11-26 1982-06-03 Alps Electric Co Ltd Photo chip element
DE3148843C2 (de) * 1981-12-10 1986-01-02 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Mehrfach-Leuchtdiodenanordnung
JPS58118758U (ja) * 1982-02-05 1983-08-13 スタンレー電気株式会社 Led表示装置
JPS5978584A (ja) * 1982-10-28 1984-05-07 Toshiba Corp 発光ダイオ−ドシ−トとその製造装置
JPS59107584A (ja) 1982-12-13 1984-06-21 Casio Comput Co Ltd 発光ダイオ−ド
JP2623087B2 (ja) * 1986-09-27 1997-06-25 潤一 西澤 カラーディスプレー装置
US4929965A (en) * 1987-09-02 1990-05-29 Alps Electric Co. Optical writing head
JP2724191B2 (ja) 1989-02-06 1998-03-09 浜松ホトニクス株式会社 光半導体装置及びその製造方法
US5265792A (en) 1992-08-20 1993-11-30 Hewlett-Packard Company Light source and technique for mounting light emitting diodes
JPH06112536A (ja) * 1992-09-30 1994-04-22 Toshiba Lighting & Technol Corp 光源装置およびその製造方法
JP2718621B2 (ja) * 1993-09-16 1998-02-25 ローム株式会社 Led表示ユニット
JP2613846B2 (ja) * 1994-02-04 1997-05-28 帝国通信工業株式会社 電極シート片付きチップ型電子部品
JPH08125228A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Mitsumi Electric Co Ltd 照光式メンブレン基板
DE29504631U1 (de) * 1995-03-17 1995-05-11 Siemens Ag Leuchteinrichtung
JP3535602B2 (ja) * 1995-03-23 2004-06-07 松下電器産業株式会社 面実装型led
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11121808A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Idec Izumi Corp Led表示用デバイス
US6113248A (en) 1997-10-20 2000-09-05 The Standard Products Company Automated system for manufacturing an LED light strip having an integrally formed connector
TW408497B (en) * 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JPH11284233A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Stanley Electric Co Ltd 平面実装型led素子
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
DE19951865A1 (de) * 1998-12-22 2000-08-03 Mannesmann Vdo Ag Leiterplatte mit einer Lichtquelle
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
AU3226101A (en) * 2000-02-09 2001-08-20 Nippon Leiz Corporation Light source
US6712529B2 (en) * 2000-12-11 2004-03-30 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same
US6833566B2 (en) * 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8319248B2 (en) 2007-12-03 2012-11-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US8659050B2 (en) 2007-12-03 2014-02-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US8963196B2 (en) 2007-12-03 2015-02-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
TWI481070B (zh) * 2007-12-03 2015-04-11 Seoul Semiconductor Co Ltd 薄型發光二極體封裝
US9412913B2 (en) 2007-12-03 2016-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US9530942B2 (en) 2007-12-03 2016-12-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US9899573B2 (en) 2007-12-03 2018-02-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package

Also Published As

Publication number Publication date
CN1237629C (zh) 2006-01-18
DE10041328B4 (de) 2018-04-05
EP1312124B1 (de) 2014-10-01
DE10041328A1 (de) 2002-03-14
EP1312124A1 (de) 2003-05-21
US20040047151A1 (en) 2004-03-11
JP5064639B2 (ja) 2012-10-31
US7446347B2 (en) 2008-11-04
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JP2004507114A (ja) 2004-03-04

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