JP2004363843A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004363843A JP2004363843A JP2003158813A JP2003158813A JP2004363843A JP 2004363843 A JP2004363843 A JP 2004363843A JP 2003158813 A JP2003158813 A JP 2003158813A JP 2003158813 A JP2003158813 A JP 2003158813A JP 2004363843 A JP2004363843 A JP 2004363843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- supply voltage
- channel mos
- mos transistor
- level shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356104—Bistable circuits using complementary field-effect transistors
- H03K3/356113—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】2系統の電源電圧のみで動作可能であり、かつ、大きなレベルシフト能力を有するレベルシフト回路を内蔵した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】この半導体集積回路は、第1の電源電圧と第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧とが供給されて動作する半導体集積回路であって、第2の電源電圧を降下させるための少なくとも1つのトランジスタQN1と、第2の電源電圧から少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号のレベルをシフトさせる第1段のレベルシフタと、第2の電源電圧で動作し、少なくとも1段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる第2段のレベルシフタとを具備する。
【選択図】 図1
【解決手段】この半導体集積回路は、第1の電源電圧と第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧とが供給されて動作する半導体集積回路であって、第2の電源電圧を降下させるための少なくとも1つのトランジスタQN1と、第2の電源電圧から少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号のレベルをシフトさせる第1段のレベルシフタと、第2の電源電圧で動作し、少なくとも1段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる第2段のレベルシフタとを具備する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、ICやLSI等の半導体集積回路に関し、特に、複数の電源電圧が供給されて動作する半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、各種の電子機器の高速動作や低消費電力を実現するために、これらの電子機器において使用されるICやLSI等の半導体集積回路の高集積化や低電圧化が進んでいる。しかし、全ての半導体集積回路の動作電圧を一律に低電圧化することは、デバイス固有の特性を考慮すると、極めて困難である。従って、異なる電源電圧で動作する複数の半導体集積回路が互いに接続される場合が生じる。
【0003】
そのような場合に対応するために、低い電源電圧が供給されて動作する回路から出力される信号のレベルを高めて、高い電源電圧が供給されて動作する回路に供給するレベルシフト回路を内蔵した半導体集積回路が開発されている。図3に、従来の半導体集積回路におけるレベルシフト回路の例を示す。
【0004】
図3に示すレベルシフト回路(レベルシフタ)は、PチャネルMOSトランジスタQP11及びNチャネルMOSトランジスタQN11によって構成される第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタQP12及びNチャネルMOSトランジスタQN12によって構成される第2のインバータと、電源電圧HVDDと第1のインバータとの間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP13と、電源電圧HVDDと第2のインバータとの間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP14とを含んでいる。トランジスタQP13のゲートには、第2のインバータの出力信号が供給され、トランジスタQP14のゲートには、第1のインバータの出力信号が供給される。
【0005】
第1のインバータの入力と第2のインバータの入力との間には、電源電圧LVDDが供給されて動作するインバータ10が挿入されている。一方、トランジスタQP13及びQP14のソースには、電源電圧HVDDが供給される。これにより、レベルシフタに入力される0〜LVDDのレベルの信号が、0〜HVDDのレベルの信号として出力される。
【0006】
しかしながら、電源電圧LVDDが低くなって電源電圧HVDDとの差が大きくなると、レベルシフタが正常に動作しなくなるおそれがある。一般的には、電源電圧LVDDが、LVDD<HVDD/3の関係式で表される程に低くなると、レベルシフタが正常に動作しなくなることが多い。例えば、電源電圧HVDDが3.6Vである場合に、電源電圧LVDDが1.2Vよりも低いと、レベルシフタが正常に動作しなくなる。
【0007】
ところで、下記の特許文献1には、レベル変換動作の動作ミニマム(回路パフォーマンス)を改善できるレベル変換器が開示されている。このレベル変換器によれば、3段以上のレベルシフタを従属接続し、1段目のレベルシフタで入力信号をVH−VSS間の電圧に変換し、2段目のレベルシフタでVH−VSS間の電圧をVH−VL1間の電圧に変換した後、3段目のレベルシフタでVH−VL1間の電圧をVH−VL2間の電圧に変換する。ここで、VH>VSS>VL1>VL2の関係がある。これにより、各レベルシフタ間における耐圧を一定範囲内とし、且つ各レベルシフタ間の変換電位差を小さくできるので、変換動作のパーフォーマンスを上げることができる。
【0008】
このレベル変換器は、多数のレベルシフタを多数の異なる電源電圧にそれぞれ接続することにより、段階的に信号レベルをシフトさせるものである。しかしながら、多数の異なる電源電圧を発生させるためには多数の電源回路が必要になるので、入力系と出力系の2系統の電源電圧のみで同様の動作を行うレベルシフト回路が要望される。
【0009】
【特許文献1】
特開2002−204153号公報(第1頁、図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の目的は、2系統の電源電圧のみで動作可能であり、かつ、大きなレベルシフト能力を有するレベルシフト回路を内蔵した半導体集積回路を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路は、第1の電源電圧と第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧とが供給されて動作する半導体集積回路であって、第2の電源電圧を降下させるための少なくとも1つのトランジスタと、第2の電源電圧から少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号のレベルをシフトさせる少なくとも1段のレベルシフタと、第2の電源電圧で動作し、少なくとも1段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる終段のレベルシフタとを具備する。
【0012】
ここで、少なくとも1つのトランジスタが、飽和接続されたNチャネルMOSトランジスタを含むようにしても良い。また、少なくとも1つのトランジスタのしきい電圧が、他のトランジスタのしきい電圧よりも大きくなるようにしても良い。さらに、少なくとも1段のレベルシフタが、第2の電源電圧からNi個のトランジスタを介して供給される電圧で動作する第i段(i=1、2、・・・、M、ただし、Mは自然数)のレベルシフタを含み、N1>N2>・・・>NMであるようにしても良い。
【0013】
以上において、少なくとも1段のレベルシフタにおける初段のレベルシフタが、第1の電源電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号を反転する入力インバータと、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号を反転して第1の出力信号を生成する第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、入力インバータから出力される信号を反転して第2の出力信号を生成する第2のインバータと、少なくとも1つのトランジスタと第1のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第2の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、少なくとも1つのトランジスタと第2のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第1の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタとを含むようにしても良い。
【0014】
また、少なくとも1段のレベルシフタにおける第2段以降のレベルシフタ、又は、終段のレベルシフタが、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、前段のレベルシフタの一方の出力信号を反転して第1の出力信号を生成する第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、前段のレベルシフタの他方の出力信号を反転して第2の出力信号を生成する第2のインバータと、少なくとも1つのトランジスタと第1のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第2の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、少なくとも1つのトランジスタと第2のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第1の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタとを含むようにしても良い。
【0015】
以上の様に構成した本発明によれば、第2の電源電圧から少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作する少なくとも1段のレベルシフタと、第2の電源電圧で動作する終段のレベルシフタとを設けるようにしたので、2系統の電源電圧のみで動作可能であり、かつ、大きなレベルシフト能力を有するレベルシフタを内蔵した半導体集積回路を提供することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の要素には同一の番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路に含まれているレベルシフト回路の構成を示す図である。この半導体集積回路は、第1の電源電圧LVDDと、それよりも高い第2の電源電圧HVDD(本実施形態においては、3.6Vとする)とが供給されて動作する。
【0017】
図1に示すように、このレベルシフト回路は、第2の電源電圧HVDDを降下させるための少なくとも1つのトランジスタ(図1においては、NチャネルMOSトランジスタQN1を示す)と、第2の電源電圧HVDDからトランジスタQN1を介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される信号のレベルをシフトさせる第1段のレベルシフタと、第2の電源電圧HVDDで動作し、第1段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる第2段のレベルシフタとを有している。
【0018】
ここで、トランジスタQN1は飽和接続されており、そのしきい電圧VTHN(本実施形態においては、0.6Vとする)と等しい電圧降下をドレイン・ソース間に生じさせる。なお、トランジスタQN1のしきい電圧VTHNは、他のNチャネルMOSトランジスタやPチャネルMOSトランジスタのしきい電圧より大きくなるようにしても良い。
【0019】
第1段のレベルシフタは、第1の電源電圧LVDDで動作する入力インバータ10と、PチャネルMOSトランジスタQP11及びNチャネルMOSトランジスタQN11によって構成される第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタQP12及びNチャネルMOSトランジスタQN12によって構成される第2のインバータと、トランジスタQN1とトランジスタQP11との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP13と、トランジスタQN1とトランジスタQP12との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP14とを含んでいる。
【0020】
第1段のレベルシフタにおいて、入力インバータ10は、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される入力信号を反転する。また、第1のインバータは、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される入力信号を反転して、第1の出力信号を生成する。一方、第2のインバータは、入力インバータ10から出力される信号を反転して、第2の出力信号を生成する。第1の出力信号は、トランジスタQP14のゲートに印加され、第2の出力信号は、トランジスタQP13のゲートに印加される。
【0021】
第2段のレベルシフタは、PチャネルMOSトランジスタQP21及びNチャネルMOSトランジスタQN21によって構成される第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタQP22及びNチャネルMOSトランジスタQN22によって構成される第2のインバータと、第2の電源電圧HVDDとトランジスタQP21との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP23と、第2の電源電圧HVDDとトランジスタQP22との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP24とを含んでいる。
【0022】
第2段のレベルシフタにおいて、第1のインバータは、第1段のレベルシフタの第2の出力信号を反転して、第1の出力信号を生成する。第2のインバータは、第1段のレベルシフタの第1の出力信号を反転して、第2の出力信号を生成する。第2段のレベルシフタの第1の出力信号は、トランジスタQP24のゲートに印加され、第2段のレベルシフタの第2の出力信号は、トランジスタQP23のゲートに印加される。本実施形態においては、第2段のレベルシフタの第2の出力信号が、レベルシフト回路の出力信号として外部に出力される。
【0023】
ここで、第1段のレベルシフタにおけるトランジスタQP13及びQP14のソースには、第2の電源電圧HVDDからトランジスタQN1による電圧降下分VTHNを引いた電圧が印加される。一般に、第1の電源電圧LVDDがLVDD<HVDD/3となる場合にレベルシフタが正常に動作しなくなると仮定すると、第2の電源電圧HVDDを降下させるためのN個のトランジスタによる電圧降下分N・VTHNを考慮して、第1段のレベルシフタが正常に動作する電源電圧LVDDの範囲は、次式で求められる。
LVDD≧(HVDD−N・VTHN)/3 ・・・(1)
【0024】
(1)式において、HVDD=3.6V、VTHN=0.6Vとすると、N=1の場合に、LVDD≧1Vとなる。第2段のレベルシフタは十分な余裕を持って動作するので、レベルシフト回路全体として、1V系の回路から入力される入力信号のレベルを、3.6V系の回路に適合するレベルにシフトすることができ、シフトの比は3.6倍となる。同様に、N=2の場合には、LVDD≧0.8Vとなり、シフトの比は4.5倍となる。また、N=3の場合には、LVDD≧0.6Vとなり、シフトの比は6倍となる。この場合には、トランジスタQN11、QN12、QN21、QN22のしきい電圧は、トランジスタQN1のしきい電圧よりも小さいことが望ましい。
【0025】
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路に含まれているレベルシフト回路の構成を示す図である。この半導体集積回路は、第1の電源電圧LVDDと、それよりも高い第2の電源電圧HVDDとが供給されて動作する。
【0026】
図2に示すように、このレベルシフト回路は、第2の電源電圧HVDDから少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される信号のレベルを順次シフトさせるM段(Mは自然数)のレベルシフタと、第2の電源電圧HVDDで動作し、第M段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる終段のレベルシフタとを有している。第1段のレベルシフタは、図1に示す第1段のレベルシフタと同様の構成であり、第2段〜終段のレベルシフタの各々は、図1に示す第2段のレベルシフタと同様の構成である。
【0027】
第2の電源電圧HVDDと第1段のレベルシフタとの間には、第2の電源電圧HVDDを降下させるために、N1個のトランジスタが直列に接続され、第2の電源電圧HVDDと第2段のレベルシフタとの間には、N2個のトランジスタが直列に接続され、以下同様に、第2の電源電圧HVDDと第M段のレベルシフタとの間には、NM個のトランジスタが接続されている。ここで、次のような関係がある。
N1>N2>・・・>NM
【0028】
本実施形態においては、(1)レベルシフタの段数Mと、(2)第2の電源電圧HVDDと各段のレベルシフタとの間に直列に接続されるトランジスタの数Niとの組合せを選択することにより、入力信号のレベルと出力信号のレベルとの比が数十倍にもなるレベルシフト動作を、高速に行うことが可能となる。
【0029】
例えば、トランジスタのしきい電圧VTHNを0.8Vとすると、第1の電源電圧LVDDが1.0Vで、第2の電源電圧HVDDが3.3Vである場合には、段数M=1、トランジスタの数N1=1として、第1段のレベルシフタによって1.0Vを2.5Vにシフトさせ、終段のレベルシフタによって2.5Vを3.3Vにシフトさせる。
【0030】
また、第1の電源電圧LVDDが1Vで、第2の電源電圧HVDDが20Vである場合には、段数M=2、トランジスタの数N1=22、N2=16として、第1段のレベルシフタによって1.0Vを2.4Vにシフトさせ、第2段のレベルシフタによって2.4Vを7.2Vにシフトさせ、終段のレベルシフタによって7.2Vを20Vにシフトさせる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態におけるレベルシフト回路を示す図。
【図2】本発明の第2の実施形態におけるレベルシフト回路を示す図。
【図3】従来の半導体集積回路におけるレベルシフト回路の例を示す図。
【符号の説明】
10 入力インバータ、 QP11〜QP24 PチャネルMOSトランジスタ、 QN1〜QN22 NチャネルMOSトランジスタ
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、ICやLSI等の半導体集積回路に関し、特に、複数の電源電圧が供給されて動作する半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、各種の電子機器の高速動作や低消費電力を実現するために、これらの電子機器において使用されるICやLSI等の半導体集積回路の高集積化や低電圧化が進んでいる。しかし、全ての半導体集積回路の動作電圧を一律に低電圧化することは、デバイス固有の特性を考慮すると、極めて困難である。従って、異なる電源電圧で動作する複数の半導体集積回路が互いに接続される場合が生じる。
【0003】
そのような場合に対応するために、低い電源電圧が供給されて動作する回路から出力される信号のレベルを高めて、高い電源電圧が供給されて動作する回路に供給するレベルシフト回路を内蔵した半導体集積回路が開発されている。図3に、従来の半導体集積回路におけるレベルシフト回路の例を示す。
【0004】
図3に示すレベルシフト回路(レベルシフタ)は、PチャネルMOSトランジスタQP11及びNチャネルMOSトランジスタQN11によって構成される第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタQP12及びNチャネルMOSトランジスタQN12によって構成される第2のインバータと、電源電圧HVDDと第1のインバータとの間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP13と、電源電圧HVDDと第2のインバータとの間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP14とを含んでいる。トランジスタQP13のゲートには、第2のインバータの出力信号が供給され、トランジスタQP14のゲートには、第1のインバータの出力信号が供給される。
【0005】
第1のインバータの入力と第2のインバータの入力との間には、電源電圧LVDDが供給されて動作するインバータ10が挿入されている。一方、トランジスタQP13及びQP14のソースには、電源電圧HVDDが供給される。これにより、レベルシフタに入力される0〜LVDDのレベルの信号が、0〜HVDDのレベルの信号として出力される。
【0006】
しかしながら、電源電圧LVDDが低くなって電源電圧HVDDとの差が大きくなると、レベルシフタが正常に動作しなくなるおそれがある。一般的には、電源電圧LVDDが、LVDD<HVDD/3の関係式で表される程に低くなると、レベルシフタが正常に動作しなくなることが多い。例えば、電源電圧HVDDが3.6Vである場合に、電源電圧LVDDが1.2Vよりも低いと、レベルシフタが正常に動作しなくなる。
【0007】
ところで、下記の特許文献1には、レベル変換動作の動作ミニマム(回路パフォーマンス)を改善できるレベル変換器が開示されている。このレベル変換器によれば、3段以上のレベルシフタを従属接続し、1段目のレベルシフタで入力信号をVH−VSS間の電圧に変換し、2段目のレベルシフタでVH−VSS間の電圧をVH−VL1間の電圧に変換した後、3段目のレベルシフタでVH−VL1間の電圧をVH−VL2間の電圧に変換する。ここで、VH>VSS>VL1>VL2の関係がある。これにより、各レベルシフタ間における耐圧を一定範囲内とし、且つ各レベルシフタ間の変換電位差を小さくできるので、変換動作のパーフォーマンスを上げることができる。
【0008】
このレベル変換器は、多数のレベルシフタを多数の異なる電源電圧にそれぞれ接続することにより、段階的に信号レベルをシフトさせるものである。しかしながら、多数の異なる電源電圧を発生させるためには多数の電源回路が必要になるので、入力系と出力系の2系統の電源電圧のみで同様の動作を行うレベルシフト回路が要望される。
【0009】
【特許文献1】
特開2002−204153号公報(第1頁、図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の目的は、2系統の電源電圧のみで動作可能であり、かつ、大きなレベルシフト能力を有するレベルシフト回路を内蔵した半導体集積回路を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路は、第1の電源電圧と第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧とが供給されて動作する半導体集積回路であって、第2の電源電圧を降下させるための少なくとも1つのトランジスタと、第2の電源電圧から少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号のレベルをシフトさせる少なくとも1段のレベルシフタと、第2の電源電圧で動作し、少なくとも1段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる終段のレベルシフタとを具備する。
【0012】
ここで、少なくとも1つのトランジスタが、飽和接続されたNチャネルMOSトランジスタを含むようにしても良い。また、少なくとも1つのトランジスタのしきい電圧が、他のトランジスタのしきい電圧よりも大きくなるようにしても良い。さらに、少なくとも1段のレベルシフタが、第2の電源電圧からNi個のトランジスタを介して供給される電圧で動作する第i段(i=1、2、・・・、M、ただし、Mは自然数)のレベルシフタを含み、N1>N2>・・・>NMであるようにしても良い。
【0013】
以上において、少なくとも1段のレベルシフタにおける初段のレベルシフタが、第1の電源電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号を反転する入力インバータと、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号を反転して第1の出力信号を生成する第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、入力インバータから出力される信号を反転して第2の出力信号を生成する第2のインバータと、少なくとも1つのトランジスタと第1のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第2の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、少なくとも1つのトランジスタと第2のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第1の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタとを含むようにしても良い。
【0014】
また、少なくとも1段のレベルシフタにおける第2段以降のレベルシフタ、又は、終段のレベルシフタが、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、前段のレベルシフタの一方の出力信号を反転して第1の出力信号を生成する第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、前段のレベルシフタの他方の出力信号を反転して第2の出力信号を生成する第2のインバータと、少なくとも1つのトランジスタと第1のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第2の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、少なくとも1つのトランジスタと第2のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、第1の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタとを含むようにしても良い。
【0015】
以上の様に構成した本発明によれば、第2の電源電圧から少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作する少なくとも1段のレベルシフタと、第2の電源電圧で動作する終段のレベルシフタとを設けるようにしたので、2系統の電源電圧のみで動作可能であり、かつ、大きなレベルシフト能力を有するレベルシフタを内蔵した半導体集積回路を提供することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の要素には同一の番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路に含まれているレベルシフト回路の構成を示す図である。この半導体集積回路は、第1の電源電圧LVDDと、それよりも高い第2の電源電圧HVDD(本実施形態においては、3.6Vとする)とが供給されて動作する。
【0017】
図1に示すように、このレベルシフト回路は、第2の電源電圧HVDDを降下させるための少なくとも1つのトランジスタ(図1においては、NチャネルMOSトランジスタQN1を示す)と、第2の電源電圧HVDDからトランジスタQN1を介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される信号のレベルをシフトさせる第1段のレベルシフタと、第2の電源電圧HVDDで動作し、第1段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる第2段のレベルシフタとを有している。
【0018】
ここで、トランジスタQN1は飽和接続されており、そのしきい電圧VTHN(本実施形態においては、0.6Vとする)と等しい電圧降下をドレイン・ソース間に生じさせる。なお、トランジスタQN1のしきい電圧VTHNは、他のNチャネルMOSトランジスタやPチャネルMOSトランジスタのしきい電圧より大きくなるようにしても良い。
【0019】
第1段のレベルシフタは、第1の電源電圧LVDDで動作する入力インバータ10と、PチャネルMOSトランジスタQP11及びNチャネルMOSトランジスタQN11によって構成される第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタQP12及びNチャネルMOSトランジスタQN12によって構成される第2のインバータと、トランジスタQN1とトランジスタQP11との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP13と、トランジスタQN1とトランジスタQP12との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP14とを含んでいる。
【0020】
第1段のレベルシフタにおいて、入力インバータ10は、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される入力信号を反転する。また、第1のインバータは、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される入力信号を反転して、第1の出力信号を生成する。一方、第2のインバータは、入力インバータ10から出力される信号を反転して、第2の出力信号を生成する。第1の出力信号は、トランジスタQP14のゲートに印加され、第2の出力信号は、トランジスタQP13のゲートに印加される。
【0021】
第2段のレベルシフタは、PチャネルMOSトランジスタQP21及びNチャネルMOSトランジスタQN21によって構成される第1のインバータと、PチャネルMOSトランジスタQP22及びNチャネルMOSトランジスタQN22によって構成される第2のインバータと、第2の電源電圧HVDDとトランジスタQP21との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP23と、第2の電源電圧HVDDとトランジスタQP22との間に接続されたPチャネルMOSトランジスタQP24とを含んでいる。
【0022】
第2段のレベルシフタにおいて、第1のインバータは、第1段のレベルシフタの第2の出力信号を反転して、第1の出力信号を生成する。第2のインバータは、第1段のレベルシフタの第1の出力信号を反転して、第2の出力信号を生成する。第2段のレベルシフタの第1の出力信号は、トランジスタQP24のゲートに印加され、第2段のレベルシフタの第2の出力信号は、トランジスタQP23のゲートに印加される。本実施形態においては、第2段のレベルシフタの第2の出力信号が、レベルシフト回路の出力信号として外部に出力される。
【0023】
ここで、第1段のレベルシフタにおけるトランジスタQP13及びQP14のソースには、第2の電源電圧HVDDからトランジスタQN1による電圧降下分VTHNを引いた電圧が印加される。一般に、第1の電源電圧LVDDがLVDD<HVDD/3となる場合にレベルシフタが正常に動作しなくなると仮定すると、第2の電源電圧HVDDを降下させるためのN個のトランジスタによる電圧降下分N・VTHNを考慮して、第1段のレベルシフタが正常に動作する電源電圧LVDDの範囲は、次式で求められる。
LVDD≧(HVDD−N・VTHN)/3 ・・・(1)
【0024】
(1)式において、HVDD=3.6V、VTHN=0.6Vとすると、N=1の場合に、LVDD≧1Vとなる。第2段のレベルシフタは十分な余裕を持って動作するので、レベルシフト回路全体として、1V系の回路から入力される入力信号のレベルを、3.6V系の回路に適合するレベルにシフトすることができ、シフトの比は3.6倍となる。同様に、N=2の場合には、LVDD≧0.8Vとなり、シフトの比は4.5倍となる。また、N=3の場合には、LVDD≧0.6Vとなり、シフトの比は6倍となる。この場合には、トランジスタQN11、QN12、QN21、QN22のしきい電圧は、トランジスタQN1のしきい電圧よりも小さいことが望ましい。
【0025】
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路に含まれているレベルシフト回路の構成を示す図である。この半導体集積回路は、第1の電源電圧LVDDと、それよりも高い第2の電源電圧HVDDとが供給されて動作する。
【0026】
図2に示すように、このレベルシフト回路は、第2の電源電圧HVDDから少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧LVDDで動作する回路から入力される信号のレベルを順次シフトさせるM段(Mは自然数)のレベルシフタと、第2の電源電圧HVDDで動作し、第M段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる終段のレベルシフタとを有している。第1段のレベルシフタは、図1に示す第1段のレベルシフタと同様の構成であり、第2段〜終段のレベルシフタの各々は、図1に示す第2段のレベルシフタと同様の構成である。
【0027】
第2の電源電圧HVDDと第1段のレベルシフタとの間には、第2の電源電圧HVDDを降下させるために、N1個のトランジスタが直列に接続され、第2の電源電圧HVDDと第2段のレベルシフタとの間には、N2個のトランジスタが直列に接続され、以下同様に、第2の電源電圧HVDDと第M段のレベルシフタとの間には、NM個のトランジスタが接続されている。ここで、次のような関係がある。
N1>N2>・・・>NM
【0028】
本実施形態においては、(1)レベルシフタの段数Mと、(2)第2の電源電圧HVDDと各段のレベルシフタとの間に直列に接続されるトランジスタの数Niとの組合せを選択することにより、入力信号のレベルと出力信号のレベルとの比が数十倍にもなるレベルシフト動作を、高速に行うことが可能となる。
【0029】
例えば、トランジスタのしきい電圧VTHNを0.8Vとすると、第1の電源電圧LVDDが1.0Vで、第2の電源電圧HVDDが3.3Vである場合には、段数M=1、トランジスタの数N1=1として、第1段のレベルシフタによって1.0Vを2.5Vにシフトさせ、終段のレベルシフタによって2.5Vを3.3Vにシフトさせる。
【0030】
また、第1の電源電圧LVDDが1Vで、第2の電源電圧HVDDが20Vである場合には、段数M=2、トランジスタの数N1=22、N2=16として、第1段のレベルシフタによって1.0Vを2.4Vにシフトさせ、第2段のレベルシフタによって2.4Vを7.2Vにシフトさせ、終段のレベルシフタによって7.2Vを20Vにシフトさせる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態におけるレベルシフト回路を示す図。
【図2】本発明の第2の実施形態におけるレベルシフト回路を示す図。
【図3】従来の半導体集積回路におけるレベルシフト回路の例を示す図。
【符号の説明】
10 入力インバータ、 QP11〜QP24 PチャネルMOSトランジスタ、 QN1〜QN22 NチャネルMOSトランジスタ
Claims (6)
- 第1の電源電圧と第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧とが供給されて動作する半導体集積回路であって、
第2の電源電圧を降下させるための少なくとも1つのトランジスタと、
第2の電源電圧から前記少なくとも1つのトランジスタを介して供給される電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号のレベルをシフトさせる少なくとも1段のレベルシフタと、
第2の電源電圧で動作し、前記少なくとも1段のレベルシフタから入力される信号のレベルをシフトさせる終段のレベルシフタと、
を具備する半導体集積回路。 - 前記少なくとも1つのトランジスタが、飽和接続されたNチャネルMOSトランジスタを含む、請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記少なくとも1つのトランジスタのしきい電圧が、他のトランジスタのしきい電圧よりも大きい、請求項1又は2記載の半導体集積回路。
- 前記少なくとも1段のレベルシフタが、第2の電源電圧からNi個のトランジスタを介して供給される電圧で動作する第i段(i=1、2、・・・、M、ただし、Mは自然数)のレベルシフタを含み、N1>N2>・・・>NMである、請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体集積回路。
- 前記少なくとも1段のレベルシフタにおける初段のレベルシフタが、
第1の電源電圧で動作し、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号を反転する入力インバータと、
PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、第1の電源電圧で動作する回路から入力される信号を反転して第1の出力信号を生成する第1のインバータと、
PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、前記入力インバータから出力される信号を反転して第2の出力信号を生成する第2のインバータと、
前記少なくとも1つのトランジスタと前記第1のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、前記第2の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、
前記少なくとも1つのトランジスタと前記第2のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、前記第1の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、
を含む、請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体集積回路。 - 前記少なくとも1段のレベルシフタにおける第2段以降のレベルシフタ、又は、前記終段のレベルシフタが、
PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、前段のレベルシフタの一方の出力信号を反転して第1の出力信号を生成する第1のインバータと、
PチャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトランジスタによって構成され、前段のレベルシフタの他方の出力信号を反転して第2の出力信号を生成する第2のインバータと、
前記少なくとも1つのトランジスタと前記第1のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、前記第2の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、
前記少なくとも1つのトランジスタと前記第2のインバータのPチャネルMOSトランジスタとの間に接続され、前記第1の出力信号がゲートに印加されるPチャネルMOSトランジスタと、
を含む、請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003158813A JP2004363843A (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | 半導体集積回路 |
US10/861,230 US20050007176A1 (en) | 2003-06-04 | 2004-06-03 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003158813A JP2004363843A (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004363843A true JP2004363843A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=33562192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003158813A Withdrawn JP2004363843A (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | 半導体集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050007176A1 (ja) |
JP (1) | JP2004363843A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007306086A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Kawasaki Microelectronics Kk | 入力バッファ |
WO2007135799A1 (ja) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 信号処理回路、レベルシフタ、表示パネル駆動回路、表示装置、信号処理方法 |
JP2008131457A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Freescale Semiconductor Inc | レベルシフタ回路 |
JP2009171084A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Seiko Instruments Inc | レベルシフタ回路 |
JP2011019017A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Toshiba Corp | レベル変換回路 |
JP2012044292A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-01 | Renesas Electronics Corp | レベルシフタ回路および表示ドライバ回路 |
US8558602B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
JP2017098813A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | レベルシフト回路及び表示ドライバ |
JP2017532910A (ja) * | 2014-10-16 | 2017-11-02 | セインチップス テクノロジー カンパニーリミテッド | Ioインターフェースレベル変換回路、ioインターフェースレベル変換方法及び記憶媒体 |
JP2018186400A (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | レベルシフト回路 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200913491A (en) * | 2007-09-11 | 2009-03-16 | Richtek Technology Corp | Level shift electric circuit |
TW200915723A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-01 | Realtek Semiconductor Corp | Level shift device and method for the same |
US7772912B2 (en) * | 2007-11-13 | 2010-08-10 | Himax Technologies Limited | Level shift circuit and method thereof |
JP2010182365A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Elpida Memory Inc | アンチヒューズ回路及び半導体記憶装置 |
US10050625B2 (en) * | 2015-02-27 | 2018-08-14 | Empower Semiconductor, Inc. | Techniques and devices for level-shifting a signal |
US9800246B2 (en) * | 2015-09-18 | 2017-10-24 | Qualcomm Incorporated | Level shifter applicable to low voltage domain to high voltage domain conversion |
US11196420B1 (en) * | 2020-07-15 | 2021-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Level shifter |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0334719A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Micro Electron Kk | 半導体集積回路 |
-
2003
- 2003-06-04 JP JP2003158813A patent/JP2004363843A/ja not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-06-03 US US10/861,230 patent/US20050007176A1/en not_active Abandoned
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007306086A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Kawasaki Microelectronics Kk | 入力バッファ |
WO2007135799A1 (ja) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 信号処理回路、レベルシフタ、表示パネル駆動回路、表示装置、信号処理方法 |
JPWO2007135799A1 (ja) * | 2006-05-24 | 2009-10-01 | シャープ株式会社 | 信号処理回路、レベルシフタ、表示パネル駆動回路、表示装置、信号処理方法 |
JP4536816B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2010-09-01 | シャープ株式会社 | 信号処理回路、レベルシフタ、表示パネル駆動回路、表示装置、信号処理方法 |
JP2008131457A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Freescale Semiconductor Inc | レベルシフタ回路 |
JP2009171084A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Seiko Instruments Inc | レベルシフタ回路 |
JP2011019017A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Toshiba Corp | レベル変換回路 |
US8558602B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
JP2012044292A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-01 | Renesas Electronics Corp | レベルシフタ回路および表示ドライバ回路 |
JP2017532910A (ja) * | 2014-10-16 | 2017-11-02 | セインチップス テクノロジー カンパニーリミテッド | Ioインターフェースレベル変換回路、ioインターフェースレベル変換方法及び記憶媒体 |
US10200042B2 (en) | 2014-10-16 | 2019-02-05 | Sanechips Technology Co. Ltd. | IO interface level shift circuit, IO interface level shift method and storage medium |
JP2017098813A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | レベルシフト回路及び表示ドライバ |
JP2018186400A (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | レベルシフト回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050007176A1 (en) | 2005-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004363843A (ja) | 半導体集積回路 | |
US7847590B2 (en) | Level shifter including cascode sets | |
US7161386B2 (en) | Signal-level converter | |
CN108055033B (zh) | 电平转换电路、集成电路芯片和电子设备 | |
US7102410B2 (en) | High voltage level converter using low voltage devices | |
US7755392B1 (en) | Level shift circuit without high voltage stress of transistors and operating at low voltages | |
JP2007074191A (ja) | 半導体装置 | |
EP1317067B1 (en) | One-stage voltage level shift circuit and system using the same | |
JP2009533929A (ja) | 電子回路 | |
JP2009260804A (ja) | パワーオン検知回路およびレベル変換回路 | |
WO2009027468A2 (en) | Signal level converter | |
JP4829034B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
TWI543536B (zh) | 採用來自輸出電力域之電力關閉信號的低電力、單軌位準移位器以及轉換電力域之間之資料信號的方法 | |
JP2004356779A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2008177755A (ja) | レベルシフト回路およびそれを用いた半導体装置 | |
US20110001513A1 (en) | Cmos input buffer circuit | |
KR100862452B1 (ko) | 레벨 시프터 | |
JP5701179B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP4588436B2 (ja) | レベルシフタ回路 | |
JP4053417B2 (ja) | レベル変換回路 | |
JP5501196B2 (ja) | 出力回路 | |
JP2011250189A (ja) | レベル変換回路及び電子機器 | |
TWI606683B (zh) | 零靜功耗高低多端互補式多位準轉換器 | |
JP2010093435A (ja) | 半導体集積回路 | |
US7932747B2 (en) | Circuit arrangement and method for shifting a voltage level |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20051219 |