JP2004356608A - 高出力半導体レーザー素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板40と、前記半導体基板40上に形成された下部クラッド層39bと、前記下部クラッド層39b上に形成された下部ガイド層38bと、前記下部ガイド層38b上に形成された活性層37と、前記活性層37上に形成された上部ガイド層36と、前記上部ガイド層36上に形成された上部クラッド層35とを含み、前記下部クラッド層39aと上部クラッド層35は実質的に等しい屈折率を有し、前記下部クラッド層39aは前記下部ガイド層36から所定距離で離隔した位置に前記上部クラッド層35の屈折率より高い高屈折率層39bを含むことを特徴とする半導体レーザー素子を提供するものである。
【選択図】 図1
Description
32、52 p型GaAs層
33、53 キャップ層
34、54 電流ブロック層
35、55 n型クラッド層
36、56 上部ガイド層
37、57 活性層
38、58 下部ガイド層
39a、59a p型第1クラッド層
39b、59b p型第2クラッド層
59c p型第3クラッド層
40、60 n型半導体基板
41、61 n側電極
Claims (15)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に形成された下部ガイド層と、
前記下部ガイド層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された上部ガイド層と、
前記上部ガイド層上に形成された上部クラッド層とを含み、
前記下部クラッド層と上部クラッド層は実質的に等しい所定の屈折率を有し、前記下部クラッド層は前記下部ガイド層から離隔するよう位置し、前記上部クラッド層の屈折率より高い高屈折率層を有することを特徴とする半導体レーザー素子。 - 前記追加的なクラッド層は前記下部ガイド層から前記基板の方向へ少なくとも前記上部及び下部ガイド層と活性層の厚さの0.5倍に相当する距離ほど離隔した位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記上部ガイド層と前記下部ガイド層は実質的に等しい厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記上部ガイド層と前記下部ガイド層は実質的に等しい屈折率を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記高屈折率層は前記下部クラッド層と前記半導体基板との間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記高屈折率層が前記下部ガイド層から前記半導体基板側に離隔する距離は、前記上部及び下部ガイド層と活性層の厚さの3倍以下であることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザー素子。
- 前記高屈折率層は前記下部クラッド層内に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記活性層はi−GaAs系物質から成り、前記上部及び下部ガイド層はi−AlGaAs系物質から成り、前記上部及び下部クラッド層は各々p型及びn型AlGaAs系物質から成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記活性層はi−AlGaAs系物質から成り、前記上部及び下部ガイド層はi−AlGaAs系物質から成り、前記上部及び下部クラッド層は各々p型及びn型AlGaAs系物質から成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記高屈折率層のAl組成(wt%)は前記下部クラッド層のAl組成の約0.85ないし約0.97倍であることを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザー素子。
- 前記高屈折率層のAl組成(wt%)は前記下部ガイド層のAl組成の約1.3ないし2.5倍であることを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザー素子。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1下部クラッド層と、
前記第1下部クラッド層上に形成された第2下部クラッド層と、
前記第2下部クラッド層上に形成された下部ガイド層と、
前記下部ガイド層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された上部ガイド層と、
前記上部ガイド層上に形成された上部クラッド層とを含み、
前記第2下部クラッド層と上部クラッド層は第1屈折率を有し、前記第1下部クラッド層は前記第1屈折率より高い第2屈折率を有することを特徴とする半導体レーザー素子。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に順次形成された第1、第2及び第3下部クラッド層と、
前記第3下部クラッド層上に形成された下部ガイド層と、
前記下部ガイド層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された上部ガイド層と、
前記上部ガイド層上に形成された上部クラッド層とを含み、
前記第3下部クラッド層及び上部クラッド層は第1屈折率を有し、前記第2下部クラッド層は前記第1屈折率より高い第2屈折率を有することを特徴とする半導体レーザー素子。 - 前記第1下部クラッド層は前記第3下部クラッド層と同一の屈折率を有することを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザー素子。
- 前記第1下部クラッド層は前記第3下部クラッド層の屈折率より大きく、且つ前記第2下部クラッド層より小さい屈折率を有することを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザー素子。
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