JP4806205B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
上記構成において、リッジの他方の端面におけるリッジの頂部の中点の位置と、垂線とリッジの他方の端面との交点の位置との差の絶対値を変化量とした場合に、変化量は、リッジの一方の端面の頂部の幅に対し、5%〜40%の範囲であることが好ましい。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態において、先行技術と同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
本発明の実施の形態1の半導体レーザ装置について説明する。
|{[(他方の端面における頂部の中点)−(一方の端面からの垂線と他方の端面との交差点)]/他方の端面のリッジの頂部の幅}|*100 (式1)
なお、符号18はリッジの一方および他方の各端面におけるリッジの頂部の中点どうしを結んだ軸を示す。
n形GaAsバッファ層11(0.5μm)、
n形(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49P第1クラッド層12(1.2μm)、
p形(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49P第2クラッド層14、
p形Ga0.51In0.49P保護層15(50nm)、
p形GaAsコンタクト層17(3μm)
である。
(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P第一ガイド層131g(50nm)、
Ga0.48In0.52P第1ウェル層132w(5nm)、
(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P第1バリア層133b(5nm)、
Ga0.48In0.52P第2ウェル層134w(5nm)、
(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P第2バリア層135b(5nm)、
Ga0.48In0.52P第3ウェル層136w(5nm)および
(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P第二ガイド層137g(50nm)
からなる歪量子井戸活性層である。
以下、実施の形態2の半導体レーザ装置について説明する。
|{[(他方の端面における頂部の中点)−(一方の端面からの垂線と他方の端面との交差点)]/他方の端面のリッジの頂部の幅}|*100 (式1)
なお、符号18はリッジの一方および他方の各端面におけるリッジの底部の中点どうしを結んだ軸を示す。
10 n形GaAs基板
11 n形GaAsバッファ層
12 n形(AlGa)InP第1クラッド層
13 活性層
131g (AlGa)InP第1ガイド層
132w GaInP第1ウェル層
133b (AlGa)InP第1バリア層
134w GaInP第2ウェル層
135b (AlGa)InP第2バリア層
136w GaInP第3ウェル層
137g (AlGa)InP第2ガイド層
14 p形(AlGa)InP第2クラッド層
15 p形GaInP保護層
16 n形AlInP電流ブロック層
17 p形GaAsコンタクト層
901 n形GaAs基板
902 n形GaAsバッファ層
903 n形GaInPバッファ層
904 n形(AlGa)InPクラッド層
905 歪量子井戸活性層
906 p形(AlGa)InP第1クラッド層
907 p形GaInPエッチングストップ層
908 p形(AlGa)InP第2クラッド層
909 p形GaInP中間層
910 p形GaAsキャップ層
911 n形GaAs電流ブロック層
912 p形GaAsコンタクト層
Claims (2)
- 化合物半導体からなる傾斜基板上に形成され、活性層と前記活性層を挟持する2つのクラッド層とを含み、1つの前記クラッド層がメサ状のリッジを有し、前記リッジの両側に形成され、電流がリッジに狭窄され、かつ、発振光に対して透明な電流ブロック層を有した半導体レーザ装置であって、
前記リッジの頂部の幅が前記リッジの一方の端面から他方の端面に向かって徐々に大きくなっており、
前記リッジの一方の端面における前記リッジの頂部の中点から前記リッジの頂部に沿って前記リッジの他方の端面に立てた垂線に対して、前記リッジの一側は前記リッジの頂部の幅の変化量が大きく、前記リッジの他側は前記リッジの頂部の幅の変化量が小さい左右非対称の形状を有し、
前記リッジの左右の傾斜面はそれぞれ低角度と高角度とを有して非対称であり、前記垂線に対して、前記リッジの前記高角度を有する傾斜面の側は、前記リッジの頂部の幅の変化量が大きく、前記リッジの前記低角度を有する傾斜面の側は、前記リッジの頂部の幅の変化量が小さく、
前記リッジの一方の端面の頂部の幅は1.0μm〜2.3μmであり、前記リッジの他方の端面の頂部の幅は2.5μm〜3.6μmであり、
前記リッジの他方の端面における前記リッジの頂部の中点の位置と、前記垂線と前記リッジの他方の端面との交点の位置との距離が、前記リッジの他方の端面の頂部の幅に対し、5%〜30%の範囲であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 出射光が2つ以上ある多波長レーザに搭載していることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005124499A JP4806205B2 (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006303267A JP2006303267A (ja) | 2006-11-02 |
JP4806205B2 true JP4806205B2 (ja) | 2011-11-02 |
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ID=37471186
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005124499A Expired - Fee Related JP4806205B2 (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4806205B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283605A (ja) | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997041625A1 (fr) * | 1996-04-26 | 1997-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteurs et son procede de fabrication |
JP3508423B2 (ja) * | 1996-10-01 | 2004-03-22 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
JP3892637B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2007-03-14 | 三菱化学株式会社 | 半導体光デバイス装置 |
JP3943489B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP4077348B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2008-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
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2005
- 2005-04-22 JP JP2005124499A patent/JP4806205B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006303267A (ja) | 2006-11-02 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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