JP2004349681A - 半導体装置およびその設計方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン半導体基板上に3層以上の配線層が積層された多層配線構造であり、第(N−1)層配線層で形成されラッチ回路を構成する第1の信号線12と、第1の信号線12と交差あるいは一部が重なって配置される部分があり第(N+1)層配線層で形成される第2の信号線13と、第1の信号線12と第2の信号線13との間で第2の信号線13の直下部に第N層配線層で形成されシールド配線として機能する電源配線14とを備える。第2の信号線13の電圧変動によるノイズを電源配線14によりシールドしてラッチ回路の誤動作を防止でき、電源配線14とは別にシールド配線を設ける必要がない。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態における半導体装置の構成を示すものである。図1において、11は第(N−1)層配線層(Nは2以上の整数)を仮想的に示した平面、12は第(N−1)層配線層で形成されデータラッチ機能(ラッチ回路)を構成する第1の信号線、13は第(N+1)層配線層で形成される第2の信号線、14は第N層配線層で形成されシールド配線として設けられた電源配線である。
図2は本発明の第2の実施形態の半導体装置のレイアウト方法のフローチャートである。以下そのレイアウトの方法について説明する。
図3は本発明の第3の実施形態の半導体装置のレイアウト方法を示す構成図である。図3において、31は電源ノイズによる影響を受けにくい機能ブロック、32は電源ノイズによる影響を受けやすい機能ブロック、33はシールド層である。
図4(a)は本発明の第4の実施形態における半導体装置の論理セルライブラリのセル構成を示す平面図であり、図4(b)は図4(a)におけるA−A’断面図である。図4において、41は本実施形態で用いる論理セル、42は通常の論理セル部分、43はシールド層である。
図5は本発明の第5の実施形態における半導体装置の構成図である。図5において、51は第(N−1)層配線層(Nは2以上の整数)を仮想的に示した平面、52は第(N−1)層配線層で形成されデータラッチ機能(ラッチ回路)を構成する第1の信号線、53は第N層配線層で形成される第2の信号線、54はレベルシフタである。
図6は本発明の第6の実施形態における半導体装置の構成を示す平面図、図7は同半導体装置のマクロセル(=論理セル)の断面構成の一例を示す図である。
図8は、本発明の第7の実施形態における半導体装置の構成を示す平面図であり、図9はこの第7の実施形態における半導体装置の設計方法を示すフローチャートである。
図10は、本発明の第8の実施形態における半導体装置の構成を示す平面図である。図10において、101はシールド層として用いられ一定電位(例えばVSS)が印加される電源配線、102はシールド層として用いない電源配線、103はダイナミック制御される機能ブロックである。
図11(a)は、本発明の第9の実施形態における半導体装置に内蔵されるラッチ回路(フリップフロップ)の回路図であり、図11(b)はそのラッチ回路の配線例を示す平面図である。図11において、111は第(N−1)層配線層で形成されラッチ回路を構成する信号線、112は第N層配線層で形成される信号線、113は第(N+1)層配線層で形成されシールド配線を兼ねる電源配線、114は電源線である。シールド配線を兼ねる電源配線113は、マクロセル内の電源配線やグランド配線とは接続されず、外部より一定の電位(例えばVSS)が与えられる。
2 第(N−1)層配線層で形成されラッチ回路を構成する第1の信号線
3 第N層配線層で形成される第2の信号線
11 第(N−1)層配線層を仮想的に示した平面
12 第(N−1)層配線層で形成されラッチ回路を構成する第1の信号線
13 第(N+1)層配線層で形成される第2の信号線
14 第N層配線層で形成されシールド配線として設けられた電源配線
21 指定情報
31 ノイズによる影響を受けにくい機能ブロック
32 ノイズによる影響を受けやすい機能ブロック
33 シールド層
41 論理セル
42 通常の論理セル部分
43 シールド層
51 第(N−1)層配線層を仮想的に示した平面
52 第(N−1)層配線層で形成されラッチ回路を構成する第1の信号線
53 第N層配線層で形成される第2の信号線
54 レベルシフタ
Claims (19)
- 基板上に下層から順に第(N−1)層(Nは2以上の整数)配線層、第N層配線層、第(N+1)層配線層を含む3層以上の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置であって、
前記第(N−1)層配線層で形成されデータラッチ機能部を構成する第1の信号線と、前記第(N+1)層配線層で形成され前記第1の信号線と交差あるいは一部が重なって配置される第2の信号線と、前記第N層配線層で形成され前記第1の信号線と前記第2の信号線との間に配置されてシールド配線として機能する電源配線とを設けたことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に下層から順に第(N−1)層(Nは2以上の整数)配線層、第N層配線層を含む複数の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置の設計方法であって、
前記第N層配線層で形成される電源配線をレイアウトし、レイアウトされた前記電源配線をシールド配線として認識し、前記半導体装置を構成する複数の機能ブロックを配置し、このうち前記第(N−1)層配線層で形成される信号線を有しノイズによる影響を受けやすい機能ブロックを前記シールド配線として認識した前記電源配線の直下部に配置することを特徴とする半導体装置の設計方法。 - レイアウトされた電源配線が複数あり、前記複数の電源配線のうち指定情報を与えられた電源配線のみシールド配線として認識することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の設計方法。
- 基板上に下層から順に第(N−1)層(Nは2以上の整数)配線層、第N層配線層を含む複数の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置であって、
前記半導体装置を構成する3個以上の機能ブロックのうち、前記第(N−1)層配線層で形成される信号線を有しノイズによる影響を受けやすい複数の機能ブロックを前記基板上の一箇所に集めて配置し、それらの直上を覆うように第N層配線層で形成されるシールド層を配置したことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に下層から順に第(N−1)層(Nは2以上の整数)配線層、第N層配線層を含む複数の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置の設計方法であって、
前記半導体装置を構成する3個以上の機能ブロックを配置する際、前記3個以上の機能ブロックのうち前記第(N−1)層配線層で形成される信号線を有しノイズによる影響を受けやすい複数の機能ブロックを前記基板上の一箇所に集めて配置し、それらの直上を覆うように第N層配線層で形成されるシールド層を配置することを特徴とする半導体装置の設計方法。 - 基板上に複数の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置であって、
内蔵される所定の回路を複数の論理セルを用いて構成し、前記所定の回路のうちノイズによる影響を受けやすい機能ブロックを構成する前記論理セルは、前記複数の配線層のうち上層の配線層で形成されるシールド層がセル上部の全面に付加されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に複数の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置に内蔵される所定の回路を複数の論理セルを用いて構成する半導体装置の設計方法であって、
前記複数の配線層のうち上層の配線層で形成されるシールド層がセル上部の全面に付加されているシールド層付き論理セルを予め複数準備しておき、
前記所定の回路のうちノイズによる影響を受けやすい機能ブロックを、前記シールド層付き論理セルを用いて構成することを特徴とする半導体装置の設計方法。 - 基板上に下層から順に第(N−1)層(Nは2以上の整数)配線層、第N層配線層を含む複数の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置であって、
前記第(N−1)層配線層で形成されデータラッチ機能部を構成する第1の信号線と、前記第N層配線層で形成され前記第1の信号線と交差あるいは一部が重なって配置される第2の信号線と、少なくとも前記第1の信号線の直上における前記第2の信号線の信号電圧を前記データラッチ機能部のデータ保持電圧まで下げるレベルシフタとを設けたことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に複数の半導体素子が形成され、各半導体素子が多層配線によって接続されてなる機能ブロックを複数備えた半導体装置であって、
複数のうち一部の前記機能ブロックはセル上部の全面にシールド層を持つ論理セルで構成され、他の前記機能ブロックは前記シールド層を持たない論理セルで構成された半導体装置。 - 前記シールド層を持つ論理セルで構成された機能ブロック上を覆う前記シールド層が電源配線の機能を兼ねることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記電源配線の機能を兼ねるシールド層には、一定電圧が印加されることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記シールド層を持つ論理セルで構成された機能ブロックは、ダイナミック制御されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記シールド層を持つ論理セルで構成された機能ブロックは、電源電位が制御されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記シールド層を持つ論理セルで構成された機能ブロックは、基板電位が制御されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 基板上に複数の半導体素子が形成され、各半導体素子が多層配線によって接続されてなる機能ブロックを複数備え、複数のうち一部の前記機能ブロックはセル上部の全面にシールド層を持つ論理セルで構成され、他の前記機能ブロックは前記シールド層を持たない論理セルで構成された半導体装置を設計する際、
前記機能ブロックに前記シールド層が必要か否かを判定するための指定情報に基づいて前記シールド層を持つ論理セルを使用して前記機能ブロックを設計する工程と、前記指定情報に基づいて前記シールド層を持たない論理セルを使用して前記機能ブロックを設計する工程とを有する半導体装置の設計方法。 - 前記指定情報には、複数の電源配線のうち一定電位が印加される電源配線のレイアウト位置を示す位置情報と、前記複数の電源配線のそれぞれに設定される電位を示す電源情報および前記複数の電源配線のうちダイナミック制御される機能ブロック上に配置される電源配線を示すダイナミック制御情報のうちの少なくとも一方の情報とが含まれることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の設計方法。
- 基板上に下層から順に第(N−1)層(Nは2以上の整数)配線層、第N層配線層、第(N+1)層配線層、第(N+2)配線層を含む4層以上の配線層を積層し、前記基板および前記各配線層のそれぞれの間に絶縁層を備えた半導体装置であって、
前記第(N−1)層配線層で形成されデータラッチ機能部を構成する第1の信号線と、第N層配線層で形成され前記絶縁層のスルーホールを介して前記第1の信号線に接続されて前記第1の信号線とともに前記データラッチ機能部を構成するノードと、前記第(N+2)層配線層で形成され前記ノードと交差あるいは一部が重なって配置される第2の信号線と、前記第(N+1)層配線層で形成され前記ノードと前記第2の信号線との間に配置されてシールド配線として機能する電源配線とを設けたことを特徴とする半導体装置。 - 前記基板は、シリコン半導体基板またはSOI基板であることを特徴とする請求項1、4、6、8、9、10、11、12、13、14または17に記載の半導体装置。
- 前記基板は、シリコン半導体基板またはSOI基板であることを特徴とする請求項2、3、5、7、15または16に記載の半導体装置の設計方法。
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