JP2004319118A - 表示装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
表示装置の製造方法及びその製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004319118A JP2004319118A JP2003107839A JP2003107839A JP2004319118A JP 2004319118 A JP2004319118 A JP 2004319118A JP 2003107839 A JP2003107839 A JP 2003107839A JP 2003107839 A JP2003107839 A JP 2003107839A JP 2004319118 A JP2004319118 A JP 2004319118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- electrode
- substrate
- organic
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 25
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- -1 polyparaphenylenevinylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】製造歩留まりを改善することができ、しかも、大画面化が可能な信頼性の高い表示装置の製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表示装置は、アレイ基板100と、封止基板200とを備えている。アレイ基板100は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極66と、第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、アレイ基板100と封止基板200との間に所定のギャップを形成するよう配置されたスペーサ80と、を備えている。スペーサ80は、インクジェットヘッドから100℃以上の融点を有する有機材料を吐出して形成することを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】表示装置は、アレイ基板100と、封止基板200とを備えている。アレイ基板100は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極66と、第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、アレイ基板100と封止基板200との間に所定のギャップを形成するよう配置されたスペーサ80と、を備えている。スペーサ80は、インクジェットヘッドから100℃以上の融点を有する有機材料を吐出して形成することを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置の製造方法及び製造装置に係り、特に、複数の自己発光素子を含んで構成される表示装置の製造方法及び製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【0003】
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、アレイ基板に陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機EL素子をマトリックス状に配置することにより構成される。有機活性層は、低分子系材料や高分子系材料を用いて、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法などにより形成される。
【0004】
このような有機EL素子を備えたアレイ基板は、シール材を介して貼り合わせられた封止基板により封止される。封止基板は、有機EL素子に接触しないよう所定のギャップを持って配置されるが、大画面化に伴って基板サイズが大きくなるにしたがい、封止基板及びアレイ基板が撓み、封止基板が有機EL素子に接触しやすくなる。
【0005】
このため、基板が破損したり、有機EL素子を破壊してしまうおそれがあり、表示装置としての信頼性を損なう原因となる。また、製造過程において、基板表面に偏向板を貼り付けるときや表示装置の運搬するときに加わる衝撃によって、有機EL素子を破壊してしまうおそれがあり、製造歩留まりの低下を招く原因となる。
【0006】
一方で、液晶表示装置の技術分野では、一対の基板間にスペーサを配置して両基板間に所定のギャップを形成する技術が知られている。例えば、球状スペーサと樹脂との混合液をインクジェット法にて塗布し、乾燥することでスペーサを配置する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
しかしながら、このような球状スペーサをインクジェット法にて配置する場合、インクジェットノズルに球状スペーサが詰まることによる吐出不良に起因して所望の位置にスペーサを配置することができなくなる恐れがある。また、樹脂に球状スペーサを分散させた混合液の粘度や周辺の条件によっては、表示装置の厚み方向に球状スペーサが積層されることがあり、一定の高さのスペーサを形成することが困難である。
【0008】
【特許文献1】
特開平9−105946号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造歩留まりを改善することができ、しかも、大画面化が可能な信頼性の高い表示装置の製造方法及びその製造装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明の第1の様態による表示装置の製造方法は、
マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を備えた第1基板と、
前記第1基板に対向して配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に所定のギャップを形成するよう配置されたスペーサと、を備えた表示装置の製造方法であって、
前記スペーサは、インクジェットヘッドから100℃以上の融点を有する有機材料を吐出して形成することを特徴とする。
【0011】
この発明の第2の様態による表示装置の製造装置は、
表示装置用基板を載置するステージと、
前記表示装置用基板に向けてスペーサを形成するための100℃以上の融点を有する有機材料を吐出するインクジェットヘッドとを備え、
前記インクジェットヘッドは、ノズルから吐出される有機材料をその融点以上の温度に加熱する加熱機構を備えたことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法及びその製造装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。
【0013】
有機EL表示装置は、図1及び図2に示すように、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100と、アレイ基板100の少なくとも表示エリア102を密封する封止基板200とを備えて構成されている。アレイ基板100の表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成されている。
【0014】
各画素PX(R、G、B)は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10及び画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを備えている。これら画素スイッチおよび駆動トランジスタは、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。また、各画素PX(R、G、B)は、表示素子としての有機EL素子40(R、G、B)をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素PXRは、赤色に発光する有機EL素子40Rを備え、緑色画素PXGは、緑色に発光する有機EL素子40Gを備え、さらに、青色画素PXBは、青色に発光する有機EL素子40Bを備えている。
【0015】
各種有機EL素子40(R、G、B)は、基本的に同一構成であり、画素毎PXに独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素PXに共通に形成された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、によって構成される。
【0016】
また、アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40の第1電極60側に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。さらに、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymに走査信号を供給する走査線駆動回路107と、信号線Xnに映像信号を供給する信号線駆動回路108と、を備えている。
【0017】
すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。画素スイッチ10は、ここでは走査線Ymと信号線Xnとの交差部近傍に配置されている。駆動トランジスタ20は、有機EL素子40と直列に接続されている。また、蓄積容量素子30は、画素スイッチ10と直列に、且つ駆動トランジスタ20と並列に接続されており、蓄積容量素子30の両電極は、駆動トランジスタ20のゲート電極及びソース電極にそれぞれ接続されている。
【0018】
電源供給線Pは、表示エリア102の周囲に配置された図示しない第1電極電源線に接続されている。有機EL素子40の第2電極66側端は、表示エリア102の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第2電極電源線に接続されている。
【0019】
また、画素スイッチ10のゲート電極は走査線Ymに接続され、ソース電極は信号線Xnに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子30の一端及び駆動トランジスタ20のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ20のソース電極は蓄積容量素子30の他端及び電源供給線Pに接続され、ドレイン電極は有機EL素子40の第1電極60に接続されている。
【0020】
画素スイッチ10は、対応走査線Ymを介して選択されたときに対応信号線Xnの映像信号を蓄積容量素子30に書き込み、駆動トランジスタ20の駆動を制御する。
【0021】
図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120上に配置された有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
【0022】
有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120表面の絶縁膜上に配置される。この第1電極60は、ここではITO(Indium Tin Oxide:インジウム・ティン・オキサイド)やIZO(インジウム・ジンク・オキサイド)などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能する。
【0023】
有機活性層64は、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色毎に形成される有機発光層の3層積層で構成されても良く、機能的に複合された2層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成される。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。この発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成される。
【0024】
第2電極66は、有機活性層64上に各有機EL素子40に共通に配置される。この第2電極66は、例えばCa(カルシウム)、Al(アルミニウム)、Ba(バリウム)、Ag(銀)、Yb(イッテルビウム)などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第2電極66は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した2層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。
【0025】
また、アレイ基板100は、表示エリア102において、各画素RX(R、G、B)を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、第1電極60の周縁に沿って格子状に配置されている。また、この隔壁70は、親水性を有する第1絶縁層71、及び、第1絶縁層71上に配置され疎水性を有する第2絶縁層72を積層した構造を有している。隔壁70は、例えば3μm程度の高さ(すなわち第1絶縁層71及び第2絶縁層の総膜厚)に形成されている。
【0026】
第1絶縁層71は、各画素PXにおいて、実質的に表示に寄与する開口部APを規定する。すなわち、第1絶縁層71は、配線基板120上に独立島状に形成された第1電極60の周縁を例えば1乃至4μm程度の幅で覆うように配置され、第1電極60を画素毎に電気的に分離する。また、第1絶縁層71の周端面71Aによって囲まれた開口部APは、第1電極60を露出し、第1電極60上への有機活性層64の配置を可能とする。第2電極66は、各画素PXの有機活性層64及び隔壁70を覆うように配置される。
【0027】
さらに、アレイ基板100は、表示エリア102において、アレイ基板100と封止基板200との間に所定のギャップを形成するように配置されたスペーサ80を備えている。このスペーサ80は、第2電極66上に形成されている。より詳細には、スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上に形成されている。
【0028】
また、このスペーサ80は、例えば100℃以上の融点を有する有機材料によって形成される。より望ましくは、スペーサ80は、150℃以上に加熱した状態で20cP以下の粘度を有するような有機材料によって形成される。例えば、スペーサ80は、ワックス系の有機材料によって形成される。
【0029】
すなわち、スペーサ80は、有機EL表示装置を製造する過程において、高温に曝されるすべての熱処理過程後に形成されるため、100℃以上の融点を有する材料であれば、後の工程で軟化することがなく変形を防止することができる。また、実際の使用環境下において、スペーサ80が有機EL素子から発生する熱により加熱されたとしても40〜60℃程度であり、40℃以上高い融点を有する材料であれば軟化することはない。
【0030】
また、このスペーサ80は、後に説明するようにインクジェット装置によって形成されるため、ノズルから吐出可能な液状材料で形成されることが要求される。すなわち、20cP以下の粘度であれば十分な流動性をもつことができ、ノズルから吐出可能であるとともに、吐出される液状材料の吐出量も高い精度で制御可能である。
【0031】
また、ノズルから吐出された液状材料は、目標地点に到達した時点で瞬時に硬化する必要がある。すなわち、液状材料が目標地点に到達した時点で高い粘性を持っていると、十分な高さを有したスペーサを成形することができず、また高さもばらついてしまう。このため、インクジェット装置の使用環境である常温でほとんど流動性を持たないことが要求される。
【0032】
つまり、スペーサ80を形成する有機材料は、100℃以上の融点を有する(または150℃以上で20cP以下の粘度を有する)ことで、100℃以上(または150℃以上)の高温に加熱した状態でノズルから吐出され、常温の目標地点に到達した時点で瞬時に硬化する。これにより、高さのばらつきの少ないスペーサ80を形成することが可能となる。
【0033】
さらに、このスペーサ80は、鉛筆硬度にして4〜5Hの硬度を有している。すなわち、スペーサ80の硬度は、感光性樹脂レジストで形成したスペーサと同等もしくはそれ以上であり、アレイ基板100と封止基板200との間のギャップを維持するのに十分な硬度である。
【0034】
このような構造のアレイ基板100及び封止基板200は、シール材400によって封止されている。このシール材400は、例えば紫外線硬化型樹脂によって形成されている。アレイ基板100と封止基板200との間には、隔壁70とスペーサ80とによって所定ギャップが形成され、このようなギャップに形成された密閉空間には、窒素ガスなどの不活性ガスが充填されている。また、この密閉空間の内部には、乾燥剤が配置され、有機EL素子40に悪影響を与えない程度の乾燥状態に維持されている。
【0035】
なお、スペーサ80の高さは、スペーサ80の配置密度(単位面積あたりのスペーサの占有面積)にもよるが、封止基板200の接触により有機EL素子40の破壊を防止するためには20μm以上であることが望ましい。しかしながら、余りに高い高さのスペーサを形成した場合、密閉空間の体積が大きくなり、十分な乾燥状態が維持できなくなるおそれがあるため、100μm以下であることが望ましい。
【0036】
このように構成された有機EL素子40では、第1電極60と第2電極66との間に挟持された有機活性層64に電子及びホールを注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このEL発光は、アレイ基板100の下面側すなわち第1電極60側から出射される。
【0037】
ところで、上述したスペーサ80は、表示装置の製造装置すなわち塗布装置(ここではインクジェット装置)を用いて形成される。このインクジェット装置1130は、例えば、図3の(a)に示すように、ワークとしての基板(アレイ基板または封止基板)Wが載置されるステージ1131を備えている。このステージ1131は、図示しない温度制御機構によって、その表面温度が15℃以下に設定されている。これにより、ステージ1131上に載置された基板Wは、15℃以下の温度に調整される。
【0038】
ステージ1131の上方には、インクジェットヘッド1132が配置されている。ステージ1131の下方には、レール1133及び1134が互いに略直交するように配置されている。ステージ1131は、図示しない駆動機構によって、レール1133上をそれが延在する方向(X方向)に沿って移動可能である。また、レール1133は、ステージ1131とともに、図示しない駆動機構によって、レール1134上をそれが延在する方向(Y方向)に沿って移動可能である。このような構成により、ステージ1131及びステージ1131上に載置された基板Wが、インクジェットヘッド1132に対して、互いに略直交するX方向及びY方向の双方に相対移動可能である。
【0039】
このインクジェットヘッド1132は、230W・m−1・K−1 以上の熱伝導率を有する金属材料、例えばアルミニウム(Al)や銅(Cu)・銀(Ag)などを主に含むような金属材料によって形成される。また、このインクジェットヘッド1132は、図3の(b)に示すように、スペーサ80を形成するための液状の有機材料を基板Wに向けて吐出するノズル1132Aを備えている。さらに、このインクジェットヘッド1132は、ノズル1132Aから吐出される有機材料をその融点以上の温度に加熱する加熱機構1132Bを備えている。この加熱機構1132Bは、例えば、インクジェットヘッド1132に巻きつけたバンドヒータによって構成される。この加熱機構1132Bにより、熱伝導率の高いインクジェットヘッド1132を昇温し、供給された有機材料を最適な粘度を有する液状とする。
【0040】
このような構成により、インクジェットヘッド1132は、有機材料をその融点以上の温度に加熱して十分な流動性を有する液状材料とした上で、15℃以下の温度に調整されたステージ1131上に載置されている基板Wに向けて吐出する。これにより、インクジェットヘッド1132のノズル1132Aから吐出された液状材料は、基板Wに到達した時点で瞬時に硬化し、所望する高さのスペーサ80を形成する。
【0041】
次に、スペーサ80の構造例について説明する。
(第1構造例)
まず、第1構造例のスペーサ80は、格子状に形成されている。すなわち、図4に示すように、有機EL素子40は、格子状に形成された隔壁70によって画素分離される。スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上において、例えばX方向に沿って連続的に延出された第1スペーサ80Aと、Y方向に沿って延出されるとともに第1スペーサ80Aと交差しないように配置された第2スペーサ80Bとを備えて構成される。
【0042】
このような構造のスペーサ80は、例えば、まず隔壁70の真上に位置する第2電極66に向けてインクジェットヘッド1132のノズル1132Aを配置し、レール1133に沿ってX方向にステージ1131を移動しつつ液状の有機材料を連続的に吐出することで第1スペーサ80Aを形成する。その後、レール1134に沿ってY方向にステージ1131及びレール1133を移動しつつ液状の有機材料を所定間隔で吐出することで形成される。
【0043】
このような第1構造例のスペーサ80は、高さのばらつきが少なく、しかも高密度に配置することができる。このため、アレイ基板100と封止基板200との間に均一なギャップを形成することができ、しかも、高い機械的強度を確保することができる。
【0044】
また、外部から加わった衝撃は、格子状のスペーサ80に分散されるため、有機EL素子40の破壊を防止することができる。このため、製造歩留まりの低下を招くことなく、信頼性の高い高品位な表示装置を提供することができる。なお、スペーサ80は、隔壁70の全体に沿って配置する必要はなく、要求される性能や画面サイズなどに応じて適当な配置密度で配置されれば良い。
【0045】
(第2構造例)
第2構造例のスペーサ80は、柱状に形成されている。すなわち、図5に示すように、スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上において、所定の配置密度で柱状に形成されている。
【0046】
このような構造のスペーサ80は、例えば、まず隔壁70の真上に位置する第2電極66に向けてインクジェットヘッド1132のノズル1132Aを配置し、レール1133及び1134に沿ってX方向及びY方向にステージ1131を移動しつつ液状の有機材料を間欠的に吐出することで形成される。
【0047】
このような第2構造例のスペーサ80は、容易に配置密度を制御することができる。また、連続的に形成する場合よりも有機材料の使用量を抑えることができる。
【0048】
特に、図5に示したようなアレイ基板側にスペーサ80を配置した場合、第2電極66上に接する底部の面積は、封止基板200を支持する頂部の面積より大きく形成され、テーパ形状となる。このため、外部から加わった衝撃は、柱状のスペーサ80に集中するが、有機EL素子に接する底部の面積が球状スペーサと比較して大きいために分散される。したがって、有機EL素子40の破壊を防止することができ、製造歩留まりの低下を招くことなく、信頼性の高い高品位な表示装置を提供することができる。
【0049】
(第3構造例)
第3構造例のスペーサ80は、ストライプ状に形成されている。すなわち、図6に示すように、スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上において、X方向またはY方向に沿って所定の間隔でストライプ状に形成されている。
【0050】
このような構造のスペーサ80は、例えば、まず隔壁70の真上に位置する第2電極66に向けてインクジェットヘッド1132のノズル1132Aを配置し、レール1133または1134に沿ってX方向またはY方向にステージ1131を移動しつつ液状の有機材料を連続的に吐出することで形成される。
【0051】
このような第3構造例のスペーサ80は、容易に配置密度を制御することができる。また、格子状に形成する場合よりも有機材料の使用量を抑えることができる。さらに、高さのばらつきを少なくすることができる。このため、アレイ基板100と封止基板200との間に均一なギャップを形成することができ、しかも、高い機械的強度を確保することができる。
【0052】
また、外部から加わった衝撃は、ストライプ状のスペーサ80に分散されるため、有機EL素子40の破壊を防止することができる。このため、製造歩留まりの低下を招くことなく、信頼性の高い高品位な表示装置を提供することができる。
【0053】
なお、図4及び図6に示したような構造例においては、スペーサ80は、遮光性を有する有機材料によって形成されても良い。すなわち、有機EL素子40からのEL発光を封止基板200側すなわち第2電極66側から取り出す上面発光方式においては、格子状またストライプ状のスペーサ80を例えば黒色に着色された遮光性を有する有機材料によって形成することで、極めて高いコントラストを実現することができ、さらに表示品位を向上することが可能となる。
【0054】
また、図4乃至図6では、スペーサ80をアレイ基板側に配置した例を示したが、封止基板側に配置しても良いことは言うまでもない。
【0055】
(製造方法)
次に、有機EL表示装置の製造方法について説明する。
【0056】
まず、図7の(a)に示すように、第1電極60を有する配線基板120を用意する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、絶縁性基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108の他に、信号線Xn、走査線Ym、電源供給線P等の各種配線も形成した、縦480画素、横640×3(R、G、B)画素の合計92万画素を有した有効表示エリアが対角7インチサイズの配線基板120を形成する。そして、各画素にITOからなる500オングストロームの膜厚を有する第1電極60を形成する。この第1電極60については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。
【0057】
続いて、第1電極60を囲むように格子状に配置された親水性の第1絶縁層71及び疎水性の第2絶縁層を有した隔壁70を形成する。すなわち、感光性樹脂材料を一般的なフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、約220℃の高温下で30分間ベーク処理を行う。さらに、リアクティブイオンエッチング装置にて反応性フッ素含有ガスで処理して、樹脂材料全体を疎水性に膜改質する。これにより、隔壁70が形成される。
【0058】
続いて、図7の(b)に示すように、各画素内に、有機発光層の他にホールバッファ層などを含む有機活性層64を成膜する。すなわち、ホールバッファ層や有機発光層などを形成する高分子系発光ポリマ材料の2.0wt%重量溶液を、隔壁70によって区画された画素内に向けて噴射し、第1電極60上に塗布する。この溶液の塗布は、ピエゾ式インクジェットノズルを用い、発光ポリマ材料の供給量が0.05ml/minの条件下で行われる。
【0059】
このように塗布された発光ポリマ材料の溶液は、各画素の周辺に配置された隔壁70の下部に露出した親水性の第1絶縁層71部分により、画素内での広がりを阻害されること無く、均一に広がる。
【0060】
そして、100℃の高温下で15秒間の乾燥処理を行うことで、溶液に含まれる溶媒を除去する。このようにして形成された各画素の有機活性層64は、溶媒除去後に均一な膜厚に形成され、ここでは約1500オングストロームの膜厚に形成される。このため、後に形成される第2電極66と第1電極60との間が確実に電気的に絶縁され、ショートの発生を防止することができる。
【0061】
続いて、図7の(c)に示すように、有機活性層64上に第2電極66を形成する。すなわち、陰極として機能する金属膜としてバリウム(Ba)を10−7Paの真空度において600オングストロームの膜厚に蒸着し、続けて、カバーメタルとして機能する金属膜としてアルミニウム(Al)を1500乃至3000オングストロームの膜厚で蒸着する。これにより、有機EL素子40が形成される。
【0062】
続いて、図7の(d)に示すように、第2電極66上にスペーサ80を形成する。すなわち、15℃以下の表面温度に設定されたステージ1131上に配線基板120を載置した後、加熱機構付きピエゾ式インクジェットヘッド1132にワックス系の有機材料を充填し、160℃に加熱しながら有機材料に流動性を持たせた状態で、所望の位置に向けて液状の有機材料を吐出する。有機材料の吐出量、粘度、及び吐出のタイミングを制御することで所望する高さ及び形状のスペーサ80が形成される。
【0063】
続いて、アレイ基板100上の表示エリア102を封止するために、封止基板200の外周に沿って紫外線硬化型のシール材400を塗布し、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中において、アレイ基板100と封止基板200とを貼り合わせる。このとき、アレイ基板100と封止基板200との間にスペーサ80が挟持され、所定のギャップが形成される。これにより、有機EL素子40は、不活性ガス雰囲気の密閉空間内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール材300を硬化させる。さらにその後、アレイ基板100の外面(発光面)に偏向板を貼り付ける。
【0064】
このようにして形成した下面発光方式のカラー表示型アクティブマトリクス有機EL表示装置では、有機活性層64の膜厚異常に起因するような表示不良のない、良好な表示が得られた。また、偏向板を貼り付ける際に基板に所定の圧力が付加されるが、スペーサ80を配置したことにより基板が撓むことがなく、しかも、有機EL素子40の破損も防止することができた。スペーサを配置しない従来の構造では5〜6%のデバイスで有機EL素子の破損が発生していたが、上述したような製造方法にて製造したデバイスでは有機EL素子の破損発生率は0%に抑えられた。
【0065】
また、スペーサ80の形成にインクジェット方式を採用しているため、スペーサ材料の使用効率は80%程度と高く、スペーサ材料の供給系に残留したもの以外は全て有効に成膜に用いられたことが分かった。これは、通常のフォトリソグラフィプロセスによってスペーサを形成した場合と比較して格段に高い使用効率であることが確認できた。
【0066】
以上説明したように、この実施の形態に係る表示装置及びその製造方法によれば、高分子系の発光ポリマ材料を適用することで、有機EL素子の有機活性層をインクジェット法にて選択的に成膜する方法を採用することができる。この成膜方法は、工程数が少なく、発光ポリマ材料の使用効率も格段によいといったメリットもある。
【0067】
また、大画面化に伴って基板サイズが大型化した場合であっても、アレイ基板と封止基板との間にスペーサを配置したことにより、両基板の間に最適なギャップが保持されるとともに、外部からの応力に対する機械的強度を向上することが可能となる。また、外部からの応力をスペーサを介して分散することができ、表示装置の表面に偏向板を貼り付ける時や、表示装置を運搬する時に加わる応力による表示素子の破壊を防止することができる。
【0068】
さらに、スペーサは、100℃以上の融点を有する有機材料を用いて形成する。特に、ワックス系の有機材料は、加熱すると流動性が増すが、冷えると(常温で)迅速に固化する。この特徴を生かし、インクジェット装置のインクジェットヘッド部分に加熱機構を取り付けることにより、インクジェットヘッド部分に供給されたワックス系材料は、加熱されて液状となり、容易に吐出可能となる。一方で、ワークとしての基板(アレイ基板または対向基板)を載置するステージを常時低温に保持する。これにより、液状のワックス系材料が基板上の所定位置に着弾した時には冷却されて固化し、スペーサとして形成されることになる。
【0069】
このような物理的特性を有する有機材料と、インクジェット方式とを採用することにより、通常のフォトリソグラフィプロセスとは異なり、非常に高い材料利用効率を達成することが可能であり、しかも、低コストで性能の良い表示装置を製造することが可能である。
【0070】
さらに、インクジェット装置では、ワークとしての基板表面が平坦でなくてもスペーサの形成が可能であるため、凹凸の付いた封止基板にもスペーサの配置が可能である。なお、インクジェットヘッドの材質をアルミニウムなどの熱伝導率の良い金属材料で形成することにより、有機材料を迅速に流動化させることができ、また温度の伝達ムラも少なくなることから、吐出量の不均一性を低減することができ、常に安定した高さのスペーサを形成することが可能である。
【0071】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、製造歩留まりを改善することができ、しかも、大画面化が可能な信頼性の高い表示装置の製造方法及びその製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図2】図2は、図1に示した有機EL表示装置の1画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図3】図3の(a)は、スペーサを形成するためのインクジェット装置の構造を概略的に示す図であり、(b)は、インクジェットヘッドの構造を概略的に示す図である。
【図4】図4は、図1に示した有機EL表示装置のスペーサの第1構造例を概略的に示す斜視図である。
【図5】図5は、図1に示した有機EL表示装置のスペーサの第2構造例を概略的に示す斜視図である。
【図6】図6は、図1に示した有機EL表示装置のスペーサの第3構造例を概略的に示す斜視図である。
【図7】図7の(a)乃至(d)は、配線基板上にスペーサを有する有機EL素子を形成するための製造工程を説明するための図である。
【符号の説明】
1…有機EL表示装置、10…画素スイッチ、20…駆動トランジスタ、30…蓄積容量素子、40…有機EL素子、60…第1電極、64…有機活性層、66…第2電極、70…隔壁、71…第1絶縁層、72…第2絶縁層、80…スペーサ、100…アレイ基板、200…封止基板、400…シール材、PX…画素、1130…インクジェット装置、1131…ステージ、1132…インクジェットヘッド
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置の製造方法及び製造装置に係り、特に、複数の自己発光素子を含んで構成される表示装置の製造方法及び製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【0003】
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、アレイ基板に陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機EL素子をマトリックス状に配置することにより構成される。有機活性層は、低分子系材料や高分子系材料を用いて、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法などにより形成される。
【0004】
このような有機EL素子を備えたアレイ基板は、シール材を介して貼り合わせられた封止基板により封止される。封止基板は、有機EL素子に接触しないよう所定のギャップを持って配置されるが、大画面化に伴って基板サイズが大きくなるにしたがい、封止基板及びアレイ基板が撓み、封止基板が有機EL素子に接触しやすくなる。
【0005】
このため、基板が破損したり、有機EL素子を破壊してしまうおそれがあり、表示装置としての信頼性を損なう原因となる。また、製造過程において、基板表面に偏向板を貼り付けるときや表示装置の運搬するときに加わる衝撃によって、有機EL素子を破壊してしまうおそれがあり、製造歩留まりの低下を招く原因となる。
【0006】
一方で、液晶表示装置の技術分野では、一対の基板間にスペーサを配置して両基板間に所定のギャップを形成する技術が知られている。例えば、球状スペーサと樹脂との混合液をインクジェット法にて塗布し、乾燥することでスペーサを配置する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
しかしながら、このような球状スペーサをインクジェット法にて配置する場合、インクジェットノズルに球状スペーサが詰まることによる吐出不良に起因して所望の位置にスペーサを配置することができなくなる恐れがある。また、樹脂に球状スペーサを分散させた混合液の粘度や周辺の条件によっては、表示装置の厚み方向に球状スペーサが積層されることがあり、一定の高さのスペーサを形成することが困難である。
【0008】
【特許文献1】
特開平9−105946号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造歩留まりを改善することができ、しかも、大画面化が可能な信頼性の高い表示装置の製造方法及びその製造装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明の第1の様態による表示装置の製造方法は、
マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を備えた第1基板と、
前記第1基板に対向して配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に所定のギャップを形成するよう配置されたスペーサと、を備えた表示装置の製造方法であって、
前記スペーサは、インクジェットヘッドから100℃以上の融点を有する有機材料を吐出して形成することを特徴とする。
【0011】
この発明の第2の様態による表示装置の製造装置は、
表示装置用基板を載置するステージと、
前記表示装置用基板に向けてスペーサを形成するための100℃以上の融点を有する有機材料を吐出するインクジェットヘッドとを備え、
前記インクジェットヘッドは、ノズルから吐出される有機材料をその融点以上の温度に加熱する加熱機構を備えたことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法及びその製造装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。
【0013】
有機EL表示装置は、図1及び図2に示すように、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100と、アレイ基板100の少なくとも表示エリア102を密封する封止基板200とを備えて構成されている。アレイ基板100の表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成されている。
【0014】
各画素PX(R、G、B)は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10及び画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを備えている。これら画素スイッチおよび駆動トランジスタは、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。また、各画素PX(R、G、B)は、表示素子としての有機EL素子40(R、G、B)をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素PXRは、赤色に発光する有機EL素子40Rを備え、緑色画素PXGは、緑色に発光する有機EL素子40Gを備え、さらに、青色画素PXBは、青色に発光する有機EL素子40Bを備えている。
【0015】
各種有機EL素子40(R、G、B)は、基本的に同一構成であり、画素毎PXに独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素PXに共通に形成された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、によって構成される。
【0016】
また、アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40の第1電極60側に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。さらに、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymに走査信号を供給する走査線駆動回路107と、信号線Xnに映像信号を供給する信号線駆動回路108と、を備えている。
【0017】
すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。画素スイッチ10は、ここでは走査線Ymと信号線Xnとの交差部近傍に配置されている。駆動トランジスタ20は、有機EL素子40と直列に接続されている。また、蓄積容量素子30は、画素スイッチ10と直列に、且つ駆動トランジスタ20と並列に接続されており、蓄積容量素子30の両電極は、駆動トランジスタ20のゲート電極及びソース電極にそれぞれ接続されている。
【0018】
電源供給線Pは、表示エリア102の周囲に配置された図示しない第1電極電源線に接続されている。有機EL素子40の第2電極66側端は、表示エリア102の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第2電極電源線に接続されている。
【0019】
また、画素スイッチ10のゲート電極は走査線Ymに接続され、ソース電極は信号線Xnに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子30の一端及び駆動トランジスタ20のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ20のソース電極は蓄積容量素子30の他端及び電源供給線Pに接続され、ドレイン電極は有機EL素子40の第1電極60に接続されている。
【0020】
画素スイッチ10は、対応走査線Ymを介して選択されたときに対応信号線Xnの映像信号を蓄積容量素子30に書き込み、駆動トランジスタ20の駆動を制御する。
【0021】
図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120上に配置された有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
【0022】
有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120表面の絶縁膜上に配置される。この第1電極60は、ここではITO(Indium Tin Oxide:インジウム・ティン・オキサイド)やIZO(インジウム・ジンク・オキサイド)などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能する。
【0023】
有機活性層64は、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色毎に形成される有機発光層の3層積層で構成されても良く、機能的に複合された2層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成される。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。この発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成される。
【0024】
第2電極66は、有機活性層64上に各有機EL素子40に共通に配置される。この第2電極66は、例えばCa(カルシウム)、Al(アルミニウム)、Ba(バリウム)、Ag(銀)、Yb(イッテルビウム)などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第2電極66は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した2層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。
【0025】
また、アレイ基板100は、表示エリア102において、各画素RX(R、G、B)を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、第1電極60の周縁に沿って格子状に配置されている。また、この隔壁70は、親水性を有する第1絶縁層71、及び、第1絶縁層71上に配置され疎水性を有する第2絶縁層72を積層した構造を有している。隔壁70は、例えば3μm程度の高さ(すなわち第1絶縁層71及び第2絶縁層の総膜厚)に形成されている。
【0026】
第1絶縁層71は、各画素PXにおいて、実質的に表示に寄与する開口部APを規定する。すなわち、第1絶縁層71は、配線基板120上に独立島状に形成された第1電極60の周縁を例えば1乃至4μm程度の幅で覆うように配置され、第1電極60を画素毎に電気的に分離する。また、第1絶縁層71の周端面71Aによって囲まれた開口部APは、第1電極60を露出し、第1電極60上への有機活性層64の配置を可能とする。第2電極66は、各画素PXの有機活性層64及び隔壁70を覆うように配置される。
【0027】
さらに、アレイ基板100は、表示エリア102において、アレイ基板100と封止基板200との間に所定のギャップを形成するように配置されたスペーサ80を備えている。このスペーサ80は、第2電極66上に形成されている。より詳細には、スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上に形成されている。
【0028】
また、このスペーサ80は、例えば100℃以上の融点を有する有機材料によって形成される。より望ましくは、スペーサ80は、150℃以上に加熱した状態で20cP以下の粘度を有するような有機材料によって形成される。例えば、スペーサ80は、ワックス系の有機材料によって形成される。
【0029】
すなわち、スペーサ80は、有機EL表示装置を製造する過程において、高温に曝されるすべての熱処理過程後に形成されるため、100℃以上の融点を有する材料であれば、後の工程で軟化することがなく変形を防止することができる。また、実際の使用環境下において、スペーサ80が有機EL素子から発生する熱により加熱されたとしても40〜60℃程度であり、40℃以上高い融点を有する材料であれば軟化することはない。
【0030】
また、このスペーサ80は、後に説明するようにインクジェット装置によって形成されるため、ノズルから吐出可能な液状材料で形成されることが要求される。すなわち、20cP以下の粘度であれば十分な流動性をもつことができ、ノズルから吐出可能であるとともに、吐出される液状材料の吐出量も高い精度で制御可能である。
【0031】
また、ノズルから吐出された液状材料は、目標地点に到達した時点で瞬時に硬化する必要がある。すなわち、液状材料が目標地点に到達した時点で高い粘性を持っていると、十分な高さを有したスペーサを成形することができず、また高さもばらついてしまう。このため、インクジェット装置の使用環境である常温でほとんど流動性を持たないことが要求される。
【0032】
つまり、スペーサ80を形成する有機材料は、100℃以上の融点を有する(または150℃以上で20cP以下の粘度を有する)ことで、100℃以上(または150℃以上)の高温に加熱した状態でノズルから吐出され、常温の目標地点に到達した時点で瞬時に硬化する。これにより、高さのばらつきの少ないスペーサ80を形成することが可能となる。
【0033】
さらに、このスペーサ80は、鉛筆硬度にして4〜5Hの硬度を有している。すなわち、スペーサ80の硬度は、感光性樹脂レジストで形成したスペーサと同等もしくはそれ以上であり、アレイ基板100と封止基板200との間のギャップを維持するのに十分な硬度である。
【0034】
このような構造のアレイ基板100及び封止基板200は、シール材400によって封止されている。このシール材400は、例えば紫外線硬化型樹脂によって形成されている。アレイ基板100と封止基板200との間には、隔壁70とスペーサ80とによって所定ギャップが形成され、このようなギャップに形成された密閉空間には、窒素ガスなどの不活性ガスが充填されている。また、この密閉空間の内部には、乾燥剤が配置され、有機EL素子40に悪影響を与えない程度の乾燥状態に維持されている。
【0035】
なお、スペーサ80の高さは、スペーサ80の配置密度(単位面積あたりのスペーサの占有面積)にもよるが、封止基板200の接触により有機EL素子40の破壊を防止するためには20μm以上であることが望ましい。しかしながら、余りに高い高さのスペーサを形成した場合、密閉空間の体積が大きくなり、十分な乾燥状態が維持できなくなるおそれがあるため、100μm以下であることが望ましい。
【0036】
このように構成された有機EL素子40では、第1電極60と第2電極66との間に挟持された有機活性層64に電子及びホールを注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このEL発光は、アレイ基板100の下面側すなわち第1電極60側から出射される。
【0037】
ところで、上述したスペーサ80は、表示装置の製造装置すなわち塗布装置(ここではインクジェット装置)を用いて形成される。このインクジェット装置1130は、例えば、図3の(a)に示すように、ワークとしての基板(アレイ基板または封止基板)Wが載置されるステージ1131を備えている。このステージ1131は、図示しない温度制御機構によって、その表面温度が15℃以下に設定されている。これにより、ステージ1131上に載置された基板Wは、15℃以下の温度に調整される。
【0038】
ステージ1131の上方には、インクジェットヘッド1132が配置されている。ステージ1131の下方には、レール1133及び1134が互いに略直交するように配置されている。ステージ1131は、図示しない駆動機構によって、レール1133上をそれが延在する方向(X方向)に沿って移動可能である。また、レール1133は、ステージ1131とともに、図示しない駆動機構によって、レール1134上をそれが延在する方向(Y方向)に沿って移動可能である。このような構成により、ステージ1131及びステージ1131上に載置された基板Wが、インクジェットヘッド1132に対して、互いに略直交するX方向及びY方向の双方に相対移動可能である。
【0039】
このインクジェットヘッド1132は、230W・m−1・K−1 以上の熱伝導率を有する金属材料、例えばアルミニウム(Al)や銅(Cu)・銀(Ag)などを主に含むような金属材料によって形成される。また、このインクジェットヘッド1132は、図3の(b)に示すように、スペーサ80を形成するための液状の有機材料を基板Wに向けて吐出するノズル1132Aを備えている。さらに、このインクジェットヘッド1132は、ノズル1132Aから吐出される有機材料をその融点以上の温度に加熱する加熱機構1132Bを備えている。この加熱機構1132Bは、例えば、インクジェットヘッド1132に巻きつけたバンドヒータによって構成される。この加熱機構1132Bにより、熱伝導率の高いインクジェットヘッド1132を昇温し、供給された有機材料を最適な粘度を有する液状とする。
【0040】
このような構成により、インクジェットヘッド1132は、有機材料をその融点以上の温度に加熱して十分な流動性を有する液状材料とした上で、15℃以下の温度に調整されたステージ1131上に載置されている基板Wに向けて吐出する。これにより、インクジェットヘッド1132のノズル1132Aから吐出された液状材料は、基板Wに到達した時点で瞬時に硬化し、所望する高さのスペーサ80を形成する。
【0041】
次に、スペーサ80の構造例について説明する。
(第1構造例)
まず、第1構造例のスペーサ80は、格子状に形成されている。すなわち、図4に示すように、有機EL素子40は、格子状に形成された隔壁70によって画素分離される。スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上において、例えばX方向に沿って連続的に延出された第1スペーサ80Aと、Y方向に沿って延出されるとともに第1スペーサ80Aと交差しないように配置された第2スペーサ80Bとを備えて構成される。
【0042】
このような構造のスペーサ80は、例えば、まず隔壁70の真上に位置する第2電極66に向けてインクジェットヘッド1132のノズル1132Aを配置し、レール1133に沿ってX方向にステージ1131を移動しつつ液状の有機材料を連続的に吐出することで第1スペーサ80Aを形成する。その後、レール1134に沿ってY方向にステージ1131及びレール1133を移動しつつ液状の有機材料を所定間隔で吐出することで形成される。
【0043】
このような第1構造例のスペーサ80は、高さのばらつきが少なく、しかも高密度に配置することができる。このため、アレイ基板100と封止基板200との間に均一なギャップを形成することができ、しかも、高い機械的強度を確保することができる。
【0044】
また、外部から加わった衝撃は、格子状のスペーサ80に分散されるため、有機EL素子40の破壊を防止することができる。このため、製造歩留まりの低下を招くことなく、信頼性の高い高品位な表示装置を提供することができる。なお、スペーサ80は、隔壁70の全体に沿って配置する必要はなく、要求される性能や画面サイズなどに応じて適当な配置密度で配置されれば良い。
【0045】
(第2構造例)
第2構造例のスペーサ80は、柱状に形成されている。すなわち、図5に示すように、スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上において、所定の配置密度で柱状に形成されている。
【0046】
このような構造のスペーサ80は、例えば、まず隔壁70の真上に位置する第2電極66に向けてインクジェットヘッド1132のノズル1132Aを配置し、レール1133及び1134に沿ってX方向及びY方向にステージ1131を移動しつつ液状の有機材料を間欠的に吐出することで形成される。
【0047】
このような第2構造例のスペーサ80は、容易に配置密度を制御することができる。また、連続的に形成する場合よりも有機材料の使用量を抑えることができる。
【0048】
特に、図5に示したようなアレイ基板側にスペーサ80を配置した場合、第2電極66上に接する底部の面積は、封止基板200を支持する頂部の面積より大きく形成され、テーパ形状となる。このため、外部から加わった衝撃は、柱状のスペーサ80に集中するが、有機EL素子に接する底部の面積が球状スペーサと比較して大きいために分散される。したがって、有機EL素子40の破壊を防止することができ、製造歩留まりの低下を招くことなく、信頼性の高い高品位な表示装置を提供することができる。
【0049】
(第3構造例)
第3構造例のスペーサ80は、ストライプ状に形成されている。すなわち、図6に示すように、スペーサ80は、隔壁70の真上に位置する第2電極66上において、X方向またはY方向に沿って所定の間隔でストライプ状に形成されている。
【0050】
このような構造のスペーサ80は、例えば、まず隔壁70の真上に位置する第2電極66に向けてインクジェットヘッド1132のノズル1132Aを配置し、レール1133または1134に沿ってX方向またはY方向にステージ1131を移動しつつ液状の有機材料を連続的に吐出することで形成される。
【0051】
このような第3構造例のスペーサ80は、容易に配置密度を制御することができる。また、格子状に形成する場合よりも有機材料の使用量を抑えることができる。さらに、高さのばらつきを少なくすることができる。このため、アレイ基板100と封止基板200との間に均一なギャップを形成することができ、しかも、高い機械的強度を確保することができる。
【0052】
また、外部から加わった衝撃は、ストライプ状のスペーサ80に分散されるため、有機EL素子40の破壊を防止することができる。このため、製造歩留まりの低下を招くことなく、信頼性の高い高品位な表示装置を提供することができる。
【0053】
なお、図4及び図6に示したような構造例においては、スペーサ80は、遮光性を有する有機材料によって形成されても良い。すなわち、有機EL素子40からのEL発光を封止基板200側すなわち第2電極66側から取り出す上面発光方式においては、格子状またストライプ状のスペーサ80を例えば黒色に着色された遮光性を有する有機材料によって形成することで、極めて高いコントラストを実現することができ、さらに表示品位を向上することが可能となる。
【0054】
また、図4乃至図6では、スペーサ80をアレイ基板側に配置した例を示したが、封止基板側に配置しても良いことは言うまでもない。
【0055】
(製造方法)
次に、有機EL表示装置の製造方法について説明する。
【0056】
まず、図7の(a)に示すように、第1電極60を有する配線基板120を用意する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、絶縁性基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108の他に、信号線Xn、走査線Ym、電源供給線P等の各種配線も形成した、縦480画素、横640×3(R、G、B)画素の合計92万画素を有した有効表示エリアが対角7インチサイズの配線基板120を形成する。そして、各画素にITOからなる500オングストロームの膜厚を有する第1電極60を形成する。この第1電極60については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。
【0057】
続いて、第1電極60を囲むように格子状に配置された親水性の第1絶縁層71及び疎水性の第2絶縁層を有した隔壁70を形成する。すなわち、感光性樹脂材料を一般的なフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、約220℃の高温下で30分間ベーク処理を行う。さらに、リアクティブイオンエッチング装置にて反応性フッ素含有ガスで処理して、樹脂材料全体を疎水性に膜改質する。これにより、隔壁70が形成される。
【0058】
続いて、図7の(b)に示すように、各画素内に、有機発光層の他にホールバッファ層などを含む有機活性層64を成膜する。すなわち、ホールバッファ層や有機発光層などを形成する高分子系発光ポリマ材料の2.0wt%重量溶液を、隔壁70によって区画された画素内に向けて噴射し、第1電極60上に塗布する。この溶液の塗布は、ピエゾ式インクジェットノズルを用い、発光ポリマ材料の供給量が0.05ml/minの条件下で行われる。
【0059】
このように塗布された発光ポリマ材料の溶液は、各画素の周辺に配置された隔壁70の下部に露出した親水性の第1絶縁層71部分により、画素内での広がりを阻害されること無く、均一に広がる。
【0060】
そして、100℃の高温下で15秒間の乾燥処理を行うことで、溶液に含まれる溶媒を除去する。このようにして形成された各画素の有機活性層64は、溶媒除去後に均一な膜厚に形成され、ここでは約1500オングストロームの膜厚に形成される。このため、後に形成される第2電極66と第1電極60との間が確実に電気的に絶縁され、ショートの発生を防止することができる。
【0061】
続いて、図7の(c)に示すように、有機活性層64上に第2電極66を形成する。すなわち、陰極として機能する金属膜としてバリウム(Ba)を10−7Paの真空度において600オングストロームの膜厚に蒸着し、続けて、カバーメタルとして機能する金属膜としてアルミニウム(Al)を1500乃至3000オングストロームの膜厚で蒸着する。これにより、有機EL素子40が形成される。
【0062】
続いて、図7の(d)に示すように、第2電極66上にスペーサ80を形成する。すなわち、15℃以下の表面温度に設定されたステージ1131上に配線基板120を載置した後、加熱機構付きピエゾ式インクジェットヘッド1132にワックス系の有機材料を充填し、160℃に加熱しながら有機材料に流動性を持たせた状態で、所望の位置に向けて液状の有機材料を吐出する。有機材料の吐出量、粘度、及び吐出のタイミングを制御することで所望する高さ及び形状のスペーサ80が形成される。
【0063】
続いて、アレイ基板100上の表示エリア102を封止するために、封止基板200の外周に沿って紫外線硬化型のシール材400を塗布し、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中において、アレイ基板100と封止基板200とを貼り合わせる。このとき、アレイ基板100と封止基板200との間にスペーサ80が挟持され、所定のギャップが形成される。これにより、有機EL素子40は、不活性ガス雰囲気の密閉空間内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール材300を硬化させる。さらにその後、アレイ基板100の外面(発光面)に偏向板を貼り付ける。
【0064】
このようにして形成した下面発光方式のカラー表示型アクティブマトリクス有機EL表示装置では、有機活性層64の膜厚異常に起因するような表示不良のない、良好な表示が得られた。また、偏向板を貼り付ける際に基板に所定の圧力が付加されるが、スペーサ80を配置したことにより基板が撓むことがなく、しかも、有機EL素子40の破損も防止することができた。スペーサを配置しない従来の構造では5〜6%のデバイスで有機EL素子の破損が発生していたが、上述したような製造方法にて製造したデバイスでは有機EL素子の破損発生率は0%に抑えられた。
【0065】
また、スペーサ80の形成にインクジェット方式を採用しているため、スペーサ材料の使用効率は80%程度と高く、スペーサ材料の供給系に残留したもの以外は全て有効に成膜に用いられたことが分かった。これは、通常のフォトリソグラフィプロセスによってスペーサを形成した場合と比較して格段に高い使用効率であることが確認できた。
【0066】
以上説明したように、この実施の形態に係る表示装置及びその製造方法によれば、高分子系の発光ポリマ材料を適用することで、有機EL素子の有機活性層をインクジェット法にて選択的に成膜する方法を採用することができる。この成膜方法は、工程数が少なく、発光ポリマ材料の使用効率も格段によいといったメリットもある。
【0067】
また、大画面化に伴って基板サイズが大型化した場合であっても、アレイ基板と封止基板との間にスペーサを配置したことにより、両基板の間に最適なギャップが保持されるとともに、外部からの応力に対する機械的強度を向上することが可能となる。また、外部からの応力をスペーサを介して分散することができ、表示装置の表面に偏向板を貼り付ける時や、表示装置を運搬する時に加わる応力による表示素子の破壊を防止することができる。
【0068】
さらに、スペーサは、100℃以上の融点を有する有機材料を用いて形成する。特に、ワックス系の有機材料は、加熱すると流動性が増すが、冷えると(常温で)迅速に固化する。この特徴を生かし、インクジェット装置のインクジェットヘッド部分に加熱機構を取り付けることにより、インクジェットヘッド部分に供給されたワックス系材料は、加熱されて液状となり、容易に吐出可能となる。一方で、ワークとしての基板(アレイ基板または対向基板)を載置するステージを常時低温に保持する。これにより、液状のワックス系材料が基板上の所定位置に着弾した時には冷却されて固化し、スペーサとして形成されることになる。
【0069】
このような物理的特性を有する有機材料と、インクジェット方式とを採用することにより、通常のフォトリソグラフィプロセスとは異なり、非常に高い材料利用効率を達成することが可能であり、しかも、低コストで性能の良い表示装置を製造することが可能である。
【0070】
さらに、インクジェット装置では、ワークとしての基板表面が平坦でなくてもスペーサの形成が可能であるため、凹凸の付いた封止基板にもスペーサの配置が可能である。なお、インクジェットヘッドの材質をアルミニウムなどの熱伝導率の良い金属材料で形成することにより、有機材料を迅速に流動化させることができ、また温度の伝達ムラも少なくなることから、吐出量の不均一性を低減することができ、常に安定した高さのスペーサを形成することが可能である。
【0071】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、製造歩留まりを改善することができ、しかも、大画面化が可能な信頼性の高い表示装置の製造方法及びその製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図2】図2は、図1に示した有機EL表示装置の1画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図3】図3の(a)は、スペーサを形成するためのインクジェット装置の構造を概略的に示す図であり、(b)は、インクジェットヘッドの構造を概略的に示す図である。
【図4】図4は、図1に示した有機EL表示装置のスペーサの第1構造例を概略的に示す斜視図である。
【図5】図5は、図1に示した有機EL表示装置のスペーサの第2構造例を概略的に示す斜視図である。
【図6】図6は、図1に示した有機EL表示装置のスペーサの第3構造例を概略的に示す斜視図である。
【図7】図7の(a)乃至(d)は、配線基板上にスペーサを有する有機EL素子を形成するための製造工程を説明するための図である。
【符号の説明】
1…有機EL表示装置、10…画素スイッチ、20…駆動トランジスタ、30…蓄積容量素子、40…有機EL素子、60…第1電極、64…有機活性層、66…第2電極、70…隔壁、71…第1絶縁層、72…第2絶縁層、80…スペーサ、100…アレイ基板、200…封止基板、400…シール材、PX…画素、1130…インクジェット装置、1131…ステージ、1132…インクジェットヘッド
Claims (11)
- マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を備えた第1基板と、
前記第1基板に対向して配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に所定のギャップを形成するよう配置されたスペーサと、を備えた表示装置の製造方法において、
前記スペーサは、インクジェットヘッドから100℃以上の融点を有する有機材料を吐出して形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第1基板は、前記第1電極の周縁に沿って配置され各画素を分離する隔壁を備え、
前記スペーサは、前記有機活性層及び前記隔壁を覆うように配置された前記第2電極上に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。 - 前記スペーサは、前記隔壁の真上に位置する前記第2電極上に形成されたことを特徴とする請求項2に記載の表示装置に製造方法。
- 前記スペーサは、ストライプ状に形成されたことを特徴とする請求項3に記載の表示装置の製造方法。
- 前記スペーサは、格子状に形成されたことを特徴とする請求項3に記載の表示装置の製造方法。
- 前記スペーサは、遮光性を有する有機材料によって形成されたことを特徴とする請求項4または5に記載の表示装置の製造方法。
- 前記スペーサは、柱状に形成されたことを特徴とする請求項3に記載の表示装置の製造方法。
- 表示装置用基板を載置するステージと、
前記表示装置用基板に向けてスペーサを形成するための100℃以上の融点を有する有機材料を吐出するインクジェットヘッドとを備え、
前記インクジェットヘッドは、ノズルから吐出される有機材料をその融点以上の温度に加熱する加熱機構を備えたことを特徴とする表示装置の製造装置。 - 前記インクジェットヘッドは、230W・m−1・K−1以上を有する金属材料によって構成されたことを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造装置。
- 前記インクジェットヘッドは、アルミニウム(Al)及び鉄(Fe)の少なくとも1つを含む金属材料によって構成されたことを特徴とする請求項9に記載の表示装置の製造装置。
- 前記ステージは、その表面温度が15℃以下となるよう設定する温度制御機構を有することを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003107839A JP2004319118A (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 表示装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003107839A JP2004319118A (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 表示装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004319118A true JP2004319118A (ja) | 2004-11-11 |
Family
ID=33469562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003107839A Pending JP2004319118A (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 表示装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004319118A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006221875A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
WO2008139746A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2020685A2 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light emitting display |
JP2009181954A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
WO2011122445A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友化学株式会社 | 発光装置 |
CN103715222A (zh) * | 2012-10-04 | 2014-04-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
JP2014215309A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | スタンレー電気株式会社 | 表示素子 |
JP2017103227A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
US9685629B2 (en) | 2015-02-26 | 2017-06-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
US9893127B2 (en) | 2015-01-29 | 2018-02-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
-
2003
- 2003-04-11 JP JP2003107839A patent/JP2004319118A/ja active Pending
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006221875A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4655266B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
WO2008139746A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | エレクトロルミネッセンス素子 |
US8810765B2 (en) | 2007-05-15 | 2014-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence element |
EP2020685A2 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light emitting display |
JP2009038007A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP4555363B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-09-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置 |
JP2009181954A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US8536785B2 (en) | 2008-01-30 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method for manufacturing the same |
EP2555596A1 (en) * | 2010-03-29 | 2013-02-06 | Sumitomo Chemical Company Limited | Light emitting device |
WO2011122445A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友化学株式会社 | 発光装置 |
EP2555596A4 (en) * | 2010-03-29 | 2013-08-21 | Sumitomo Chemical Co | LIGHT EMITTING DEVICE |
JP2011210407A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光装置 |
CN102823326A (zh) * | 2010-03-29 | 2012-12-12 | 住友化学株式会社 | 发光装置 |
TWI596755B (zh) * | 2012-10-04 | 2017-08-21 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 |
CN103715222A (zh) * | 2012-10-04 | 2014-04-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
JP2014215309A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | スタンレー電気株式会社 | 表示素子 |
US9893127B2 (en) | 2015-01-29 | 2018-02-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
US11139351B2 (en) | 2015-01-29 | 2021-10-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same utilizing a spacer over a pixel defining layer |
US9685629B2 (en) | 2015-02-26 | 2017-06-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
JP2017103227A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
KR101765102B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2017-08-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
US10211272B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-02-19 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7629740B2 (en) | Display device with stacked layer body | |
JP5545335B2 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
KR100646297B1 (ko) | 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2003282244A (ja) | 薄膜、薄膜の製造方法、薄膜製造装置、有機el装置、有機el装置の製造方法、有機el装置の製造装置、及び電子機器 | |
JP2004319119A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
US7294960B2 (en) | Organic electroluminescent device with HIL/HTL specific to each RGB pixel | |
JP2007095608A (ja) | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 | |
JP4432358B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2004319118A (ja) | 表示装置の製造方法及びその製造装置 | |
JP2003187970A (ja) | 表示装置の製造方法、電子機器の製造方法、表示装置および電子機器 | |
JP2019160495A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法および製造装置 | |
JP2004004610A (ja) | 配線基板、電子装置、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2011090910A (ja) | 有機el装置用基板およびそれを用いた有機el装置の製造方法 | |
JP2006004743A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2003297569A (ja) | 表示装置の製造方法及び製造装置 | |
JP4656074B2 (ja) | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 | |
JP4631609B2 (ja) | 機能膜の形成方法、有機el表示パネルの製造方法、液晶表示パネルの製造方法、プラズマディスプレイパネルの製造方法、カラーフィルタの製造方法 | |
JP2003249355A (ja) | 表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器 | |
JP2005284276A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP2004004611A (ja) | 配線基板、電子装置、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP3627739B2 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
JP2005317346A (ja) | 表示装置 | |
JP2014191979A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2005158617A (ja) | 表示装置 | |
JP2006172940A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 |