JP2004289143A - 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにアクチュエータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の構成の素子部54A、54Bが一部で連結された構成からなり、素子部54A、54Bは第1主電極膜2と第1対向電極膜5とで挟まれた第1圧電体薄膜3と、第2主電極膜12と第2対向電極膜15とで挟まれた第2圧電体薄膜13とが、第1対向電極膜5と前記第2対向電極膜15とを対向させ接着固定された構造体と、外周領域を覆う絶縁層6とを含み、電極取り出し領域では、第1主電極膜突出部21上の絶縁層6に形成された第1開口部62及び第1対向電極膜突出部51上の絶縁層6に形成された第2開口部64のうち、少なくともどちらか一方を設け、第1対向電極膜5または第1主電極膜2と接続する接続配線を設けた。
【選択図】図4
Description
本発明の実施の形態1にかかる薄膜圧電体素子54とその製造方法、これを用いたアクチュエータおよびディスク装置について説明する。
図9は、本発明の実施の形態2にかかる薄膜圧電体素子540の平面図である。また、図10は、図9に示す228−228線に沿った断面図である。本実施の形態の薄膜圧電体素子540も一対構成からなり、それぞれの素子部540A、540Bの圧電機能領域226の構造は実施の形態1にかかる薄膜圧電体素子54と同じである。
図15は、本発明の実施の形態3にかかる薄膜圧電体素子560の電極取り出し領域の断面図である。本実施の形態の薄膜圧電体素子560も一対構成からなり、それぞれの素子部560A、560Bの圧電機能領域の構造は実施の形態2にかかる薄膜圧電体素子540と同じである。
2,202,302 第1主電極膜
3,203,303 第1圧電体薄膜
5,205,305 第1対向電極膜
6,222,322 絶縁性樹脂層(絶縁層)
8,218 第1接続配線
9,219 第2接続配線
11,211,311 第2の基板
12,212,312 第2主電極膜
13,213,313 第2圧電体薄膜
15,215,315 第2対向電極膜
18,220,320 絶縁保護膜
20,232,332 接着層
21,2021 第1主電極膜突出部
50A,50B 構造体
51,2051,3051 第1対向電極膜突出部
52,151,2052,2151,3052,3151 上層膜
53,152,2053,2152,3053,3152 下層膜
54,540,550,560 薄膜圧電体素子
54A,54B,540A,540B,560A,560B 素子部
62,262 第1開口部
64,260,360 第2開口部
70,230,330 連結部
106,226 圧電機能領域
108,224 電極取り出し領域
182,240 開口部
318 接続配線
458 接着樹脂層
460 フレクシャー
461 スライダ保持部
462 ヘッド電極パッド
463 ヘッド電極配線
464 圧電体電極パッド
465 圧電体電極配線
467 ワイヤリード
901 主軸
902 磁気ディスク
903 回転手段
904 ヘッドスライダ
905 アクチュエータ
906 サスペンション
907 アーム
908 軸受部
909 第1の位置決め手段
910 筐体
Claims (22)
- 第1主電極膜と第1対向電極膜とで挟まれた第1圧電体薄膜と、第2主電極膜と第2対向電極膜とで挟まれた第2圧電体薄膜とが、前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させ、かつ前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを物理的および電気的に接続した構造体と、
前記構造体の厚み部分の外周領域を覆う絶縁層とを有し、
前記第1主電極膜は前記第1圧電体薄膜よりも一部延長した第1主電極膜突出部を有し、前記第1主電極膜突出部上の前記絶縁層に第1開口部を形成し、前記第1開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜とを接続した第1接続配線が配置された構成を有することを特徴とする薄膜圧電体素子。 - 前記第1接続配線が前記構造体の前記第2主電極膜側の表面に配置された構成を有することを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電体素子。
- 第1主電極膜と第1対向電極膜とで挟まれた第1圧電体薄膜と、第2主電極膜と第2対向電極膜とで挟まれた第2圧電体薄膜とが、前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させ、前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを物理的および電気的に接続した構造体と、
前記構造体の厚み部分の外周領域を覆う絶縁層とを有し、
電極取り出し領域の前記第1主電極膜は前記第1圧電体薄膜よりも一部延長した第1主電極膜突出部を有し、前記第1主電極膜突出部上の前記絶縁層に形成された第1開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜とを接続する第1接続配線が配置され、かつ、
前記電極取り出し領域の前記第2主電極膜、前記第2圧電体薄膜および前記第2対向電極膜の幅は前記第1対向電極膜の幅より狭く形成されて前記第1対向電極膜上に前記絶縁層が積層された領域を有し、前記領域の前記第1対向電極膜上の前記絶縁層に形成された第2開口部を介して前記第1対向電極膜と電気的に接続された第2接続配線が配置された構成を有することを特徴とする薄膜圧電体素子。 - 前記第1接続配線と前記第2接続配線とが前記構造体の前記第2主電極膜側の同じ表面にまでそれぞれ延長して配置された構成を有することを特徴とする請求項3に記載の薄膜圧電体素子。
- 一対の素子部があらかじめ設定した設定間隔を保持して平面上に配置された構成からなり、一対の前記素子部の圧電体として作用する圧電機能領域が前記設定間隔の中心線に対して鏡面対称形状を有し、かつ前記素子部間は前記設定間隔の一部において前記素子部を構成する材料のうちの少なくとも1種類により連結された連結部を含み、
一対の前記素子部のそれぞれは、
第1主電極膜と第1対向電極膜とで挟まれた第1圧電体薄膜と、第2主電極膜と第2対向電極膜とで挟まれた第2圧電体薄膜とが、前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させ、かつ前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを物理的および電気的に接続した構造体と、
前記構造体の厚みに沿った外周領域を覆う絶縁層とを含み、
電極取り出し領域の前記第1主電極膜は前記第1圧電体薄膜よりも一部延長した第1主電極膜突出部を有し、前記第1主電極膜突出部上の前記絶縁層に形成された第1開口部、および前記電極取り出し領域の前記第2主電極膜、前記第2圧電体薄膜および前記第2対向電極膜の幅を前記第1対向電極膜の幅より狭く形成して前記第1対向電極膜上に前記絶縁層が形成された領域部を設け、前記領域部の前記第1対向電極膜上の前記絶縁層に形成された第2開口部のうち、少なくともどちらか一方を設け、
前記第1開口部または前記第2開口部を介して、前記第1対向電極膜または第1主電極膜と接続し、表面層まで引き出された接続配線を有することを特徴とする薄膜圧電体素子。 - 前記連結部は前記絶縁層により形成され、前記構造体には前記第1開口部と前記第2開口部とが形成され、
前記接続配線は、前記第1開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜とを接続する第1接続配線と、前記第2開口部を介して前記領域部の前記第1対向電極膜と接続して表面層まで引き出された第2接続配線とからなることを特徴とする請求項5に記載の薄膜圧電体素子。 - 前記連結部は少なくとも前記第1対向電極膜と前記第1圧電体薄膜とにより形成され、前記構造体には前記第1開口部と、前記素子部に共通して1個設けられた前記第2開口部とが形成され、
前記接続配線は、前記第1開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜とを接続する第1接続配線と、前記第2開口部を介して前記領域部の前記第1対向電極膜と接続して表面層まで引き出された第2接続配線とからなることを特徴とする請求項5に記載の薄膜圧電体素子。 - 前記連結部は少なくとも前記第1対向電極膜と前記第1圧電体薄膜とにより形成され、前記構造体には前記第1主電極膜突出部上の前記絶縁層に前記第1の開口部が形成され、
前記接続配線は、前記第1の開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜とを接続した構成からなることを特徴とする請求項5に記載の薄膜圧電体素子。 - 前記連結部は、前記第1主電極膜、前記第1圧電体薄膜、前記第2主電極膜および前記第2圧電体薄膜により形成され、前記構造体には前記第1対向電極膜突出部上の前記絶縁層に前記第2開口部が形成され、
前記接続配線は、前記第2開口部を介して前記第1対向電極膜突出部から表面層まで引き出した構成を有することを特徴とする請求項5に記載の薄膜圧電体素子。 - 前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とは導電性の接着層により物理的および電気的な接続が行なわれていることを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれかに記載の薄膜圧電体素子。
- 前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とは二層以上からなり、それぞれの上層膜が金(Au)、銀(Ag)および銅(Cu)からなる第1の群と、スズ(Sn)、カドミウム(cd)、金含有スズ合金および金含有カドミウム合金からなる第2群とからそれぞれ任意に選択した組み合せとし、前記導電性の接着層は前記上層膜同士が合金化することにより形成されることを特徴とする請求項10に記載の薄膜圧電体素子。
- 前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とは二層以上からなり、それぞれの上層膜がハンダ、またはハンダとこのハンダを構成する材料の少なくとも1種類からなり、前記導電性の接着層は前記上層膜同士が溶融一体化することにより形成されることを特徴とする請求項10に記載の薄膜圧電体素子。
- 前記導電性の接着層は、導電性の粒子と接着性を有する結着材とを含む樹脂ペーストまたは導電性高分子で構成される接着剤からなることを特徴とする請求項10に記載の薄膜圧電体素子。
- 支持部材と、
前記支持部材上に配置され、それぞれが逆方向に伸縮動作する一対の薄膜圧電体素子を含み、
前記一対の薄膜圧電体素子が請求項5から請求項9までのいずれかに記載の構成からなることを特徴とするアクチュエータ。 - ディスク状の記録媒体と、
前記記録媒体に記録と再生の少なくとも一方を行なうヘッドと、
前記ヘッドを前記記録媒体の所定位置に位置決めする第1の位置決め手段と第2の位置決め手段とを有し、
前記第1の位置決め手段は前記ヘッドが取り付けられた支持部材を保持するアームを回転させる駆動手段であり、
前記第2の位置決め手段は前記支持部材とこの支持部材上に取り付けられた一対の薄膜圧電体素子とからなるアクチュエータであり、前記アクチュエータが請求項14に記載の構成からなることを特徴とするディスク装置。 - 第1の基板上に第1主電極膜、第1圧電体薄膜および第1対向電極膜をこの順に積層し、そして、圧電体として機能する圧電機能領域では、前記第1主電極膜、前記第1圧電体薄膜および前記第1対向電極膜ともに同じ形状で、かつ、電極取り出し領域では、前記第1主電極膜はその一部が延在されて前記第1圧電体薄膜から露出した第1主電極膜突出部を有する形状に、前記第1主電極膜、前記第1圧電体薄膜および前記第1対向電極膜を加工する工程と、
第2の基板上に第2主電極膜、第2圧電体薄膜および第2対向電極膜をこの順に積層し、そして、前記圧電機能領域では、前記第1の基板上に形成した前記第1主電極膜、前記第1圧電体薄膜および前記第1対向電極膜と同じで、かつ、前記電極取り出し領域では、その一部で前記第2主電極膜、前記第2圧電体薄膜および前記第2対向電極膜が切り欠かれた形状に、前記第2主電極膜、前記第2圧電体薄膜および前記第2対向電極膜を加工する工程と、
前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させて導電性の接着層で接着して一体化した構造体を形成する工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とで挟まれた前記構造体間の空間領域を充填する絶縁層を形成する工程と、
前記第2の基板を除去する工程と、
露出した前記絶縁層が少なくとも前記第1主電極膜の外周部を覆う形状に加工する工程と、
前記第1主電極膜突出部上と前記第1対向電極膜突出部上の前記絶縁層に、前記第1主電極膜突出部まで到達する第1開口部と前記第1対向電極膜突出部または前記接着層まで到達する第2開口部をそれぞれ形成する工程と、
前記第1開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜との間を接続する第1接続配線、および前記第2開口部を介して前記第1対向電極膜突出部または前記接着層から前記絶縁層表面側に引き出すための第2接続配線を形成する工程を含む薄膜圧電体素子の製造方法。 - 第1の基板上に第1主電極膜、第1圧電体薄膜および第1対向電極膜をこの順に積層し、そして、あらかじめ設定した設定間隔の中心線を基準として対称な一対の形状からなり、圧電体として機能する圧電機能領域では、それぞれの全体形状は前記第1主電極膜、前記第1圧電体薄膜および前記第1対向電極膜ともに同じ形状で、かつ、電極取り出し領域では、前記第1主電極膜はその一部が延在されて前記第1圧電体薄膜から露出した第1主電極膜突出部を有する形状を形成する工程と、
第2の基板上に第2主電極膜、第2圧電体薄膜および第2対向電極膜をこの順に積層し、そして、前記第1の基板上に形成した一対の形状と同じ形状で、かつ、前記電極取り出し領域では、その一部で前記第2主電極膜、前記第2圧電体薄膜および前記第2対向電極膜がそれぞれ切り欠かれた形状に形成する工程と、
それぞれの前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させて導電性の接着層で接着して一体化した構造体を一対形成する工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とで挟まれた前記構造体間の空間領域を充填する絶縁層を形成する工程と、
前記第2の基板を除去する工程と、
前記絶縁層が少なくとも前記第1主電極膜の外周部を覆い、かつ前記設定間隔の一部領域で一対の構造体を連結する形状に加工する工程と、
前記第1主電極膜突出部上と前記第1対向電極膜突出部上の前記絶縁層に、前記第1主電極膜突出部まで到達する第1開口部と前記第1対向電極膜突出部または前記接着層まで到達する第2開口部とをそれぞれ形成する工程と、
前記第1開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜との間を接続する第1接続配線、および前記第2開口部を介して前記第1対向電極膜突出部または前記接着層から前記絶縁層表面側に引き出すための第2接続配線を形成する工程と含むことを特徴とする薄膜圧電体素子の製造方法。 - 第1の基板上に第1主電極膜、第1圧電体薄膜および第1対向電極膜をこの順に積層し、そして、あらかじめ設定された設定間隔の中心線を基準として対称な一対の形状からなり、圧電体として機能する圧電機能領域では、それぞれの全体形状は前記第1主電極膜、前記第1圧電体薄膜および前記第1対向電極膜ともに同じ形状で、かつ、電極取り出し領域では、前記第1主電極膜の一部が延在されて前記第1圧電体薄膜から露出した第1主電極膜突出部と、前記第1圧電体薄膜と前記第1対向電極膜とで前記一対の形状を連結する形状を形成する工程と、
第2の基板上に第2主電極膜、第2圧電体薄膜および第2対向電極膜をこの順に積層し、そして、前記圧電機能領域では、前記第1の基板上に形成した前記一対の形状と同じで、かつ、前記電極取り出し領域では、前記第2主電極膜、前記第2圧電体薄膜および前記第2対向電極膜が同じ位置において一部が切り欠かれた形状に形成する工程と、
それぞれの前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させて導電性の接着層で接着して一体化した構造体を一対形成する工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とで挟まれた前記構造体間の空間領域を充填する絶縁層を形成する工程と、
前記第2の基板を除去する工程と、
前記絶縁層が少なくとも前記第1主電極膜の外周部を覆う形状に加工する工程と、
前記第1主電極膜突出部上の前記絶縁層に第1開口部を形成する工程と、
前記第1開口部を介して前記第1主電極膜突出部と前記第2主電極膜との間を接続する第1接続配線を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜圧電体素子の製造方法。 - 前記第2主電極膜、前記第2圧電体薄膜および前記第2対向電極膜が切り欠かれて露出した第1対向電極膜突出部上の前記絶縁層にさらに第2開口部を形成する工程と、
前記第2開口部を介して前記第1対向電極膜突出部と接続し、表面層まで引き出す第2接続配線を形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の薄膜圧電体素子の製造方法。 - 第1の基板上に第1主電極膜、第1圧電体薄膜および第1対向電極膜をこの順に積層し、そして、あらかじめ設定された設定間隔の中心線を基準として対称な一対の形状からなり、圧電体として機能する圧電機能領域では、それぞれの全体形状は前記第1主電極膜、前記第1圧電体薄膜および前記第1対向電極膜ともに同じ形状で、かつ、電極取り出し領域では、前記第1主電極膜と前記第1圧電体薄膜とで前記一対の形状が連結された形状を形成する工程と、
第2の基板上に第2主電極膜、第2圧電体薄膜および第2対向電極膜をこの順に積層し、そして、前記圧電機能領域では、前記第1の基板上に形成した前記一対の形状と同じで、かつ、前記電極取り出し領域では、前記第1の基板上に形成した前記第1対向電極膜が一部露出し、さらに前記第2主電極膜と前記第2圧電体薄膜とで前記一対の形状が連結された形状に形成する工程と、
それぞれの前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させて導電性の接着層で接着して一体化した構造体を一対形成する工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とで挟まれた前記構造体間の空間領域を充填する絶縁層を形成する工程と、
前記第2の基板を除去する工程と、
前記絶縁層が少なくとも前記第1主電極膜の外周部を覆う形状に加工する工程と、
前記第1対向電極膜の露出部上の前記絶縁層に第2開口部を形成する工程と、
前記第2開口部を介して、前記第1対向電極膜と接続して表面層まで引き出す接続配線を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜圧電体素子の製造方法。 - 前記構造体間の空間領域を充填する前記絶縁層は感光性樹脂からなり、
前記構造体間の空間領域に前記絶縁層を形成する工程において、液状の前記感光性樹脂を充填後、前記感光性樹脂中の溶媒成分を除去する加熱処理を行う工程と、
前記絶縁層を加工する工程後に、前記絶縁層を設定された硬化温度でさらに加熱処理を行う工程とを有することを特徴とする請求項16から請求項20までのいずれかに記載の薄膜圧電体素子の製造方法。 - 前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とは二層以上からなり、前記第1圧電体薄膜上の前記第1対向電極膜および前記第2圧電体薄膜上の前記第2対向電極膜の一方の表面層にAu、AgまたはCuから選ばれた1種類が形成され、他方の表面層にはSn、Cd、Au含有Sn合金またはAu含有Cd合金が形成されており、
前記第1対向電極膜と前記第2対向電極膜とを対向させて導電性の接着層で接着する工程において、前記一方の表面層と前記他方の表面層に形成された金属膜同士を加熱して合金化させて前記接着層を形成することを特徴とする請求項16から請求項21までのいずれかに記載の薄膜圧電体素子の製造方法。
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---|---|
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010146631A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ヘッド・ジンバル・アセンブリ及びディスク・ドライブ |
JP2010283038A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Tdk Corp | 圧電アクチュエータ及び圧電アクチュエータの製造方法 |
JP2011066321A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Tdk Corp | 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ |
JP2011209362A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Brother Industries Ltd | 圧電アクチュエータ、光スキャナ、光走査型画像表示装置、画像形成装置 |
US8593765B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-11-26 | HGST Netherlands B.V. | Head gimbal assembly and disk drive with a piezoelectric element |
JP2019092378A (ja) * | 2019-01-17 | 2019-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電駆動装置及びその駆動方法、ロボット及びその駆動方法 |
JPWO2018074084A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2019-08-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体デバイスおよび表示装置ならびに電子機器 |
JPWO2021095461A1 (ja) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273297A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ |
JP2002134807A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構 |
JP2002324374A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘッド支持機構 |
JP2003036513A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘッド支持機構 |
JP2003101095A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
JP2003197878A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-07-11 | Hitachi Ltd | メモリ半導体装置およびその製造方法 |
JP2003272324A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにアクチュエータ |
JP2003298027A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法、これを用いた薄膜コンデンサ並びに圧電アクチュエータ |
-
2004
- 2004-03-04 JP JP2004060391A patent/JP4806896B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273297A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ |
JP2002134807A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構 |
JP2002324374A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘッド支持機構 |
JP2003036513A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘッド支持機構 |
JP2003101095A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
JP2003197878A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-07-11 | Hitachi Ltd | メモリ半導体装置およびその製造方法 |
JP2003298027A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法、これを用いた薄膜コンデンサ並びに圧電アクチュエータ |
JP2003272324A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにアクチュエータ |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010146631A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ヘッド・ジンバル・アセンブリ及びディスク・ドライブ |
JP2010283038A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Tdk Corp | 圧電アクチュエータ及び圧電アクチュエータの製造方法 |
US8330330B2 (en) | 2009-06-02 | 2012-12-11 | Tdk Corporation | Piezoelectric actuator and method of manufacturing the same |
JP2011066321A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Tdk Corp | 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ |
US8593765B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-11-26 | HGST Netherlands B.V. | Head gimbal assembly and disk drive with a piezoelectric element |
JP2011209362A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Brother Industries Ltd | 圧電アクチュエータ、光スキャナ、光走査型画像表示装置、画像形成装置 |
JPWO2018074084A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2019-08-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体デバイスおよび表示装置ならびに電子機器 |
JP2019092378A (ja) * | 2019-01-17 | 2019-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電駆動装置及びその駆動方法、ロボット及びその駆動方法 |
JPWO2021095461A1 (ja) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 | ||
WO2021095461A1 (ja) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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