JP2004281169A - ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】95重量%以上が平均粒径0.05μmから0.5μmの金属微粒子または絶縁物で被覆した金属粒子を樹脂に分散することにより、高い誘電率と低い誘電正接を実現する。平均粒径が該金属微粒子の粒径より大きい高誘電率フィラーを併用した場合、金属微粒子の充填量が少なくても絶縁信頼性が高く、高い誘電率、低い誘電正接の材料が得られる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、キャパシタ機能を内蔵することが可能な高誘電率コンポジット材料、それを内蔵した多層配線基板及びモジュール基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路のデータエラー原因の一つとして、電気的ノイズの問題がある。電気的ノイズの影響を抑えるために、プリント配線板に容量の大きなキャパシタを設けて電気的ノイズを取り除く方法が知られている。
【0003】
プリント配線板にキャパシタを設ける方法として、チップコンデンサ等の外部キャパシタをプリント配線板に取り付ける方法の他、高誘電率材料をプリント配線板の内層に用いてプリント配線板自体にキャパシタ機能を持たせる方法がある。電子部品の小型化、高機能化の観点から、高誘電材料を内層に用いてキャパシタにする後者の方法が望ましい。
【0004】
熱硬化性樹脂と高誘電率粒子を混合した複合材料を内層キャパシタに用いたプリント配線板が特開平7−9609号公報(特許文献1)に開示されている。この技術で得られる材料は誘電率は10程度で、誘電正接は0.012程度である。
特開2001−338813号公報(特許文献2)には、誘電体層に被覆された球形の金属粒子を樹脂中に分散してなる複合誘電体材料を有する電子部品の記載があり、高誘電率材料が得られるとの内容である。しかしながら、どのようなフィラー(粒径など)をどの程度配合するのか、明細書には全く記載されておらず、また得られた複合誘電体材料の誘電率の値に関する記載もないので、本発明の課題に対応する材料かどうか不明である。
【0005】
また、特開平2001−68803号公報(特許文献3)では熱硬化性樹脂と高誘電率粒子とアスペクト比3〜20の範囲にある針状形状の導電性フィラーからなる高誘電率複合材料の記載がある。しかし針状形状の導電性フィラーはそれ自身凝集しやすく、フィラーを樹脂に均一に混入することは容易でない。また、最近益々多層配線板に対する半導体装置の搭載密度の向上や、配線間の距離の短縮化の要求が厳しくなる傾向にある。特に特許文献2記載の針状導電性フィラーのように、アスペクト比が3〜20ということは、最長約10〜15μm程度のフィラーが含まれることになり、ビアや内層配線のショートの原因となる。仮に、導電性針状フィラーに絶縁被覆を形成したとしても、レーザにより多層板に穴あけ加工をする際に絶縁被覆が破壊されるので、短絡の危険がある。
【特許文献1】
特開平7−9609号公報(要約)
【特許文献2】
特開2001−338813号公報(要約)
【特許文献3】
特開2001−68803号公報(要約)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、誘電率が高く、誘電正接(tanδ)が小さく、信頼性の高い多層板またはモジュール基板を製造することのできるポリマーコンポジット高誘電率材料を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の課題は、樹脂材料に95重量%以上が平均粒径0.05〜0.5μmの金属粒子またはその表面の全部または一部を絶縁物の薄膜で被覆した金属粒子を分散したポリマーコンポジット高誘電率材料、それを用いた多層配線板及び半導体装置を搭載することが可能なモジュール基板によって解決される。特に、本発明によれば、誘電率が30以上でしかも誘電正接が0.06%以下で、ビアや内層配線短絡の危険性のないポリマーコンポジット材料が提供される。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明は、95重量%以上特に好ましくは98重量%以上が平均粒径0.05μmから0.5μmである金属微粒子及び/又はその表面全体あるいは一部を絶縁物の薄膜で被覆した金属粒子(被覆金属粒子)を樹脂中に分散してなるポリマーコンポジット高誘電率材料に関する。
【0009】
平均粒径が0.05μmから0.5μmの金属微粒子又は被覆金属粒子を樹脂に充填することにより高誘電率フィラーの充填では得られない高い誘電率が実現することが明らかとなった。金属粒子は導電性であるため多層配線板の絶縁層に充填した場合、絶縁信頼性の問題が懸念される。しかしながら、平均粒径で0.05μmから0.5μmの金属微粒子を均一に分散することにより、絶縁信頼性と高誘電率が両立する事がわかった。0.05μmより小さいと凝集しやすく、0.5μmより大きいと分散性が悪くなる。この金属粒子のアスペクト比は5以下が好ましく、特に3以下で、1〜2のなるべく球形が好ましい。ここでアスペクト比とは、粒子の相当直径に対する長さの比である。
本発明では、混入する金属粒子及び/又は被覆金属粒子の95重量%以上、特に98重量%以上が平均粒径0.05ないし0.5μmの範囲内にあることが必要である。これ以上に粒径の大きい金属粒子や被覆金属粒子が多くなったり、アスペクト比が大きい金属粒子等が多くなると、ビア間の短絡や内層配線の短絡の危険がある。また、平均粒径が上記よりも小さいと、混合物の混練がきわめて難しくなる。
【0010】
従って、上記平均粒径以外の金属粒子及び/又は被覆金属粒子はできるだけ少ないほうが良く、最も好ましいのは範囲外の金属粒子及び/又は被覆金属粒子はゼロかゼロに近いことである。
以下の説明において、特に断りがない限り、金属粒子で代表して説明する。
現在、多層配線板やモジュール基板に形成されるビアの径は50μm以下であり、20μm以下が普通である。また、配線幅は10μm以下である。従って、導電性フィラーの径はこのビア径や配線幅より十分小さいことが必要である。この点で、本発明で用いる導電性フィラーは0.05〜0.5μmであるので、基板表面及び基板内部で短絡を起こすことが無い。
従来の高誘電率材料はチタン酸バリウムなどの高誘電率フィラーを樹脂に分散して初めてその目的を達成していた。しかし本発明においては、高誘電率フィラーを分散しないでも、従来以上に高い誘電率のコンポジット材料が得られることは特筆すべきことである。この点については追ってデータによって説明する。
【0011】
さらに、高誘電率フィラーを併用した場合、金属微粒子の充填量が少なくとも高い誘電率が得られることも明らかになった。例えば、チタン酸バリウムの場合、高誘電率化に寄与が大きい正方晶系の結晶構造が安定に存在するのは粒径で0.9μm以上と言われている。しかし、充填密度向上のために粒径0.05μmから0.5μmのチタン酸バリウムを併用する手法が一般にとられている。粒子の小径化により正方晶系構造体が少なくなるため同じ充填率では誘電率が低下する。
【0012】
従って、小径チタン酸バリウムとのバイモーダル化はフィラーの充填率を高めて、高誘電率化するには有効であるが、充填率が70容量%を超えると機械物性や薄膜でのリーク特性上では好ましくない。これに対し、平均粒径が0.05μmから0.5μmの金属微粒子を充填することにより、フィラー合計の充填率が同じであっても誘電率が大きく向上することも明らかとなった。
【0013】
例えば、平均粒径が0.9μmと0.3μmのチタン酸バリウムをエポキシ樹脂に60容量%充填した場合の誘電率は、周波数1GHzで35〜40であるが0.3μmのチタン酸バリウムの代わりに、平均粒径が0.3μmのニッケルの金属微粒子を併用した場合、同じフィラー充填量60容量%で55〜60の高い誘電率を示す。
【0014】
この時、ニッケルはフィラートータル充填量の25容量%であった。さらに、金属微粒子の粒子径を小さくすることにより高い誘電率が得られることも明らかになった。
【0015】
金属微粒子の充填量は、樹脂と金属粒子の合計量の5〜70容量%であることが好ましい。金属微粒子の充填量が5容量%より少ないと誘電率向上の効果が小さく、70容量%より大きいと十分な絶縁信頼性の確保が難しくなる。
【0016】
金属微粒子の表面の一部あるいは全部が絶縁性の有機化合物あるいは有機/無機ハイブリッド化合物で被覆した場合も同様である。また、金属微粒子はニッケルが化学的に安定な酸化被膜を有しマイグレーションの問題もなく、樹脂との親和性が優れている。この他、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、コバルト、カドニウム、鉄、クロム、マンガン、及びそれらの表面の一部又は全体を絶縁薄膜で被覆したものを用いることができる。
【0017】
金属微粒子や高誘電率無機フィラーの充填量が増すとポリマーコンポジット材は脆くなり、クラック発生等による特性低下が起きる。これを防ぎ、機械特性を安定させるためにゴム成分が有効であり、樹脂成分(樹脂マトリックス+ゴム成分)の5〜90重量%の範囲で用いることができる。ゴム成分としてはアクリルニトリル系、ポリブタジエン系、ポリフッ化ビニリデン系、ポリスチレン系、シリコン系のゴムが使用できる。本発明において、特に好ましい樹脂材料は樹脂成分の30〜80重量%がゴム成分であるものである。
【0018】
高誘電率フィラーとしてはチタン酸バリウム系セラミックス、チタンーバリウムーネオジウム系セラミックス、チタンーバリウムースズ系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックスが有り、これらは単独でも良く、2種以上を併用することもできる。
【0019】
樹脂は熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でも良い。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が上げられる。
【0020】
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリイミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等の単独あるいは2種以上を併用して使用できる。
【0021】
さらに、誘電率をあまり高くせずに、高いQ(誘電正接tanδの逆数で、Qが大きいと損失が小さくなり、回路特性が向上する)を得るために、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化マグネシウムを併用することも可能である。
【0022】
本発明者は、金属微粒子のみを樹脂中に分散してなるポリマーコンポジット材料が、従来の高誘電率フィラーの分散では得られなかった極めて高い誘電率を示すことを発見した。従って、従来良く行われているように、チタン酸バリウムのような高誘電率材料の添加が必ずしも必要でないという点で、本発明のコンポジット材料は極めて特異な特性を有する。
高誘電率フィラーと金属微粒子が樹脂中に分散されたポリマーコンポジット材料において、前者の平均粒径が該金属微粒子の粒径より大きいものを用いる。このポリマーコンポジット材料においても、極めて高い誘電率を示すことを確認した。
【0023】
高誘電率フィラーであるチタン酸バリウムの平均粒径は0.9μm以上が最も高い誘電率を示す。この高誘電率フィラーと平均粒径が0.05μmから0.5μmの金属微粒子とを用いることにより、充填密度が上がるだけでなく誘電率を高くすることも可能である。また、金属粒子よりも高誘電率フィラーの粒径が大きいと、コンポジット材料の絶縁信頼性が確保できることが明らかになった。
【0024】
以下に、本発明のポリマーコンポジット高誘電率材料を具体的に説明する。実施例1〜7の結果を表1に示す。
【0025】
【表1】
【0026】
(実施例1)
日本触媒製のアクリルゴム変性エポキシ樹脂(BPA328)100重量部、硬化剤として日立化成製のフェノール樹脂(PN850)46重量部、硬化促進剤としてジャパンエポキシレジン製のイミダゾール(P−200)0.1重量部をメチルイソブチルケトン(MIBK)に溶かして固形分70重量%のワニスを得た。
【0027】
予めチッソ製のエポキシシラン系のカップリング剤(S−510)で表面処理した平均粒径0.9μmの東邦チタニウム製のチタン酸バリウム(SB50)70容量%と平均粒径0.05μmのニッケル微粉末30容量%からなるフィラーを上記のワニスに加えてハイブリッドミキサー(キーエンス)で10分間、混合してペースト状混合物を作製した。ワニス中の全固形分のフィラー含有量は60容量%に調整した。
【0028】
このペースト状混合物をドクターブレードによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布した後、90℃の恒温槽で60分乾燥させて厚さ約350μmの混合物を得た。次に、このフィルム状混合物を厚さ300μmのスペーサを用いて180℃で90分で加圧下、加熱硬化して厚さ300μmのポリマーコンポジット材料を得た。
【0029】
このコンポジット材料から幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料とした。測定にはネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製8722ES型)を用いて空洞共振法により、周波数1GHzの誘電率と誘電正接を測定した。
【0030】
誘電率は65、誘電正接は0.06を示した。厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。
【0031】
バイアス1MV/mでリーク電流が0.6×10−9A/cm2と極めて小さく、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後でもリーク電流は2×10−9A/cm2を示しており吸湿信頼性も高いことを確認した。
(実施例2)
日本触媒製のアクリルゴム変性エポキシ樹脂(BPA328)100重量部、硬化剤として日立化成製のフェノール樹脂(PN850)46重量部、硬化促進剤としてジャパンエポキシレジン製のイミダゾール(P−200)0.1重量部をメチルイソブチルケトン(MIBK)に溶かして固形分70wt%のワニスを得た。
【0032】
予めチッソ製のエポキシシラン系のカップリング剤(S−510)で表面処理した平均粒径0.9μmの東邦チタニウム製のチタン酸バリウム(SB50)60容量%と平均粒径0.4μmのニッケル微粉末(NF40)40容量%からなるフィラーを上記のワニスに加えてハイブリッドミキサー(キーエンス)で10分間、混合してペースト状混合物を作製した。ワニス中の全固形分のフィラー含有量を60容量%に調整した。
【0033】
このペースト状混合物をドクターブレードによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布した後、90℃の恒温槽で60分乾燥させて厚さ約350μmの混合物を得た。次に、このフィルム状混合物を厚さ300μmのスペーサを用いて180℃で90分で加圧下、加熱硬化して厚さ300μmのポリマーコンポジット材料を得た。
【0034】
このコンポジット材料から幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料とした。測定にはネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製8722ES型)を用いて空洞共振法により、周波数1GHzの誘電率と誘電正接を測定した。
【0035】
誘電率は60、誘電正接は0.05を示した。厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。バイアス1MV/mでリーク電流が0.8×10−9A/cm2と極めて小さく、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後でもリーク電流は4×10−9A/cm2を示しており吸湿信頼性も高いことを確認した。
(実施例3)
日本触媒製のアクリルゴム変性エポキシ樹脂(BPA328)100重量部、硬化剤として日立化成製のフェノール樹脂(PN850)46重量部、硬化促進剤としてジャパンエポキシレジン製のイミダゾール(P−200)0.1重量部をメチルイソブチルケトン(MIBK)に溶かして固形分70wt%のワニスを得た。
【0036】
予めチッソ製のエポキシシラン系のカップリング剤(S−510)で表面処理した東邦チタニウム製の平均粒径0.4μmのニッケル微粉末(NF40)フィラーを上記のワニスに加えてハイブリッドミキサー(キーエンス)で10分間、混合してペースト状混合物を作製した。ワニス中の全固形分のフィラー含有量を60容量%に調整した。
【0037】
このペースト状混合物をドクターブレードによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布した後、90℃の恒温槽で60分乾燥させて厚さ約350μmの混合物を得た。次に、このフィルム状混合物を厚さ300μmのスペーサを用いて180℃で90分で加圧下、加熱硬化して厚さ300μmのポリマーコンポジット材料を得た。
【0038】
このコンポジット材料から幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料とした。測定にはネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製8722ES型)を用いて空洞共振法により、周波数1GHzの誘電率と誘電正接を測定した。
【0039】
誘電率は75、誘電正接は0.06を示した。厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマーコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。バイアス1MV/mでリーク電流が0.8×10−9A/cm2と極めて小さく、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後でもリーク電流は8×10−9A/cm2を示しており吸湿信頼性も高いことを確認した。
(実施例4)
実施例3のカップリング処理を施したニッケル微粉末にフェノール硬化のアクリルゴム変性エポキシ樹脂を膜厚1μm以下でコーテイングした後、全く同様にしてポリマーコンポジット材料を得た。このコンポジット材料から幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料とした。測定にはネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製8722ES型)を用いて空洞共振法により、周波数1GHzの誘電率と誘電正接を測定した。誘電率は70、誘電正接は0.05を示した。
【0040】
さらに、厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマーコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。バイアス1MV/mでリーク電流が0.4×10−9A/cm2と極めて小さく、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後でもリーク電流は2×10−9A/cm2を示しており吸湿信頼性も高いことを確認した。
(実施例5)
日本曹達のエポキシ樹脂変性ポリブタジエン(EPB−13)100重量部、硬化剤として日立化成製のフェノール樹脂(PN850)15重量部、硬化促進剤としてジャパンエポキシレジン製のイミダゾール(P−200)0.1重量部をメチルイソブチルケトン(MIBK)に溶かして固形分70wt%のワニスを得た。
【0041】
予めチッソ製のエポキシシラン系のカップリング剤(S−510)で表面処理した平均粒径0.9μmの東邦チタニウム製のチタン酸バリウム(SB50)70容量%と平均粒径0.15μmのニッケル微粉末30容量%からなるフィラーを上記のワニスに加えてハイブリッドミキサー(キーエンス)で10分間、混合してペースト状混合物を作製した。ワニス中の全固形分のフィラー含有量は65容量%に調整した。
【0042】
このペースト状混合物をドクターブレードによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布した後、90℃の恒温槽で60分乾燥させて厚さ約350μmの混合物を得た。次に、このフィルム状混合物を厚さ300μmのスペーサを用いて180℃で90分で加圧下、加熱硬化して厚さ300μmのポリマーコンポジット材料を得た。
【0043】
このコンポジット材料から幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料とした。測定にはネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製8722ES型)を用いて空洞共振法により、周波数1GHzの誘電率と誘電正接を測定した。誘電率は55、誘電正接は0.02を示した。
【0044】
厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。バイアス1MV/mでリーク電流が0.4×10−9A/cm2と極めて小さく、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後でもリーク電流は2×10−9A/cm2を示しており吸湿信頼性も高いことを確認した。
(実施例6)
実施例5と全く同じ方法でペースト状ワニスを作製した。ただし、ワニス中の全固形分のフィラー含有量は50容量%に調整した。
【0045】
このペースト状混合物をドクターブレードによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布した後、90℃の恒温槽で60分乾燥させて厚さ約350μmの混合物を得た。次に、このフィルム状混合物を厚さ300μmのスペーサを用いて180℃で90分で加圧下、加熱硬化して厚さ300μmのポリマーコンポジット材料を得た。
【0046】
このコンポジット材料から幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料とした。測定にはネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製8722ES型)を用いて空洞共振法により、周波数1GHzの誘電率と誘電正接を測定した。
【0047】
誘電率は35、誘電正接は0.01を示した。厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。バイアス1MV/mでリーク電流が0.2×10−9A/cm2と極めて小さく、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後でもリーク電流は0.8×10−9A/cm2を示しており吸湿信頼性も高いことを確認した。
(実施例7)
メタフェニレンジカルボン酸とパラフェニレンジカルボン酸のモル比1:1の混合物とジアミノジフェニルエーテルから得られたポリアミドのジメチルアセトアミド溶液(固形分10重量%)を、予めアミノシラン系のカップリング剤で表面処理した平均粒径0.9μmの東邦チタニウム製のチタン酸バリウム(SB50)70容量%と平均粒径0.05μmのニッケル微粉末30容量%からなるフィラーを加えてボールミルで24時間、混合して混合ワニスを作製した。ワニス中の全固形分のフィラー含有量は60容量%に調整した。
【0048】
このワニスをドクターブレードによりガラス板上に塗布した後、100℃の恒温槽で減圧下、60分、さらに150℃の恒温槽で減圧下、60分乾燥させて厚さ約50μmのフィルムを得た。
【0049】
次に、このフィルムから幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料とした。測定にはネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製8722ES型)を用いて空洞共振法により、周波数1GHzの誘電率と誘電正接を測定した。誘電率は80、誘電正接は0.03を示した。
【0050】
厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。バイアス1MV/mでリーク電流が0.8×10−9A/cm2と極めて小さく、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後でもリーク電流は5×10−9A/cm2を示しており吸湿信頼性も高いことを確認した。
【0051】
以上の実施例1〜7のポリマーコンポジット材料はフィラー充填量が50から70容量%で極めて高い誘電率55〜80を示すことを確認した。さらに、PCT試験後もリーク電流値の目立った変化がなく絶縁膜としての高い信頼性を維持している。
【0052】
表2に示す比較例1〜3の検討結果を用いてさらに説明する。
【0053】
【表2】
【0054】
(比較例1)
フィラーとしてニッケル微粉末を用いず、平均粒径0.9μmの東邦チタニウム製のチタン酸バリウム(SB50)70容量%と平均粒径0.3μmの東邦チタニウム製のチタン酸バリウム(SB3A)30容量%からなるフィラーを用いた以外は、実施例1と全く同じ操作によりフィラー充填量60容量%のコンポジット材料を得た。
【0055】
このコンポジット材料を用いて、実施例1と同様に誘電特性を評価した結果、周波数1GHzで誘電率は40、誘電正接は0.06を示した。さらに、リーク電流は初期値が0.8×10― 9A/cm2、72時間のPCT後は5×10― 9A/cm2を示した。実施例1と比較すると同じフィラー充填率で、周波数1GHzの誘電率は実施例1では65が得られており、本発明の効果が明瞭に認められた。
(比較例2)
フィラーとして平均粒径0.4μmのニッケル微粉末のかわりに平均粒径0.3μmの東邦チタニウム製のチタン酸バリウム(SB3A)を用いる以外は、実施例3と全く同じようにしてフィラー充填率60容量%のコンポジット材料を得た。
【0056】
このコンポジット材料を用いて、実施例1と同様に誘電特性を評価した結果、周波数1GHzで誘電率は35、誘電正接は0.06を示した。さらに、リーク電流は初期値が0.8×10― 9A/cm2、72時間のPCT後は2×10― 9A/cm2を示した。ニッケル微粉末だけを使用した実施例3の誘電率は75と2倍以上を示しており,本発明の効果が明らかにされた。
(比較例3)
日本触媒製のアクリルゴム変性エポキシ樹脂(BPA328) 100重量部の代わりにシェル油化製ビスフェノールA型のエポキシ樹脂エピコート1001を20重量部、エピコート828を80重量部用いた以外は、実施例1と全く同様にしてフィラー充填率60容量%のコンポジット材料を得た。
【0057】
このコンポジット材料から幅1.5mmに切り出し誘電率の測定試料の作製を試みたが試料が途中で壊れ測定試料は作製できなかった。
【0058】
次に、厚さ0.5μmのアルミニウムを電極として形成したシリコンウエハに厚さ12μmの上記ポリマコンポジット層を形成した後、上部電極として0.2cm2の円状の電極を厚さ0.5μmのアルミニウムスパッタにより設けた試料を用いてリーク電流を測定した。バイアス1MV/mでリーク電流が6×10−9A/cm2であったが、プレッシャークックテスト(PCT)72時間後ではリーク電流は4×10−6A/cm2を示しており吸湿信頼性が大幅に低下していた。本比較例から明らかなように実施例1のマトリックス用樹脂のゴム成分がコンポジット材料の機械物性に大きく影響しており、ゴム成分を用いないとPCTの吸湿特性が極端に悪くなることが立証された。
(実施例8)
0.2mm厚のガラスクロス強化エポキシプリプレグ1の両面に、ステンレス2に予め形成していた銅電極用パターン3を加熱加圧下、転写して両面に電極を有するガラスエポキシ基板4とする。加熱温度170℃、加熱時間90分である。次に、予め厚さ18μmの銅箔に、(実施例1)の条件で作製したポリマーコンポジットのペーストを均一に塗布して溶媒を乾燥除去して厚さ20μmの膜を形成した片面銅箔高誘電体シート5を両面から加熱加圧下、積層接着した。加熱温度170℃、加熱時間90分である。次に、両面の銅箔をエッチアウトして電極6を形成する。
【0059】
厚さ0.1mmのプリプレグ7と厚さ18μmの銅箔8を両面から加熱、加圧下張り付けて、図1に示す多層構造を形成した。次に、レーザによる穴あけと無電解銅めっきによりビアホール接続部9とスルーホール接続部10を形成した。最後に、外層の配線パターン11をエッチングにより形成して、容量密度32pF/mm2のキャパシタを内蔵する多層プリント配線板を得た。誘電体層と銅箔との接着力は1kN/m以上を有し、260℃のリフローソルダ時にも膨れなどの異常の発生は認められなかった。
(実施例9)
図2に示す製造プロセスでキャパシタを内蔵するLSI搭載用多層配線板を作製した。図では省略するが6層の銅配線を有するガラスセラミック多層板1の表面にポリイミド絶縁層(厚さ10μm)2をカーテンコート法により形成した後、レーザ穴あけと無電解銅めっきにより接続用のスタッドビア3を形成した。さらに、表面にクロム/銅のスパッタリングにより厚さ5μmの配線層4を形成した。
【0060】
ポリイミド表面との接着力確保のためのクロムの厚みは0.5μmである。次に、実施例7のペースト状コンポジットを用いて厚さ10μmのキャパシタ層5を印刷により形成した。印刷後、減圧下100℃で加熱して溶媒を乾燥除去、レジストを除去後、さらに150℃で加熱して形成した。再び、カーテンコート法によりポリイミド絶縁層6を形成した後、レーザ穴あけと無電解銅めっきによる接続用のスタッドビアとクロム/銅のスパッタリングによる厚さ5μmの表面配線層7を形成した。本実施例のキャパシタを内蔵した多層配線板は、はんだボール9により接続されたLSIチップ8を搭載してモジュール基板として使用される。
【0061】
【発明の効果】
本発明に拠れば、誘電体損をあまり大きくしないで誘電率が高く、信頼性の高いコンポジット材料、多層配線基板及びモジュール基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】コンデンサを内蔵する多層プリント板の製造工程を示すフローチャートである。
【図2】半導体搭載モジュール用モジュール基板の製造工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1…エポキシプリプレグ、2…ステンレス鋼フォイル、3…銅電極用パターン、4…両面銅電極エポキシ基板、5…片面銅箔高誘電体シート、21…ガラスセラミック多層配線板、22…ポリイミド絶縁層、23…スタッドビア、24…銅配線、25…キャパシタ、26…ポリイミド絶縁層。
Claims (10)
- 金属粒子及び/又は絶縁物で被覆された金属粒子(以下、単に金属粒子で代表する)が樹脂に分散されたポリマーコンポジット高誘電率材料であって、該金属粒子の95重量%以上の平均粒径が0.05μmから0.5μmであることを特徴とするポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 上記金属粒子のアスペクト比が5以下である請求項1記載のポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 上記絶縁物で被覆された金属粒子は、金属粒子の表面の全部または一部が絶縁物の薄膜によって被覆されている請求項1記載のポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 更に高誘電率物質の粒子が分散されている請求項1記載のポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 上記高誘電率物質の平均粒径は上記金属粒子の平均粒径よりも大である請求項4記載のポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 上記金属粒子の充填量が樹脂及び金属粒子の合計量の5〜70容量%であることを特徴とする請求項1記載のポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 上記金属粒子が銀、銅、アルミニウム、亜鉛、コバルト、カドニウム、ニッケル、鉄、クロム、マンガン又はそれらの表面の一部又は全体に絶縁物の薄膜を形成したものであることを特徴とする請求項1記載のポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 上記樹脂の5〜90重量%がゴム成分であることを特徴とする請求項1記載のポリマーコンポジット高誘電率材料。
- 電極間に誘電体層を介してキャパシタを回路中に形成した多層配線板において、前記キャパシタが、請求項1〜8のいずれかに記載のポリマーコンポジット高誘電率材料であることを特徴とする多層配線板。
- 電極間に誘電体層を介してなるキャパシタを内蔵し、半導体チップを搭載可能なモジュール基板において、前記キャパシタが、請求項第1〜6のいずれかに記載のポリマーコンポジット高誘電率材料であることを特徴とするモジュール基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003069433A JP2004281169A (ja) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 |
PCT/JP2004/003426 WO2004081952A1 (ja) | 2003-03-14 | 2004-03-15 | ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003069433A JP2004281169A (ja) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004281169A true JP2004281169A (ja) | 2004-10-07 |
Family
ID=32984617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003069433A Pending JP2004281169A (ja) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004281169A (ja) |
WO (1) | WO2004081952A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006134869A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-05-25 | Toray Ind Inc | 誘電体組成物 |
WO2007028798A1 (de) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum herstellen eines metallpulvers und eines elektrisch isolierenden kunststoffverbundwerkstoffes, kunststoffverbundwerkstoff und elektronisches bauteil |
CN100367423C (zh) * | 2004-10-22 | 2008-02-06 | 上海奥威科技开发有限公司 | 一种双电层电容器规模化生产的制造方法 |
US7609504B2 (en) | 2005-04-01 | 2009-10-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High-dielectric constant metal-ceramic-polymer composite material and method for producing embedded capacitor using the same |
JP2010030861A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | チタン酸バリウム微粒子及びその製造方法 |
US7875808B2 (en) | 2005-09-19 | 2011-01-25 | Industrial Technology Research Institute | Embedded capacitor device having a common coupling area |
US7893359B2 (en) | 2005-09-19 | 2011-02-22 | Industrial Technology Research Institute | Embedded capacitor core having a multiple-layer structure |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101037695B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2011-05-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터를 갖는 동박적층판 및 이를 이용한 인쇄회로기판 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
CN116333434B (zh) * | 2023-03-17 | 2023-10-27 | 中国海洋大学 | 一种基于金/玻璃纤维布的聚偏氟乙烯介电复合材料 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106181A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Towa Electron Kk | 導体、誘電体混合型コンデンサ |
JPH10190241A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2001338813A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Tdk Corp | 電子部品 |
JP2002015943A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 誘電体の製造方法及びそれを用いた誘電体及びコンデンサ |
-
2003
- 2003-03-14 JP JP2003069433A patent/JP2004281169A/ja active Pending
-
2004
- 2004-03-15 WO PCT/JP2004/003426 patent/WO2004081952A1/ja active Application Filing
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US7609504B2 (en) | 2005-04-01 | 2009-10-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High-dielectric constant metal-ceramic-polymer composite material and method for producing embedded capacitor using the same |
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US7875808B2 (en) | 2005-09-19 | 2011-01-25 | Industrial Technology Research Institute | Embedded capacitor device having a common coupling area |
US7893359B2 (en) | 2005-09-19 | 2011-02-22 | Industrial Technology Research Institute | Embedded capacitor core having a multiple-layer structure |
JP2010030861A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | チタン酸バリウム微粒子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004081952A1 (ja) | 2004-09-23 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071126 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091006 |