JP2004276060A - 半導体装置のマーキング装置及びそれを用いたマーキング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来、半導体装置のマーキングにおいて、半導体基板上の半導体素子を被覆する樹脂の収縮による反りの影響で、前記半導体装置の樹脂表面の所望の位置に印字できないという問題があった。
【解決手段】半導体基板の反りを認識する画像認識手段18を備え、制御装置17が、反りの程度に基づき複数の半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することによりマーキングの位置の精度を上げることが可能となり、半導体基板の反りに対応し、ズレのない印字をすることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板の反りを認識する画像認識手段18を備え、制御装置17が、反りの程度に基づき複数の半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することによりマーキングの位置の精度を上げることが可能となり、半導体基板の反りに対応し、ズレのない印字をすることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置の樹脂パッケージにレーザー光を用いて、品名、ロット番号等を印字するマーキング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、小型の半導体装置は、複数の半導体素子が固着された半導体基板の状態で、樹脂パッケージ表面に品名、ロット番号等が印字される。
【0003】
図7(a)は、例えば、ダイオードなどの2端子の半導体装置のマーキングする前の半導体基板を示す図である。
【0004】
図7(a)に示されるように、印字する前の半導体基板1は、複数の外部電極3が形成された半導体基板1上に、複数の半導体素子2が固着され、半導体素子2が固着された面が、半導体素子2及び金属ワイヤ11を含め樹脂4により覆われた構成をとる。
【0005】
また、図7(b)は、図7(a)における半導体基板1の矢印10の方向から見た図であり、外部電極3a、3bが規則正しく整列した構成をとる。
【0006】
次に、従来の品名、ロット番号等を印字するレーザーマーキング装置の構成について図8を基に説明する。
【0007】
図8に示されるように、従来のマーキング装置は、印字するためのレーザー光7を発生するレーザー装置6と、個々の半導体素子の位置を算出するため基準位置のデータを測定する画像認識装置5と、画像認識装置5で測定した値から個々の半導体素子の位置座標を算出し、レーザー装置6を制御し、所望の位置にマーキングを行う制御装置15からなる。
【0008】
なお、画像認識装置5は、図7(b)における外部電極3a、3bの位置を測定し、個々の半導体素子2の位置を算出する(例えば、特許文献1参照。)
【0009】
【特許文献1】
特開2002−50720号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法では、半導体素子2が固着された側に、樹脂4を塗布した後、樹脂4が硬化と共に収縮するため、図9に示すように、半導体基板1に反りが発生し、所望の位置に印字できないという問題がある。
【0011】
また、対策としては、個々の半導体素子2毎に位置座標を算出しマーキングを行うことが考えられるが、生産効率が悪くなるという問題がある。
【0012】
本発明は、前記問題に鑑み、樹脂の収縮による半導体基板の反りが発生していても、位置ズレすることがなく、効率良くマーキングすることができる半導体装置のレーザーマーキング装置及びマーキング方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置のマーキング装置は、請求項1記載のように、半導体基板の反りを画像認識する画像認識手段を備えたことを特徴とする。
【0014】
また、本発明の半導体装置のマーキング方法は、請求項2記載のように、前記画像認識手段の結果に基づき、複数の前記半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することを特徴とする。
【0015】
かかる構成によれば、個々の半導体素子の位置座標の精度を上げることができる。
【0016】
また、本発明の半導体装置のマーキング方法は、請求項3記載のように、前記画像認識手段の判断の結果、反りが大きいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を少なくし、反りが小さいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を多くすることを特徴とする。
【0017】
かかる構成によれば、効率良くマーキングすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0019】
なお、図面を説明するにあたり、従来と同一構成のものには、同一符号を付し、説明を省略する。
【0020】
図1は、本発明のマーキング装置に半導体基板1を設定した場合を示す構成図である。
【0021】
図1に示されるように、本発明のマーキング装置は、レーザー装置6と、第1の画像認識装置16と、半導体基板1の反りを認識するための第2の画像認識装置18とを備えたことを特徴とする。
【0022】
次に、本発明のマーキング装置によるマーキング方法について、図2のフローチャートを基に説明する。
【0023】
まず、第2の画像認識装置18により、半導体基板1の反りを測定する。(ステップS1)。
【0024】
ここで反りの測定値は、図3に示される高さh1であり、高さh1が大きい程、反りが大きいということになる。
【0025】
次に、高さh1の値を基に、制御装置17が、複数の半導体素子の外部電極をいくつかのブロックに分ける。(ステップS2)。
【0026】
次に、図4に示すものは、例えば、個々のブロック22が、4個分の半導体素子を包含するものであり、全部で、9つのブロック22に分けられたものである。
【0027】
次に、制御装置17が、個々のブロック22における外部電極22a、22bからブロック22内にある個々の半導体素子2の位置座標を算出する。(ステップS3)。
【0028】
次に、制御装置17が、ステップS3の結果得られた位置座標を基に、個々のブロック22毎に、図1に示す樹脂4の表面にレーザー光7により、マーキングを行う(ステップS4)。
【0029】
以上述べたマーキング方法によれば、半導体基板1の反りの程度により、個々の半導体素子の位置座標を算出するための基準となるブロックの寸法を決定するため精度を上げることができる。
【0030】
つまり、上記説明では、4個の半導体素子を包含するブロックで説明したが、反りの度合を示す高さh1が、小さい場合においては、図5に示されるように9個の半導体素子を包含するブロック23で、制御装置17が、個々のブロック23における外部電極23a、23bからブロック23内にある個々の半導体素子2の位置座標を算出する。
【0031】
なお、本実施形態においては、2個の電極を有するダイオードの例で説明したが、これに限られるものではなく、3個の電極を有するトランジスタを応用することも可能である。
【0032】
また、本実施形態においては、外部電極を個々の半導体素子の座標を算出するための基準座標としたが、図6に示されるように、個々の半導体素子の間に基準マーク50を設け、個々の半導体素子の位置座標を算出しても良い。
【0033】
【発明の効果】
以上詳述しましたように、本発明のマーキング装置を用いたマーキング方法によれば、複数の外部電極をブロック化してブロック内の個々の半導体素子の位置座標を算出し、マーキングするため、半導体基板の反りに対応することが可能である。
【0034】
また、反りの度合により、ブロック内の半導体素子の個数を変えることができるため、効率良くマーキングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマーキング装置の構成図
【図2】本発明のマーキング方法のフローチャート
【図3】半導体基板の反りの高さを表す図
【図4】本発明の半導体基板上の半導体素子をブロック化した例を表す図
【図5】本発明の半導体基板上の半導体素子をブロック化した例を表す図
【図6】本発明の半導体基板上に基準マークを設けた例を表す図
【図7】(a)従来の半導体基板の構成図
(b)従来の半導体基板を外部電極側から見た図
【図8】従来のマーキング装置の構成図
【図9】半導体基板の反りを表す図
【符号の説明】
1 半導体基板
2 半導体素子
3 外部電極
4 樹脂
5、16、18 画像認識装置
6 レーザー装置
7 レーザー光
11 金属ワイヤ
15、17 制御装置
22、23 ブロック
50 基準マーク
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置の樹脂パッケージにレーザー光を用いて、品名、ロット番号等を印字するマーキング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、小型の半導体装置は、複数の半導体素子が固着された半導体基板の状態で、樹脂パッケージ表面に品名、ロット番号等が印字される。
【0003】
図7(a)は、例えば、ダイオードなどの2端子の半導体装置のマーキングする前の半導体基板を示す図である。
【0004】
図7(a)に示されるように、印字する前の半導体基板1は、複数の外部電極3が形成された半導体基板1上に、複数の半導体素子2が固着され、半導体素子2が固着された面が、半導体素子2及び金属ワイヤ11を含め樹脂4により覆われた構成をとる。
【0005】
また、図7(b)は、図7(a)における半導体基板1の矢印10の方向から見た図であり、外部電極3a、3bが規則正しく整列した構成をとる。
【0006】
次に、従来の品名、ロット番号等を印字するレーザーマーキング装置の構成について図8を基に説明する。
【0007】
図8に示されるように、従来のマーキング装置は、印字するためのレーザー光7を発生するレーザー装置6と、個々の半導体素子の位置を算出するため基準位置のデータを測定する画像認識装置5と、画像認識装置5で測定した値から個々の半導体素子の位置座標を算出し、レーザー装置6を制御し、所望の位置にマーキングを行う制御装置15からなる。
【0008】
なお、画像認識装置5は、図7(b)における外部電極3a、3bの位置を測定し、個々の半導体素子2の位置を算出する(例えば、特許文献1参照。)
【0009】
【特許文献1】
特開2002−50720号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法では、半導体素子2が固着された側に、樹脂4を塗布した後、樹脂4が硬化と共に収縮するため、図9に示すように、半導体基板1に反りが発生し、所望の位置に印字できないという問題がある。
【0011】
また、対策としては、個々の半導体素子2毎に位置座標を算出しマーキングを行うことが考えられるが、生産効率が悪くなるという問題がある。
【0012】
本発明は、前記問題に鑑み、樹脂の収縮による半導体基板の反りが発生していても、位置ズレすることがなく、効率良くマーキングすることができる半導体装置のレーザーマーキング装置及びマーキング方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置のマーキング装置は、請求項1記載のように、半導体基板の反りを画像認識する画像認識手段を備えたことを特徴とする。
【0014】
また、本発明の半導体装置のマーキング方法は、請求項2記載のように、前記画像認識手段の結果に基づき、複数の前記半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することを特徴とする。
【0015】
かかる構成によれば、個々の半導体素子の位置座標の精度を上げることができる。
【0016】
また、本発明の半導体装置のマーキング方法は、請求項3記載のように、前記画像認識手段の判断の結果、反りが大きいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を少なくし、反りが小さいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を多くすることを特徴とする。
【0017】
かかる構成によれば、効率良くマーキングすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0019】
なお、図面を説明するにあたり、従来と同一構成のものには、同一符号を付し、説明を省略する。
【0020】
図1は、本発明のマーキング装置に半導体基板1を設定した場合を示す構成図である。
【0021】
図1に示されるように、本発明のマーキング装置は、レーザー装置6と、第1の画像認識装置16と、半導体基板1の反りを認識するための第2の画像認識装置18とを備えたことを特徴とする。
【0022】
次に、本発明のマーキング装置によるマーキング方法について、図2のフローチャートを基に説明する。
【0023】
まず、第2の画像認識装置18により、半導体基板1の反りを測定する。(ステップS1)。
【0024】
ここで反りの測定値は、図3に示される高さh1であり、高さh1が大きい程、反りが大きいということになる。
【0025】
次に、高さh1の値を基に、制御装置17が、複数の半導体素子の外部電極をいくつかのブロックに分ける。(ステップS2)。
【0026】
次に、図4に示すものは、例えば、個々のブロック22が、4個分の半導体素子を包含するものであり、全部で、9つのブロック22に分けられたものである。
【0027】
次に、制御装置17が、個々のブロック22における外部電極22a、22bからブロック22内にある個々の半導体素子2の位置座標を算出する。(ステップS3)。
【0028】
次に、制御装置17が、ステップS3の結果得られた位置座標を基に、個々のブロック22毎に、図1に示す樹脂4の表面にレーザー光7により、マーキングを行う(ステップS4)。
【0029】
以上述べたマーキング方法によれば、半導体基板1の反りの程度により、個々の半導体素子の位置座標を算出するための基準となるブロックの寸法を決定するため精度を上げることができる。
【0030】
つまり、上記説明では、4個の半導体素子を包含するブロックで説明したが、反りの度合を示す高さh1が、小さい場合においては、図5に示されるように9個の半導体素子を包含するブロック23で、制御装置17が、個々のブロック23における外部電極23a、23bからブロック23内にある個々の半導体素子2の位置座標を算出する。
【0031】
なお、本実施形態においては、2個の電極を有するダイオードの例で説明したが、これに限られるものではなく、3個の電極を有するトランジスタを応用することも可能である。
【0032】
また、本実施形態においては、外部電極を個々の半導体素子の座標を算出するための基準座標としたが、図6に示されるように、個々の半導体素子の間に基準マーク50を設け、個々の半導体素子の位置座標を算出しても良い。
【0033】
【発明の効果】
以上詳述しましたように、本発明のマーキング装置を用いたマーキング方法によれば、複数の外部電極をブロック化してブロック内の個々の半導体素子の位置座標を算出し、マーキングするため、半導体基板の反りに対応することが可能である。
【0034】
また、反りの度合により、ブロック内の半導体素子の個数を変えることができるため、効率良くマーキングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマーキング装置の構成図
【図2】本発明のマーキング方法のフローチャート
【図3】半導体基板の反りの高さを表す図
【図4】本発明の半導体基板上の半導体素子をブロック化した例を表す図
【図5】本発明の半導体基板上の半導体素子をブロック化した例を表す図
【図6】本発明の半導体基板上に基準マークを設けた例を表す図
【図7】(a)従来の半導体基板の構成図
(b)従来の半導体基板を外部電極側から見た図
【図8】従来のマーキング装置の構成図
【図9】半導体基板の反りを表す図
【符号の説明】
1 半導体基板
2 半導体素子
3 外部電極
4 樹脂
5、16、18 画像認識装置
6 レーザー装置
7 レーザー光
11 金属ワイヤ
15、17 制御装置
22、23 ブロック
50 基準マーク
Claims (3)
- 複数の半導体素子が固着され、樹脂で覆われた半導体基板上の前記樹脂の表面に印字する半導体装置のマーキング装置において、前記半導体基板の反りを画像認識する画像認識手段を備えたことを特徴とする半導体装置のマーキング装置。
- 前記画像認識手段の結果に基づき、複数の前記半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することを特徴とする半導体装置のマーキング方法。
- 前記画像認識手段の判断の結果、反りが大きいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を少なくし、反りが小さいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を多くすることを特徴とする請求項2記載の半導体装置のマーキング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003069998A JP2004276060A (ja) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | 半導体装置のマーキング装置及びそれを用いたマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003069998A JP2004276060A (ja) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | 半導体装置のマーキング装置及びそれを用いたマーキング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004276060A true JP2004276060A (ja) | 2004-10-07 |
Family
ID=33286860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003069998A Pending JP2004276060A (ja) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | 半導体装置のマーキング装置及びそれを用いたマーキング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004276060A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008006466A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Keyence Corp | レーザ加工装置、レーザ加工条件設定装置、レーザ加工条件設定方法、レーザ加工条件設定プログラム、コンピュータで読み取り可能な記録媒体及び記録した機器 |
-
2003
- 2003-03-14 JP JP2003069998A patent/JP2004276060A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008006466A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Keyence Corp | レーザ加工装置、レーザ加工条件設定装置、レーザ加工条件設定方法、レーザ加工条件設定プログラム、コンピュータで読み取り可能な記録媒体及び記録した機器 |
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