JP2004273844A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体集積回路は、第1の領域に所定の電源を供給する第1のメッシュ状電源配線と、第1の領域と異なる第2の領域に所定の電源と同一の電源を供給する第2のメッシュ状電源配線を含み、第1の領域と第2の領域との境界において第1のメッシュ状電源配線と第2のメッシュ状電源配線とは分離されている。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体集積回路の配線構造に関し、詳しくは半導体集積回路の電源配線の配線構造に関する。
【従来の技術】
半導体集積回路の電源配線は、通常、メッシュ状又はそれに準じた配線構造を有する。半導体集積回路のI/Oセルがチップ外周部に配置され、外部のパッドからI/Oセルを介して供給される電源が、内部にメッシュ状に広がる電源配線網に供給される。半導体集積回路の内部各点において、内部のセルが電源配線網から電流を受け取り消費する。半導体集積回路の内部各点において電流が消費されることにより、チップの中心部に向かって電源配線網における電圧ドロップが大きくなる。即ち、半導体集積回路の周辺部では電源配線網上の電圧が高く、中心に向かうにつれて電源配線上の電圧が低くなる。
【0002】
これを避けるため従来技術においては、電源配線を太くしたり、電源外部から電源供給するI/Oセルの数を増やしたりすることで、電源配線網上における電源ドロップを抑制している。
【0003】
また別の従来技術には、櫛目状の電源配線において、空間的に不均一な電流の消費により生じる電源電圧の不均一を避けるために、櫛目状の電源配線と直交する方向に電源配線を設けるものがある(特許文献1)。
【0004】
【特許文献1】
特開昭58−164242号公報
【発明が解決しようとする課題】
チップ中心部に向かい電源ドロップが発生すると、中心付近に配置されるセルは、本来の能力に応じた性能を発揮することができない。上記のように電源配線を太くしたり電源I/Oセルの数を増やしても、電源ドロップを効果的に低減することは困難である。また所望の集積度及び所望のチップサイズを実現するためには、電源配線を太くしたり電源I/Oセルの数を増やすことには限界がある。
【0005】
以上を鑑みて、本発明は、電源配線においてチップ内の部分領域における電圧ドロップを効果的に低減する電源配線構造を有した半導体集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体集積回路は、第1の領域に所定の電源を供給する第1のメッシュ状電源配線と、該第1の領域と異なる第2の領域に該所定の電源と同一の電源を供給する第2のメッシュ状電源配線を含み、該第1の領域と該第2の領域との境界において該第1のメッシュ状電源配線と該第2のメッシュ状電源配線とは分離されていることを特徴とする。
【0006】
また本発明による半導体集積回路は、基幹電源配線と、該基幹電源配線に接続され該基幹電源配線から第1の距離内にある第1の領域に電源を供給する第1の電源配線と、該基幹電源配線から第1の距離よりも遠い距離にある第2の領域に該電源を供給する第2の電源配線と、該第1の電源配線を介さずに該第2の電源配線に該電源を供給する電源供給経路を含むことを特徴とする。
【0007】
上記半導体集積回路においては、電源配線を分離することで、1つの電源網がセルに電源を供給する電源供給範囲を減らすことができる。これにより、電源網1つあたりからの電流消費量を抑制し、大元の基幹電源配線から遠い位置における電源ドロップを低減することができる。即ち例えば、中心付近のみを電源供給範囲とするメッシュ状電源配線に独立して電源を供給することで、チップ中心部での電源ドロップを抑制することができる。
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を添付の図面を用いて詳細に説明する。
【0008】
図1は、本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第1の実施例を示す図である。
【0009】
図1の半導体集積回路10は、複数のI/Oセル12、チップリング13、第1のメッシュ状電源配線14、第2のメッシュ状電源配線15、及び直接電源供給配線16を含む。複数のI/Oセル12は、通常、半導体集積回路10のチップの周辺部に配置される。各I/Oセル12はバッファ等の回路を含み、チップ外部とチップ内部との間において、信号について信号レベルの変換機能を提供したりする。I/Oセル12のうち電源供給に関連する電源I/Oセルは、チップリング13とパッドとの間に存在するアルミ配線で構成された区画であり、ここに静電破壊防止のための回路が設けられている場合もある。
【0010】
チップリング13は、外周部にリング状に設けられる基幹電源配線であり、チップ内部の電源配線には、基本的にこのチップリング13を介して電源を供給する。
【0011】
本発明においては、半導体集積回路内部の電源配線を複数に分離する。図1においては、チップ外周部近くに設けられる外側のメッシュ状電源配線14と、チップ中心部付近に設けられる内側のメッシュ状電源配線15とに分離されている。メッシュ状電源配線14は、対応するチップ部位(チップ外周部付近)に存在する各セルに接続され、それらのセルに電源を供給する。メッシュ状電源配線15は、対応するチップ部位(チップ中心部付近)に存在する各セルに接続され、それらのセルに電源を供給する。
【0012】
メッシュ状電源配線14にはチップリング13から直接に電源が供給され、メッシュ状電源配線15には、チップリング13から直接電源供給配線16を介して電源が供給される。メッシュ状電源配線15に直接に電源を供給する直接電源供給配線16は、半導体集積回路10内部の各セルには直接には接続されておらず、メッシュ状電源配線15を介してのみセルに電源を供給する。またメッシュ状電源配線14とメッシュ状電源配線15とは、その境界部分において互いに接続されていない。
【0013】
図2は、図1の丸で囲む部分について電源配線を拡大して示す図である。
【0014】
図2に示されるように、メッシュ状電源配線14とメッシュ状電源配線15とは、実際には電源電圧VDDとグラウンド電圧VSSとの配線対から構成される。横方向に延展する電源配線と縦方向に延展する電源配線とは、互いに異なる配線層に設けられており、コンタクト20により接続される。また直接電源供給配線16も同様に電源電圧VDDとグラウンド電圧VSSとの配線対から構成され、メッシュ状電源配線14の縦及び横の配線とは異なる配線層に設けられる。
【0015】
メッシュ状電源配線15は、直接電源供給配線16とコンタクト21を介して接続され、図1に示すようにチップリング13から電源を供給される。メッシュ状電源配線15とメッシュ状電源配線14とは、隣接する境界位置においては互いに接続されていない。但し双方共にチップリング13に接続されているので、チップリング13まで戻れば互いに接続されていることになる。
【0016】
このように本発明においては、電源配線を分離することで、1つの電源網がセルに電源を供給する電源供給範囲を減らすことができる。これにより、電源網1つあたりからの電流消費量を抑制し、大元の基幹電源配線から遠い位置における電源ドロップを低減することができる。即ち図1の例においては、中心付近のみを電源供給範囲とするメッシュ状電源配線15にチップリング13から直接電源供給配線16を介して電源を供給することで、チップ中心部での電源ドロップを抑制することができる。
【0017】
図1の例においては、電源供給の大元となるチップリング13を外周部に配置し、電源配線を中心部付近と外周部付近の2つに分離している。しかし分離する形態は中心部と外周部とに限られず、例えばチップ左半分と右半分とに分離してもよい。特に、電源供給の大元となる基幹電源配線がチップの左側(又は右側)一方に設けられているような場合を想定すると、電源配線をチップ左半分と右半分とに分離する効果は大きい。このように本発明は、電源配線を分離する形態について特定の形態に限定されるものではなく、種々の形態を適用することが可能である。また分離する数も2つに限られるものではなく、3つ又はそれ以上に分離してよい。
【0018】
図3は、電源配線を中心部、内周部、及び外周部の3つに分離した場合の構成の一例を示す。図3において、図1と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その説明は省略する。
【0019】
メッシュ状電源配線14Aは、外周部に最も近い部位の電源網であり、メッシュ状電源配線15Aは外周部に2番目に近い部位の電源網である。またメッシュ状電源配線17は中心部付近の電源網である。メッシュ状電源配線14Aにはチップリング13から直接に電源が供給され、メッシュ状電源配線15Aには、チップリング13から直接電源供給配線16Aを介して電源が供給される。またメッシュ状電源配線17には、チップリング13から直接電源供給配線18を介して電源が供給される。
【0020】
直接電源供給配線16Aは、半導体集積回路10内部の各セルには直接には接続されておらず、メッシュ状電源配線15Aを介してのみセルに電源を供給する。また直接電源供給配線18は、半導体集積回路10内部の各セルには直接には接続されておらず、メッシュ状電源配線17を介してのみセルに電源を供給する。メッシュ状電源配線14A、メッシュ状電源配線15A、メッシュ状電源配線17は、その境界部分において互いに接続されていない。
【0021】
図4は、本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第1の実施例の変形例を示す図である。図4において、図1と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その説明は省略する。
【0022】
図4においては、メッシュ状電源配線15への電源供給は、チップリング13からではなく、直接に電源パッド31から供給される。即ち、チップリング13には、電源パッド31からI/Oセル12を介して電源が供給されるが、メッシュ状電源配線15には、I/Oセル12及びチップリング13を介することなく電源を供給する。具体的には、I/Oセル12上に電源パターン12B及び電源パターン30を互いに導通するように作成する。この電源パターン12Bを電源パッド31に接続し、電源パターン30から直接電源供給配線16Bを介してメッシュ状電源配線15に電源を供給する。
【0023】
このような構成とすることで、メッシュ状電源配線14には電源パッド31からI/Oセル12を介して電源を供給し、メッシュ状電源配線15には電源パッド31から電源パターン12Bを介して電源を供給し、両電源経路を完全に分離することが可能となる。従って、図4に示す例においては、図1の場合と比較して更に電源分離の効果を高めることができる。
【0024】
図5は、本発明による半導体集積回路の構造の一実施例を示す図である。
【0025】
電源は電源配線を介して伝播するだけでなく、半導体基板を介しても伝播する。従って、半導体基板を3ウェル構造にしてメッシュ状電源配線14及びメッシュ状電源配線15間で基板構造を分離すると、更に電源分離の効果を高めることができる。図5においては、P型基板41にN型ウェル45及びP型ウェル44を形成し、それぞれのウェルに対してPMOSトランジスタ46A及びNMOSトランジスタ46Bを形成する。更にP型基板41にN型ウェル42を形成し、このN型ウェル42内にP型ウェル43を形成する。これらのウェルに対して、PMOSトランジスタ47A及びNMOSトランジスタ47Bを形成する。
【0026】
PMOSトランジスタ46A及びNMOSトランジスタ46Bは、ビア48を介してメッシュ状電源配線14の電源配線49から電源を供給される。またPMOSトランジスタ47A及びNMOSトランジスタ47Bは、ビア48を介してメッシュ状電源配線15の電源配線49から電源を供給される。ここでメッシュ状電源配線14とメッシュ状電源配線15とは、図1に示されるように分離された電源網である。
【0027】
このように図5の構造では、メッシュ状電源配線14側のセルのトランジスタ46A及び46Bと、メッシュ状電源配線15側のセルのトランジスタ47A及び47Bとが、3ウェル構造により分離されるので、基板を伝わる電流が分離され電源分離の効果を更に高めることができる。
【0028】
図6は、本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第2の実施例を示す図である。図6において、図1と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その説明は省略する。
【0029】
図1の第1の実施例において、チップ内部で分離されたメッシュ状電源配線15への電源供給は、チップリング13から直接電源供給配線16を介して行われる。それに対して図6の第2の実施例においては、チップ内部で分離されたメッシュ状電源配線15への電源供給は、チップリング13からワイヤボンディング51を介して行われる。ここで電源供給のためのワイヤーの構成は、メッシュ状電源配線15の部位で消費される電流量を供給するのに十分な太さ及び本数となるように設定される。
【0030】
上記のように第2の実施例においては、チップ内部で分離されたメッシュ状電源配線への電源供給はワイヤボンディングを介して行うので、第1の実施例の場合と比較して配線層の数を減らすことができる。
【0031】
図7は、本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第2の実施例の変形例を示す図である。図7において、図4及び図6と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その説明は省略する。
【0032】
図7の構成においては、チップ内部で分離されたメッシュ状電源配線15への電源供給は、I/Oセル12上に形成された電源パターン12B及び電源パターン30からワイヤボンディング51を介して行われる。メッシュ状電源配線14への電源供給については図4の場合と同様である。
【0033】
このような構成とすることで、メッシュ状電源配線14には電源パッドからI/Oセル12を介して電源を供給し、メッシュ状電源配線15には電源パッドから電源パターン12Bを介して電源を供給し、両電源経路を完全に分離することが可能となる。従って、図6の場合と比較して更に電源分離の効果を高めることができる。
【0034】
図8は、本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第3の実施例を示す図である。図8において、図1と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その説明は省略する。
【0035】
図1の第1の実施例において、チップ内部で分離されたメッシュ状電源配線15への電源供給は、チップリング13から直接電源供給配線16を介して行われる。それに対して図8の第3の実施例においては、チップ内部で分離されたメッシュ状電源配線15への電源供給は、バンプ53を介して行われる。バンプ53は、メッシュ状電源配線15の部位で消費される電流量を供給するのに十分な個数が形成される。
【0036】
図9は、図8の半導体チップ10Eを実装したときの様子を示す図である。図9に示されるように、バンプ53がメッシュ状電源配線15上に形成された半導体チップ10Eは、パッケージ60の電源配線にバンプ53が接続するように、パッケージ60に搭載される。これにより第3の実施例においては、半導体チップ10Eの外部から直接にメッシュ状電源配線15に電源を供給することが可能となる。
【0037】
この第3の実施例においては、チップ内部で分離されたメッシュ状電源配線への電源供給はバンプを介して行うので、第1の実施例の場合と比較して配線層の数を減らすことができる。また電源供給経路をメッシュ状電源配線14とメッシュ状電源配線15とで完全に分離することが可能となり、十分な電源分離の効果を得ることが可能となる。
【0038】
図10は、本発明による電源配線レイアウト生成方法を示すフローチャートである。
【0039】
図10のステップS1において、コア領域、即ち電源網を発生させる領域の面積を算出する。
【0040】
ステップS2において、電源配線網を分割する個数である電源分割数nを指定する。
【0041】
ステップS3において、n個に分割した電源に対し、電源領域面積の比を指定する。即ち、各電源配線領域面積をN1乃至Nnとして、これらの比をa:b:・・・:nのように指定する。
【0042】
ステップS4において、第1の領域N1の面積S1を算出する。これは総面積をSとし、第1の領域N1の全体に対する面積の比率に基づいて計算する。
【0043】
ステップS5において、領域N1の電源網を発生する。図10のフローチャートの例では、面積S1を有する正方形の一辺の長さを√S1で算出し、原点を中心としたこの正方形の頂点4点の座標を求めて電源配線を発生させている。
【0044】
ステップS6において、第nの領域Nnの面積Snを算出する。これは総面積をSとし、第nの領域Nnの全体に対する面積の比率に基づいて計算する。なお図10の例では、第1の領域乃至第nの領域は最内周から最外周に対応し、外側の領域に対してはその内側の全ての領域の面積を含む形で面積を求めている。
【0045】
ステップS7において、領域Nnの電源網を発生する。
【0046】
上記S6乃至S7の動作を、例えば内側から順次N2乃至Nnに対して実行することで、各領域に対して電源網を発生する。以上で処理を終了する。
【0047】
上記説明では分離数と面積比とを指定することでコア領域を分離して電源網を発生する処理としたが、所望の面積を指定して、この面積となるようにコア領域を分離して電源網を発生するようにしてもよい。
【0048】
図11は、階層レイアウト時の処理について説明する図である。
【0049】
階層設計手法においては、セル領域及びマクロを含む機能ごとに分割されたレイアウト領域であるブロック71乃至73が回路中に存在する。このブロック71乃至73は、それぞれ回路全体(トップレベル)の設計者とは別の設計者が設計し、回路全体の設計者はこのブロックをブラックボックスとして扱い回路設計を行う。つまり設計時におけるブロックの扱いはマクロと同様となる。
【0050】
このような場合に本発明による電源網分割を行った場合、階層設計手法を適用するためには、まずメッシュ状電源配線14及びメッシュ状電源配線15からなる電源網をトップレベルにおいて発生される。その後、トップレベル以下のレベルにおいてブロック71乃至73についてセルのレイアウト設計する際には、図12に示されるように、既に発生されているメッシュ状電源配線14及び15をブロック71乃至73の各々の内部でそのまま用いる。これにより、ブロック71乃至73の各々の内部において、セルのレイアウト設計を実行する。
【0051】
この際、分割された電源網(この例ではメッシュ状電源配線14及びメッシュ状電源配線15)の境界領域には、セルやマクロが重なって配置されることがないように設計することが好ましい。異なる分割電源網ではそれぞれの電源ドロップの度合いが異なるので、分割電源網の間では電源電圧が異なることになる。セルやマクロを境界領域に配置してしまうと、例えば1つのセルやマクロが異なる分割電源網から電源電圧を受け取ることで、セルやマクロ内での電源電圧に大きなバラツキが生じる可能性がある。
【0052】
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。
【0053】
なお本発明は、以下の内容を含むものである。
(付記1)第1の領域に所定の電源を供給する第1のメッシュ状電源配線と、
該第1の領域と異なる第2の領域に該所定の電源と同一の電源を供給する第2のメッシュ状電源配線
を含み、該第1の領域と該第2の領域との境界において該第1のメッシュ状電源配線と該第2のメッシュ状電源配線とは分離されていることを特徴とする半導体集積回路。
(付記2)該第1の領域は該半導体集積回路の外周部に位置し該第2の領域は該半導体集積回路の中心部に位置することを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記3)該第1のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給するチップリングと、
該チップリングから直接に該第2のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給する電源供給配線
を更に含むことを特徴とする付記2記載の半導体集積回路。
(付記4)I/Oセルと、
第1の電源パッドと、
第2の電源パッド
を更に含み、該第1のメッシュ状電源配線には該第1の電源パッドから該I/Oセルを介して該所定の電源が供給され、該第2のメッシュ状電源配線には該第2の電源パッドからI/Oセルを介さず直接に該所定の電源と同一の電源が供給されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記5)該第1の領域と該第2の領域とは3ウェル構造により基板電流が分離されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記6)該第1のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給するチップリングと、
該第2のメッシュ状電源配線に該所定の電源と同一の電源を供給するボンディングワイヤ
を更に含むことを特徴とする付記2記載の半導体集積回路。
(付記7)I/Oセルと、
第1の電源パッドと、
第2の電源パッド
を更に含み、該第1のメッシュ状電源配線には該第1の電源パッドから該I/Oセル及び該チップリングを介して該所定の電源が供給され、該第2のメッシュ状電源配線に接続される該ボンディングワイヤはI/Oセルを介さず該第2の電源パッドに接続されることを特徴とする付記6記載の半導体集積回路。
(付記8)該第1のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給するチップリングと、
該第2のメッシュ状電源配線上に形成され外部電源と直接に接触するバンプ
を更に含むことを特徴とする付記2記載の半導体集積回路。
(付記9)基幹電源配線と、
該基幹電源配線に接続され該基幹電源配線から第1の距離内にある第1の領域に電源を供給する第1の電源配線と、
該基幹電源配線から第1の距離よりも遠い距離にある第2の領域に該電源を供給する第2の電源配線と、
該第1の電源配線を介さずに該第2の電源配線に該電源を供給する電源供給経路
を含むことを特徴とする半導体集積回路。
(付記10)該第1の領域は該半導体集積回路の外周部に位置し、該第2の領域は該半導体集積回路の中心部に位置し、該基幹電源配線はチップリングであることを特徴とする付記9記載の半導体集積回路。
(付記11)電源を分割する個数を決定し、
該分割された電源をそれぞれ供給する分割領域の面積比を決定し、
該個数及び該面積比に応じて分割された電源配線網を生成する
各段階を含むことを特徴とする電源配線レイアウト生成方法。
(付記12)該電源配線網を生成する段階は、
階層レイアウトの第1の階層で該電源配線網を生成し、
該第1の階層以下の階層において、該第1の階層で生成された該電源配線網をそのまま使用する
各段階を含むことを特徴とする付記11記載の電源配線レイアウト生成方法。
(付記13)セル及びマクロを配置する段階を更に含み、該セル及びマクロは該分割された電源配線網の境界部分には配置しないことを特徴とする付記11記載の電源配線レイアウト生成方法。
(付記14)分割された電源をそれぞれ供給する分割領域の面積を決定し、
該面積に応じて分割された電源配線網を生成する
各段階を含むことを特徴とする電源配線レイアウト生成方法。
(付記15)該電源配線網を生成する段階は、
階層レイアウトの第1の階層で該電源配線網を生成し、
該第1の階層以下の階層において、該第1の階層で生成された該電源配線網をそのまま使用する
各段階を含むことを特徴とする付記14記載の電源配線レイアウト生成方法。
(付記16)セル及びマクロを配置する段階を更に含み、該セル及びマクロは該分割された電源配線網の境界部分には配置しないことを特徴とする付記14記載の電源配線レイアウト生成方法。
(付記17)電源を分割する個数を決定し、
該分割された電源をそれぞれ供給する分割領域の面積比を決定し、
該個数及び該面積比に応じて分割された電源配線網を生成する
各段階をコンピュータに実行させることを特徴とする電源配線レイアウト生成方法のプログラム。
(付記18)分割された電源をそれぞれ供給する分割領域の面積を決定し、
該面積に応じて分割された電源配線網を生成する
各段階をコンピュータに実行させることを特徴とする電源配線レイアウト生成方法のプログラム。
【発明の効果】
上記半導体集積回路においては、電源配線を分離することで、1つの電源網がセルに電源を供給する電源供給範囲を減らすことができる。これにより、電源網1つあたりからの電流消費量を抑制し、大元の基幹電源配線から遠い位置における電源ドロップを低減することができる。
【0054】
従って、電源I/Oを追加したり電源配線を追加したりする必要がなくなり、チップサイズの縮小や開発期間の短縮などの効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第1の実施例を示す図である。
【図2】図1の丸で囲む部分について電源配線を拡大して示す図である。
【図3】電源配線を中心部、内周部、及び外周部の3つに分離した場合の構成の一例を示す図である。
【図4】本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第1の実施例の変形例を示す図である。
【図5】本発明による半導体集積回路の構造の一実施例を示す図である。
【図6】本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第2の実施例を示す図である。
【図7】本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第2の実施例の変形例を示す図である。
【図8】本発明による半導体集積回路における電源配線構造の第3の実施例を示す図である。
【図9】図8の半導体チップを実装したときの様子を示す図である。
【図10】本発明による電源配線レイアウト生成方法を示すフローチャートである。
【図11】階層レイアウト時の処理について説明する図である。
【図12】階層レイアウト時の処理について説明する図である。
【符号の説明】
12 I/Oセル
13 チップリング
14 第1のメッシュ状電源配線
15 第2のメッシュ状電源配線
16 直接電源供給配線
Claims (10)
- 第1の領域に所定の電源を供給する第1のメッシュ状電源配線と、
該第1の領域と異なる第2の領域に該所定の電源と同一の電源を供給する第2のメッシュ状電源配線
を含み、該第1の領域と該第2の領域との境界において該第1のメッシュ状電源配線と該第2のメッシュ状電源配線とは分離されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 該第1の領域は該半導体集積回路の外周部に位置し該第2の領域は該半導体集積回路の中心部に位置することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 該第1のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給するチップリングと、
該チップリングから直接に該第2のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給する電源供給配線
を更に含むことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。 - I/Oセルと、
第1の電源パッドと、
第2の電源パッド
を更に含み、該第1のメッシュ状電源配線には該第1の電源パッドから該I/Oセルを介して該所定の電源が供給され、該第2のメッシュ状電源配線には該第2の電源パッドからI/Oセルを介さず直接に該所定の電源と同一の電源が供給されることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 該第1の領域と該第2の領域とは3ウェル構造により基板電流が分離されることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 該第1のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給するチップリングと、
該第2のメッシュ状電源配線に該所定の電源と同一の電源を供給するボンディングワイヤ
を更に含むことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。 - I/Oセルと、
第1の電源パッドと、
第2の電源パッド
を更に含み、該第1のメッシュ状電源配線には該第1の電源パッドから該I/Oセル及び該チップリングを介して該所定の電源が供給され、該第2のメッシュ状電源配線に接続される該ボンディングワイヤはI/Oセルを介さず該第2の電源パッドに接続されることを特徴とする請求項6記載の半導体集積回路。 - 該第1のメッシュ状電源配線に該所定の電源を供給するチップリングと、
該第2のメッシュ状電源配線上に形成され外部電源と直接に接触するバンプ
を更に含むことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。 - 基幹電源配線と、
該基幹電源配線に接続され該基幹電源配線から第1の距離内にある第1の領域に電源を供給する第1の電源配線と、
該基幹電源配線から第1の距離よりも遠い距離にある第2の領域に該電源を供給する第2の電源配線と、
該第1の電源配線を介さずに該第2の電源配線に該電源を供給する電源供給経路
を含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 該第1の領域は該半導体集積回路の外周部に位置し、該第2の領域は該半導体集積回路の中心部に位置し、該基幹電源配線はチップリングであることを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
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