JP2011091084A - 半導体装置、およびインターフェースセルの配置方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置においては、I/Oバッファ11、12を機能ブロック1,2,3,4毎に矩形のレイアウト構造で作成しておき、それらの機能ブロック1,2,3,4を回転させることなく、左辺側のI/Oバッファ11では縦積み、上辺側のI/Oバッファ12では横積み配置で組み合わせる。これにより、I/Oバッファ11,12内のトランジスタTの方向と、コアとなる論理回路領域13内のトランジスタTの方向とが、同じ方向になるようにすることができる。
【選択図】図1
Description
これにより、インターフェースセル内のトランジスタの方向と、コアとなる論理回路領域内のトランジスタの方向とが、同じ方向になるようにすることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係わる半導体装置のレイアウト例を示す図である。より正確には、本発明の半導体装置におけるインターフェースセル(I/Oバッファ11,12)の第1のレイアウト例を示す図である。
第1の効果は、LSI等の半導体装置において、トランジスタの向きの違いによる特性のばらつきを無視できることにある。その理由は、インターフェースセルを含めてLSI内で全てのトランジスタの向きが同じになるからである。
次に、本発明のその他の実施の形態について図面を参照して説明する。
図5は、本発明の第2の実施の形態に係わる半導体装置におけるインターフェースセルのレイアウト例を示す図であり、I/Oバッファの第2のレイアウト例を示す図である。第1の実施の形態においては、I/Oバッファ11,12を構成する機能ブロックを1〜4の4ブロックとして構成していたが、4つの機能ブロックに限定されることは無い。
図6は、本発明の第3の実施の形態に係わる半導体装置のレイアウト例を示す図であり、I/Oバッファの第3のレイアウト例を示す図である。図5に示す例における考え方(機能ブロックを3ブロックにする)と同様に、図6に示す例では、機能ブロックを1〜5の5ブロックとして構成している。
図7は、本発明の第4の実施の形態に係わる半導体装置のレイアウト例を示す図であり、I/Oバッファの第4のレイアウト例を示す図である。図7に示す例は、インターフェースセルが差動I/Oバッファ11C,12Cである場合の例であり、差動I/Oバッファ11C,12CはシングルエンドのI/OバッファA,Bの2つ分のセル面積を必要とする。図の例では、I/Oバッファ11C,12Cを、2×4の8つのブロックで構成している。図7に示すようにインターフェースセルを配置することで、差動I/Oバッファにおいても本発明が適用可能となる。
図8は、本発明の第5の実施の形態に係わる半導体装置のレイアウトの例を示す図であり、I/Oマクロのレイアウト例を示す図である。
これにより、LSI等の半導体装置において、I/Oバッファ11,12をLSIチップの周辺側に配置する場合において、トランジスタの向きの違いによる特性のばらつきを考慮する必要がなくなる。
これにより、LSI等の半導体装置において、LSIチップの周辺側に双方向のI/Oバッファ11,12を配置する場合において、トランジスタの向きの違いによる特性のばらつきを考慮する必要がなくなる。
これにより、I/Oバッファ11,12内の機能ブロック1,2,3,4の縦積み配置、横積み配置のどちらの場合においても、隣接配置しただけで正しく電源が接続されるため、電源設計が容易となる。
これにより、インターフェースセルが差動I/Oバッファである場合においても、トランジスタの向きの違いによる特性のばらつきを考慮する必要がなくなる。
これにより、インターフェースセルがI/Oマクロである場合においても、トランジスタの向きの違いによる特性のばらつきを考慮する必要がなくなる。
Claims (7)
- コアとなる論理回路領域内の論理セルと、該論理セルへ接続され、論理セルへ外部から信号を入力する、或いは論理セルから外部へ信号を出力する、又は論理セルと信号を入出力するインターフェースセルと、を備え、
前記インターフェースセルは、所定の機能ブロックとして動作する矩形の機能セルを複数有し、前記各機能セルと前記論理セルとはトランジスタのゲートの長さ方向が同じである
ことを特徴する半導体装置。 - 前記インターフェースセルは、前記論理セルへ外部から信号を入力する、或いは前記論理セルから外部へ信号を出力する、I/Oバッファで構成される
ことを特徴する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記I/Oバッファは、
論理回路領域内の論理セルと信号をやり取りする入出力回路と、コア電圧からI/O電圧に変換するレベル変換回路とを含む第1の機能セルと、
出力プリバッファと、入力センスアンプとを含む第2の機能セルと、
Pch(Pチャネル)トランジスタ側の出力メインバッファを含む第3の機能セルと、
Nch(Nチャネル)トランジスタ側の出力メインバッファを含む第4の機能セルと、
で構成される
ことを特徴する請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ゲートの長さ方向を縦方向で表し、ゲートの長さ方向に直交する方向を横方向で表した場合に、
前記インターフェースセルおよび論理セルの上層に配置される少なくとも2層の電源配線層を備え、
前記2層の電源配線層のうちの第1の層を縦方向の電源配線層とし、第2の層を横方向の電源配線層とするメッシュ構造の電源配線構造を備える
ことを特徴する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記インターフェースセルは、n個(nは整数)の機能セルが直列に連なり配置されるとともに、該n個の機能セルが並列にm段(mは整数)配置され、合計m×n個の機能セルで構成され、
前記m×n個の機能セル内のトランジスタのゲートの長さ方向と、前記論理セル内のトランジスタのゲートの長さ方向とが一致するように配置される
ことを特徴する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記インターフェースセルは、
I/Oバッファを構成するI/O部と、前記I/O部に繋がる論理部とを有するI/Oマクロとして構成され、
前記I/O部は、
n個(nは整数)の機能セルが直列に連なり配置されるとともに、該n個の機能セルが並列にm段(mは整数)配置され、合計m×n個の機能セルで構成され、
前記論理部は、
n’個(n’は整数)の機能セルが直列に連なり配置されるとともに、該n’個の機能セルが並列にm’段(m’は整数)配置され、合計m’×n’個の機能セルで構成され、
前記I/O部のm×n個の機能セル内のトランジスタのゲートの長さ方向と、前記論理部のm’×n’個の機能セル内のトランジスタのゲートの長さ方向と、前記論理セル内のトランジスタのゲートの長さ方向とが一致するように配置される
ことを特徴する請求項1に記載の半導体装置。 - コアとなる論理回路領域内の論理セルと、該論理セルへ接続され、論理セルへ外部から信号を入力する、或いは論理セルから外部へ信号を出力する、又は論理セルと信号を入出力するインターフェースセルと、を備える半導体装置における前記インターフェースセルの配置方法であって、
前記インターフェースセルを、複数の矩形の機能セルにより構成し、
前記各機能セルと前記論理セルはトランジスタのゲートの長さ方向が同じであるように配置される
ことを特徴するインターフェースセルの配置方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013008587A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 株式会社村田製作所 | 半導体集積回路およびそれを搭載したモジュール |
KR20150139434A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | 에이알엠 리미티드 | 인터페이스 회로소자를 갖는 집적회로와, 그 인터페이스 회로소자용 인터페이스 셀 |
KR20150139435A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | 에이알엠 리미티드 | 인터페이스 회로소자를 갖는 집적회로와, 그 인터페이스 회로소자용 인터페이스 셀 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013183123A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその設計方法 |
US9929095B2 (en) * | 2014-11-06 | 2018-03-27 | Qualcomm Incorporated | IO power bus mesh structure design |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS632352A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH01135038A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH04163963A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH08306791A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2004273844A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JP2007035672A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3796034B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2006-07-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | レベル変換回路および半導体集積回路装置 |
JP2002026130A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Nec Microsystems Ltd | 半導体集積回路及びi/oブロック配置方法 |
US20060286754A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Eiichi Hosomi | Semiconductor device with interface circuit and method of configuring semiconductor devices |
US20070164784A1 (en) * | 2006-01-19 | 2007-07-19 | Altera Corporation | Modular I/O bank architecture |
-
2009
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS632352A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH01135038A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH04163963A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH08306791A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2004273844A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JP2007035672A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013008587A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 株式会社村田製作所 | 半導体集積回路およびそれを搭載したモジュール |
KR20150139434A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | 에이알엠 리미티드 | 인터페이스 회로소자를 갖는 집적회로와, 그 인터페이스 회로소자용 인터페이스 셀 |
KR20150139435A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | 에이알엠 리미티드 | 인터페이스 회로소자를 갖는 집적회로와, 그 인터페이스 회로소자용 인터페이스 셀 |
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KR102276030B1 (ko) * | 2014-06-03 | 2021-07-12 | 에이알엠 리미티드 | 인터페이스 회로소자를 갖는 집적회로와, 그 인터페이스 회로소자용 인터페이스 셀 |
CN105279124B (zh) * | 2014-06-03 | 2022-09-30 | Arm 有限公司 | 具有接口电路系统的集成电路及接口电路系统的接口单元 |
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