JP2004252960A - メモリ制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のメモリ制御装置105は、複数のバンクを有しバンク分割モードにより連続してアクセスすることが可能なメモリを制御するメモリ制御装置であって、メモリ制御装置105を介してSDRAM808にアクセスするブロック804,805,806からのメモリアクセス要求を前記SDRAM808の異なるバンクに連続してアクセスするよう、前記複数のブロックの優先順位を制御するよう構成したものである。
【選択図】 図1
Description
さらに、前記課題を解決するために、第9の本発明のメモリ制御装置は、ブロックアクセスデータ単位でメモリアクセス要求を行う場合は、調停回路が直前にメモリアクセスを許可した後半のバンクと次のメモリアクセス要求の前半のバンクが同一である場合に、前記調停回路が前記ブロックデータ内のバンクアクセスデータの順序を入れ替えることを特徴とする。
さらに、前記課題を解決するために、第15の本発明のメモリ制御装置は、前記メモリへのアクセスを許可された前記ブロックからのメモリアクセス要求がバンクアクセスデータ単体の場合に、前記コマンド生成ブロックで待ちサイクルを設けることを特徴とする。
さらに、前記課題を解決するために、第20の本発明のメモリ制御装置は調停回路が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合、連続してリードアクセスが行われるように複数のブロックのメモリアクセス要求の優先順位を変更することを特徴とする。
さらに、前記課題を解決するために、第27の本発明のメモリ制御装置は、直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合、リフレッシュ要求ブロックからリフレッシュ要求の優先順位を変更することを特徴とする。
第34の本発明は、複数のバンクを有するメモリを制御するメモリ制御装置において、複数のブロックからの前記メモリにアクセスするためのメモリアクセス要求の調停を行う調停回路と、前記調停回路からの制御信号に基づき前記メモリへのメモリコマンドを生成するコマンド生成ブロックと、前記調停回路によってアクセスを許可されたブロックからのメモリアドレスを受け取り、前記メモリに出力するアドレス生成ブロックと、前記調停回路によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたは前記メモリからの読み出しデータをラッチして、アクセスを許可された前記ブロックと前記メモリ間のデータの受け渡しを行うデータラッチブロックとを備え、前記複数ブロックからのメモリアクセス要求が直前にアクセスしたバンクと同一バンクに対するアクセス要求でかつ、前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合は、前記調停回路が前記複数のブロックのメモリアクセスの優先順位を変更するための調停方法を指定することを特徴とする。
以下に、第1ないし第8の本発明の実施の形態について、図1及び図2及び図8及び図9を用いて説明する。図1は実施の形態1におけるメモリ制御装置を示すブロック図、図2は図1の主要な信号のタイミングチャート、図8は実施の形態1における調停回路を示すブロック図である。
前記調停回路101によってアクセスを許可された前記ブロックからのメモリアドレスを受け取り、SDRAM808に出力するアドレス生成ブロック103と、前記調停回路101によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたはSDRAM808からの読み出しデータをラッチし、アクセスを許可された前記ブロックとSDRAM808とのデータの受け渡しを行うデータラッチブロック104とで構成される。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はブロック804から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(C)は調停回路101から返信されるブロック804へのメモリアクセス許可信号、
(D)はブロック805から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(E)は調停回路101から返信されるブロック805へのメモリアクセス許可信号、
(F)はブロック806から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(G)は調停回路101から返信されるブロック806へのメモリアクセス許可信号、
(H)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセス、
(I)はSDRAM808から読み出したリードデータを示す。
202はブロック805のバンク2へのメモリリードアクセス、
203はブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス、
204はブロック806のバンク0へのメモリリードアクセスである。
以下、SDRAM808に備えられているモード設定を「CASレイテンシ」=”3”、「バースト長」=”2”と設定し、SDRAM808に対する優先順位をブロック804,805,806の順に優先順位が高いとメモリアクセス優先順位指定手段1003に設定したとして、ブロック804がSDRAM808からデータをリード(読み出し)する場合のメモリ制御装置105の動作について説明する。
以下、SDRAM808に備えられているモード設定を「CASレイテンシ」=”3”、「バースト長」=”2”と設定し、SDRAM808に対する優先順位をブロック804,805,806の順に優先順位が高いとメモリアクセス優先順位指定手段1003に設定し、ブロック804がバンク1に、ブロック805がバンク2に、ブロック806がバンク0にメモリアクセス要求を出力するとする。
以下、SDRAM808に備えられているモード設定を「CASレイテンシ」=”3”、「バースト長」=”2”と設定し、SDRAM808に対する優先順位をブロック804,805,806の順に優先順位が高いとメモリアクセス優先順位指定手段1003に設定し、ブロック804がバンク1に、ブロック805がバンク2に、ブロック806がバンク0にメモリアクセス要求を出力するとする。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はブロック804から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(C)は調停回路101から返信されるブロック804へのメモリアクセス許可信号、
(D)はブロック805から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(E)は調停回路101から返信されるブロック805へのメモリアクセス許可信号、
(F)はブロック806から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(G)は調停回路101から返信されるブロック806へのメモリアクセス許可信号、
(H)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセス、
(I)はSDRAM808から読み出したリードデータを示す。
1101はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス、
1102はブロック806のバンク0へのメモリリードアクセス、
1103はブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス、
1104はブロック805のバンク2へのメモリリードアクセスである。
この実施の形態1では、SDRAM808が「バースト長」=”2”に設定されている場合を一例として説明したが、例えば、「バースト長」=”4”,”8”,その他の値に設定されている場合にも、同様の効果が得られる。
(実施の形態2)
以下に、第9ないし第14の本発明の実施の形態について、図1及び図3及び図10及び図11を用いて説明する。図3は実施の形態2の主要な信号のタイミングチャート、図10は実施の形態2の調停回路101を示すブロック図、図11は実施の形態2のデータラッチブロック104を示すブロック図である。
前記調停回路101は、図1、図10に示すように複数ブロック804,805,806からのメモリリクエストとメモリアドレスを受け取り、受け取ったメモリアドレスから直前にメモリアクセスを許可した後半のバンクと次のメモリアクセス要求の前半のバンクが同一のバンクに対するアクセスか判断するバンク判断手段1202を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロック1201と、前記複数ブロック804,805,806からのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段1003と、前記リクエスト受信ブロック1001からの許可信号の生成を指示され、前記SDRAM808へのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロック1005と、前記リクエスト受信ブロック1001からの制御信号の生成を指示され、コマンド生成制御信号及びアドレス生成制御信号及びデータラッチ制御信号を生成する制御信号生成ブロック1006とで構成される。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はブロック804から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(C)は調停回路101から返信されるブロック804へのメモリアクセス許可信号、
(D)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセス、
(E)はSDRAM808から読み出したリードデータ、
(F)は各ブロックに転送するデータを示す。
301はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス、
302はブロック804のバンク1へのメモリリードリクエスト、
303はブロック804のバンク2へのメモリリードリクエスト、
304はブロック804のバンク2へのメモリリードアクセス、
305はブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス、
306はSDRAM808のバンク2から読み出した8バイトのバンクリードデータ、
307はSDRAM808のバンク1から読み出した8バイトのバンクリードデータである。
また、SDRAM808に対するバンクアクセスデータのアクセス順序を変更した場合でも、SDRAM808から16バイトのブロックアクセスデータを読み出してデータラッチブロック104に格納するとともに格納したバンクアクセスデータをSDRAM808から読み出した順序と逆の順序で、メモリアクセスを行ったブロックに対してデータラッチブロック104が転送することにより、メモリアクセス要求を行ったブロックはバンクを意識することなくSDRAM808から読み出したブロックアクセスデータを受け取ることができる。
(実施の形態3)
以下に、第15ないし第19の本発明の実施の形態について、図1及び図4及び図12を用いて説明する。図4は実施の形態3の主要な信号のタイミングチャート、図12は実施の形態3の調停回路を示すブロック図である。
前記調停回路101は、図1、図12に示すように前記複数ブロック804,805,806からのメモリリクエストを受け取り、受け取ったメモリリクエストから要求されたメモリアクセスのデータ単位を判断するデータ単位判断手段1402を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロック1401と、前記複数ブロック804,805,806からのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段1003と、前記複数ブロックからのメモリアクセス要求がバンクアクセスデータ単位の場合に設ける待ちサイクル数を指定するウェイトサイクル指定手段1403と、前記リクエスト受信ブロック1401からの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロック1005と、前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロック1006とで構成される。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はブロック805から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(C)は調停回路101から返信されるブロック805へのメモリアクセス許可信号、
(D)はブロック806から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(E)は調停回路101から返信されるブロック806へのメモリアクセス許可信号、
(F)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセスを示す。
401はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリアクセス、
402はブロック805のバンク1へのメモリリクエスト、
403はブロック805のバンク1へのメモリアクセス、
404はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリアクセス、
405はブロック806のバンク2へのメモリリクエスト、
406はブロック806のバンク2へのメモリアクセスである。
(実施の形態4)
以下に、第20ないし第26の本発明の実施の形態について、図1及び図5及び図13及び図14を用いて説明する。図5は実施の形態4の主要な信号のタイミングチャート、図13は実施の形態4の調停回路を示すブロック図である。
前記調停回路101は、図1、図13に示すように複数ブロック804,805,806からのメモリリクエストを受け取り、受け取ったメモリリクエストから要求されたメモリアクセスの種類を判断するアクセス要求判断手段1502を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロック1501と、前記複数ブロックからのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段1003と、直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、次にリードアクセスを許可するブロックを選択するリードアクセス時優先順位指定手段1503と、前記リクエスト受信ブロックからの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロック1005と、前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロック1006とで構成される。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はブロック804から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(C)は調停回路101から返信されるブロック804へのメモリアクセス許可信号、
(D)はブロック805から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(E)は調停回路101から返信されるブロック805へのメモリアクセス許可信号、
(F)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセスを示す。
501はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス、
502はブロック804のバンク2へのメモリライトリクエスト、
503はブロック805のバンク0へのメモリリードリクエスト、
504はブロック805のバンク0へのメモリリードアクセス、
505はブロック804のバンク2へのメモリライトアクセスである。
以下、SDRAM808に備えられているモード設定を「CASレイテンシ」=”3”、「バースト長」=”2”と設定し、SDRAM808に対する優先順位をブロック804,805,806の順に優先順位が高いとメモリアクセス優先順位指定手段1003に設定したとして、ブロック804がSDRAM808にデータをライト(書き込み)する場合のメモリ制御装置105の動作について説明する。
次に、調停回路101が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、リードアクセスの優先順位を上げる場合について説明する。
次に、調停回路101が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、次にリードアクセスを許可するブロックを選択する場合について図14を用いて説明する。図14は、実施の形態4において、調停回路101が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に次にリードアクセスを許可する場合のタイミングチャートである。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はブロック804から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(C)は調停回路101から返信されるブロック804へのメモリアクセス許可信号、
(D)はブロック805から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(E)は調停回路101から返信されるブロック805へのメモリアクセス許可信号、
(F)はブロック806から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(G)は調停回路101から返信されるブロック806へのメモリアクセス許可信号、
(H)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセスを示す。
1601はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス、
1602はブロック806のバンク0へのメモリリードアクセス、
1603はブロック804のバンク2へのメモリライトアクセス、
1604はブロック805のバンク1へのメモリリードアクセスである。
(実施の形態5)
以下に、第27ないし第33の本発明の実施の形態について、図6及び図7及び図15及び図16を用いて説明する。図6は、本発明におけるメモリ制御装置を示すブロック図、図7は、実施の形態5の主要な信号のタイミングチャート、図15は実施の形態5の調停回路を示すブロック図である。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はリフレッシュ要求ブロック601から出力されるリフレッシュ要求信号、
(C)は調停回路101からリフレッシュ要求ブロック601へリフレッシュ許可信号、
(D)はブロック804から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(E)は調停回路101から返信されるブロック804へのメモリアクセス許可信号、
(F)はブロック805から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(G)は調停回路101から返信されるブロック805へのメモリアクセス許可信号、
(H)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセスを示す。
701はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリライトアクセス、
702はブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス、
703はリフレッシュ要求ブロック601のリフレッシュ動作、
704はブロック805のバンク0へのメモリリードアクセスである。
以下、SDRAM808に備えられているモード設定を「CASレイテンシ」=”3”、「バースト長」=”2”と設定し、SDRAM808に対する優先順位をリフレッシュ要求ブロック601,ブロック804,805,806の順に優先順位が高いとメモリアクセス優先順位指定手段1003に設定したとして、リフレッシュ要求ブロック601がSDRAM808に対しリフレッシュ動作を実行する場合のメモリ制御装置105の動作について説明する。
次に、調停回路101が直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合に、リフレッシュ要求の優先順位を下げる場合について説明する。
次に、調停回路101が直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合に、次にリードアクセスを許可するブロックを選択する場合について図16を用いて説明する。図16は、実施の形態5において、直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合に次にリードアクセスを許可する場合のタイミングチャートである。
(A)はSDRAM808が動作するクロック、
(B)はリフレッシュ要求ブロック601から出力されるリフレッシュ要求信号、
(C)は調停回路101からリフレッシュ要求ブロック601へリフレッシュ許可信号、
(D)はブロック804から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(E)は調停回路101から返信されるブロック804へのメモリアクセス許可信号、
(F)はブロック805から出力される調停回路101へのメモリリクエスト、
(G)は調停回路101から返信されるブロック805へのメモリアクセス許可信号、
(H)はメモリ制御装置105がSDRAM808に対し実行しているメモリアクセスを示す。
1801はメモリ制御装置105がアクセス中のバンク0へのメモリライトアクセス、
1802はブロック805のバンク2へのメモリリードアクセス、
1803はリフレッシュ要求ブロック601のリフレッシュ動作、
1804はブロック804のバンク1へのメモリリードアクセスである。
(実施の形態6)
以下に、第34ないし第40の本発明の実施の形態について、図1及び図17を用いて説明する。図17は実施の形態6における調停回路を示すブロック図である。
調停回路101は、図1、図17に示すように前記複数ブロック804,805,806からのメモリリクエストとメモリアドレスを受け取り、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロック1901が、実施の形態1及び実施の形態4で説明したバンク判断手段1002とアクセス要求判断手段1502を含むよう構成されており、前記複数ブロック804,805,806からのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段1003と、前記複数ブロック804,805,806からのメモリアクセス要求が直前にアクセスしたバンクと同一バンクに対するアクセス要求でかつ、前記調停回路101が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、メモリアクセスの優先順位を変更するための調停方法を指定する調停方法指定手段1902と、前記調停方法指定手段1902の設定がバンク優先の場合に、次にアクセスを許可するブロックを選択する同一バンク時優先順位指定手段1004と、前記調停方法指定手段1902の設定がアクセス優先の場合に、次にリードアクセスを許可するブロックを選択するリードアクセス時優先順位指定手段1503と、前記リクエスト受信ブロック1901からの許可信号の生成を指示され、前記SDRAM808へのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロック1005と、前記リクエスト受信ブロック1901からの制御信号の生成を指示され、コマンド生成制御信号及びアドレス生成制御信号及びデータラッチ制御信号を生成する制御信号生成ブロック1006とで構成される。
なお、この実施の形態6では、メモリをSDRAM808という例で説明したが、SDRAMに限らず他の同期式メモリについても同様の効果が得られる。
102 コマンド生成ブロック
103 アドレス生成ブロック
104 データラッチブロック
105 メモリ制御装置
201 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス
202 ブロック805のバンク2へのメモリリードアクセス
203 ブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス
204 ブロック806のバンク0へのメモリリードアクセス
301 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス
302 ブロック804のバンク1へのメモリリードリクエスト
303 ブロック804のバンク2へのメモリリードリクエスト
304 ブロック804のバンク2へのメモリリードアクセス
305 ブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス
306 SDRAM808のバンク2から読み出した8バイトのバンクリードデータ
307 SDRAM808のバンク1から読み出した8バイトのバンクリードデータ
401 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス
402 ブロック805のバンク1へのメモリリードリクエスト
403 ブロック805のバンク1へのメモリリードアクセス
404 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス
405 ブロック806のバンク2へのメモリリードリクエスト
406 ブロック806のバンク2へのメモリリードアクセス
501 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス
502 ブロック804のバンク2へのメモリライトリクエスト
503 ブロック805のバンク0へのメモリリードリクエスト
504 ブロック805のバンク0へのメモリリードアクセス
505 ブロック804のバンク2へのメモリライトアクセス
601 リフレッシュ要求ブロック
701 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク0へのメモリライトアクセス
702 ブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス
703 リフレッシュ要求ブロック601のリフレッシュ動作
704 ブロック805のバンク0へのメモリリードアクセス
1001 リクエスト受信ブロック
1002 バンク判断手段
1003 メモリアクセス優先順位指定手段
1004 同一バンク時優先順位指定手段
1005 許可信号生成ブロック
1006 制御信号生成ブロック
1101 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス
1102 ブロック806のバンク0へのメモリリードアクセス
1103 ブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス
1104 ブロック805のバンク2へのメモリリードアクセス
1201 リクエスト受信ブロック
1202 バンク判断手段
1301 ライトデータラッチブロック
1302 データ入れ替えブロック
1303 リードデータラッチブロック
1401 リクエスト受信ブロック
1402 データ単位判断手段
1403 ウェイトサイクル指定手段
1501 リクエスト受信ブロック
1502 アクセス要求判断手段
1503 リードアクセス時優先順位指定手段
1601 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク1へのメモリリードアクセス
1602 ブロック806のバンク0へのメモリリードアクセス
1603 ブロック804のバンク2へのメモリライトアクセス
1604 ブロック805のバンク1へのメモリリードアクセス
1701 リクエスト受信ブロック
1702 ライトアクセス時優先順位指定手段
1801 メモリ制御装置105がアクセス中のバンク0へのメモリライトアクセス
1802 ブロック805のバンク2へのメモリリードアクセス
1803 リフレッシュ要求ブロック601のリフレッシュ動作
1804 ブロック804のバンク1へのメモリリードアクセス
1901 リクエスト受信ブロック
1902 調停方法指定手段
Claims (40)
- 複数のバンクを有するメモリを制御するメモリ制御装置において、
複数のブロックからの前記メモリにアクセスするためのメモリアクセス要求の調停を行う調停回路と、
前記調停回路からの制御信号に基づき前記メモリへのメモリコマンドを生成するコマンド生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可されたブロックからのメモリアドレスを受け取り、前記メモリに出力するアドレス生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたは前記メモリからの読み出しデータをラッチして、アクセスを許可された前記ブロックと前記メモリ間のデータの受け渡しを行うデータラッチブロックとを備え、
前記調停回路が直前にメモリアクセスを許可したバンクとは異なるバンクにアクセスするように前記複数のブロックのメモリアクセスの優先順位を変更することを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記調停回路が、
前記複数ブロックからのメモリリクエストとメモリアドレスを受け取り、受け取ったメモリアドレスから同一バンクに対するアクセスか判断するバンク判断手段を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロックと、
前記複数ブロックからのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段と、
前記複数ブロックからのメモリアクセス要求が直前にアクセスしたバンクと同一バンクに対するアクセス要求の場合に次にアクセスを許可するブロックを選択する同一バンク時優先順位指定手段と、
前記リクエスト受信ブロックからの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロックと、
前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロックとを備えることを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。 - 前記調停回路は、直前にメモリアクセスを許可したバンクと同一のバンクにアクセスするブロックに対するメモリアクセスの優先順位を下げることを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
- 前記調停回路は、直前にメモリアクセスを許可したバンクと異なるバンクにアクセスするブロックに対するメモリアクセスの優先順位を上げることを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
- 前記調停回路は、直前にメモリアクセスを許可したバンクと次のメモリアクセスで要求されたバンクが同一である場合に、メモリアクセスの優先順位を下げることを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリアクセス優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記メモリアクセス優先順位指定手段の設定により、前記複数のブロックからの前記メモリに対する優先順位を変更できることを特徴とする請求項2に記載のメモリ制御装置。
- 前記同一バンク時優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記複数ブロックからのメモリアクセス要求が直前にアクセスしたバンクと同一バンクに対するアクセス要求の場合に、前記同一バンク時優先順位指定手段に設定された優先順位に従って、次にメモリへのアクセスを許可するブロックを選択することができることを特徴とする請求項2に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリは、同期式メモリであることを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
- 複数のバンクを有するメモリを制御するメモリ制御装置において、
複数のブロックからの前記メモリにアクセスするためのメモリアクセス要求の調停を行う調停回路と、
前記調停回路からの制御信号に基づき前記メモリへのメモリコマンドを生成するコマンド生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可されたブロックからのメモリアドレスを受け取り、前記メモリに出力するアドレス生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたは前記メモリからの読み出しデータをラッチして、アクセスを許可された前記ブロックと前記メモリ間のデータの受け渡しを行うデータラッチブロックとを備え、
前記メモリの同一バンクに対して書き込みまたは読み出しが行われる所定のバイト数のメモリへのアクセスデータをバンクアクセスデータとし、異なるバンクに属する2組の前記バンクアクセスデータによって構成されるデータ単位をブロックアクセスデータとし、
前記複数のブロックが前記ブロックアクセスデータ単位でメモリアクセス要求をしたとき、直前にメモリアクセスを許可した後半のバンクと次のメモリアクセス要求の前半のバンクが同一である場合には、前記調停回路が前記ブロックアクセスデータ内のバンクアクセスデータのメモリアクセスの順序を入れ替えることを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記調停回路が、
前記複数ブロックからのメモリリクエストとメモリアドレスを受け取り、受け取ったメモリアドレスから直前にメモリアクセスを許可した後半のバンクと次のメモリアクセス要求の前半のバンクが同一のバンクに対するアクセスか判断するバンク判断手段を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロックと、
前記複数ブロックからのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段と、
前記リクエスト受信ブロックからの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロックと、
前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロックとを備えることを特徴とする請求項9に記載のメモリ制御装置。 - 前記データラッチブロックが、
前記複数ブロックからのライトデータを受け取り、ラッチするライトデータラッチブロックと、
前記調停回路からのデータラッチ制御信号に基づき、前記ライトデータラッチブロックが出力するバンクアクセスデータの順序を入れ替え、ライトデータとして前記メモリへ出力し、さらに後述するリードデータラッチブロックが出力するバンクアクセスデータの順序を入れ替えリードデータとして前記メモリへのリードアクセスを許可されたブロックへ出力するデータ入れ替えブロックと、
前記メモリから読み出されたリードデータを受け取り、ラッチするリードデータラッチブロックとを備えることを特徴とする請求項9に記載のメモリ制御装置。 - 前記調停回路は、直前にメモリアクセスを許可した後半のバンクと次のメモリアクセス要求の前半のバンクが同一である場合、前記ブロックアクセスデータ内の前記バンクアクセスデータの順序を入れ替えて前記メモリから前記ブロックアクセスデータを読み出して前記データラッチブロックに格納し、前記データラッチブロックは、格納した前記ブロックアクセスデータ内の前記バンクアクセスデータ単位で順序を入れ替えて、メモリアクセスを行った前記ブロックに対して転送することを特徴とする請求項9に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリアクセス優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記メモリアクセス優先順位指定手段の設定により、前記複数のブロックからの前記メモリに対する優先順位を変更できることを特徴とする請求項10に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリは、同期式メモリであることを特徴とする請求項9に記載のメモリ制御装置。
- 複数のバンクを有するメモリを制御するメモリ制御装置において、
複数のブロックからの前記メモリにアクセスするためのメモリアクセス要求の調停を行う調停回路と、
前記調停回路からの制御信号に基づき前記メモリへのメモリコマンドを生成するコマンド生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可されたブロックからのメモリアドレスを受け取り、前記メモリに出力するアドレス生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたは前記メモリからの読み出しデータをラッチして、アクセスを許可された前記ブロックと前記メモリ間のデータの受け渡しを行うデータラッチブロックとを備え、
前記メモリの同一バンクに対して、書き込みまたは読み出しが行われる所定のバイト数のメモリへのアクセスデータをバンクアクセスデータとし、異なるバンクに属する2組の前記バンクアクセスデータによって構成されるデータ単位をブロックアクセスデータとするとき、前記メモリへのアクセスを許可された前記ブロックからのメモリアクセス要求が前記バンクアクセスデータ単体の場合には、前記調停回路が待ちサイクルを設けるように前記コマンド生成ブロックに指示することを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記調停回路が、
前記複数ブロックからのメモリリクエストを受け取り、受け取ったメモリリクエストから要求されたメモリアクセスのデータ単位を判断するデータ単位判断手段を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロックと、
前記複数ブロックからのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段と、
前記複数ブロックからのメモリアクセス要求がバンクアクセスデータ単位の場合に設ける待ちサイクル数を指定するウェイトサイクル指定手段と、
前記リクエスト受信ブロックからの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロックと、
前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロックとを備えることを特徴とする請求項15に記載のメモリ制御装置。 - 前記メモリアクセス優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記メモリアクセス優先順位指定手段の設定により、前記複数のブロックからの前記メモリに対する優先順位を変更できることを特徴とする請求項16に記載のメモリ制御装置。
- 前記ウェイトサイクル指定手段は、外部から設定可能であり前記ウェイトサイクル指定手段の設定により、前記コマンド生成ブロックで設ける待ちサイクル数を変更できることを特徴とする請求項16に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリは、同期式メモリであることを特徴とする請求項15に記載のメモリ制御装置。
- 複数のバンクを有するメモリを制御するメモリ制御装置において、
複数のブロックからの前記メモリにアクセスするためのメモリアクセス要求の調停を行う調停回路と、
前記調停回路からの制御信号に基づき前記メモリへのメモリコマンドを生成するコマンド生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可されたブロックからのメモリアドレスを受け取り、前記メモリに出力するアドレス生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたは前記メモリからの読み出しデータをラッチして、アクセスを許可された前記ブロックと前記メモリ間のデータの受け渡しを行うデータラッチブロックとを備え、
前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合は、連続してリードアクセスが行われるように前記複数のブロックのメモリアクセス要求の優先順位を変更することを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記調停回路が、
前記複数ブロックからのメモリリクエストを受け取り、受け取ったメモリリクエストから要求されたメモリアクセスの種類を判断するアクセス要求判断手段を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロックと、
前記複数ブロックからのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段と、
直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、次にリードアクセスを許可するブロックを選択するリードアクセス時優先順位指定手段と、
前記リクエスト受信ブロックからの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロックと、
前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロックとを備えることを特徴とする請求項20に記載のメモリ制御装置。 - 前記調停回路は、直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、リードアクセスの優先順位を上げることを特徴とする請求項20に記載のメモリ制御装置。
- 前記調停回路は、直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスで、次のメモリアクセス要求にリードアクセスが存在する場合に、リードアクセスの優先順位を上げることを特徴とする請求項20に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリアクセス優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記メモリアクセス優先順位指定手段の設定により、前記複数のブロックからの前記メモリに対する優先順位を変更できることを特徴とする請求項21に記載のメモリ制御装置。
- 前記リードアクセス時優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、前記リードアクセス時優先順位指定手段に設定された優先順位に従って、次にメモリへのリードアクセスを許可するブロックを選択することができることを特徴とする請求項20に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリは、同期式メモリであることを特徴とする請求項20に記載のメモリ制御装置。
- 複数のバンクを有するメモリを制御するメモリ制御装置において、
前記メモリの内部データを保持するために一定間隔でリフレッシュ動作を要求するリフレッシュ要求ブロックと、
複数のブロックからの前記メモリにアクセスするためのメモリアクセス要求と前記リフレッシュ要求ブロックからのリフレッシュ要求の調停を行う調停回路と、
前記調停回路からの制御信号に基づき前記メモリへのメモリコマンドを生成するコマンド生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可されたブロックからのメモリアドレスを受け取り、前記メモリに出力するアドレス生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたは前記メモリからの読み出しデータをラッチして、アクセスを許可された前記ブロックと前記メモリ間のデータの受け渡しを行うデータラッチブロックとを備え、
前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合は、前記リフレッシュ要求ブロックからのリフレッシュ要求の優先順位を変更することを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記調停回路が、
前記リフレッシュ要求ブロックからのリフレッシュ要求と前記複数ブロックからのメモリリクエストを受け取り、受け取ったリフレッシュ要求とメモリリクエストから要求されたメモリアクセスの種類を判断するアクセス要求判断手段を含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロックと、
前記複数ブロックからのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段と、
前記リフレッシュ要求ブロックからリフレッシュ要求が出力され、前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合に、次にリードアクセスを許可するブロックを選択するライトアクセス時優先順位指定手段と、
前記リクエスト受信ブロックからの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロックと、
前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロックとを備えることを特徴とする請求項27に記載のメモリ制御装置。 - 前記調停回路は、直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合に、リフレッシュ要求の優先順位を下げることを特徴とする請求項27に記載のメモリ制御装置。
- 前記調停回路は、直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスで、次のメモリアクセス要求にリフレッシュ要求が存在する場合に、リフレッシュ要求の優先順位を下げることを特徴とする請求項27に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリアクセス優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記メモリアクセス優先順位指定手段の設定により、前記複数のブロックからの前記メモリに対する優先順位を変更できることを特徴とする請求項28に記載のメモリ制御装置。
- 前記ライトアクセス時優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記リフレッシュ要求ブロックからリフレッシュ要求が出力され、前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがライトアクセスの場合に、前記ライトアクセス時優先順位指定手段に設定された優先順位に従って、次にメモリへのアクセスを許可するブロックを選択することができることを特徴とする請求項28に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリは、同期式メモリであることを特徴とする請求項27に記載のメモリ制御装置。
- 複数のバンクを有するメモリを制御するメモリ制御装置において、
複数のブロックからの前記メモリにアクセスするためのメモリアクセス要求の調停を行う調停回路と、
前記調停回路からの制御信号に基づき前記メモリへのメモリコマンドを生成するコマンド生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可されたブロックからのメモリアドレスを受け取り、前記メモリに出力するアドレス生成ブロックと、
前記調停回路によってアクセスを許可された前記ブロックからの書き込みデータまたは前記メモリからの読み出しデータをラッチして、アクセスを許可された前記ブロックと前記メモリ間のデータの受け渡しを行うデータラッチブロックとを備え、
前記複数ブロックからのメモリアクセス要求が直前にアクセスしたバンクと同一バンクに対するアクセス要求でかつ、前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合は、前記調停回路が前記複数のブロックのメモリアクセスの優先順位を変更するための調停方法を指定することを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記調停回路が、
前記複数ブロックからのメモリアドレスを受け取り、受け取ったメモリアドレスから同一バンクに対するアクセスか判断するバンク判断手段と、
前記複数ブロックからのメモリリクエストを受け取り、受け取ったメモリリクエストから要求されたメモリアクセスの種類を判断するアクセス要求判断手段と、
前記バンク判断手段と前記アクセス要求判断手段とを含み、許可信号の生成を指示するリクエスト受信ブロックと、
前記複数ブロックからのメモリアクセスの優先順位を指定するメモリアクセス優先順位指定手段と、
前記複数ブロックからのメモリアクセス要求が直前にアクセスしたバンクと同一バンクに対するアクセス要求でかつ、前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、メモリアクセスの優先順位を変更するための調停方法を指定する調停方法指定手段と、
前記調停方法指定手段の設定がバンク優先の場合に、次にアクセスを許可するブロックを選択する同一バンク時優先順位指定手段と、
前記調停方法指定手段の設定がアクセス優先の場合に、次にリードアクセスを許可するブロックを選択するリードアクセス時優先順位指定手段と、
前記リクエスト受信ブロックからの許可信号の生成を指示され、前記メモリへのアクセスを許可したブロックに許可信号を出力する許可信号生成ブロックと、
前記リクエスト受信ブロックからの制御信号の生成を指示され、各制御信号を生成する制御信号生成ブロックとを備えることを特徴とする請求項34に記載のメモリ制御装置。 - 前記メモリアクセス優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記メモリアクセス優先順位指定手段の設定により、前記複数のブロックからの前記メモリに対する優先順位を変更できることを特徴とする請求項35に記載のメモリ制御装置。
- 前記調停方法指定手段は、外部から設定可能であり前記調停方法指定手段の設定により、前記複数のブロックからのメモリアクセスの調停方法を変更できることを特徴とする請求項35に記載のメモリ制御装置。
- 前記同一バンク時優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記調停方法指定手段の設定がバンク優先の場合でかつ、前記複数ブロックからのメモリアクセス要求が直前にアクセスしたバンクと同一バンクに対するアクセス要求の場合に、前記同一バンク時優先順位指定手段に設定された優先順位に従って、次にメモリへのアクセスを許可するブロックを選択することができることを特徴とする請求項35に記載のメモリ制御装置。
- 前記リードアクセス時優先順位指定手段は、外部から設定可能であり前記調停方法指定手段の設定がアクセス優先の場合でかつ、前記調停回路が直前に許可したメモリアクセスがリードアクセスの場合に、前記リードアクセス時優先順位指定手段に設定された優先順位に従って、次にメモリへのリードアクセスを許可するブロックを選択することができることを特徴とする請求項35に記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリは、同期式メモリであることを特徴とする請求項34に記載のメモリ制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004017735A JP3819004B2 (ja) | 2003-01-27 | 2004-01-27 | メモリ制御装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003017372 | 2003-01-27 | ||
JP2004017735A JP3819004B2 (ja) | 2003-01-27 | 2004-01-27 | メモリ制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004252960A true JP2004252960A (ja) | 2004-09-09 |
JP3819004B2 JP3819004B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=32820562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004017735A Expired - Fee Related JP3819004B2 (ja) | 2003-01-27 | 2004-01-27 | メモリ制御装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060059320A1 (ja) |
JP (1) | JP3819004B2 (ja) |
KR (1) | KR100750273B1 (ja) |
CN (3) | CN100580640C (ja) |
TW (1) | TWI259362B (ja) |
WO (1) | WO2004068349A1 (ja) |
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US12001691B2 (en) | 2021-03-24 | 2024-06-04 | Panasonic Automotive Systems Co., Ltd. | Memory controller and memory access control method |
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-
2004
- 2004-01-26 WO PCT/JP2004/000671 patent/WO2004068349A1/ja active Application Filing
- 2004-01-26 CN CN200710141938A patent/CN100580640C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-26 CN CNB2004800018372A patent/CN100432958C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-26 US US10/541,024 patent/US20060059320A1/en not_active Abandoned
- 2004-01-26 CN CNB2007101412884A patent/CN100501701C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-26 KR KR1020057012113A patent/KR100750273B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-01-27 TW TW093101742A patent/TWI259362B/zh active
- 2004-01-27 JP JP2004017735A patent/JP3819004B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004068349A1 (ja) | 2004-08-12 |
TW200422829A (en) | 2004-11-01 |
TWI259362B (en) | 2006-08-01 |
CN100501701C (zh) | 2009-06-17 |
CN100432958C (zh) | 2008-11-12 |
JP3819004B2 (ja) | 2006-09-06 |
CN1723447A (zh) | 2006-01-18 |
CN101110060A (zh) | 2008-01-23 |
CN101101573A (zh) | 2008-01-09 |
CN100580640C (zh) | 2010-01-13 |
US20060059320A1 (en) | 2006-03-16 |
KR100750273B1 (ko) | 2007-08-17 |
KR20050093805A (ko) | 2005-09-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060414 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060613 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
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