JP2004241771A - 電子パッケージ修正プロセス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】修正経路65は、多層セラミック基板内に含まれる欠陥ネット40と冗長修正ネット45の間に設定される。欠陥ネットと修正ネット各々は基板の表面ビア41,46で終端する。レーザを使用して、電気的修正構造から欠陥ネットを電気的に分離し、これに続いて、基板上および基板内に後焼成回路を形成する。さらに電気修正線65を表面不活性化する。
【選択図】図10
Description
多層セラミック基板内の電気修正経路を画定するステップと、
前記多層セラミック基板の上面にレーザでトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが欠陥上面ビアで画定された第1の端部および修正上面ビアで画定された第2の端部を有するものであるステップと、
前記欠陥上面ビアを第1の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
前記修正上面ビアを第2の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
残っている金属を除去するように前記欠陥上面ビアを第3の所望の深さまでエッチングするステップと、
前記欠陥上面ビアに絶縁材料を充填するステップと、
前記トレンチ内および前記修正上面ビア内および前記欠陥上面ビア内に、所望の厚さまで導電性金属を堆積して、電気修正部分を作るステップとを備える方法。
(2)前記上面を研磨して前記電気修正部分から余分な堆積導電性金属を除去するステップと、
前記電気修正部分の上に誘電体材料を付けるステップとをさらに備える、上記(1)に記載の方法。
(3)多層セラミック基板内の電気修正経路の前記画定が、所望の修正経路を決定する自動経路設定プログラムを使用して達成される、上記(1)に記載の方法。
(4)前記自動経路設定プログラムが、単一修正経路を決定する、上記(3)に記載の方法。
(5)前記自動経路設定プログラムが、二重修正経路を決定する、上記(3)に記載の方法。
(6)前記レーザが、エキシマ・レーザである、上記(1)に記載の方法。
(7)前記エキシマ・レーザが、ほぼ308ナノメートルの波長で動作するXeClエキシマ・レーザである、上記(6)に記載の方法。
(8)前記レーザが、Nd−YAGレーザである、上記(1)に記載の方法。
(9)前記レーザが、CO2レーザである、上記(1)に記載の方法。
(10)前記トレンチは、幅がほぼ40μmで深さがほぼ18μmである、上記(1)に記載の方法。
(11)前記エッチングが、化学的なエッチングである、上記(1)に記載の方法。
(12)前記化学的なエッチングが、ほぼ40容量%の硝酸の溶液を使用して行われる、上記(11)に記載の方法。
(13)前記化学的なエッチングが、塩酸を使用して行われる、上記(11)に記載の方法。
(14)前記化学的なエッチングが、酢酸を使用して行われる、上記(11)に記載の方法。
(15)前記絶縁材料が、重合体である、上記(1)に記載の方法。
(16)前記絶縁材料が、ケイ酸塩をベースにしたガラス粉末である、上記(1)に記載の方法。
(17)前記絶縁材料が、ガラス微小球で構成される、上記(1)に記載の方法。
(18)前記導電性金属を堆積する前に、前記トレンチ内および前記修正上面ビア内にシード(seed)層を堆積するステップを備える、上記(1)に記載の方法。
(19)前記シード層が、Cr−Cuの層をスパッタリングして堆積される、上記(18)に記載の方法。
(20)前記導電性金属が、銅の電解メッキで堆積される、上記(1)に記載の方法。
(21)前記導電性金属が、前記トレンチおよび前記修正上面ビア中に押し出された金属ペーストである、上記(1)に記載の方法。
(22)前記導電性金属が、60容量%のガラスと40容量%の銅で構成され、さらに、前記多層セラミック基板をほぼ850℃の還元性雰囲気中で焼成するステップを備える、上記(21)に記載の方法。
(23)前記誘電体材料が、ディジタル制御マイクロディスペンス(micro-dispense)・ツールを使用して前記電気修正部分の上に付けられる、上記(2)に記載の方法。
(24)多層セラミック基板内に電気接続を作る方法であって、
多層セラミック基板内に電気接続を画定するステップと、
前記多層セラミック基板の上面にレーザでトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが第1のビアで画定された第1の端部および第2のビアで画定された第2の端部を有するものであるステップと、
前記第1のビアを第1の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
前記第2のビアを第2の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
前記トレンチ内および修正ビア内に所望の厚さまで導電性金属を堆積して電気接続を作るステップとを備える方法。
(25)さらに、
前記上面を研磨して前記電気接続から余分な堆積導電性金属を除去するステップと、
前記電気接続の上に誘電体材料を付けるステップとを備える、上記(24)に記載の方法。
(26)複数の上面ビアを有する多層セラミック基板と、
前記多層セラミック基板の上面にレーザで形成されたトレンチであって、欠陥上面ビアで画定された第1の端部および修正上面ビアで画定された第2の端部を有し、さらに前記第1および第2のビアが所望の深さまでレーザ・アブレーション除去されたものであるトレンチと、
前記欠陥上面ビアを前記所望深さまで満たす絶縁材料と、
前記トレンチおよび前記修正上面ビアおよび前記欠陥上面ビアを満たして、電気修正部分を作る導電性金属とを備える多層セラミック基板修正構造。
(27)前記電気修正部分の上に誘電体材料をさらに備える、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(28)前記トレンチは、幅がほぼ40μmで深さがほぼ18μmである、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(29)前記絶縁材料が、重合体である、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(30)前記絶縁材料が、ケイ酸塩をベースにしたガラス粉末である、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(31)前記絶縁材料が、ガラス微小球で構成される、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(32)前記導電性金属の下に横たわる前記トレンチおよび前記修正上面ビアおよび前記欠陥上面ビアの中にシード層をさらに備える、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(33)前記シード層が、Cr−Cuの層である、上記(32)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(34)前記導電性金属が、電解メッキされた銅の層である、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(35)前記導電性金属が、前記トレンチおよび前記修正上面ビアの中に押し出された金属ペーストである、上記(26)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(36)前記導電性金属が、60容量%のガラスと40容量%の銅で構成される、上記(35)に記載の多層セラミック基板修正構造。
(37)前記欠陥上面ビアの前記エッチングの前に前記上面にテープを付け、前記欠陥上面ビアの上の前記テープに開口をレーザ・アブレーション除去でつくり、それによって、前記欠陥上面ビアにだけエッチング液が達することができるようにするステップをさらに備える、上記(1)に記載の方法。
(38)前記欠陥上面ビアの上の前記誘電体材料に開口をレーザ・アブレーション除去でつくるステップをさらに備える、上記(2)に記載の方法。
41 欠陥ネットの上面ビア
43 誘電体材料(表面不活性化)
44 ポリイミド・ベースの誘電体
46 修正ネットの上面ビア
50 シード層
60 金属(メッキ)
65 修正導体金属
70 開口
Claims (38)
- 多層セラミック基板内の欠陥電気接続を修正する方法であって、
多層セラミック基板内の電気修正経路を画定するステップと、
前記多層セラミック基板の上面にレーザでトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが欠陥上面ビアで画定された第1の端部および修正上面ビアで画定された第2の端部を有するものであるステップと、
前記欠陥上面ビアを第1の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
前記修正上面ビアを第2の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
残っている金属を除去するように前記欠陥上面ビアを第3の所望の深さまでエッチングするステップと、
前記欠陥上面ビアに絶縁材料を充填するステップと、
前記トレンチ内および前記修正上面ビア内および前記欠陥上面ビア内に、所望の厚さまで導電性金属を堆積して、電気修正部分を作るステップとを備える方法。 - 前記上面を研磨して前記電気修正部分から余分な堆積導電性金属を除去するステップと、
前記電気修正部分の上に誘電体材料を付けるステップとをさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 多層セラミック基板内の電気修正経路の前記画定が、所望の修正経路を決定する自動経路設定プログラムを使用して達成される、請求項1に記載の方法。
- 前記自動経路設定プログラムが、単一修正経路を決定する、請求項3に記載の方法。
- 前記自動経路設定プログラムが、二重修正経路を決定する、請求項3に記載の方法。
- 前記レーザが、エキシマ・レーザである、請求項1に記載の方法。
- 前記エキシマ・レーザが、ほぼ308ナノメートルの波長で動作するXeClエキシマ・レーザである、請求項6に記載の方法。
- 前記レーザが、Nd−YAGレーザである、請求項1に記載の方法。
- 前記レーザが、CO2レーザである、請求項1に記載の方法。
- 前記トレンチは、幅がほぼ40μmで深さがほぼ18μmである、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチングが、化学的なエッチングである、請求項1に記載の方法。
- 前記化学的なエッチングが、ほぼ40容量%の硝酸の溶液を使用して行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記化学的なエッチングが、塩酸を使用して行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記化学的なエッチングが、酢酸を使用して行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記絶縁材料が、重合体である、請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁材料が、ケイ酸塩をベースにしたガラス粉末である、請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁材料が、ガラス微小球で構成される、請求項1に記載の方法。
- 前記導電性金属を堆積する前に、前記トレンチ内および前記修正上面ビア内にシード(seed)層を堆積するステップを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記シード層が、Cr−Cuの層をスパッタリングして堆積される、請求項18に記載の方法。
- 前記導電性金属が、銅の電解メッキで堆積される、請求項1に記載の方法。
- 前記導電性金属が、前記トレンチおよび前記修正上面ビア中に押し出された金属ペーストである、請求項1に記載の方法。
- 前記導電性金属が、60容量%のガラスと40容量%の銅で構成され、さらに、前記多層セラミック基板をほぼ850℃の還元性雰囲気中で焼成するステップを備える、請求項21に記載の方法。
- 前記誘電体材料が、ディジタル制御マイクロディスペンス(micro-dispense)・ツールを使用して前記電気修正部分の上に付けられる、請求項2に記載の方法。
- 多層セラミック基板内に電気接続を作る方法であって、
多層セラミック基板内に電気接続を画定するステップと、
前記多層セラミック基板の上面にレーザでトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが第1のビアで画定された第1の端部および第2のビアで画定された第2の端部を有するものであるステップと、
前記第1のビアを第1の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
前記第2のビアを第2の所望深さまでレーザ・アブレーション除去するステップと、
前記トレンチ内および修正ビア内に所望の厚さまで導電性金属を堆積して電気接続を作るステップとを備える方法。 - さらに、
前記上面を研磨して前記電気接続から余分な堆積導電性金属を除去するステップと、
前記電気接続の上に誘電体材料を付けるステップとを備える、請求項24に記載の方法。 - 複数の上面ビアを有する多層セラミック基板と、
前記多層セラミック基板の上面にレーザで形成されたトレンチであって、欠陥上面ビアで画定された第1の端部および修正上面ビアで画定された第2の端部を有し、さらに前記第1および第2のビアが所望の深さまでレーザ・アブレーション除去されたものであるトレンチと、
前記欠陥上面ビアを前記所望深さまで満たす絶縁材料と、
前記トレンチおよび前記修正上面ビアおよび前記欠陥上面ビアを満たして、電気修正部分を作る導電性金属とを備える多層セラミック基板修正構造。 - 前記電気修正部分の上に誘電体材料をさらに備える、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記トレンチは、幅がほぼ40μmで深さがほぼ18μmである、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記絶縁材料が、重合体である、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記絶縁材料が、ケイ酸塩をベースにしたガラス粉末である、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記絶縁材料が、ガラス微小球で構成される、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記導電性金属の下に横たわる前記トレンチおよび前記修正上面ビアおよび前記欠陥上面ビアの中にシード層をさらに備える、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記シード層が、Cr−Cuの層である、請求項32に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記導電性金属が、電解メッキされた銅の層である、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記導電性金属が、前記トレンチおよび前記修正上面ビアの中に押し出された金属ペーストである、請求項26に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記導電性金属が、60容量%のガラスと40容量%の銅で構成される、請求項35に記載の多層セラミック基板修正構造。
- 前記欠陥上面ビアの前記エッチングの前に前記上面にテープを付け、前記欠陥上面ビアの上の前記テープに開口をレーザ・アブレーション除去でつくり、それによって、前記欠陥上面ビアにだけエッチング液が達することができるようにするステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥上面ビアの上の前記誘電体材料に開口をレーザ・アブレーション除去でつくるステップをさらに備える、請求項2に記載の方法。
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