KR20130072546A - 프로브 핀, 프로브 핀을 이용한 프로브 카드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 일면에 복수의 홈부를 가지는 기판; 및 일면에 상기 홈부와 대응되는 복수의 기판 결합용 돌기를 가지며, 상기 기판 결합용 돌기의 높이가 상기 홈부의 깊이와 동일하게 형성된 적어도 하나의 프로브 핀; 을 포함하는 프로브 카드를 제공한다.

Description

프로브 핀, 프로브 핀을 이용한 프로브 카드 및 그 제조방법 {Probe Pin, Probe Card Using Thereby and Manufacturing Method Thereof}

본 발명은 프로브 핀, 프로브 핀을 이용한 프로브 카드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근 반도체 회로의 집적 기술 개발로 인해 반도체의 크기에 대한 소형화가 계속 진행됨에 따라 반도체 칩의 검사 장치도 높은 정밀도가 요구되고 있다.

웨이퍼 조립 공정(wafer fabrication process)을 거쳐 반도체 웨이퍼에 형성된 집적회로 칩들은 웨이퍼 상태에서 진행되는 전기적 특성 검사(EDS; Electrical Die Sorting)에 의해 양품과 불량품으로 분류된다.

이러한 전기적 특성 검사에는 일반적으로 검사 신호의 발생과 검사 결과의 판정을 담당하는 테스터(tester)와, 반도체 웨이퍼의 로딩(loading)과 언로딩(unloading)을 담당하는 프로브 스테이션(probe station), 및 반도체 웨이퍼와 테스터의 전기적 연결을 담당하는 프로브 카드(probe card)로 구성된 검사 장치가 주로 사용되고 있다.

이 중에서 프로브 카드는 세라믹 그린 시트에 회로 패턴 및 비아 전극 등을 형성하여 적층한 후, 이를 소성시켜 제조한 세라믹 기판에 프로브 핀을 접합한 형태가 주로 이용된다.

그러나, 최근 프로브 카드의 소형화에 따라 프로브 핀과 기판의 결합과정에서 고착력이 약해 프로브 카드를 사용하는 도중에 프로브 핀과 기판이 서로 분리되는 문제점이 있었다.

한편, 종래의 프로브 카드 제조방법은, 프로브 핀이나 기판의 접합 면에 소정의 솔더를 묻힌 후 솔더링하여 서로 접합하게 되는데, 이 공정 중에 솔더가 프로브 핀이나 기판의 불필요한 부분에 묻거나 솔더물질이 기판 위로 흘러내릴 수 있는바, 이를 방지하는 과정에서 작업성이 저하될 수 있는 문제점이 있었다.

당 기술분야에서는, 프로브 핀과 기판 간의 고착력을 확보하며, 프로브 핀과 기판을 결합하는 공정을 포함하는 프로브 카드 제조방법에 있어서 작업성을 더 향상시킬 수 있는 새로운 방안이 요구되어 왔다.

본 발명의 일 측면은, 일면에 복수의 기판 결합용 돌기를 가지는 프로브 핀을 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판 결합용 돌기는 상이한 크기를 갖는 두 개의 돌기가 프로브 핀의 일면에 서로 이격되게 형성된 구조를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판 결합용 돌기는, 두 개의 돌기가 프로브 핀의 일면에 그 길이방향을 따라 서로 엇갈린 위치에 돌출 형성된 구조를 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 측면은, 일면에 복수의 홈부를 가지는 기판; 및 일면에 상기 홈부와 대응되는 복수의 기판 결합용 돌기를 가지며, 상기 기판 결합용 돌기의 높이가 상기 홈부의 깊이와 동일하게 형성된 적어도 하나의 프로브 핀; 을 포함하는 프로브 카드를 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판의 홈부에는 주석(Sn) 또는 은-주석(Ag-Sn) 중 적어도 하나를 포함하는 솔더부가 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판은, 상기 기판의 일면으로 일단이 노출된 다수의 비아 전극; 및 상기 비아 전극의 노출된 일단과 전기적으로 연결되는 회로 패턴을 더 구비할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판의 홈부 및 상기 프로브 핀의 기판 결합용 돌기는 상기 프로브 핀의 길이방향을 따라 번갈아 어긋난 위치에 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판은, 상기 기판의 일면을 덮으며 형성된 절연 보호층을 더 포함할 수 있다.

이때, 상기 절연 보호층은, 상기 기판의 홈부에 대응되는 부분에 관통공이 형성될 수 있다.

본 발명의 또 다른 측면은, 기판을 마련하는 단계; 상기 기판의 일면에 복수의 홈부를 형성하는 단계; 상기 홈부의 적어도 일부가 채워지도록 주석(Sn) 또는 은-주석(Ag-Sn) 중 적어도 하나를 포함하는 솔더물질을 주입하여 상기 홈부 내부에 솔더부를 형성하는 단계; 및 상기 복수의 홈부에 프로브 핀의 기판 결합용 돌기를 각각 끼워서 결합하되 상기 솔더물질을 녹여서상기 프로브 핀을 접합하는 단계; 를 포함하는 프로브 카드의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판의 홈부 및 상기 프로브 핀의 기판 결합용 돌기는 상기 프로브 핀의 길이방향을 따라 번갈아 어긋나게 형성할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판을 마련하는 단계는, 상기 기판의 일면으로 일단이 노출된 다수의 비아 전극이 형성된 세라믹 기판을 마련하는 단계로 구성될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 비아 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 비아 전극의 노출된 일단과 상기 전극 패드를 전기적으로 연결하는 회로 패턴을 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 회로 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판의 일면에 절연 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 절연 보호층을 형성하는 단계는, 상기 기판의 홈부와 대응되는 부분에 관통공이 구비되도록 상기 절연 보호층을 형성하는 단계로 구성될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 프로브 핀과 기판이 돌기/홈 결합 구조로 결합되므로 기판에서 프로브 핀이 예기치 않게 분리되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 프로브 핀을 나타낸 사시도이다.
도 2a는 도 1의 프로브 핀의 저면도이다.
도 2b 및 도 2c는 본 발명의 여러 실시 형태에 따른 프로브 핀의 저면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f 본 발명의 일 실시 형태에 따른 프로브 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.

따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소를 나타낸다.

또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.

덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.

도 1 및 도 2a를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 프로브 핀(20)은 일면에 복수의 기판 결합용 돌기(12)를 포함할 수 있다. 돌기(12)는 후술하는 세라믹 기판의 홈부에 삽입되어 세라믹 기판과의 향상된 결합력을 제공하기 위한 것이다.

본 실시 형태에서 프로브 핀(20)은 반도체 제조에서 응용되는 미세 박판 기술을 이용하여 제조할 수 있으며, 예컨대 외팔보 형태로 접합부(11), 몸체부(15) 및 접촉부(17)를 포함할 수 있다.

이 중 접합부(11)는 사각판의 형상을 가지며, 이 접합부(11)의 저면에 사각 기둥 형상을 갖는 2 개의 돌기(12)를 돌출 형성할 수 있다.

이때, 돌기(12)의 개수는 프로브 핀의 형상 및 크기 등에 따라 다양하게 변경할 수 있으며, 돌기(12)의 형상 또한 도시된 사각 기둥 형상에 한정되는 것이 아니라, 적용되는 프로브 핀에 따라 원 기둥 또는 삼각 기둥 형상 등으로 다양하게 변경할 수 있다.

또한, 접합부(11)의 일단에 몸체부(15)의 일단이 연결될 수 있다.

이때, 몸체부(15)는 도시된 'ㄱ'자 형상으로 한정되지 않으며, 필요시 다양하게 변경할 수 있다.

즉, 본 발명은 프로브 핀(20)의 형태가 상기 외팔보 형태에 한정되는 것이 아니라, 프로브 카드의 형상 및 크기 등에 따라 세라믹 기판과 수직하게 접합되는 일자 형으로 형성하는 등 다양하게 변경할 수 있다.

본 실시 형태에서는, 몸체부(15)가 캔틸레버 구조를 가지며 몸체부(15)의 타단에 접촉부(17)가 연결될 수 있다.

접촉부(17)는 단부가 웨이퍼 다이와 같은 피검사체(미도시)와 접촉할 수 있도록 'V'자 형상이나 첨단을 이루는 팁 형상을 가질 수 있다.

즉, 접촉부(17)가 피검사체에 접촉됨으로써 테스터 장비로부터 받은 전기적 신호를 피검사체로 전달하고, 피검사체에서 수신된 신호를 다시 프로브 카드로 전송하는 역할을 수행하는 것이다.

도 2b 및 도 2c는 본 발명에 의한 프로브 핀(20)의 다른 실시 형태를 나타낸 것이다.

도 2b를 참조하면, 프로브 핀(20)의 다른 실시 형태로서, 상이한 크기를 갖는 두 개의 돌기(12a)(12b)를 서로 이격되게 돌출 형성할 수 있다.

이에 프로브 핀(20)을 후술하는 세라믹 기판과 결합할 때 프로브 핀(20)의 앞뒤 설치 방향이 뒤바뀌는 것을 방지할 수 있다.

또한, 도 2c를 참조하면, 프로브 핀(20)의 또 다른 형태로서 두 개의 돌기(12')가 접합부(11)의 길이방향을 따라 서로 엇갈린 위치에 있도록 형성할 수 있다.

이에 프로브 핀(20)을 후술하는 세라믹 기판과 결합할 때 서로 간의 고착력을 더 향상시킬 수 있다.

도 3은 위와 같은 프로브 핀을 이용하여 제조된 프로브 카드의 일 실시 형태를 나타낸 것이다.

도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 프로브 카드(100)는 프로브 기판(10) 및 프로브 기판(10)의 일면에 접합되어 물리적 및 전기적으로 연결된 복수의 프로브 핀(20)을 포함한다.

프로브 기판(10)의 일면에는 프로브 핀(20)의 돌기(12)가 결합되도록 복수의 홈부(3)가 현성된다.이러한 프로브 핀(20)의 돌기(12)는 홈부(3)의 깊이와 동일한 높이를 갖도록 형성되어 돌기(12)를 홈부(3)에 결합했을 때 프로브 핀(20)의 접합부(11)가 프로브 기판(10)의 일면에서 이격되지 않고 밀착될 수 있또록 한다.

이때, 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 프로브 핀(20)의 돌기들(12a)(12b)이 서로 상이한 크기를 갖거나, 각각의 돌기(12')가 길이 방향을 따라 번갈아 어긋나게 형성된 경우, 세라믹 기판(10)의 홈부(3) 또한 이와 대응되는 위치, 대응되는 형상으로 구성한다.

프로브 기판(10, 이하에서는 설명의 편의를 위해 프로브 기판과 세라믹 기판을 함께 사용하며 설명하지만, 두 기판은 동일한 구성요소를 지칭한다)은 복수의 세라믹 그린시트를 적층한 후 이를 소성하여 제조할 수 있다.

세라믹 기판(10)은 이러한 세라믹 그린시트에 의해 다수의 세라믹층을 형성할 수 있으며, 각각의 세라믹층에는 다수의 배선 패턴(8)과 이를 수직적으로 연결하는 다수의 비아 전극(2)을 형성할 수 있다.

또한, 세라믹 기판(10)의 일면에 세라믹 기판(10)의 내부로 연결되는 비아 전극(2)과 이 비아 전극(2)을 통해 프로브 핀(20)이 전기적으로 연결되도록 회로 패턴(6)을 형성할 수 있다.

본 실시 형태에서는 돌기/홈의 결합구조를 통해, 종래의 프로브 핀과 세라믹 기판의 결합 구조에 비해 프로브 핀(20)이 더욱 확장된 면적으로 세라믹 기판(10)과 접촉할 수 있다.

즉, 종래에는 세라믹 기판(10)과 프로브 핀(20)의 서로 대응되는 접합 면만 서로 접촉하는 구조였으나 본 실시 예에 따르면 프로브 핀(20)에 돌출 형성된 돌기(12)의 면적만큼 프로브 핀(20)이 세라믹 기판(10)과 접촉하는 면적이 늘어날 뿐만 아니라, 프로브 핀(20)의 돌기(12)가 세라믹 기판(10)을 파고들어 박히는 형태로 구성되므로, 프로브 핀(20)과 세라믹 기판(10) 간의 고착력을 향상시킬 수 있다.

따라서, 단순한 면 접촉에 의해 세라믹 기판(10)과 접합되는 종래의 프로브 핀(20)에 비해 세라믹 기판(10)에 형성된 홈부(3)의 측벽이 프로브 핀(20)의 돌기(12)를 지지하는 구조를 가지게 되므로, 상대적으로 우수한 고착력을 갖게 되어 도면 3에서 F 방향으로 힘이 가해지더라도 프로브 핀(20)이 세라믹 기판(10)으로부터 예기치 않게 분리되는 것을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 프로브 카드(100)의 제조방법을 설명한다.

도 4a 내지 도 4f 본 발명의 실시 형태에 따른 프로브 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.

우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 복수의 세라믹층이 적층되어 소결된 세라믹 기판(10)를 마련한다.

세라믹 기판(10)을 구성하는 복수의 세라믹층에는 배선 패턴(8) 및 비아 전극(2)을 형성할 수 있다.

이때, 세라믹 기판(10)은 저온 동시 소성 세라믹(이하, LTCC) 기판(10)일 수 있다.

저온 동시 소성 세라믹 기판(10)은 닥터 블레이드 공정과 같은 방법으로 세라믹 그린시트를 마련한 후, 각각의 세라믹 그린시트에 비아 전극(2) 및 배선 패턴(8)을 형성한 후 이들을 적층하고 소결함에 따라 형성할 수 있다. 이때, 소결 공정은 약 700 ~ 900 ℃의 온도에서 수행할 수 있다.

다음으로 도 4b에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10)의 일면에 복수의 홈부(3)를 형성하는 단계가 수행된다.

이때, 홈부(3)를 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 레이저 드릴링 방법이나, 화학적 에칭 방법 등을 이용할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10)의 일면에 금속 재질의 시드층(5)을 형성한다.

시드층(5)은 세라믹 기판(10) 상에 얇은 막 형태로 형성할 수 있다.

또한, 시드층(5)은 도전성 재질로 형성할 수 있으며, 세라믹 기판(10) 상에 형성된 회로 패턴(6)이나, 프로브 핀(20)을 형성하는 재질과 용이하게 결합 되면서도 높은 결합력을 갖는 재질로 형성할 수 있으며, 예컨대 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag) 및 금(Au) 중에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 형성할 수 있다.

이러한 시드층(5)은 회로 패턴(6)이 형성될 때, 회로 패턴(6)을 보다 견고하게 세라믹 기판(10)에 접합시키기 위해 구비된다.

이러한 시드층(5)은 스퍼터링(sputtering)이나 에어로졸(aerosol), 전자빔(e-beam) 등을 이용하여 세라믹 기판(10) 상에 박막 형태로 형성할 수 있다.

또한, 고압의 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N₂) 분위기 하에서 저온 스프레이(Cold spray) 코팅법을 이용하여 형성하는 것도 가능하다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 홈부(3)를 금속층으로 채우게 되는데, 이때 사용하는 공정은 전해도금 공정이며, 별도의 마스크(mask) 없이 전면으로 도금을 진행하며, 이때 생기는 두께의 차이는 평탄화 작업을 통해 조정할 수 있다. 이러한 작업은 공정의 안정성을 향상시키는 역할을 한다.

다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10)의 일면에 PR층(7)을 형성하는 단계가 수행된다.

PR층(7)은 세라믹 기판(10) 위에서 회로패턴(6)의 형성되는 위치를 지정하는 것으로, PR층(70)이 형성된 부분에는 후술하는 바와 같이 회로패턴(6)이 형성되지 않게 된다.

즉, 홈부(3) 위에 PR층(7)을 형성하게 되면 회로패턴(6)의 형성을 차단하여 홈부(3)의 상측이 개방된 상태가 유지될 수 있다.

다음으로, 도 4e에 도시된 바와 같이, 금속층(60)을 형성하게 된다. 이러한 금속층(60) 형성 단계는 전해 도금법을 이용하여 수행될 수 있다.

즉, 전해액 내에 세라믹 기판(10)을 함침시킨 후, 도전성을 갖는 시드층(5)에 전압을 인가함으로써 시드층(5) 상에 금속층(60)을 성장시킬 수 있다.

본 실시 예의 경우, 시드층(5)이 세라믹 기판(10)의 일면 전체에 형성되어 있으므로, 전해 도금법을 용이하게 적용할 수 있다. 이때, 앞서 PR층(7)을 형성한 부분에는 시드층(5)과의 접촉이 차단된 상태로 금속층(60)이 형성된다.

본 발명에 따른 금속층(7)의 형성 방법은 이러한 전해 도금법으로 한정되는 것은 아니며, 필요시 무전해 도금법이나 스크린 프린팅, 스퍼터링 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.

다음으로, PR층(7)을 벗겨내게 되면, 세라믹 기판(10)의 일면 중 일부에 금속층(60)이 남은 상태로 회로 패턴(6)이 선택적으로 형성된다.

회로 패턴(6)은 세라믹 기판(10)의 비아 전극(2)과 프로브 핀(20)을 각각 전기적으로 연결하도록 현성된다.

이상의 과정을 통해 본 실시 예에 따른 프로브 기판(10)이 완성되면, 기판(10)의 홈부(3)에 프로브 핀(20)의 돌기(12)를 결합하고, 이에 회로 패턴(6)의 상면부에 프로브 핀(2)의 접합부(11)가 밀착된 상태로서, 도 3에 도시된 본 실시 예에 따른 프로브 카드를 완성할 수 있다.

위와 같이 구성된 본 실시 예에 따른 프로브 카드는, 프로브 핀(20)의 돌기(12)와 기판(10)의 홈부(3)가 서로 끼워져 결합된 구조로서, 프로브 핀(20)과 기판(10) 간의 고착력을 향상시킬 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 프로브 카드 및 그 제조 방법은 전술한 실시 예에 한정되지 않으며 다양한 응용이 가능하다.

도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 본 실시 예에 따른 프로브 카드(200)는 전술된 실시 예의 프로브 카드(100)와 유사한 구조로 구성되며, 절연 보호층(9)의 구조에 있어서만 차이를 갖는다.

따라서, 동일한 구성요소들에 대한 상세한 설명은 생략하며 절연 보호층(9)의 구조를 중심으로 설명하기로 하며, 전술한 실시 예와 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일한 부호를 이용하여 설명하기로 한다.

도 5를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 프로브 카드(200)는 프로브 기판(10) 및 프로브 핀(20)을 포함하여 구성될 수 있다.

또한, 프로브 기판(10)은 세라믹 기판(10) 및 절연 보호층(9)을 포함할 수 있다.

절연 보호층(9)은 세라믹 기판(10)의 최상부에 배치되어 세라믹 기판(10)의 일면을 보호하는 역할을 할 수 있다.

이때, 절연 보호층(9)은 프로브 핀(20)의 돌기(12)가 관통되는 관통홀을 가질 수 있다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 본 실시 예에 따른 프로브 카드(300)는 앞서 설명한 실시 예의 프로브 카드(200)와 유사한 구조로 구성되며, 솔더부(4)의 구조에 있어서만 차이를 갖는다.

따라서, 동일한 구성요소들에 대한 상세한 설명은 생략하며 솔더부(4)의 구조를 중심으로 설명하기로 하며, 전술한 실시 예와 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일한 부호를 이용하여 설명하기로 한다.

도 6을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 프로브 카드(300)는 프로브 기판(10) 및 프로브 핀(20)을 포함하여 구성될 수 있다.

또한, 프로브 기판(10)의 홈부(3)에 주석(Sn) 또는 은-주석((Ag-Sn)과 같은 재료 중 적어도 하나를 포함하는 솔더물질을 채워 솔더부(4)를 형성할 수 있다.

따라서, 프로브 핀(20) 결합시 솔더부(4)를 미리 가열하게 되면 별도의 솔더물질을 프로브 핀(20)의 돌기(12)에 묻히거나 하는 공정이 생략되어 공정이 간편해짐은 물론, 프로브 핀(20)의 돌기(12)가 홈부(3)에 끼워지면서 솔더부(4)에 채워져 있던 솔더물질이 밖으로 인출되어 돌기(12)의 주변에 솔더링되므로 프로브 핀(20)과 세라믹 기판(10) 간의 고착력을 더 향상시킬 수 있다.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.

따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

2 ; 비아 전극 3 ; 홈부
4 ; 솔더부 5 ; 기저층
6 ; 회로 패턴 7 ; PR층
8 ; 배선 패턴 9 ; 절연 보호층
10 ; 기판 20 ; 프로브 핀
12, 12a, 12b, 12'; 돌기 100, 200 ; 프로브 카드

Claims (15)

1. 일면에 복수의 기판 결합용 돌기를 가지는 프로브 핀.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 기판 결합용 돌기는, 상이한 크기를 갖는 두 개의 돌기가 프로브 핀의 일면에 서로 이격되게 돌출 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 핀.
   
3. 제1항에 있어서,
   상기 기판 결합용 돌기는, 두 개의 돌기가 프로브 핀의 일면에 그 길이 방향을 따라 서로 엇갈린 위치에 돌출 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 핀.
   
4. 일면에 복수의 홈부를 가지는 기판;
   및
   일면에 상기 홈부와 대응되는 복수의 기판 결합용 돌기를 가지며, 상기 기판 결합용 돌기의 높이가 상기 홈부의 깊이와 동일하게 형성된 적어도 하나의 프로브 핀; 을 포함하는 프로브 카드.
   
5. 제4항에 있어서,
   상기 기판의 홈부에 주석(Sn) 또는 은-주석(Ag-Sn) 중 적어도 하나를 포함하는 솔더부가 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
   
6. 제4항에 있어서,
   상기 기판은,
   상기 기판의 일면으로 일단이 노출된 다수의 비아 전극; 및
   상기 비아 전극의 노출된 일단과 전기적으로 연결되는 회로 패턴을 더 구비한 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
   
7. 제4항에 있어서,
   상기 기판의 홈부 및 상기 프로브 핀의 기판 결합용 돌기가 상기 프로브 핀의 길이방향을 따라 번갈아 어긋난 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
   
8. 제4항에 있어서,
   상기 기판은, 상기 기판의 일면을 덮으며 형성된 절연 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
   
9. 제8항에 있어서,
   상기 절연 보호층은, 상기 기판의 홈부에 대응되는 부분에 관통공이 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
   
10. 기판을 마련하는 단계;
    상기 기판의 일면에 복수의 홈부를 형성하는 단계;
    상기 홈부의 적어도 일부가 채워지도록 주석(Sn) 또는 은-주석(Ag-Sn) 중 적어도 하나를 포함하는 솔더물질을 주입하여 상기 홈부 내부에 솔더부를 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 홈부에 프로브 핀의 기판 결합용 돌기를 각각 끼워서 결합하되 상기 솔더물질을 녹여서 상기 프로브 핀을 접합하는 단계; 를 포함하는 프로브 카드의 제조방법.
    
11. 제10항에 있어서,
    상기 기판의 홈부 및 상기 프로브 핀의 기판 결합용 돌기는 상기 프로브 핀의 길이방향을 따라 번갈아 어긋나게 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조방법.
    
12. 제10항에 있어서,
    상기 기판을 마련하는 단계는, 상기 기판의 일면으로 일단이 노출된 다수의 비아 전극이 형성된 세라믹 기판을 마련하는 단계인 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조방법.
    
13. 제12항에 있어서,
    상기 비아 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 비아 전극의 노출된 일단과 상기 전극 패드를 전기적으로 연결하는 회로 패턴을 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조방법.
    
14. 제13항에 있어서,
    상기 회로 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판의 일면에 절연 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조방법.
    
15. 제14항에 있어서,
    상기 절연 보호층을 형성하는 단계는, 상기 기판의 홈부와 대응되는 부분에 관통공이 구비되도록 상기 절연 보호층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조방법.

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