JP2004241110A - リード専用メモリー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第2基準メモリーセル30−2の基準ビットラインRBL1と基準仮想接地ラインRVGL2との間に連結されているNMOSトランジスタを通じて基準ビットラインRBL1の電圧を変化させ、第2ダミーメモリーセル30−3のトランジスターを通じてダミービットラインDBLの電圧を変化させる。従って、基準電圧Vrefのレベル及びセンス増幅器イネーブル信号SENの発生時点が一定になる。
【選択図】図3
Description
Claims (13)
- 複数のワードライン、複数の第1ビットライン及び複数の第1仮想接地ラインの間に結合される複数の第1ビット専用メモリーセルと、基準ワードライン、複数の第2ビットライン及び複数の第2仮想接地ラインの間にプログラムされている複数の第2リード専用メモリーセルと、を備えたリード専用メモリーセルアレイと、
複数のダミーワードライン、少なくとも一つの基準ビットライン及び少なくとも一つの基準仮想接地ラインの間に結合される複数の第1基準メモリーセルと、前記基準ワードライン、前記少なくとも一つの基準ビットライン及び前記少なくとも一つの基準仮想接地ラインの間にデータ「0」でプログラムされている少なくとも一つの第2基準メモリーセルと、を備えた基準メモリーセルアレイと、
複数のダミーワードライン、少なくとも一つのダミービットライン及び少なくとも一つのダミー仮想接地ラインの間にプログラムされている複数の第1ダミーメモリーセルと、前記基準ワードライン、前記少なくとも一つのダミービットライン及び前記少なくとも一つのダミー仮想接地ラインの間にデータ「0」でプログラムされている少なくとも一つの第2ダミーメモリーセルと、を備えたダミーメモリーセルアレイと、
を備えることを特徴とするリード専用メモリー装置。 - 前記基準ワードラインは、
前記複数のワードラインに応答して選択されることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。 - 前記複数のダミーワードラインが前記複数のワードラインに連結されることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。
- 前記複数のダミーワードラインが電源電圧に連結されることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。
- 前記複数のダミーワードラインが接地電圧に連結されることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。
- 前記複数のダミーワードラインが前記複数のワードラインに連結されることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。
- 前記複数の第2ビットラインが前記複数の第1ビットラインに連結され、前記複数の第2仮想接地ラインが前記複数の第1仮想接地ラインに連結されることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。
- 前記リード専用メモリー装置は、
前記基準ワードラインに連結されるゲートを有するMOSトランジスターを備えることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。 - 前記リード専用メモリー装置は、
前記基準ワードラインに連結されるゲートを有するNMOSトランジスターを備えることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。 - 前記少なくとも一つの第2基準メモリーセルは、
NMOSトランジスターを備えることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。 - 前記少なくとも一つの第2ダミーメモリーセルは、
NMOSトランジスターを備えることを特徴とする請求項1記載のリード専用メモリー装置。 - 複数のワードライン、複数の第1ビットライン及び複数の第1仮想接地ラインの間に連結される複数の第1リード専用メモリーセルと、基準ワードライン、複数の第2ビットライン及び複数の第2仮想接地ラインの間に連結される複数の第2リード専用メモリーセルと、を備えたリード専用メモリーセルアレイと、
複数のダミーワードライン、少なくとも一つの基準ビットライン及び少なくとも一つの基準仮想接地ラインの間にプログラムされている複数の第1基準メモリーセルと、前記基準ワードライン、前記少なくとも一つの基準ビットライン及び前記少なくとも一つの基準仮想接地ラインの間にデータ「0」でプログラムされている少なくとも一つの第2基準メモリーセルと、を備えた基準メモリーセルアレイと、
複数のダミーワードライン、少なくとも一つのダミービットライン及び少なくとも一つのダミー仮想接地ラインの間にプログラムされている複数の第1ダミーメモリーセルと、前記基準ワードライン、前記少なくとも一つのダミービットライン及び前記少なくとも一つのダミー仮想接地ラインの間にデータ「0」でプログラムされている少なくとも一つのメモリーセルと、を備えたダミーメモリーセルアレイと、
ローアドレスをデコーディングして前記複数のワードラインを選択するローデコーダーと、
前記ローアドレスの入力を検出して前記基準ワードラインを選択する基準ワードライン選択回路と、
コラムアドレスをデコーディングして前記複数の第1ビットラインと前記第1複数の仮想接地ラインとを選択する第1コラムデコーダー及び仮想接地ライン選択回路と、
前記コラムアドレスの入力を検出して、前記少なくとも一つの基準ビットライン及び少なくとも一つのダミービットライン並びに前記少なくとも一つの基準仮想接地ライン及び少なくとも一つのダミー仮想接地ラインを選択する第2コラムデコーダー及び仮想接地ライン選択回路と、
を備えることを特徴とするリード専用メモリー装置。 - 前記基準ワードライン選択回路は、
前記ローアドレスのうち、所定ビットをデコーディングすることを特徴とする請求項12記載のリード専用メモリー装置。
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