JP2004238511A - アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体、該蛍光体の製造方法、蛍光体ペースト組成物および真空紫外線励起発光素子 - Google Patents

アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体、該蛍光体の製造方法、蛍光体ペースト組成物および真空紫外線励起発光素子 Download PDF

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章裕 大戸
Kohei Matsuda
康平 松田
Takayuki Hisamune
孝之 久宗
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Abstract

【課題】真空紫外線励起用蛍光体として用いた場合に、ベーキングによる輝度劣化が少なく、発光効率の高い青色発光を呈する蛍光体、その製造方法、この蛍光体を用いた蛍光体ペースト組成物および真空紫外線励起発光素子を提供すること。
【解決手段】一般式a(M 1−x−y EuII 2y)O・Al12−zIII 18で表され、かつ硫黄元素を含有させたアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体とする(但し、上記式中、MはBa、SrおよびCaから成る群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を表し、MIIはLiおよびTlから成る群より選択される少なくとも1種を表し、MIIIはB、La、Sc、Y、Gd、In、Ga、Ce、Tm、Yb、Biから成る群より選択される少なくとも1種を表し、a、x、y及びzは、それぞれ0.9≦a≦1.8、0<x<1、0≦y<1、x+2y<1および0≦z<2を満たす数を表す。)また、蛍光体ペースト組成物並びに真空紫外線励起発光素子の蛍光膜として上記蛍光体を用いる。
【選択図】 なし

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に波長が200nm以下の真空紫外線(VUV)による励起下で輝度劣化の少ない高輝度の青色発光を呈するアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体、該蛍光体の製造方法、この蛍光体を使用した蛍光体ペースト組成物および輝度劣化が少なく高効率に発光を持続させ得るVUV励起発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、スキャナーの読取り用光源に使われる希ガスランプやプラズマディスプレイパネル(PDP)等に代表されるように、VUVによる励起下で発光する蛍光体を使用した蛍光膜をガラスなどからなる外囲器内に形成すると共に、その中にAr、Xe、He、Ne等の希ガスを単体もしくは混合して封入しておき、封入された希ガスを放電させることによって放射されるVUVによって外囲器内の蛍光膜を励起して発光させる構造及び機能を持ったVUV励起発光素子の開発が近年盛んに行われ、実用化されている。
従来、このVUV励起発光素子の蛍光膜として使用される蛍光体としては、 (Y,Gd)BO:Eu等の赤色蛍光体、LaPO:Ce,Tb、ZnSiO:Mn、BaAl1219:Mn、(Ba,Sr,Mg)O・aAl:Mn、YBO:Tb等の緑色発光蛍光体、BaMgAl1017:Eu、(Ba,Sr)MgAl1017:Eu,Mn等の青色発光蛍光体などが単一もしくは混合して使用されている。
【0003】
VUV励起発光素子の蛍光膜として用いられる蛍光体の特性としては、VUVによる励起下でより高輝度に発光すること、VUV励起発光素子の蛍光膜形成工程で蛍光体塗膜が500℃前後のベーキング処理を受けた後に蛍光膜としての発光輝度が低下しない(ベーキングによる輝度劣化が少ない)こと、VUV励起発光素子を長時間動作させ、継続的にVUVに晒されても蛍光体が輝度低下(VUVによる輝度劣化)が少ないこと、発光色の色純度が良いこと等が要求されるが、現在実用化されている蛍光体もこれらの特性を全て満足するわけではない。
一方、市場ではVUV励起発光素子の諸特性のより一層の改善要求が常にあり、VUV励起用蛍光体についても上記特性の良好な新しい蛍光体の開発が期待されている。
【0004】
ところで、VUV励起用蛍光体の中で、アルミン酸塩蛍光体は代表的な青色ないし青緑色発光のVUV励起用蛍光体であり、BaMgAl1017:Eu、(Ba,Sr)MgAl1017:Eu,Mn等、母体結晶中にMgを必須として含むアルカリ土類金属のアルミン酸塩に2価のEu単独またはEuとMnとを付活剤とした、通称BAM蛍光体と呼ばれる蛍光体が発光輝度等の発光特性に優れたVUV励起用青色ないし青緑色発光蛍光体として実用化されている。しかしながら、このBAM蛍光体は、特にベーキングによる輝度劣化並びにVUVによる輝度劣化が大きい欠点をもった蛍光体であり、これに代わるベーキングによる輝度劣化やVUVによる輝度劣化の少ない青色ないし青緑色発光のVUV励起用蛍光体の開発が望まれている。
【0005】
本発明者等は、先にVUV励起用青色蛍光体として高発光効率かつBAM蛍光体と比べてVUVによる輝度劣化が比較的少ない蛍光体として、一般式 a(M1−x,Eu)O・6Alで表されるアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を提案した(特願2001―245132号参照)。
また、本発明者等は更に上記蛍光体にGa、Ce、Tm、YbおよびBiから成る群より選択される少なくとも1種の金属元素(MIII)を添加することにより、その発光色が改良された、一般式a(M 1−b,Eu)O・Al12−cIII 18で表される蛍光体(特願2002−143524号参照)、上記蛍光体にSc、Y、GdおよびInより成る群より選択される少なくとも1種の金属元素(MII)を添加することによりVUVによる輝度劣化の低減した、一般式a(M 1−x,Eux)O・Al12−yII 18で表される蛍光体(特願2002−143525号)、更に上記蛍光体にLiおよびTlの少なくとも1種の金属元素(M)および/またはBおよびLaの少なくとも1種の金属元素(M)、並びにSc、Y、Gd、In、Ga、Ce、Tm、YbおよびBiより成る群より選択される少なくとも1種の金属元素(M)を添加することにより、これを添加しないものよりも発光輝度の向上した、一般式a(M 1−x−y Eu 2y)O・Al12−z kO18で表される蛍光体(特願2002−225464号)を提案した。
しかしながら、これらのアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体もそのベーキングによる輝度劣化は実用面から見て満足ものではなく、更にベーキングによる輝度劣化の少ないVUV励起用の青色発光蛍光体の開発が求められている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記のような状況に鑑みてなされたものであり、特にVUV励起用蛍光体として用いた場合に、ベーキングによる輝度劣化が少なく、発光効率の高い青色発光を呈する蛍光体、その製造方法、この蛍光体を用いた蛍光体ペースト組成物およびVUV励起発光素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の目的を達成するため、一般式a(M 1−x−y EuII 2y)O・Al12−zIII 18で表される、母体組成中に必須成分としてMgを含有しないアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体が特にVUVの継続照射による発光効率の低下が少なく、また、ベーキングによる輝度低下が少ないことに着目し、この蛍光体の更なるベーキング劣化の改善をはかるべく詳細に検討した結果、この蛍光体組成中に硫黄元素を含有させ、これをペースト化してVUV励起発光素子とすれば、ベーキング工程における輝度劣化が抑制され、高輝度の青色発光を維持することを見い出し本発明に至った。
即ち、本発明は以下に要約された様態からなる。
(1) 一般式a(M 1−x−y EuII 2y)O・Al12−zIII 18で表され、かつ硫黄元素を含有することを特徴とするアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。(但し、上記式中、MはBa、SrおよびCaから成る群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を表し、MIIはLiおよびTlから成る群より選択される少なくとも1種を表し、MIIIはB、La、Sc、Y、Gd、In、Ga、Ce、Tm、YbおよびBiから成る群より選択される少なくとも1種を表し、a、x、y及びzは、それぞれ0.9≦a≦1.8、0<x<1、0≦y<1、x+2y<1および0≦z<2を満たす数を表す。)
(2)上記蛍光体のCuKα1特性X線による粉末回折X線スペクトルにおいて、該スペクトルの回折角(2θ)28°〜31°の角度領域にわたって幅広い帯状のピークを有することを特徴とする上記(1)記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。
【0008】
(3) 上記蛍光体中の硫黄含有量が5〜2000ppmの範囲にあることを特徴とする上記(1)または(2)記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。
(4) 上記蛍光体が波長200nm以下の真空紫外線励起下で発光する真空紫外線励起用蛍光体であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。
(5) 上記(1)〜(4)のいずれかに記載のアルミン酸塩蛍光体の製造方法において、硫黄または硫黄化合物が配合された蛍光体の原料混合物を焼成することを特徴とする上記アルミン酸塩蛍光体の製造方法。
(6) 上記(1)〜(4)のいずれかに記載のアルミン酸塩蛍光体の製造方法において、成分中に硫黄を含む気体からなる雰囲気中において蛍光体の原料混合物を焼成することを特徴とする上記アルミン酸塩蛍光体の製造方法。
【0009】
(7) バインダーを溶解した溶媒中に蛍光体粒子を分散含有させてなる蛍光体ペースト組成物において、上記蛍光体粒子が上記(1)〜(4)に記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体であることを特徴とする蛍光体ペースト組成物。
(8) 上記蛍光体粒子の含有率が5〜70重量%であることを特徴とする上記(7)記載の蛍光体ペースト組成物。
(9)内部に蛍光膜が形成された外囲器内に封入されている希ガスの放電によって放射される真空紫外線により該蛍光膜を励起して発光させる真空紫外線励起発光素子において、上記蛍光膜に上記(1)〜(4)に記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を用いることを特徴とする真空紫外線励起発光素子。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の蛍光体は、蛍光体に硫黄(S)を含有させることにより、ベーキング劣化を抑制することを最大の特徴とするものであり、蛍光体原料として1)Ba、SrおよびCaから成る群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類元素、2)Al元素、3)LiおよびTlから成る群より選択される元素、4)B、Sc、Y、Gd、In、Ga、Ce、Tm、Yb、BiおよびLaから成る群より選択される元素、及び5)付活剤であるEu元素の各酸化物、またはこれら1)〜5)の各金属元素の炭酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物等の化合物と、6)硫黄(S)または上記1)〜5)のM、MII、Al、MIIIおよびEuの中の少なくとも1種の金属元素の硫酸塩、(NHS等、その組成中にS元素を含む化合物の中の少なくとも1種の所定量とを化学量論的にa(M 1−x−y EuII 2y)O・Al12−zIII 18(但し、上記式中、MはBa、SrおよびCaから成る群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を表し、MIIはLiおよびTlから成る群より選択される少なくとも1種を表し、MIIIはB、La、Sc、Y、Gd、In、Ga、Ce、Tm、YbおよびBiから成る群より選択される少なくとも1種を表し、a、x、y及びzは、それぞれ0.9≦a≦1.8、0<x<1、0≦y<1、x+2y<1および0≦z<2を満たす数を表す。以下同様である)となる割合で秤取し、これに更に必要に応じてBAM蛍光体など従来のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体製造の場合と同様に、反応促進のためにAlFなどのフッ化物等のフラックスを添加してなる蛍光体原料化合物を十分混合し、アルミナ坩堝等の耐熱容器に充填して焼成し、得られた焼成物に分散、水洗、乾燥、篩分けの諸処理を施すことによって、一般式がa(M 1−x−y EuII 2y)O・Al12−zIII 18であり更にSを含有する本発明のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を製造することができる。
【0011】
なお、本発明において一般式がa(M 1−x−y EuII 2y)O・Al12−zIII 18でありSを含有するアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体とは、蛍光体原料化合物を焼成した焼成物中におけるM、MII、Al、MIIIおよびEuの各金属元素の構成比が上記一般式を満足し、かつS元素を含有する蛍光体をいう。
【0012】
上記一般式において、a値については0.9≦a≦1.8の範囲とするのがVUV励起したときの発光輝度の点で好ましく、1.1≦a≦1.5とするのがより好ましい。a値が0.9より小さいか、または1.8より大であれば化学組成的に不純物成分の混在量が多く、高輝度な蛍光体が得られないため好ましくない。VUV励起下で発光するためにはEuの含有量であるx値が0より大であることは当然であり、x値が1より大きい組成とすると濃度消光により発光輝度が漸次低下するので濃度消光の観点から1より小とする必要がある。更に、MIIの含有量(y値)及びMIIIの含有量(z値)はそれぞれ0≦y<1、x+2y<1および0≦z<2の関係を満足するような量範囲とするのがVUV励起したときの発光輝度の観点から好ましい。
【0013】
また、得られる蛍光体のベーキング劣化をより抑制し得る点で、蛍光体中に含有するSの量が蛍光体に対して5〜2000ppmの範囲、好ましくは10〜500ppmの範囲、より好ましくは20〜250ppmの範囲であることが妥当であり、蛍光体原料混合物中に添加される上記6)のSもしくは硫黄化合物の添加量は、原料混合物を焼成した後の蛍光体中のSの含有量が上記範囲内となるように調整される。なお、本発明の蛍光体もしくは蛍光膜中のSの含有量は、ガスフュージョン分析法により、被測定試料である蛍光体もしくは蛍光膜を酸素雰囲気下、高周波加熱炉内で融解抽出し、発生したガスをキャリアガスと共に赤外線検出器に導入し、赤外線吸収スペクトルのSOに起因する赤外吸収強度から定量して求めた。
また、この蛍光体は、VUV励起したときの発光効率の目安である刺激和(発光輝度を発光色度点のy値で除した値)の観点から、蛍光体の母体結晶の一部を構成するM元素がBaであるか、もしくは50モル%以下、より好ましくは20モル%以下のBaをSrおよびCaの中の少なくとも1つで置換したアルカリ土類金属元素であることが好ましい。
【0014】
蛍光体原料混合物は、1300〜1800℃の温度で還元性雰囲気中で、その充填量に応じて2〜40時間かけて1回以上焼成する。焼成温度を1300℃より低くすると得られる蛍光体のVUVによる発光効率の低下の程度が大になると共に、VUV励起下での十分な発光輝度が得られず、また、1800℃より高くすると不要なエネルギーを消費することになり工業的に好ましくない。また、焼成時の還元性雰囲気を得るためには、蛍光体原料化合物が充填された坩堝中に黒鉛や活性炭を埋め込む方法、黒鉛や活性炭を充填した坩堝内に蛍光体原料化合物を充填した坩堝を埋め込む方法、窒素と水素の混合気体中で焼成する方法が挙げられる。更に、焼成雰囲気中には水蒸気が含まれていてもよい。
【0015】
また、本発明の蛍光体の製造に際して、組成中にSを含む気体雰囲気中で焼成することにより、Sを蛍光体中に含有させてもよい。すなわち、Sもしくは硫黄化合物を蛍光体原料混合物の入った耐熱容器とは別の容器中に入れ同時に焼成するか、CS、SO、HS等、その成分中にS元素を含む気体を通気しながら焼成して蛍光体組成中にS成分を含有させてもよく、その場合には蛍光体原料混合物中にはSもしくは硫黄化合物が含まれていなくともよい。
【0016】
このようにして製造された本発明の蛍光体は、波長が200nmより長い紫外線や電子線などの電磁波や電離放射線で励起すると色純度のよい青色発光を示すが、その中でもほぼ1300℃以上の比較的高い温度で焼成して得た蛍光体で、その蛍光体粉末にCuKα1特性X線を照射して粉末回折X線スペクトルを観察した際に、回折角(2θ)が28°〜31°の角度領域にわたって幅広い帯状のピークが認められる結晶構造を有するものは特にVUV励起下での発光効率が高く、かつVUVによる発光効率の低下の程度が少ない。そしてこの幅広い帯状のピークの強度(X線回折強度)が大であるほど、その蛍光体のVUV励起下での発光輝度が高く、しかもVUVによる発光効率の低下の程度が少ない。なお、本発明の蛍光体の粉末回折X線スペクトルにおいて、この回折角(2θ)が28°〜31°の角度領域にわたって見られる幅広い帯状のピークの半値幅は0.5°以上であることが好ましく、さらには1°以上であることが発光効率の点およびVUVによる発光効率低下の程度が小さい点においてより好ましい。
【0017】
本発明の蛍光体ペースト組成物は、蛍光体粉末として上述の本発明の蛍光体を用いる以外は従来の蛍光体ペースト組成物と同様にして製造される。すなわち、本発明の蛍光体とバインダー樹脂が溶解された溶媒とをそれぞれ所定量加えて十分に撹拌・混練して溶媒中に蛍光体を分散させると共に、溶媒の量を適宜加減することによって使用目的にかなった粘度に調整することにより得ることができる。
本発明の蛍光体ペースト組成物の製造に際して、蛍光体と共に用いるバインダー樹脂としては、使用目的に応じてエチルセルロース、ニトロセルロース、ポリエチレンオキサイド、アクリル樹脂等が使用され、また、蛍光体および結合剤樹脂を分散させるためと粘度調整のために、蛍光体及びバインダー樹脂と共に使用される溶媒としては水、酢酸ブチル、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、テルピオネール等が挙げられる。蛍光体の配合量は溶媒を除く、蛍光体とバインダー樹脂との全重量に対して5〜70重量%とし、この蛍光体とバインダー樹脂を溶解した溶媒とを混合してこれを撹拌・混練し、最後に更に必要に応じて溶媒を追加して粘度調整するのが、被塗布面に塗布する塗膜厚のコントロールや塗布の作業性等の点で好ましい。
【0018】
次に、本発明のVUV励起発光素子について詳述する。
本発明のVUV励起発光素子の1つである希ガスランプを製造する場合は、例えば所望の内径を有する透明なガラス細管の一端から、管内に流動可能な程度にまでその粘度が調節された本発明の蛍光体ペースト組成物を流し塗りし、これを乾燥させ、更にベーキング処理をして有機物成分を揮散させるか、もしくは予め蛍光体ペースト組成物を塗布し、ベーキング処理して乾燥させたガラス板等をガラス細管内部に入れ、ガラス管の内部を排気してから該管内に少量の希ガスを封入し、管の両端を封じる。次いでガラス細管の両端もしくはガラス管の内部と外部、もしくはガラス管の外部の対向した両面に電極を取り付けて、本発明のVUV励起発光素子の1つである希ガスランプとする。
【0019】
また、本発明のVUV励起発光素子の他の1例であるPDPを製造する場合は、例えばガラス板等の背面板に内部電極を形成し、ストライプ状もしくはマトリックス状の隔壁を設けて複数のセルを構成し、赤、緑、青の各色毎にセルを構成する各隔壁の底部並びに内壁にスクリーン印刷法等の方法によりそれぞれ赤、緑、青の蛍光体からなる3種類の蛍光体ペースト組成物を塗布する。この時、青色蛍光体ペーストとして本発明の蛍光体ペーストを用いる。これを乾燥しベーキングして各セル内に蛍光膜を形成すると共に背面板と一定間隔を隔てて内部電極が形成されたガラス板等からなる前面板を対向配置し前面板と背面板との周囲を封じて、内部を排気してから希ガスを封入して本発明のVUV励起発光素子の1つであるPDPとする。
【0020】
本発明のVUV励起発光素子は、例示した上記の希ガスランプやPDPの他、その種類、形態等の如何に関係なく、それぞれのVUV励起発光素子における発光面となる支持体の表面に本発明の蛍光体ペースト組成物を公知の方法で塗布し、これを乾燥させ、ベーキング処理して外囲器内にそれぞれの蛍光膜を形成し、蛍光膜が形成された外囲器内に希ガスを封入して製造される。
このようにして製造された本発明のVUV励起発光素子は動作中における発光輝度の低下が少ない高輝度のVUV励起発光素子を得ることができる。
次に、実施例により本発明を説明するが本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
【0021】
【実施例】
〔実施例1〕
BaCO 1.1574 モル
Eu 0.0643 モル
Al 5.99 モル
Al(SO・nHO 0.01 モル
AlF 0.01 モル
上記各蛍光体原料を十分混合した後、アルミナ坩堝に充填し黒鉛を入れ蓋をして水蒸気を含んだ窒素中において最高温度1600℃で昇降温時間を含め24時間かけて焼成した。次いで、焼成粉に分散、乾燥、篩いの処理を行い、組成式が1.286(Ba0.9Eu0.1)O・6Alである実施例1のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を得た。この実施例1の蛍光体のSの含有量をガスフュージョン分析法により測定したところ、Sを93ppm含んでいた。
また、この蛍光体のCuKα1特性X線による粉末回折X線スペクトルを測定したところ、図1に示したように回折角(2θ)28°〜31°の角度領域にかけて幅広い帯状のピークが観測された。
次に、30重量%の上記実施例1の蛍光体、10重量%のブチルカルビトール53重量%のブチルカルビトールアセテート及び7重量%のエチルセルロースを十分に混練して実施例1の蛍光体ペースト組成物を製造した。
【0022】
この実施例1の蛍光体ペースト組成物をガラス板上に500μmの厚さで塗布し、120℃で30分間放置して乾燥させ、これを更に空気中500℃で30分間ベーキングして実施例1の蛍光膜を得た。この実施例1の蛍光膜に波長146nmのVUVを照射して、輝度計によりその発光輝度並びに発光色度点(x値、y値)を測定し、発光輝度を発光色の色度座標のy値で除した値である、刺激和(輝度/y)を求めたところ、これと同一の条件で測定した下記比較例1の蛍光体ペースト組成物からなる蛍光膜の刺激和(輝度/y)を100とすると、実施例1の蛍光体ペースト組成物からなる蛍光膜の刺激和(輝度/y)は110であった。また上記実施例1の蛍光膜の刺激和を該蛍光膜の作製に用いた実施例1の蛍光体粉末の刺激和で除した値の百分率(刺激和維持率)を求めたところ87%であり、蛍光膜作製時のベーキング処理による蛍光体粉末の輝度低下は13%にとどまっていた。
更に、上述のようにして得られた実施例1の蛍光体ペースト組成物を幅2mmのガラス板上に塗布し120℃で60分乾燥後500℃で30分焼成した。この実施例1の蛍光体からなる蛍光膜を有したガラス板を外径4mmのガラス管内に保持しこのガラス管の両端にニッケルの電極を付け、管内を真空に排気した後、Ne95%−Xe5%のガスを170Torr封入して、実施例1のVUV励起発光素子(希ガスランプ)を作製し、下記比較例1のVUV励起発光素子(希ガスランプ)と同時に継続して点灯たところ、点灯直後の光束は下記比較例1のVUV励起発光素子(希ガスランプ)に比べて優れていた。
【0023】
〔実施例2〜4〕
蛍光体原料化合物およびその配合量をそれぞれ表1に示した通りとした以外は実施例1の蛍光体と同様にして実施例2〜4の蛍光体を製造した。なお表1のS添加量は蛍光体原料混合物の全重量に対する添加された化合物中のS成分(Sに換算した重量)の重量割合で示してある。
【0024】
【表1】
Figure 2004238511
次いで、このようにして得られた実施例2〜4の蛍光体をそれぞれ用いた以外は実施例1の蛍光体ペースト組成物、蛍光膜並びにVUV励起発光素子(希ガスランプ)と同様にして実施例2〜4の蛍光体ペースト組成物、蛍光膜並びにVUV励起発光素子(希ガスランプ)を作製した。
【0025】
上記のようにして作製された実施例2〜4の蛍光膜について、実施例1の蛍光膜と同様にしてそれぞれの蛍光膜の刺激和(輝度/y)並びに蛍光膜の刺激和をそれぞれの蛍光膜の作製に用いた蛍光体粉末の刺激和で除した値の百分率(刺激和維持率)を求めて、実施例2〜4の蛍光体中に含有されているSの含有量と共に表2に示した。
また、実施例2〜4のVUV励起発光素子(希ガスランプ)を下記比較例1のVUV励起発光素子(希ガスランプ)と同時に継続して点灯たところ、点灯直後の光束はいずれも下記比較例1のVUV励起発光素子(希ガスランプ)に比べて優れていた。
【0026】
〔比較例1〕
蛍光体原料の1つとして、Sも硫黄を含む化合物も使用しなかった以外は実施例1の蛍光体と同様にして組成式が1.286(Ba0.9Eu0.1)O・6Alである比較例1のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を製造した。
次いで、このようにして得られた比較例1の蛍光体を用いた以外は実施例1の蛍光体ペースト組成物、蛍光膜並びにVUV励起発光素子(希ガスランプ)と同様にして比較例1の蛍光体ペースト組成物、蛍光膜並びにVUV励起発光素子(希ガスランプ)を作製した。
【0027】
【表2】
Figure 2004238511
【0028】
表2から分かるように、実施例1〜4の本発明の蛍光体を用いた蛍光膜(実施例1〜4の蛍光膜)はSを含まない従来のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体のみからなる蛍光膜(比較例1の蛍光膜)に比べ、刺激和が高く、ベーキングによる輝度劣化も小さくて、ベーキング後における刺激和の維持率も向上していた。
【0029】
【発明の効果】
本発明の蛍光体及びこれを用いた蛍光体ペースト組成物は、波長200nm以下のVUV励起により高効率の青色発光を呈し、ベーキングによる輝度劣化が少ないため、本発明の蛍光体ペースト組成物を用いればVUV励起発光素子の発光効率を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の蛍光体のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体の粉末回折X線スペクトルの一例である。

Claims (9)

  1. 一般式 a(M 1−x−y EuII 2y)O・Al12−zIII 18で表され、かつ硫黄元素を含有することを特徴とするアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。(但し、上記式中、MはBa、SrおよびCaから成る群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を表し、MIIはLiおよびTlから成る群より選択される少なくとも1種を表し、MIIIはB、La、Sc、Y、Gd、In、Ga、Ce、Tm、YbおよびBiから成る群より選択される少なくとも1種を表し、a、x、y及びzは、それぞれ0.9≦a≦1.8、0<x<1、0≦y<1、x+2y<1および0≦z<2を満たす数を表す。)
  2. 上記蛍光体のCuKα1特性X線による粉末回折X線スペクトルにおいて、該スペクトルの回折角(2θ)28°〜31°の角度領域にわたって幅広い帯状のピークを有することを特徴とする請求項1記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。
  3. 上記蛍光体中の硫黄含有量が5〜2000ppmの範囲にあることを特徴とする請求項1または2記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。
  4. 上記蛍光体が波長200nm以下の真空紫外線励起下で発光する真空紫外線励起用蛍光体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のアルミン酸塩蛍光体の製造方法において、硫黄または硫黄化合物が配合された蛍光体の原料混合物を焼成することを特徴とする上記アルミン酸塩蛍光体の製造方法。
  6. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のアルミン酸塩蛍光体の製造方法において、成分中に硫黄を含む気体からなる雰囲気中において蛍光体の原料混合物を焼成することを特徴とする上記アルミン酸塩蛍光体の製造方法。
  7. バインダーを溶解した溶媒中に蛍光体粒子を分散含有させてなる蛍光体ペースト組成物において、前記蛍光体粒子が請求項1〜4に記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体であることを特徴とする蛍光体ペースト組成物。
  8. 前記蛍光体粒子の含有率が5〜70重量%であることを特徴とする請求項7記載の蛍光体ペースト組成物。
  9. 内部に蛍光膜が形成された外囲器内に封入されている希ガスの放電によって放射される真空紫外線により該蛍光膜を励起して発光させる真空紫外線励起発光素子において、上記蛍光膜に請求項1〜4に記載のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を用いることを特徴とする真空紫外線励起発光素子。
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