JP2004214638A5 - - Google Patents
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- 半導体膜上に第1の導電膜と第2の導電膜とが積層したゲート電極を有し、前記半導体膜は前記ゲート電極と重なる低濃度不純物領域と、チャネル形成領域と、一対の不純物領域とを有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGを有する半導体装置に対し、
前記第1のTEGの低濃度不純物の抵抗を測定するステップを有し、
前記抵抗から前記TFTにおける低濃度不純物領域の不純物濃度を算出することを特徴とする半導体装置の評価方法。 - 請求項1において、前記第1のTEGにおいて測定された各抵抗と、前記第1の導電膜又は前記第2の導電膜と、前記半導体膜との重ね合わせ位置との相関を求めることを特徴とする半導体装置の評価方法。
- 半導体膜上に第1の導電膜と第2の導電膜とが積層したゲート電極を有し、前記半導体膜は前記ゲート電極と重なる低濃度不純物領域と、チャネル形成領域と、一対の不純物領域とを有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGと、
前記第2の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えて延在するように形成される第2のTEGとを有する半導体装置に対し、
前記第1のTEGの低濃度不純物の抵抗を測定するステップと、
前記第2のTEGのチャネル形成領域の抵抗を測定するステップと、を有し、
前記抵抗から前記TFTにおける低濃度不純物領域、前記チャネル形成領域の不純物濃度を算出することを特徴とする半導体装置の評価方法。 - 請求項3において、前記第1のTEG及び前記第2のTEGにおいて測定された各抵抗と、前記第1の導電膜又は前記第2の導電膜と、前記半導体膜との重ね合わせ位置との相関を求めることを特徴とする半導体装置の評価方法。
- 半導体膜上に第1の導電膜と第2の導電膜とが積層したゲート電極を有し、前記半導体膜は前記ゲート電極と重なる低濃度不純物領域と、チャネル形成領域と、一対の不純物領域とを有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGと、
前記第2の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えて延在するように形成される第2のTEGと、
前記第1の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えないように形成される第3のTEGとを有する半導体装置に対し、
前記第1のTEGの低濃度不純物の抵抗を測定するステップと、
前記第2のTEGのチャネル形成領域の抵抗を測定するステップと、
前記第3のTEGの不純物領域の抵抗を測定するステップと、を有し、
前記抵抗から前記TFTにおける低濃度不純物領域、前記チャネル形成領域及び前記不純物領域の不純物濃度を算出することを特徴とする半導体装置の評価方法。 - 請求項5において、前記第1のTEG乃至第3のTEGにおいて測定された各抵抗と、前記第1の導電膜又は前記第2の導電膜と、前記半導体膜との重ね合わせ位置との相関を求めることを特徴とする半導体装置の評価方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜の端はテーパーを有することを特徴とする半導体装置の評価方法。
- 半導体膜上に第1の導電膜と第2の導電膜とが積層したゲート電極を有し、前記半導体膜は前記ゲート電極と重なる低濃度不純物領域と、チャネル形成領域と、一対の不純物領域とを有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGを有することを特徴とする素子基板。 - 半導体膜上に第1の導電膜と第2の導電膜とが積層したゲート電極を有し、前記半導体膜は前記ゲート電極と重なる低濃度不純物領域と、チャネル形成領域と、一対の不純物領域とを有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGと、
前記第2の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えて延在するように形成される第2のTEGとを有することを特徴とする素子基板。 - 半導体膜上に第1の導電膜と第2の導電膜とが積層したゲート電極を有し、前記半導体膜は前記ゲート電極と重なる低濃度不純物領域と、チャネル形成領域と、一対の不純物領域とを有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGと、
前記第2の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えて延在するように形成される第2のTEGと、
前記第1の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えないように形成される第3のTEGとを有することを特徴とする素子基板。 - 請求項8乃至10のいずれか一において、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜の端はテーパーを有し、前記低濃度不純物領域は前記テーパーと重なることを特徴とする素子基板。
- 請求項8乃至11のいずれか一において、前記第1の導電膜はTaN膜であり、前記第2の導電膜はW膜であることを特徴とする素子基板。
- 請求項8乃至12のいずれか一において、前記第1乃至第3のTEGは、それぞれ複数設けられていることを特徴とする素子基板。
- 絶縁基板上に形成された不純物領域を有する半導体膜と、前記半導体膜上にマスクを用いて形成されたゲート電極と、を有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGとを有する半導体装置の作製方法において、
前記TFTの活性化工程前後において、前記第1のTEG乃至前記第3のTEGのマスクのアライメントずれを求め、
前記求められたマスクのアライメントずれから前記基板の収縮又は膨張を求めることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁基板上に形成された不純物領域を有する半導体膜と、前記半導体膜上にマスクを用いて形成されたゲート電極と、を有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGと、
前記第2の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えて延在するように形成される第2のTEGとを有する半導体装置の作製方法において、
前記TFTの活性化工程前後において、前記第1のTEG乃至前記第3のTEGのマスクのアライメントずれを求め、
前記求められたマスクのアライメントずれから前記基板の収縮又は膨張を求めることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁基板上に形成された不純物領域を有する半導体膜と、前記半導体膜上にマスクを用いて形成されたゲート電極と、を有するTEGと、TFTとが同一基板上に設けられ、
前記TEGは前記第1の導電膜の端と前記第2の導電膜の端との間に前記半導体膜の側端部が設けられるように形成される第1のTEGと、
前記第2の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えて延在するように形成される第2のTEGと、
前記第1の導電膜の端が前記半導体膜の側端部を越えないように形成される第3のTEGとを有する半導体装置の作製方法において、
前記TFTの活性化工程前後において、前記第1のTEG乃至前記第3のTEGのマスクのアライメントずれを求め、
前記求められたマスクのアライメントずれから前記基板の収縮又は膨張を求めることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項14乃至16のいずれか一において、前記半導体膜は低濃度不純物領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- TEGと同一基板上に設けられたTFTの不純物添加量を制御するコンピュータを、
前記TEGの抵抗分布を求める演算手段、
TFTの作製条件又はデバイスの設計条件を記憶させる手段、
前記記憶させる手段に基づいて不純物の添加量を判断させる手段、
前記判断させる手段から得られた添加量をドーピング装置へ設定する手段、として機能させるためのドーズ量制御プログラム。 - TEGと同一基板に設けられ、マスクを用いて形成されるゲート電極を有するTFTの不純物添加量を制御するコンピュータを、
前記マスクのアライメントずれを演算させ、TEGの抵抗分布を求める演算手段、
TFTの作製条件又はデバイスの設計条件を記憶させる手段、
前記記憶させる手段に基づいて不純物の添加量を判断させる手段、
前記判断させる手段から得られた添加量をドーピング装置へ設定する手段、として機能させるためのドーズ量制御プログラム。 - TEGと同一基板上に設けられたTFTの不純物添加量を制御するコンピュータを、
前記TEGの抵抗分布を求める演算手段、
TFTの作製条件又はデバイスの設計条件を記憶させる手段、
前記記憶させる手段に基づいて不純物の添加量を判断させる手段、
前記判断させる手段から得られた添加量をドーピング装置へ設定する手段、として機能させるためのドーズ量制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - TEGと同一基板に設けられ、マスクを用いて形成されるゲート電極を有するTFTの不純物添加量を制御するコンピュータを、
前記マスクのアライメントずれを演算させ、TEGの抵抗分布を求める演算手段、
TFTの作製条件又はデバイスの設計条件を記憶させる手段、
前記記憶させる手段に基づいて不純物の添加量を判断させる手段、
前記判断させる手段から得られた添加量をドーピング装置へ設定する手段、として機能させるためのドーズ量制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003414581A JP4641717B2 (ja) | 2002-12-16 | 2003-12-12 | 半導体装置の評価方法及び素子基板 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002364411 | 2002-12-16 | ||
JP2003414581A JP4641717B2 (ja) | 2002-12-16 | 2003-12-12 | 半導体装置の評価方法及び素子基板 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004214638A JP2004214638A (ja) | 2004-07-29 |
JP2004214638A5 true JP2004214638A5 (ja) | 2006-11-30 |
JP4641717B2 JP4641717B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=32828691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003414581A Expired - Fee Related JP4641717B2 (ja) | 2002-12-16 | 2003-12-12 | 半導体装置の評価方法及び素子基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4641717B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7704850B2 (en) * | 2006-09-08 | 2010-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Semiconductor device for measuring an overlay error, method for measuring an overlay error, lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053282A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法 |
JP4562868B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2010-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2003
- 2003-12-12 JP JP2003414581A patent/JP4641717B2/ja not_active Expired - Fee Related
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