JP2008028217A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、簡単な工程で、完成品のばらつきをより抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域150の上面にゲート絶縁膜2aを介してゲート電極3aが形成され、また第一のソース・ドレイン領域5が形成され、またスクライブ領域160表面内に第一のソース・ドレイン領域5と同等の不純物濃度を有する不純物領域5pが形成された、半導体基板1を用意する。次に、不純物領域5pの抵抗値を測定する。次に、素子形成領域150の表面内に第二のソース・ドレイン領域7を形成する。ここで、当該第二のソースドレイン領域7を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域5pの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域150の上面にゲート絶縁膜2aを介してゲート電極3aが形成され、また第一のソース・ドレイン領域5が形成され、またスクライブ領域160表面内に第一のソース・ドレイン領域5と同等の不純物濃度を有する不純物領域5pが形成された、半導体基板1を用意する。次に、不純物領域5pの抵抗値を測定する。次に、素子形成領域150の表面内に第二のソース・ドレイン領域7を形成する。ここで、当該第二のソースドレイン領域7を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域5pの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。
【選択図】図1
Description
この発明は、半導体装置の製造方法に係る発明であり、特に、完成品のトランジスタのオン電流を一定に保つことが可能な半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の微細化が進むにつれて、トランジスタの加工性制御が困難となってきている。このような加工性制御の困難性の状況においてトランジスタを量産した場合には、結果としてウエハ間やロット間において、完成品のトランジスタにおける特性のばらつきが生じる。
完成品のトランジスタのばらつきを少なくする技術として、特許文献1が存在する。また、パターン形状や物性値をモニターし、完成品が不良と成り得るものを予測し、当該不良と予測された場合には、処理が終了している部分について修正を加える技術が、特許文献2に開示されている。
半導体装置の更なる微細化が進み、また工程が複雑化している現在の半導体プロセスにおいては、より簡単な工程のみで、完成品のばらつき(たとえば、ウエハ間に形成されたトランジスタのばらつき、またはロット間におけるトランジスタのばらつき)をより精度良く抑制することができる方法が望まれている。
そこで、本発明は、簡単な工程で、完成品のばらつきをより精度良く抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項1に記載の半導体装置の製造方法は、(A)素子形成領域とスクライブ領域とを有しており、前記素子形成領域の上面にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記ゲート電極の両脇において前記素子形成領域の表面内に比較的低濃度である第一のソース・ドレイン領域が形成され、前記スクライブ領域表面内に前記第一のソース・ドレイン領域と同等の不純物濃度を有する不純物領域が形成された、半導体基板を用意する工程と、(B)前記不純物領域の抵抗値を測定する工程と、(C)所定の不純物注入処理により、少なくとも一部において前記第一のソース・ドレイン領域と重複するように、前記素子形成領域の表面内に比較的高濃度である第二のソース・ドレイン領域を形成する工程とを、備えており、前記工程(C)における前記所定の不純物注入処理は、前記工程(B)の抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。
本発明の請求項1に記載の半導体装置の製造方法は、(A)素子形成領域とスクライブ領域とを有しており、前記素子形成領域の上面にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記ゲート電極の両脇において前記素子形成領域の表面内に比較的低濃度である第一のソース・ドレイン領域が形成され、前記スクライブ領域表面内に前記第一のソース・ドレイン領域と同等の不純物濃度を有する不純物領域が形成された、半導体基板を用意する工程と、(B)前記不純物領域の抵抗値を測定する工程と、(C)所定の不純物注入処理により、少なくとも一部において前記第一のソース・ドレイン領域と重複するように、前記素子形成領域の表面内に比較的高濃度である第二のソース・ドレイン領域を形成する工程とを、備えており、前記工程(C)における前記所定の不純物注入処理は、前記工程(B)の抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。
したがって、完成品におけるソース・ドレイン領域(第一、二のソース・ドレイン領域5,7と把握できる)の不純物濃度を略一定にすることができる。これにより、完成品のトランジスタのON電流を略一定にすることができる。また、工程(B)の結果を後工程である工程(C)にフィードフォワードさせているだけであるので、簡単な工程で、上述のように完成品のばらつきを抑制することができる。さらに、前記所定の不純物注入処理は、プロセス条件の調整(制御)が比較的簡単であるので、前記工程(C)の結果、前記完成品のばらつきをより精度良く抑制することができる。
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。本発明に係わる半導体装置の製造方法を、各工程の流れを示す図1を用いて説明する。
工程断面図である図2を参照して、ISSG(In−Situ Stream Generation)法により、シリコン等の半導体基板1の主面上にゲート絶縁膜2を形成する。ここで、以降の工程断面図(図2も含む)で示す半導体基板1は、図3に示す半導体ウエハ100の一部(特に、後述する素子形成領域150の一部)を示したものである。また、半導体基板1には、図3に示すように、製品としての素子が形成される素子形成領域150と、ダイシングカットの対象となるスクライブ領域160とを有している。なお、半導体基板1の内部には、以降の工程断面図(図2も含む)では図示しないが、所定の導電型のウエル等も形成されている。
次に、工程断面図である図4を参照して、LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法により、多結晶シリコン3をゲート絶縁膜2上に成膜する。その後、当該多結晶シリコン3に対して所定の導電型の不純物イオンを注入し、活性化アニール処理を実施する。
次に、通常のフォトリソグラフィ技術により、多結晶シリコン3およびゲート絶縁膜2を所定の形状にパターニングする。当該パターニング処理により、工程断面図である図5に示すように、所定の形状のゲート絶縁膜2aおよびゲート電極3aを、半導体基板1上に形成する(ステップS1)。ここで、当該ゲート絶縁膜2aおよびゲート電極3aは、図3に示した素子形成領域150の上面に形成されている。
当該ゲート電極3a等の形成後、半導体製造プロセスの監視(管理)のために、形成された当該ゲート電極3aの寸法を測長する(ステップS2)。
次に、工程断面図である図6を参照して、LPCVD法により、ゲート電極3a,ゲート絶縁膜2aおよび半導体基板1の露出している主面上を覆うように、酸化膜4を成膜する。その後、図6に示した酸化膜4に対して異方性エッチング処理を施し、当該酸化膜4をエッチバックさせる。当該異方性エッチング処理により、図7に示すように、ゲート電極3aの側面およびゲート絶縁膜2aの側面に、オフセットスペーサ4aを形成する(ステップS3)。
当該オフセットスペーサ4aの形成後、半導体製造プロセスの監視(管理)のために、形成された当該オフセットスペーサ4aの寸法を測長する(ステップS4)。
次に、図7に示した製造途中の半導体基板1の上面に対して、所定の濃度であり、所定の導電型の不純物イオンを注入する(ステップS5)。ここで、ゲート電極3aおよびオフセットスペーサ4aはマスクとして機能する。したがって、当該不純物イオン注入処理では、半導体基板1の露出している主面上に対してなされる(ステップS5)。当該不純物イオン注入処理により、図8に示すように、ゲート電極3aの両脇において半導体基板1(より具体的には、前述の素子形成領域150)の表面内に、比較的低濃度である第一のソース・ドレイン領域5が形成される。ここで、当該第一のソース・ドレイン領域5には、エクステンション層およびハロー層も含まれる(図示せず)。
なお、当該ステップS5の不純物イオン注入処理では、第一のソース・ドレイン領域5を形成するための上記イオン注入だけでなく、図3に示したスクライブ領域160の表面に対しても、同じ条件でのイオン注入を行う。このように、ステップS5では同時に両イオン注入処理が実施されるので、図9に示すように、当該スクライブ領域160には、上記第一のソース・ドレイン領域5と同等の不純物濃度を有する、所定のパターンの不純物領域5p(当該不純物領域5pは、第一のソース・ドレイン領域5のシート抵抗測定のためのテストパターンであると把握できる)が形成される。ここで、図9は、図3に示したスクライブ領域160の砂地領域を拡大した平面図である。
ここで、図9では、不純物領域5pのみをテストパターンとして形成する場合について言及した。しかし、ゲート電極3a等のシート抵抗測定を目的として、所定の形状の多結晶シリコン層(当該多結晶シリコン層は、ゲート電極3aの形成工程と同時に作成することができ、ゲート電極3aと同じ材質である)をスクライブ領域160の上面に形成しても良い。なお、当該多結晶シリコン層を当該スクライブ領域160に設ける場合には、当該多結晶シリコン層と基板1との間に絶縁膜(当該絶縁膜は、ゲート絶縁膜2aの形成工程と同時に形成することができ、ゲート絶縁膜2aと同じ材質である)が形成され、また不純物領域5aは、平面視において当該多結晶シリコン層の両脇においてスクライブ領域160の表面内に形成される。
さて、上記ステップS5の工程の後に、図9に示した不純物領域5pの抵抗値を測定する(ステップS6)。ここで、当該抵抗値の測定は、別工程で形成された図9に示すパッドに端子を当接することにより実施する。なお、当該不純物領域5pの測定は、前記のように直接実施しても良く、また、上述した多結晶シリコン層と絶縁膜とを含むテストパターンがスクライブ領域160に形成されている場合には、当該各部材も含めたシート抵抗を測定し、間接的に不純物領域5pの抵抗値を求めることもできる。
次に、工程断面図である図10を参照して、LPCVD法により、ゲート電極3a、オフセットスペーサ4aおよび半導体基板1の露出している主面上を覆うように、酸化膜(あるいは窒化膜)6を成膜する。その後、図10に示した酸化膜(あるいは窒化膜)6に対して異方性エッチング処理を施し、当該酸化膜(あるいは窒化膜)6をエッチバックさせる。当該異方性エッチング処理により、図11に示すように、オフセットスペーサ4aの側面に、サイドウォール6aを形成する(ステップS7)。
次に、図11に示した製造途中の半導体基板1の上面に対して、所定の濃度(ステップS5の不純物イオン注入処理の際の不純物濃度よりも高い)であり、所定の導電型の不純物イオンを注入する(ステップS8)。
ここで、ゲート電極3a、オフセットスペーサ4aおよびサイドウォール6aはマスクとして機能する。したがって、当該不純物イオン注入処理では、半導体基板1の露出している主面上に対してなされる(ステップS8)。当該不純物イオン注入処理により、図12に示すように、ゲート電極3aの両脇において半導体基板1(より具体的には、前述の素子形成領域150)の表面内に、比較的高濃度(第一のソース・ドレイン領域5よりも高濃度であると把握できる)である第二のソース・ドレイン領域7が形成される。なお、図12に示すように、当該ステップS8により、少なくとも一部において第一のソース・ドレイン領域5と重複するように、第二のソース・ドレイン領域7が形成される。
ところで、LDD構造を有するMOSトランジスタで重要となるのは、実行チャネル長とソース、ドレインの直列抵抗である。LDD構造ではチャネルと接続するソース領域、ドレイン領域が不純物濃度の低いn−層となるため、実行チャネル長Leffを考慮する必要がある。
図13に、ゲート長Lgと実行チャネル長Leffとの関係をn−層注入量に対してプロットしたグラフを示す。LDD構造ではn−層の注入量の減少と共に、負方向に大きく変化している。実行チャネル長Leffが負となることは、当該実行チャネル長Leffが実測のゲート長よりも長くなることを意味する。この原因としてはソース、ドレインの直列抵抗の影響が考えられる。MOSトランジスタの等価回路は図14で示される。ソース、ドレインの直列抵抗が無視できないほど微細化が進み、実行チャネル抵抗Reffはチャネル抵抗Rchを用いて、Reff=Rch+Rs(ソース領域抵抗)+Rd(ドレイン領域抵抗)=Rch+Rsd(ソース領およびドレイン領域の合成抵抗)で表される。このため、抵抗Rs,Rdおよび抵抗Rch,Rs,Rdの直列抵抗を揃えることでトランジスタ特性をそろえることに繋がることになる。
そこで、当該直列抵抗をそろえるため、本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップS8の不純物イオン注入処理は、以下のようにして実施される。
つまり、ステップS8における不純物イオン注入処理では、ステップS6で測定した抵抗値の結果に応じて、完成品のトランジスタの特性を予想し、不純物イオンの濃度・注入濃度を変化させる。たとえば、ステップS6の測定結果をステップS8の処理を行う部分に自動的に転送する。そして、当該転送を受けた部分では、当該測定結果である抵抗値に応じて、所定の不純物イオン注入レシピを自動的に選択し、当該選択したレシピに従って、上記ステップS8の不純物イオン注入処理を行う。なお、前記処理が可能なシステムをAPCシステムと称する。
たとえば、予め決定されている所定の抵抗値よりステップS6の抵抗値の方が小さい場合には、上記抵抗Rs,Rdが高くなるように、ステップS8における不純物イオン注入処理では、予め決定されている所定の濃度よりも高い濃度で不純物イオン注入処理を行う。これに対して、予め決定されている所定の抵抗値よりステップS6の抵抗値の方が大きい場合には、上記抵抗Rs,Rdが低くなるように、ステップS8における不純物イオン注入処理では、予め決定されている所定の濃度よりも低い濃度で不純物イオン注入処理を行う。こうして仕上りの実行チャネル抵抗Reffを揃えることができる。
これまでの工程により、半導体基板1には、所定の構成のMOSトランジスタが形成される。
以上のように、本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップS8における不純物イオン注入処理において、ステップS6の測定結果である抵抗値に応じて、注入する不純物イオンの濃度を変化させている。
したがって、完成品におけるソース・ドレイン領域(第一、二のソース・ドレイン領域5,7と把握できる)の不純物濃度を略一定にすることができる。これにより、完成品のトランジスタの特性の一つであるON電流を、一定にすることができる。また、ステップS6の結果を後工程であるステップS8にフィードフォワードさせているだけであるので、簡単な工程で、上述のように完成品の特性のばらつきを抑制することができる。
たとえば、一のウエハにおいて、当該一のウエハのスクライブ領域160に形成されている不純物領域5pの抵抗を測定(ステップS6)し、当該測定結果に応じて当該一のウエハに適する、ステップS8を実施するためのレシピ(不純物イオン注入条件に関するレシピ)を選択し、当該選択したレシピに従い当該一のウエハに対してステップS8の処理を実行する。
また、他のウエハにおいて、当該他のウエハのスクライブ領域160に形成されている不純物領域5pの抵抗を測定(ステップS6)し、当該測定結果に応じて当該他のウエハに適する、ステップS8を実施するためのレシピ(不純物イオン注入条件に関するレシピ)を選択し、当該選択したレシピに従い当該他のウエハに対してステップS8の処理を実行する。
このようにすることにより、ウエハ間における完成品のソース・ドレイン領域(第一、二のソース・ドレイン領域5,7と把握できる)の不純物濃度を略一定にすることができる(つまり、完成品のトランジスタのON電流を略一定にすることができる)。よって、完成品のトランジスタの特性のばらつきも抑制される。
また、たとえば、一のロットにおいて一のウエハを選択し、当該選択したウエハのスクライブ領域160に形成されている不純物領域5pの抵抗を測定(ステップS6)し、当該測定結果に応じて当該一のロットに適する、ステップS8を実施するためのレシピ(不純物イオン注入条件に関するレシピ)を選択し、当該選択したレシピに従い当該一のロットに含まれる全てのウエハに対して、共通にステップS8の処理を実行する。
また、他のロットにおいて一のウエハを選択し、当該選択したウエハのスクライブ領域160に形成されている不純物領域5pの抵抗を測定(ステップS6)し、当該測定結果に応じて当該他のロットに適する、ステップS8を実施するためのレシピ(不純物イオン注入条件に関するレシピ)を選択し、当該選択したレシピに従い当該他のロットに含まれる全てのウエハに対して、共通にステップS8の処理を実行する。
このようにすることにより、ロット間における完成品のソース・ドレイン領域(第一、二のソース・ドレイン領域5,7と把握できる)の不純物濃度を略一定にすることができる(つまり、完成品のトランジスタのON電流を略一定にすることができる)。よって、完成品のトランジスタの特性のばらつきも抑制される。
なお、ステップS6の測定の結果、第一のソース・ドレイン領域5の抵抗値が小さい場合には、再度ステップS5の工程に戻り、所定量の不純物イオンを注入する方法も考えられる。
しかし、当該ステップS6の結果をステップS5にフィードバックさせる方法の場合には、ステップS5の工程を繰り返すことになり、製造プロセスが煩雑化する。さらに、ステップS6の測定の結果、第一のソース・ドレイン領域5の抵抗値が大きい場合には、上記ステップS6の結果をステップS5にフィードバックさせる方法だけでは、完成品のソース・ドレイン領域の濃度調整を行うことができない。
しかし、図1で示したように、本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップS6の結果をステップS8にフィードフォワードさせている。したがって、製造プロセスの煩雑化を防止できると共に、第一のソース・ドレイン領域5の抵抗値が大きい場合においても、完成品のソース・ドレイン領域の濃度調整を行うことができる。
また、ステップS6の測定結果に応じて、ステップS7におけるサイドウォール膜6aの形成寸法を調整し、当該サイドウォール6a形成後、ステップS8の工程を実施することにより、完成品のソース・ドレイン領域の濃度調整を行う方法も考えられる。
しかし、当該ステップS6の測定結果をステップS7にフィードフォワードさせる場合には、完成品のソース・ドレイン領域の濃度調整を精度良く行うことができない。つまり、サイドウォール膜6aを形成するための酸化膜6等を堆積する段階で、当該堆積量の調整が必要であり、かつ、酸化膜6を異方性エッチングする段階で、当該エッチング量の調整が必要である。したがって、上記堆積の段階および上記エッチングの段階の各々において寸法ずれが生じるので、形成されたサイドウォール6aの膜厚寸法は予定寸法と大きく異なり得る。
これに対して、図1で示したように、本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップS6の結果をステップS8にフィードフォワードさせている。したがって、不純物イオン濃度だけを調整するだけで済むので、完成品のソース・ドレイン領域の濃度調整をより精度良く行うことができる。よって、完成品のトランジスタの特性のばらつきもより精度良く抑制される。
また、上記の通り、不純物領域5pのみをテストパターンとして形成する場合と、不純物領域5pおよび多結晶シリコン等をテストパターンとして形成する場合とがある。しかし、不純物領域5pのみをテストパターンとして形成する場合の方が、より直接的に不純物領域5pの抵抗を測定することになる。したがって、ステップS8における不純物イオンの濃度をより正確に決定することができる。
また、スクライブ領域160に、不純物領域5pのみをテストパターンとして形成する場合の他に、次のような形態も考えられる。つまり、スクライブ領域160にダミートランジスタを形成する形態である。当該形態の場合には、図1のステップS5までの工程を施すことにより、素子形成領域150に図8の構造を形成するだけでなく、スクライブ領域160においても図8の構造を形成する。
したがって、ステップS6の工程前には、スクライブ領域160には、ダミーの第一のソース・ドレイン領域(当該ダミーの第一のソース・ドレイン領域は、第一のソース・ドレイン領域5と同等の形状および不純物濃度を有する)、ダミーのゲート絶縁膜膜(当該ダミーのゲート絶縁膜は、ゲート絶縁膜2aと同じ材質、同等寸法である)、ダミーのゲート電極(当該ダミーのゲート電極は、ゲート電極3aと同じ材質、同等寸法である)、およびダミーのオフセットスペーサ(当該ダミーのオフセットスペーサは、オフセットスペーサ4aと同じ材質、同等の寸法である)が形成されている。よって、上述したダミーのトランジスタとは、ダミーの第二ソース・ドレイン領域が形成されていないトランジスタ構造であると把握できる(より厳密には、ダミーのサイドウォールも形成されていない)。
なお、スクライブ領域160に形成されている上記ダミーのトランジスタは、ダイシングカットの際に除去される。また、ダミートランジスタに対して、素子形成領域150に形成されるトランジスタは、完成品において素子として使用する部分である。したがって、ダイシングカットの際には、当然除去はされない。
このように、ダミーのトランジスタをスクライブ領域160に形成し、不純物領域5pの代わりに、第一のソース・ドレイン領域と同等の形状・同等の不純物濃度を有するダミー領域(上記ダミーの第一のソース・ドレイン領域)の抵抗値を測定することにより、素子形成領域150に形成されている第一のソース・ドレイン領域5の抵抗値をより正確に見積もることができる。したがって、ステップS8における不純物イオンの濃度をより正確に決定することができる。
また、ダミーのトランジスタは、第二のソース・ドレイン領域7が形成されていないだけで、一般に知られれているトランジスタ特性を示す。したがって、当該ダミーのトランジスタ特性を直接測定し(オン電流、オフリークなど)、その結果を受けて第二のソース・ドレイン領域7の不純物濃度を調整することができる。したがって、実際のトランジスタに非常に近い状態で、ステップS8における不純物イオン濃度を決定することができる。
なお、不純物領域5p(上述したダミーの第一のソース・ドレイン領域も含む)の抵抗値を測定する場合、当該不純物領域5pと接触するように、半導体基板1上に測定器の端子を当接するためのパッドを設ける。しかし、当該半導体基板1(より具体的には、不純物領域5p)と当該パッドとの接触抵抗が高いと、ステップS6において精度良く抵抗値を測定することができない。
そこで、半導体装置の製造プロセスにおいて、素子形成領域150の表面内の一部にキャパシタの一方の電極部を形成するために、半導体基板1の表面内に濃度の高い(1×1016以上)不純物を注入する工程が含まれている場合には、次のプロセスを採用することが望ましい。
つまり、素子形成領域150の表面内の一部にキャパシタの一方の電極部を形成するために、半導体基板1に不純物を注入する工程と、上記不純物領域5pの少なくとも一部に不純物を注入する工程とを同時に実施する。したがって、各領域における不純物濃度は同等(当該濃度は高濃度であり、たとえば1×1016以上となる)となる。そして、不純物領域5pにおいて前述の工程により不純物が注入された領域の上面に、パッドを形成する。
このようにパッドの下方において高濃度の不純物が注入されるので、半導体基板1(より具体的には、不純物領域5p)とパッドとの接触抵抗を小さくすることができる。また、当該接触抵抗を減少させるための高濃度の不純物注入は、キャパシタの一方の電極部を形成するために行われる不純物注入処理と同時に行われるので、製造プロセスの煩雑化を防止できる。
また、半導体基板1(より具体的には、不純物領域5p)とパッドとの接触抵抗の影響を小さくするために、四端子法による抵抗値測定を実施しても良い。
1 半導体基板、2a ゲート絶縁膜、3a ゲート電極、4a オフセットスペーサ、5 第一のソース・ドレイン領域、6a サイドウォール、7 第二のソース・ドレイン領域、5p 不純物領域、100 ウエハ、150 素子形成領域、160 スクライブ領域、S6 抵抗値を測定するステップ、S8 第二のソース・ドレイン領域を形成するための不純物イオン注入ステップ。
Claims (4)
- (A)素子形成領域とスクライブ領域とを有しており、前記素子形成領域の上面にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記ゲート電極の両脇において前記素子形成領域の表面内に比較的低濃度である第一のソース・ドレイン領域が形成され、前記スクライブ領域表面内に前記第一のソース・ドレイン領域と同等の不純物濃度を有する不純物領域が形成された、半導体基板を用意する工程と、
(B)前記不純物領域の抵抗値を測定する工程と、
(C)所定の不純物注入処理により、少なくとも一部において前記第一のソース・ドレイン領域と重複するように、前記素子形成領域の表面内に比較的高濃度である第二のソース・ドレイン領域を形成する工程とを、備えており、
前記工程(C)における前記所定の不純物注入処理は、
前記工程(B)の抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 所定の抵抗値より前記工程(B)の抵抗値の方が小さい場合には、
前記工程(C)における前記所定の不純物注入処理は、
所定の濃度よりも高い濃度でイオン注入処理を行う処理であり、
前記所定の抵抗値より前記工程(B)の抵抗値の方が大きい場合には、
前記工程(C)における前記所定の不純物注入処理は、
前記所定の濃度よりも低い濃度でイオン注入処理を行う処理である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記不純物領域は、
前記第一のソース・ドレイン領域と同等の形状を有する、ダミートランジスタにおけるダミーのソース・ドレイン領域である、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - (D)前記素子形成領域の表面内の一部にキャパシタの一方の電極部を形成するために、前記半導体基板に不純物を注入する工程と
(E)前記不純物領域の少なくとも一部に不純物を注入する工程と、
(F)前記工程(E)により不純物が注入された領域の上面に、パッドを形成する工程とを、さらに備えており、
前記工程(D)と前記工程(E)とは、同時に実施する、
ことを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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- 2006-07-24 JP JP2006200362A patent/JP2008028217A/ja active Pending
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