JP2004206680A - 半導体集積回路及びicカード - Google Patents
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Abstract
【課題】 光照射により積極的に誤動作を誘発して機密保護情報を不正に獲得するというカードハッキングに対する防御が可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 ICカードマイコンなどの半導体集積回路に対し、標準的なロジックプロセスで構成され、他の回路と区別がつきにくく、待機電力が極めて小さい、光ディテクタを搭載する。光ディテクタは例えば、初期化動作でスタティックラッチ(120)に第1状態を保持し、第1状態のスタティックラッチを構成する非導通状態の半導体素子(112,113)に光が照射されて第2状態に反転する構成を備え、光ディテクタをメモリセルアレイに複数個配置する。スタティックラッチ型の光ディテクタをメモリアレイに組み込むことで、それを目立たずに配置することができる。光の照射によるリバースエンジニアリングを効果的に防ぐことができる。
【選択図】 図1
Description
111、112、113、114 スタティックラッチを構成するMOSトランジスタ
120 スタティックラッチ
302 ドレイン拡散領域
303 ソース拡散領域
311 ドレイン端子
312 ゲート端子
313 ソース端子
314 接地端子
320 光子
400 SRAMブロック
401 メモリセルアレイ
402 冗長セルアレイ
403 冗長プログラム回路
407 ECC回路
511、512 ダイオード
611、612 電流リミッタMOSトランジスタ
700、700A、700B、700C インバータ型光ディテクタ
711 感度調整MOSトランジスタ
712 光検出MOSトランジスタ
800、800A、800B、800C、800D、800E バイアストインバータ型光ディテクタ
813、821 感度制御MOSトランジスタ
817 光検出MOSトランジスタ感度制御MOSトランジスタ
813a,813b,813c 感度制御MOSトランジスタ
900、900A、900B、900C、900D カレントミラー型光ディテクタ
916 感度調整MOSトランジスタ
919 光検出MOSトランジスタ
1000、1000A、1000B、1000C ディファレンシャルAMP型光ディテクタ
1016 感度調整MOSトランジスタ
1019 光検出MOSトランジスタ
1100 ICカードマイコン
1111 電源ブロック
1112 PLLブロック
1113 CPUを含む論理回路ブロック
1114 インタフェースブロック
1115 SRAM
1116 ROM
1117 EEPROM
1130 ICカード
1131,1135 カード基板
1132 外部端子
1136 アンテナ
1201 電圧検出回路
1202 周波数検出回路
1203 配線切断検出回路
1204 アクティブシールド配線
1301 光検出素子
1302 ワイヤード・オア結合素子
1303 リセット回路
1304 リセット信号
1305 プルダウン抵抗
1306 プルアップ抵抗
1307 配線
1308、1309 ワイヤード・オア結合素子
1501 基本セル
1502 D型フリップフロップ
1812、2011、2110、2310、2410、2610、2610_1〜2610_3、2710、2910 ダイオード
Claims (37)
- 初期状態でスタティックラッチに第1状態を保持し、第1状態のスタティックラッチを構成する非導通状態の光検出用半導体素子に光が照射されて第2状態に反転する光ディテクタをメモリセルアレイに有し、前記光ディテクタによる光検出を内部動作の停止に利用することを特徴とする半導体集積回路。
- 前記非導通状態の光検出用半導体素子はスタティックラッチを構成するMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記光検出用半導体素子としてダイオード素子を備え、前記ダイオード素子は前記MOSトランジスタに並列に逆バイアス接続されることを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
- 電流径路に直列に配置され動作可能な状態において導通状態にされる半導体素子と非導通状態にされる光検出用半導体素子を有し、非導通状態の光検出用半導体素子に光が照射されて変化する電流駆動力と導通状態の半導体素子の電流駆動力との比に応じて導通状態の半導体素子と非導通状態の光検出用半導体素子の接続点の電位が変化する光ディテクタを備え、前記光ディテクタによる光検出を内部動作の停止に利用することを特徴とする半導体集積回路。
- 前記非導通状態の光検出用半導体素子はMOSトランジスタであることを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路。
- 前記非導通状態の光検出用半導体素子は前記電流径路に逆バイアス接続されるダイオード素子であることを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路。
- 電流径路に感度調整用半導体素子を有する第1回路と、前記第1回路により光検出感度が調整され電流径路に光検出用半導体素子を有する第2回路と、第2回路の出力ノードレベルを検出する第3回路とを有し、前記光検出用半導体素子に光が照射されて電流変化を生ずる前記第2回路の出力ノードレベルに応じ前記第3回路の出力を変化させる光ディテクタを備え、前記光ディテクタによる光検出を内部動作の停止に利用することを特徴とする半導体集積回路。
- 前記光検出用半導体素子は前記電流経路を構成するMOSトランジスタであることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路。
- 前記光検出用半導体素子は、前記第2回路の電流径路の一部に並列配置されたダイオード素子であり、前記ダイオード素子は逆バイアス接続されることを特徴とする請求項8記載の半導体集積回路。
- 前記ダイオード素子は並列に複数個配置されることを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記複数個のダイオード素子は半導体集積回路の半導体チップ上に遍在されていることを特徴とする請求項10記載の半導体集積回路。
- メモリセルアレイにスタティック型メモリセルがマトリクス配置されたSRAMモジュールを有し、前記SRAMモジュールのメモリセルアレイに、一部のスタティック型メモリセルに代えて前記光ディテクタを配置したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記光ディテクタに代替された前記スタティック型メモリセルの欠損を補うことが可能な冗長構成を有することを特徴とする請求項12記載の半導体集積回路。
- 前記光ディテクタに代替された前記スタティック型メモリセルの欠損によって生ずるデータエラーの検出及び訂正が可能なECC回路を有することを特徴とする請求項12記載の半導体集積回路。
- メモリセルアレイに書き換え不可能な不揮発性メモリセルがマトリクス配置されたマスクROMを有し、前記マスクROMのメモリセルアレイに、一部の不揮発性メモリセルに代えて前記光ディテクタが配置されたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- メモリセルアレイに電気的に書換え可能な不揮発性メモリセルがマトリクス配置されたフラッシュメモリを有し、前記フラッシュメモリのメモリセルアレイに、一部の不揮発性メモリセルに代えて前記光ディテクタが配置されたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- クロック信号に同期動作される論理回路モジュールを有し、前記論理回路モジュールに前記光ディテクタが配置されることを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路。
- 電源回路又はクロック発生回路を有し、前記電源回路又はクロック発生回路に前記光ディテクタが配置されることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路。
- 前記感度調整用半導体素子の電流駆動力を調整可能であることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路。
- 前記光検出用半導体素子におけるpn接合部のうち、逆バイアス状態にされるpn接合部の面積が他の接合部の面積よりも大きくされ、光に対する感度が同種の他の半導体素子よりも高いことを特徴とする請求項1乃至19の何れか1項記載の半導体集積回路。
- 前記光ディテクタの光検出用半導体素子以外の半導体素子の上層部を遮光する金属膜又はポリシリコン膜を有することを特徴とする請求項1乃至20の何れか1項記載の半導体集積回路。
- 前記光検出用半導体素子に逆方向接続のダイオードを並列接続することを特徴とする請求項1、12、13又は14に記載の半導体集積回路。
- 複数個の回路モジュールを有し、各回路モジュールにおいて前記光ディテクタはランダムに配置されることを特徴とする請求項4又は7記載の半導体集積回路。
- 複数個の回路モジュールを有し、各回路モジュールにおいて前記光ディテクタは規則的に配置されることを特徴とする請求項4又は7記載の半導体集積回路。
- 論理回路の基本素子と前記光ディテクタをペアとして備える基本セルが利用されたことを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路。
- 前記基本セルを複数分散配置したことを特徴とする請求項25記載の半導体集積回路。
- 初期化状態でスタティックラッチに第1状態を保持し、第1状態のスタティックラッチを構成する非導通状態の光検出用半導体素子に光が照射されて第2状態に反転する第1光ディテクタをメモリセルアレイに複数個有し、第1光ディテクタによる光検出信号を内部動作の停止に利用し、
電流径路に直列に配置され動作可能な状態において導通状態にされる半導体素子と非導通状態にされる光検出用半導体素子を有し、非導通状態の光検出用半導体素子に光が照射されて変化する電流駆動力と導通状態の半導体素子の電流駆動力との比に応じて導通状態の半導体素子と非導通状態の光検出用半導体素子との接続点の電位が変化する第2光ディテクタを論理回路モジュールに複数個有し、第2光ディテクタによる光検出を内部動作の停止に利用することを特徴とする半導体集積回路。 - 電流径路に感度調整用半導体素子を有する第1回路と、前記第1回路により光検出感度が調整され電流径路に光検出用半導体素子を有する第2回路と、第2回路の出力ノードレベルを検出する第3回路とを有し、前記光検出用半導体素子に光が照射されて電流変化を生ずる前記第2回路の出力ノードレベルに応じ前記第3回路の出力を変化させる第3光ディテクタをアナログ回路に複数個備え、第3光ディテクタによる光検出を内部動作の停止に利用することを特徴とする請求項27記載の半導体集積回路。
- 夫々の光ディテクタによる光検出信号の論理和信号を内部を初期化して動作を停止させるリセット信号とすることが可能なリセット回路を有することを特徴とする請求項1乃至28の何れか1項記載の半導体集積回路。
- カード基板に、外部インタフェース部と、前記外部インタフェース部に接続された請求項27又は28記載の半導体集積回路とを有することを特徴とするICカード。
- 前記光検出信号の論理和信号の伝達径路にアクティブシールド配線が接続されることを特徴とする請求項29記載の半導体集積回路
- 動作電圧の不所望な低下に応答して変化する電圧検出信号を出力する電圧検出回路と、前記電圧検出信号と前記夫々の光ディテクタによる光検出信号との論理和信号をリセット信号とすることが可能なリセット回路とを更に有することを特徴とする請求項1乃至28の何れか1項記載の半導体集積回路。
- 内部クロック信号周波数の不所望な変化に応答して変化する周波数検出信号を出力する周波数検出回路と、前記周波数検出信号と前記夫々の光ディテクタによる光検出信号との論理和信号をリセット信号とすることが可能なリセット回路とを更に有することを特徴とする請求項1乃至28の何れか1項記載の半導体集積回路。
- 所定の内部配線の切断に応答して変化する配線切断検出信号を出力する配線切断検出回路と、前記配線切断検出信号と前記夫々の光ディテクタによる光検出信号との論理和信号をリセット信号とすることが可能なリセット回路とを更に有することを特徴とする請求項1乃至28の何れか1項記載の半導体集積回路。
- 光検出用半導体素子と、前記光検出用半導体素子以外の半導体素子の上層部を遮光する金属膜又はポリシリコン膜を有する光ディテクタとを備え、前記光検出用半導体素子は初期状態で非導通状態を保持し、非導通状態の前記光検出用半導体素子に光が照射されて導通状態に反転されて得られる前記光ディテクタによる光検出を内部動作の停止に利用することを特徴とする半導体集積回路。
- 前記光ディテクタを複数分散配置したことを特徴とする請求項12、15、16又は35に記載の半導体集積回路。
- 電流径路に光検出用半導体素子を有する第1回路と、前記第1回路の出力ノードレベルを検出する第2回路とを備え、前記光検出用半導体素子に光が照射されて変化する電流に応じて前記第1回路の出力ノードが第2回路の論理閾値を跨ぐ光ディテクタを有し、前記光検出用半導体素子以外の半導体素子の上層部を遮光する金属膜又はポリシリコン膜が設けられ、前記光ディテクタによる光検出を内部動作の停止に利用することを特徴とする半導体集積回路。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005027403A1 (ja) * | 2003-09-11 | 2006-11-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 情報処理装置 |
JP2007122818A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及び半導体装置 |
JP2007310640A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路およびそれを用いたicカード |
JP2009004935A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路およびそれを用いたicカード |
US7787315B2 (en) | 2007-06-22 | 2010-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for detecting abnormal operation |
JP2011165732A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及びデータ処理システム |
WO2015008335A1 (ja) | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016144213A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ラッチを用いたレーザ検出器及びそれを含む半導体装置 |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3822768B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2006-09-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | Icカードの製造方法 |
US7339822B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-03-04 | Sandisk Corporation | Current-limited latch |
AU2003288861A1 (en) * | 2003-12-18 | 2005-07-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Exchangeable module for additional functionality |
JP4290568B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2009-07-08 | アルゼ株式会社 | 携帯電話機及び携帯電話機の制御方法 |
TWI291237B (en) * | 2005-10-07 | 2007-12-11 | Integrated Digital Technologie | Photo detector array |
DE102005058238B4 (de) * | 2005-12-06 | 2008-08-14 | Infineon Technologies Ag | Detektorschaltung zur Erfassung einer externen Manipulation einer elektrischen Schaltung sowie Verfahren zum Betreiben einer Schaltungsanordnung, bei dem externe Manipulation erfasst werden |
KR101285051B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2013-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광검출 장치, 그를 이용한 액정표시장치 및 그의 구동방법 |
KR100884566B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2009-02-19 | 삼성전자주식회사 | 레이저 어택 검출기를 갖는 스마트 카드 |
KR100837275B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 삼성전자주식회사 | 빛을 감지하는 스마트 카드 |
CN103095309A (zh) * | 2007-08-16 | 2013-05-08 | 瑞萨电子株式会社 | 微型计算机系统 |
KR101477630B1 (ko) * | 2007-10-09 | 2014-12-30 | 삼성전자주식회사 | 빛 공격을 검출할 수 있는 메모리 장치 및 그 방법 |
DE102007051788A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | Giesecke & Devrient Gmbh | Halbleiterchip mit einer Schutzschicht und Verfahren zum Betrieb eines Halbleiterchip |
US7547358B1 (en) * | 2008-03-03 | 2009-06-16 | Shapiro Zalman M | System and method for diamond deposition using a liquid-solvent carbon-transfer mechanism |
US8604521B2 (en) * | 2008-08-21 | 2013-12-10 | United Microelectronics Corp. | Optically controlled read only memory |
US20100059729A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-11 | Ovonyx, Inc. | Apparatus and method for memory |
EP2164053A1 (fr) * | 2008-09-11 | 2010-03-17 | Gemplus | Procédé de contre-attaque autonome en réponse à une ou plusieurs agressions physiques, et dispositif associé |
US8264899B2 (en) * | 2008-11-19 | 2012-09-11 | Stmicroelectronics International N.V. | Assistance in reset of data storage array |
US8423837B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-04-16 | Texas Instruments Incorporated | High reliability and low power redundancy for memory |
US9735781B2 (en) | 2009-02-24 | 2017-08-15 | Syphermedia International, Inc. | Physically unclonable camouflage structure and methods for fabricating same |
US10691860B2 (en) | 2009-02-24 | 2020-06-23 | Rambus Inc. | Secure logic locking and configuration with camouflaged programmable micro netlists |
US8151235B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-04-03 | Syphermedia International, Inc. | Camouflaging a standard cell based integrated circuit |
US8418091B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-04-09 | Syphermedia International, Inc. | Method and apparatus for camouflaging a standard cell based integrated circuit |
US8510700B2 (en) * | 2009-02-24 | 2013-08-13 | Syphermedia International, Inc. | Method and apparatus for camouflaging a standard cell based integrated circuit with micro circuits and post processing |
US8111089B2 (en) * | 2009-05-28 | 2012-02-07 | Syphermedia International, Inc. | Building block for a secure CMOS logic cell library |
IL199272A0 (en) * | 2009-06-10 | 2012-07-16 | Nds Ltd | Protection of secret value using hardware instability |
DK2483845T3 (da) * | 2009-09-29 | 2014-07-07 | Nagraid Security S A | Bærbart elektronisk apparat, som er forsynet med en optisk kontakt, især et elektronisk kort |
EP2564779B1 (en) * | 2010-04-30 | 2017-08-30 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image photography device |
KR101665562B1 (ko) | 2010-11-05 | 2016-10-25 | 삼성전자주식회사 | 검출 회로, 그 검출 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US8816470B2 (en) | 2011-04-21 | 2014-08-26 | International Business Machines Corporation | Independently voltage controlled volume of silicon on a silicon on insulator chip |
US8525245B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-09-03 | International Business Machines Corporation | eDRAM having dynamic retention and performance tradeoff |
US8492207B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Implementing eFuse circuit with enhanced eFuse blow operation |
US8456187B2 (en) * | 2011-04-21 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Implementing temporary disable function of protected circuitry by modulating threshold voltage of timing sensitive circuit |
US20120326260A1 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | William French | Photodiode that incorporates a charge balanced set of alternating n and p doped semiconductor regions |
EP2541599A1 (en) * | 2011-06-28 | 2013-01-02 | Nxp B.V. | Security semiconductor product |
EP2780938B1 (en) * | 2011-11-18 | 2015-09-30 | Tubitak | Active shield with electrically configurable interconnections |
US9911470B2 (en) | 2011-12-15 | 2018-03-06 | Nvidia Corporation | Fast-bypass memory circuit |
FR2991083A1 (fr) * | 2012-05-24 | 2013-11-29 | St Microelectronics Grenoble 2 | Procede et dispositif de protection d'un circuit integre contre des attaques par sa face arriere |
CN103632712A (zh) | 2012-08-27 | 2014-03-12 | 辉达公司 | 存储单元和存储器 |
JP5954872B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2016-07-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路 |
US9685207B2 (en) | 2012-12-04 | 2017-06-20 | Nvidia Corporation | Sequential access memory with master-slave latch pairs and method of operating |
US10141930B2 (en) | 2013-06-04 | 2018-11-27 | Nvidia Corporation | Three state latch |
DE102013112931A1 (de) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Infineon Technologies Ag | Chipanordnung und Verfahren zum Überprüfen, ob ein Chip in einem vorgesehenen Chipträger angeordnet ist |
US9559066B2 (en) * | 2014-06-12 | 2017-01-31 | Broadcom Corporation | Systems and methods for detecting and preventing optical attacks |
US9941004B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-04-10 | International Business Machines Corporation | Integrated arming switch and arming switch activation layer for secure memory |
FR3063597A1 (fr) * | 2017-03-06 | 2018-09-07 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Architecture de puce electronique |
US11200386B2 (en) * | 2018-09-27 | 2021-12-14 | Apple Inc. | Electronic card having an electronic interface |
US11571766B2 (en) | 2018-12-10 | 2023-02-07 | Apple Inc. | Laser marking of an electronic device through a cover |
US10923596B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-02-16 | Rambus Inc. | Camouflaged FinFET and method for producing same |
US11299421B2 (en) | 2019-05-13 | 2022-04-12 | Apple Inc. | Electronic device enclosure with a glass member having an internal encoded marking |
US11139256B2 (en) | 2019-08-21 | 2021-10-05 | Micron Technology, Inc. | Tamper-resistant integrated circuits, and related methods |
US11171095B1 (en) | 2020-04-22 | 2021-11-09 | Globalfoundries U.S. Inc. | Active attack prevention for secure integrated circuits using latchup sensitive diode circuit |
US11121097B1 (en) | 2020-05-22 | 2021-09-14 | Globalfoundries U.S. Inc. | Active x-ray attack prevention device |
EP3979136A4 (en) | 2020-08-07 | 2022-06-15 | Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. | LASER ERRORS INJECTION ATTACK DETECTION CIRCUIT FOR A CHIP AND SECURITY CHIP |
US11437329B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-09-06 | Globalfoundries U.S. Inc. | Anti-tamper x-ray blocking package |
US11815717B2 (en) | 2021-11-12 | 2023-11-14 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photonic chip security structure |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5053992A (en) * | 1990-10-04 | 1991-10-01 | General Instrument Corporation | Prevention of inspection of secret data stored in encapsulated integrated circuit chip |
US5117457A (en) * | 1986-11-05 | 1992-05-26 | International Business Machines Corp. | Tamper resistant packaging for information protection in electronic circuitry |
JPH05158800A (ja) * | 1991-04-26 | 1993-06-25 | Hughes Aircraft Co | 秘密にされるべき回路の解析を阻止する装置と方法 |
US5325430A (en) * | 1991-02-05 | 1994-06-28 | Toven Technologies Inc. | Encryption apparatus for computer device |
US5533123A (en) * | 1994-06-28 | 1996-07-02 | National Semiconductor Corporation | Programmable distributed personal security |
GB2303173A (en) * | 1995-07-11 | 1997-02-12 | Clive Robert Homewood | Computer Security Module |
JPH10187546A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-07-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 暗号化装置、復号装置、機密データ処理装置、及び情報処理装置 |
JPH10320293A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Rohm Co Ltd | Icカードおよびicチップモジュール |
JPH11102324A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Rohm Co Ltd | 内部情報保護回路付きic |
DE19855209A1 (de) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | Digital Design Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von Gegenständen oder Informationen gegen unberechtigten Zugriff |
JP2000216345A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Sharp Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2002312742A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-10-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | 操作および/または悪用から少なくともチップ装置を保護する回路装置および方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3746863A (en) * | 1972-03-15 | 1973-07-17 | Exotron Ind Ltd | Light curtain control for a switch |
FR2619959B1 (fr) | 1987-08-31 | 1991-06-14 | Thomson Semiconducteurs | Circuit de detection de lumiere |
US4962484A (en) * | 1988-01-25 | 1990-10-09 | Hitachi, Ltd. | Non-volatile memory device |
US5157335A (en) * | 1989-08-18 | 1992-10-20 | Houston Theodore W | On-chip error detection circuit |
US5361033A (en) * | 1991-07-25 | 1994-11-01 | Texas Instruments Incorporated | On chip bi-stable power-spike detection circuit |
IL129767A0 (en) * | 1996-12-12 | 2000-02-29 | Prolume Ltd | Apparatus and method for detecting and identifying infectious agents |
JP3887826B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2007-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JPH11272829A (ja) | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | 電子マネーカード |
JP3641149B2 (ja) | 1998-12-18 | 2005-04-20 | 日本電信電話株式会社 | 自己破壊型半導体装置 |
US6297984B1 (en) * | 1999-12-29 | 2001-10-02 | Tower Semiconductor Ltd. | Structure and method for protecting integrated circuits during plasma processing |
US7145914B2 (en) * | 2001-12-31 | 2006-12-05 | Maxxan Systems, Incorporated | System and method for controlling data paths of a network processor subsystem |
-
2003
- 2003-09-17 JP JP2003323923A patent/JP4497874B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-03 TW TW092134024A patent/TW200419720A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-03 TW TW099145882A patent/TWI475644B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-03 US US10/725,477 patent/US7042752B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-09 EP EP03257713A patent/EP1429227B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-09 DE DE60319051T patent/DE60319051T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-11 KR KR1020030090210A patent/KR20040053803A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-03-20 US US11/378,276 patent/US7295455B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2006-03-20 US US11/378,251 patent/US20070189051A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-10-05 US US11/867,917 patent/US7535744B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-04-13 US US12/422,802 patent/US20090224143A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-03-18 US US13/051,556 patent/US8488360B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5117457A (en) * | 1986-11-05 | 1992-05-26 | International Business Machines Corp. | Tamper resistant packaging for information protection in electronic circuitry |
US5053992A (en) * | 1990-10-04 | 1991-10-01 | General Instrument Corporation | Prevention of inspection of secret data stored in encapsulated integrated circuit chip |
US5325430A (en) * | 1991-02-05 | 1994-06-28 | Toven Technologies Inc. | Encryption apparatus for computer device |
JPH05158800A (ja) * | 1991-04-26 | 1993-06-25 | Hughes Aircraft Co | 秘密にされるべき回路の解析を阻止する装置と方法 |
US5533123A (en) * | 1994-06-28 | 1996-07-02 | National Semiconductor Corporation | Programmable distributed personal security |
GB2303173A (en) * | 1995-07-11 | 1997-02-12 | Clive Robert Homewood | Computer Security Module |
JPH10187546A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-07-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 暗号化装置、復号装置、機密データ処理装置、及び情報処理装置 |
JPH10320293A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Rohm Co Ltd | Icカードおよびicチップモジュール |
JPH11102324A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Rohm Co Ltd | 内部情報保護回路付きic |
DE19855209A1 (de) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | Digital Design Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von Gegenständen oder Informationen gegen unberechtigten Zugriff |
JP2000216345A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Sharp Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2002312742A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-10-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | 操作および/または悪用から少なくともチップ装置を保護する回路装置および方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005027403A1 (ja) * | 2003-09-11 | 2006-11-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 情報処理装置 |
JP2007122818A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及び半導体装置 |
JP2007310640A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路およびそれを用いたicカード |
JP2009004935A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路およびそれを用いたicカード |
US7787315B2 (en) | 2007-06-22 | 2010-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for detecting abnormal operation |
JP2011165732A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及びデータ処理システム |
US8766705B2 (en) | 2010-02-05 | 2014-07-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit and data processing system |
WO2015008335A1 (ja) | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016144213A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ラッチを用いたレーザ検出器及びそれを含む半導体装置 |
KR20160094759A (ko) * | 2015-02-02 | 2016-08-10 | 삼성전자주식회사 | 래치를 이용한 레이저 검출기 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
KR102341264B1 (ko) * | 2015-02-02 | 2021-12-20 | 삼성전자주식회사 | 래치를 이용한 레이저 검출기 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7042752B2 (en) | 2006-05-09 |
EP1429227A3 (en) | 2006-01-25 |
US20110168875A1 (en) | 2011-07-14 |
EP1429227B1 (en) | 2008-02-13 |
DE60319051T2 (de) | 2009-02-05 |
TWI475644B (zh) | 2015-03-01 |
TW200419720A (en) | 2004-10-01 |
US8488360B2 (en) | 2013-07-16 |
JP4497874B2 (ja) | 2010-07-07 |
US20070189051A1 (en) | 2007-08-16 |
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US7535744B2 (en) | 2009-05-19 |
TW201123354A (en) | 2011-07-01 |
US7295455B2 (en) | 2007-11-13 |
US20090224143A1 (en) | 2009-09-10 |
US20080031031A1 (en) | 2008-02-07 |
EP1429227A2 (en) | 2004-06-16 |
DE60319051D1 (de) | 2008-03-27 |
KR20040053803A (ko) | 2004-06-24 |
US20040120195A1 (en) | 2004-06-24 |
US20070189055A1 (en) | 2007-08-16 |
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