JP2004199793A - 半導体レーザ装置および光ピックアップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ装置(100)は、絶縁樹脂製の枠体(60)の内部に、半導体レーザ素子(1)、ミラー(2)、信号読み取り用受光素子(5)、ミラー搭載部(33)、受光素子搭載部(32)を備え、枠体の側壁(60b)の上部にホログラム素子(6)を備える。ミラー搭載部(33)と受光素子搭載部(32)を、樹脂製として枠体(60)の底壁(60a)と一体に成形し、かつ、枠体(60)の側壁(61b)から離間させる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光を発するととも反射されたレーザ光を受ける半導体レーザ装置、およびそれを用いた光ピックアップに関する。
【0002】
【従来の技術】
CD−ROMやMD(ミニディスク)などの光ディスクを記録媒体として用いる光記録装置に備えられ、光ディスクの信号を読み取る光ピックアップには、ホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置を採用したものがある。この方式の半導体レーザ装置は、例えば、特開平6−203403号公報に開示されているように、一つのパッケージに半導体レーザ素子とホログラム素子と信号読み取り用受光素子とを組み込んで、半導体レーザ素子からレーザ光を出射し、光ディスクによって反射されて戻ってきたレーザ光をホログラム素子により回折して、半導体レーザ素子から離れた場所に配置した受光素子に導くものである。
【0003】
上記公報の半導体レーザ装置は、受光素子である半導体チップに半導体レーザ素子を搭載するための搭載部を形成し、半導体レーザ素子を受光素子に搭載して両者を一体化した構成である。このため、例えば仕様変更により、半導体レーザ素子と受光素子の相対位置を変える場合は、搭載部の位置や高さを変えなければならなくなり、受光素子そのものを新たに作製する必要が生じる。これは製造効率の観点から好ましくない。
【0004】
そこで、本出願人は、半導体レーザ素子を受光素子から分離し、両者をそれぞれ別の搭載部上に搭載する構成を提案した(特願2002−066601)。このようにすると、半導体レーザ素子と受光素子の相対位置を変える場合でも、複雑な受光素子ではなく、単純な搭載部を新たに作製すればよくなる。
【0005】
この半導体レーザ装置の構成を図6に示す。図6において(a)は上面図、(b)は側面図、(c)は斜視図、(d)は内部が判るように(c)からホログラム素子を除いた斜視図である。1は半導体レーザ素子、2は反射ミラー、10はリードフレーム、4はモニター用ホトダイオード付きサブマウント、5は信号読み取り用受光素子(ホトダイオードと信号処理回路を集積したもの)、6はホログラム素子である。ホログラム素子6は、下面に3ビーム発生用グレーティングパターンが、また、上面にビームスプリット用ホログラムパターンが形成された透明部材(ガラスまたは樹脂)から構成されている。
【0006】
図6の構成では、装置のパッケージとして、底壁60aとその縁に沿った側壁60bを有する絶縁性樹脂製の枠体60を用いている。枠体60の側壁60bは、対向する2つの円弧部60cと、対向する2つの直線部60dより成り、直線部60dの上面にホログラム素子6が搭載されている。枠体60の内部には、外部に達するリードフレーム10が配置されており、また、半導体レーザ素子1、受光素子5、およびミラーが2が配置されている。半導体レーザ素子1はサブマウント4を搭載部としてこれに搭載され、受光素子5およびミラー2はそれぞれ樹脂製の搭載部に搭載されている。半導体レーザ素子1と受光素子5の電極はAuワイヤ8によりリードフレーム10に電気的に接続されている。
【0007】
ミラー2は、半導体レーザ素子1の前方に位置し、半導体レーザ素子1が発するレーザ光を反射してその光路を90゜折り曲げ、ホログラム素子6に導く。受光素子5は、ミラー2の側方に位置し、光ディスクによって反射され、ホログラム素子6によって回折されて方向を変えられたレーザ光を受ける。
【0008】
図6の半導体レーザ装置の内部を図7に示す。図7において、(a)は図6(a)のA−A線での断面図、(b)はB−B線での断面図、(c)はC−C線での断面図である。図7の(a)、(b)は図6(c)に示した直交座標系におけるY−Z断面に相当し、(c)はX−Z断面に相当する。
【0009】
受光素子5の搭載部32は、枠体60の側壁60bの直線部60dに結合されており、また、リードフレーム10のアイランドプレート30上に位置する。ミラー2の搭載部33も、枠体60の側壁60bの直線部60dに結合されており、アイランドプレート30上に位置する。さらに受光素子搭載部32とミラー搭載部33は互いに結合されている。
【0010】
【特許文献1】特開平6−203403号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザ装置は駆動時に発熱して高温になり、また、高湿の条件で使用されることも多い。樹脂製の枠体や搭載部は温度上昇や吸湿により体積膨張するが、上記の構成では、枠体60の体積膨張は、枠体60に結合されている受光素子搭載部32やミラー搭載部33を変位させる方向に働く。具体的に前述の座標系で述べると、枠体60の膨張は、受光素子搭載部32およびミラー搭載部33をY軸の負方向に変位させる方向に働く。また、互いに結合されている受光素子搭載部32とミラー搭載部33の膨張は、両者を離間させる方向、つまり、受光素子搭載部32に対してはX軸の正方向に、ミラー搭載部33に対してはX軸の負方向に働く。この場合、より弱い構造体の方に変位が生じる。
【0012】
これらの搭載部32、33に変位が生じると、最適に調整されている各光学素子1、2、5、6の光学的な位置関係にズレが発生し、その結果、受光素子5上でのレーザ光の集光位置にもズレが発生して、受光素子5がレーザ光を受ける状態が最適でなくなる。受光素子5の受光状態が最適でなくなれば、光ピックアップによる信号読み取りの信頼性は低下する。
【0013】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、光学素子の位置関係にずれが生じ難い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。また、信号読み取りの信頼性の高い光ピックアップを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、レーザ光を発する半導体レーザ素子と、レーザ光を受ける受光素子と、半導体レーザ素子が発するレーザ光を外部に導き、外部の物体によって反射されたレーザ光を受光素子に導くホログラム素子と、底壁と底壁の縁に沿う側壁とを有し、底壁と側壁が囲む空間内に半導体レーザ素子と受光素子を収容するとともに、側壁の上部にホログラム素子が搭載された樹脂製の枠体と、枠体の外から底壁と側壁が囲む空間内に達して、半導体レーザ素子と受光素子とに電気的に接続されたリードフレームを備える半導体レーザ装置において、受光素子が受光素子搭載部に搭載され、受光素子搭載部と枠体の側壁とが離間している構成とする。
【0015】
この半導体レーザ装置では、受光素子搭載部と枠体の側壁が離間しているため、温度上昇や吸湿によって枠体が膨張しても、その膨張が受光素子搭載部を変位させることがない。したがって、受光素子は常に一定位置に保たれ、レーザ光を受ける最適の状態が確保される。
【0016】
本発明ではさらに、枠体の底壁と側壁が囲む空間内に収容されて、半導体レーザ素子が発するレーザ光の方向を変えてホログラム素子に導くミラーを備え、ミラーがミラー搭載部に搭載され、ミラー搭載部と枠体の側壁とが離間している構成とする。この構成では、ミラー搭載部と枠体の側壁が離間しているため、枠体の膨張によってミラー搭載部とミラーが変位することがない。
【0017】
ここで、ミラー搭載部と受光素子搭載部とが離間している構成とするとよい。この構成では、受光素子搭載部やミラー搭載部の膨張が、他方を変位させることがない。
【0018】
リードフレームが、受光素子搭載部と枠体の底壁との間に位置する部位を有するとともに、その部位に貫通孔を有し、受光素子搭載部がリードフレームの貫通孔を介して枠体の底壁に結合されているようにするとよい。このようにすると、受光素子搭載部の存在によってリードフレームの外形に制約が生じることがなくなって、リードフレームの作製が容易になり、また、受光素子搭載部の強度の確保も容易である。
【0019】
ミラーを備える構成では、リードフレームが、ミラー搭載部と枠体の底壁との間に位置する部位を有するとともに、その部位に貫通孔を有し、ミラー搭載部がリードフレームの貫通孔を介して枠体の底壁に結合されているようにするとよい。
【0020】
また、リードフレームが、枠体の側壁のうちホログラム素子が搭載されている部位と底壁との間に位置する部位を有するとともに、その部位に貫通孔を有し、枠体の側壁のうちホログラム素子が搭載されている部位がリードフレームの貫通孔を介して枠体の底壁に結合されているようにしてもよい。このようにすると、枠体の側壁のうちホログラム素子搭載部として機能する部位の強度が確保される。
【0021】
リードフレームが、枠体の側壁のうちホログラム素子が搭載されている部位と底壁との間に位置しないようにしてもよい。
【0022】
リードフレームが、枠体の底壁に対して略垂直な突起を有して、突起によって底壁と係合しているようにするとよい。このようにすると、リードフレームが枠体から外れるおそれがなくなる。
【0023】
半導体レーザ素子がレーザ素子搭載部に搭載され、枠体の底面のうちレーザ素子搭載部の下方に位置する部位が、貫通孔を有する構成とすることもできる。半導体レーザ素子は駆動時に発熱するが、その熱を枠体の貫通孔を介して外部に放出することができて、レーザ素子搭載部の熱膨張が抑えられ、半導体レーザ素子の劣化も抑えられる。
【0024】
前記目的を達成するために、本発明ではまた、レーザ光を発して光記憶媒体に導き、光記憶媒体によって反射されたレーザ光を受けて、光記憶媒体に記録されている情報を読み取る光ピックアップに、上記の半導体レーザ装置を備える。上記半導体レーザ装置の受光素子は高温や高湿の条件下でもレーザ光を最適に受け得る状態に保たれるから、信号読み取りの信頼性が高い光ピックアップとなる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態の半導体レーザ装置100の構成を図1および図2に示し、半導体レーザ装置100を備えた光ピックアップ200の構成を図3に示す。
【0026】
図1において(a)は半導体レーザ装置100の上面図、(b)は側面図、(c)は斜視図、(d)は内部が判るように(c)からホログラム素子を除いた斜視図である。また、図2は、半導体レーザ装置100の内部を表したものであり、(a)は図1(a)のA−A線での断面図、(b)はB−B線での断面図、(c)はC−C線での断面図である。図2の(a)、(b)は図1(c)に示した直交座標系におけるY−Z断面に相当し、(c)はX−Z断面に相当する。
【0027】
1は半導体レーザ素子、2は反射ミラー、10はリードフレーム、4はモニター用ホトダイオード付きサブマウント、5は信号読み取り用受光素子(ホトダイオードと信号処理回路を集積したもの)、6はホログラム素子である。ホログラム素子6の下面と上面にはそれぞれ、3ビーム発生用グレーティングパターン20とビームスプリット用ホログラムパターン21が形成されている。
【0028】
光ピックアップ200を示す図3において、101はコリメートレンズ、102は反射ミラー、103は集光レンズ、121は光ディスクである。50はコリメートレンズ101、反射ミラー102等を取付けるための光ピックアップ筐体、51は半導体レーザ装置100を取付けるための円形の抜き穴、70は半導体レーザ装置100の光学軸である。筐体50の円形の穴51によって位置が規定される半導体レーザ装置100の光学軸70に一致するように、コリメートレンズ101および反射ミラー102は、筐体50に対して精度よく配置されている。
【0029】
図1、2に示すように、半導体レーザ装置100では、装置のパッケージとして、底壁60aとその縁に沿った側壁60bを有する絶縁性樹脂製の枠体60を用いている。枠体60の側壁60bは、対向する2つの円弧部60cと、対向する2つの直線部60dより成り、直線部60dの上面にホログラム素子6が搭載されている。2つの円弧部60aは同一の円の一部分であり、枠体60は円弧部60cの外面が円形の穴51の周面に接するように光ピックアップ200の筐体50に取り付けられる。
【0030】
枠体60の内部には、外部に達するリードフレーム10が配置されており、また、半導体レーザ素子1、受光素子5、およびミラーが2が配置されている。半導体レーザ素子1は、サブマウント4を搭載部として、これに搭載されている。受光素子5は樹脂製の搭載部32に搭載されている。また、ミラー2は、リードフレーム10のアイランドプレート30に対して45度の角度を成す傾斜面を有する樹脂製の搭載部33の傾斜面に搭載されている。半導体レーザ素子1と受光素子5の電極はAuワイヤ8によりリードフレーム10に電気的に接続されている。
【0031】
リードフレーム10は枠体60の成形に際して枠体60と一体化されている。半導体レーザ素子1は、ボンド材を用いてレーザ素子搭載部(サブマウント)4に固定されており、レーザ素子搭載部4は、リードフレーム10のアイランドプレート30にボンド材を用いて固定されている。受光素子搭載部32は枠体60の成形に際して底壁60aと一体に形成されており、受光素子5はボンド材により受光素子搭載部32に接着されている。ミラー搭載部33も枠体60の成形に際して底壁60aと一体に形成されており、ミラー2はボンド材にて前述の傾斜面に接着されている。ホログラム素子6は枠体60の側壁60bのうちの直線部60dの上面35a、35bに接着剤にて接着されている。
【0032】
半導体レーザ素子1は、光学軸70が枠体60の円弧部60cの中心に一致するように実装されている。また、枠体60は基準面61を有し、基準面61と半導体レーザ素子1の発光点のZ軸方向の距離は所定の距離となるように調整されている。
【0033】
なお、枠体60の円弧部60cは、Y軸に関して非対称である。これは、半導体レーザ素子1を枠体60の中心に配置する必要をなくして、半導体レーザ装置100の小型化を図るためである。Y軸に関して円弧部60cを対称にしてもよいが、そのようにすると、半導体レーザ素子1を枠体60の中心に配置しなければならなくなり、受光素子5と反対側に受光素子5と同程度の大きさの無駄なスペースが生じる。
【0034】
半導体レーザ素子1が発したレーザ光は、ミラー2により90゜方向を変えられ、ホログラム素子6を透過して、半導体レーザ装置100からZ軸方向に出射する。出射したレーザ光は、図3(a)に示すように、コリメートレンズ101により平行光とされ、ミラー102により90゜方向を変えられ、集光レンズ103によって光ディスク121上に集光される。
【0035】
光ディスク121に集光したレーザ光は反射され、往路を逆方向に辿って(集光レンズ103→ミラー102→コリメートレンズ101)、半導体レーザ装置100に戻ってくる。戻ってきたレーザ光は、図2(c)に示すように、ホログラム素子6のホログラムパターン21により回折されて、元の光学軸70に対して傾斜した光学軸71に沿って進み、受光素子5に集光する。受光素子5での受光信号により光ディスクの情報が得られる。
【0036】
また、半導体レーザ素子1からコリメートレンズ101の方向と逆方向に出射するレーザ光は、半導体レーザ素子1の下部に設けられたモニター用ホトダイオードにより受光され、その受光量が一定になるように半導体レーザ素子の出力を制御することにより、光ディスク121で一定の光量を得ることができるようになっている。
【0037】
なお、半導体レーザ装置100は、図3(a)に示すように、光ピックアップ200に対して筐体50の穴51に挿入した状態で、ホログラム素子6のグレーディングパターン20で発生した3ビームが光ディスク121上での所望の位置関係になるように回転調整しておく。その状態で半導体レーザ装置100を筐体50に接着することにより光ピックアップ200が完成する。
【0038】
半導体レーザ装置100の枠体60は樹脂製であるため、高温高湿下では温度上昇や吸湿によって体積膨張が発生する。その体積膨張の影響によって半導体レーザ素子1、ミラー2、受光素子5、およびホログラム素子6の相対位置が変化しないようにするために、本実施形態では以下の構成を採用している。この点について、図4を参照して説明する。
【0039】
図4は、各光学素子1、2、5、6を取り除いた枠体60のみを表す図である。ここで、(a)は上面図。(b)は(a)のA−A線での断面図、(c)はB−B線での断面図、(d)はC−C線での断面図であり、(b)、(c)は図1(c)に示した直交座標系におけるY−Z断面に相当し、(d)はX−Z断面に相当する。
【0040】
(1)受光素子搭載部32と枠体60の側壁60b(60d)は離間しており、両者の間には隙間40が存在する。
(2)ミラー搭載部33と枠体60の側壁60b(60d)は離間しており、両者の間には隙間41が存在する。
(3)ミラー搭載部33と受光素子搭載部32は離間しており、両者の間には隙間42が存在する。
【0041】
このように、受光素子5、ミラー2、ホログラム素子6を搭載するこれらの搭載部32、33、60dを互いに離間させることにより、それらの体積膨張が隙間40、41、42で吸収されて、他の搭載部を変位させることが防止される。
【0042】
(4)枠体60の側壁60b(60d)から離間した受光素子搭載部32は、アイランドプレート30に設けられた貫通孔43を介して、枠体60の底壁60aに結合されている。貫通孔43は、受光素子搭載部32の中央部の下方に設けられている。
(5)枠体60の側壁60b(60d)から離間したミラー搭載部33は、アイランドプレート30に設けられた貫通孔44を介して、枠体60の底壁60aに結合されている。貫通孔44は、ミラー搭載部33の中央部の下方に設けられている。
【0043】
このように、アイランドプレート30に貫通孔43、44を設けて、それらを介して受光素子5とミラー2の搭載部32、33を枠体60の底壁60aに結合することにより、搭載部32、33の強度が確保される。また、搭載部32、33をアイランドプレート30上に配置しながら、アイランドプレート30の外形に制約が生じるのを避けることができて、リードフレームの作製が容易になる。しかも、貫通孔43、44をそれぞれ搭載部32、33の中央部に対応させることにより、温度上昇や吸湿によって搭載部32、33に体積膨張が生じても、その膨張は貫通穴43、44を中心とする放射線状の変位となり、各搭載部32、33の中心の位置にはずれが生じない。
【0044】
上記構成により、各素子搭載部が結合している従来の構成のように変位が発生することがなくなり、安定した性能の半導体レーザ装置が得られる。
【0045】
リードフレーム10の形状の例を図5(a)〜(c)に示す。図5において、(a)、(b)は異なる例の上面透視図、(c)は両例の側面透視図であり、実線はリードフレーム10、破線は枠体60を表す。
【0046】
図5(a)に示すリードフレーム10では、アイランドプレート30は略長方形の単純な形状であり、その両側部は枠体60の側壁60bの直線部60dの下方に達している。アイランドプレート30のうち枠体60の直線部60dの下方に位置する部位には、複数の貫通孔45が設けられており、枠体60の直線部60dは、これらの貫通孔45を介して底壁60a結合されている。
【0047】
このように、アイランドプレート30が単純な形状で、その一部が直線部60dの下方に位置する構成とする場合でも、アイランドプレート30に貫通孔45を設けて、貫通孔45を介して直線部60dと底壁60aを結合することで、ホログラム素子6の搭載部となる直線部60dの強度が確保される。これにより、ホログラム素子6の位置が一定になり、他の光学素子1、2、5との相対位置の変動が防止される。
【0048】
一方、図5(b)に示すリードフレーム10では、アイランドプレート30は、枠体60の直線部60dの内側の形状に略一致した形状であり、直線部60dの下方には達していない。アイランドプレート30と枠体60の直線部60dとの間には隙間46が存在し、直線部60dは底壁60aに直接結合されている。この構成では、アイランドプレート30の形状がやや複雑になるが、ホログラム素子6の搭載部となる枠体60の直線部60dの強度が一層高くなる。
【0049】
図5(a)、(b)のいずれの構成とする場合でも、リードフレーム10のうちアイランドプレート30に接続されていないリードについては、図5(c)に示すように、端部に屈曲部47を設けておく。屈曲部47が枠体60の底壁60aと係合することになり、リードが枠体60から抜けるおそれがない。なお、リードの端部に、下方に向かって突出する突起を設けるだけでもよい。
【0050】
また、図2(a)に示すように、枠体60の底壁60aのうち、半導体レーザ素子1の搭載部(サブマウント)4の下方に位置する部位には、貫通孔48を設けておく。半導体レーザ素子1は駆動により発熱するが、その熱はレーザ素子搭載部4に伝わって、貫通孔48を介して外部に容易に放出される。これにより、半導体レーザ素子1の温度上昇が抑えられて半導体レーザ素子1の熱的ストレスが緩和される。また、温度上昇によるレーザ素子搭載部4の体積膨張も軽減され、半導体レーザ素子1の他の光学素子2、5、6に対する相対位置の変動も抑えられる。
【0051】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザ装置では、高温や高湿の条件下でも、光学素子相互の位置の変動が抑えられて、安定した性能を発揮する。また、本発明の光ピックアップでは、高温や高湿の条件下でも信号読み取りの信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の半導体レーザ装置の構成を模式的に示す図。
【図2】上記半導体レーザ装置の内部構成を模式的に示す図。
【図3】本発明の一実施形態の光ピックアップの構成を模式的に示す図。
【図4】上記半導体レーザ装置の各光学素子搭載部の特徴を模式的に示す図。
【図5】上記半導体レーザ装置のリードフレームの形状例を模式的に示す図。
【図6】従来の半導体レーザ装置の構成を模式的に示す図。
【図7】上記従来の半導体レーザ装置の内部構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
1 半導体レーザ素子
2 反射ミラー
4 サブマウント
5 信号読み取り用受光素子
6 ホログラム素子
10 リードフレーム
20 3ビーム発生用グレーティングパターン
21 ビームスプリット用ホログラムパターン
30 アイランドプレート
32 受光素子搭載部
33 ミラー搭載部
40、41、42 隙間
43、44、45 貫通孔
46 隙間
48 貫通孔
50 筐体
51 取り付け穴
60 枠体
60a 底壁
60b 側壁
60c 側壁円弧部
60d 側壁直線部
61 基準面
100 半導体レーザ装置
101 コリメートレンズ
102 反射ミラー
103 集光レンズ
121 光ディスク
200 光ピックアップ
Claims (10)
- レーザ光を発する半導体レーザ素子と、レーザ光を受ける受光素子と、半導体レーザ素子が発するレーザ光を外部に導き、外部の物体によって反射されたレーザ光を受光素子に導くホログラム素子と、底壁と底壁の縁に沿う側壁とを有し、底壁と側壁が囲む空間内に半導体レーザ素子と受光素子を収容するとともに、側壁の上部にホログラム素子が搭載された樹脂製の枠体と、枠体の外から底壁と側壁が囲む空間内に達して、半導体レーザ素子と受光素子とに電気的に接続されたリードフレームを備える半導体レーザ装置において、
受光素子が受光素子搭載部に搭載され、
受光素子搭載部と枠体の側壁とが離間していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 枠体の底壁と側壁が囲む空間内に収容されて、半導体レーザ素子が発するレーザ光の方向を変えてホログラム素子に導くミラーを備え、
ミラーがミラー搭載部に搭載され、
ミラー搭載部と枠体の側壁とが離間していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - ミラー搭載部と受光素子搭載部とが離間していることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。
- リードフレームが、受光素子搭載部と枠体の底壁との間に位置する部位を有するとともに、その部位に貫通孔を有し、
受光素子搭載部がリードフレームの貫通孔を介して枠体の底壁に結合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - リードフレームが、ミラー搭載部と枠体の底壁との間に位置する部位を有するとともに、その部位に貫通孔を有し、
ミラー搭載部がリードフレームの貫通孔を介して枠体の底壁に結合されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。 - リードフレームが、枠体の側壁のうちホログラム素子が搭載されている部位と底壁との間に位置する部位を有するとともに、その部位に貫通孔を有し、
枠体の側壁のうちホログラム素子が搭載されている部位がリードフレームの貫通孔を介して枠体の底壁に結合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - リードフレームが、枠体の側壁のうちホログラム素子が搭載されている部位と底壁との間に位置しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- リードフレームが、枠体の底壁に対して略垂直な突起を有して、突起によって底壁と係合していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 半導体レーザ素子がレーザ素子搭載部に搭載され、
枠体の底壁のうちレーザ素子搭載部の下方に位置する部位が、貫通孔を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - レーザ光を発して光記憶媒体に導き、光記憶媒体によって反射されたレーザ光を受けて、光記憶媒体に記録されている情報を読み取る光ピックアップであって、
請求項1に記載の半導体レーザ装置を備えることを特徴とする光ピックアップ。
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