JP4199080B2 - 半導体レーザ装置及びそれを用いたピックアップ - Google Patents
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Description
図において、71は支持部材としてのステム、72は半導体レーザ素子、73は信号検出用受光素子、74はキャップである。77は光学素子としてのホログラム素子であり、75、76の回折格子パターンを有している。
なお、この図ではステム71上に搭載された各素子の電極(端子)と外部接続用リード78(ステム71とは絶縁するようにして取り付けられている)とを電気的に接続するワイヤは、図示を省略している。
基台部81の上面には、水平な平面部や水平に対して45度の角度をなす平面部が形成されており、これらの平面部が受光素子87、半導体レーザ素子85、反射ミラー86などの搭載面となる。枠部91は、基台部81と長手方向を共通にした略方形をしており、基台部81よりやや小さめに形成されている。また、枠部91のうちで長手方向(左右方向)側の外側面部分には円弧部91a、91bが形成されている。
それにもかかわらず、半導体レーザ装置のパッケージ外形の中心にレーザビームの垂直光路を持って来る構造では、垂直光路に対してパッケージを左右対称にするために生じる部品の非搭載領域の占有率が大きくなり、パッケージ面積が大きくなってしまう。
そのため、パッケージ面積をできるだけ小さくするようにした上で必要な素子を配置し、しかも、ワイヤ配線するために必要な空間を確保する必要がある。
ここで、受光素子の搭載されている側の円弧状外面の曲率が反対側の円弧状外面の曲率よりも大きいことが、より好ましい。
1a:右側面(円弧形状面)
1b:左側面(円弧形状面)
2:半導体レーザ素子
3:受光素子
4:リード
5:ワイヤ
6:反射体
11:絶縁性枠体(支持部材)
11a:第1突起部(円弧状外面)
11b:第1突起部(円弧状外面)
12:リード電極
15:半導体レーザ素子
16:反射体
17:受光素子
18:ワイヤ
19:ホログラム素子
22:基台部
50:ピックアップハウジング
52:取付孔
100:半導体レーザ装置
104:光ディスク
Claims (3)
- 半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子から出射され外部の光ディスク面により反射されて再入射するレーザビームを検出する受光素子とを含む素子群を搭載するための素子搭載領域が支持部材の上面に形成されるとともに、支持部材の左右端部に少なくとも一対の側面が形成された半導体レーザ装置であって、
半導体レーザ素子から光ディスク面に至るレーザビームの光路に、上面に対して略垂直な方向に進む垂直光路を含み、
支持部材の左右側面に、または支持部材の左右端部近傍に形成される突起の側面に、円弧状の内面を有する取付孔に嵌挿するための一対の円弧状外面が形成され、
一対の円弧状外面の各曲面は垂直光路またはその延長線が中心軸となり、かつ、各曲面の曲率半径が互いに異なるように形成されているとともに、
支持部材には、円弧状外面が形成されている左右方向とは直角方向である前後方向の端部にさらに前後側面が形成され、これらの前後側面のいずれか片側に偏った位置に垂直光路が来ることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 素子搭載領域には反射体がさらに搭載され、半導体レーザ素子から支持部材の上面に対して平行にレーザビームが出射されるとともにレーザビームが反射体により反射されて垂直光路となるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 円弧状内面を有する取付孔がピックアップハウジングに形成され、この取付孔に請求項1または2に記載の半導体レーザ装置の円弧状外面が嵌挿状に取り付けられたことを特徴とするピックアップ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003321541A JP4199080B2 (ja) | 2002-09-30 | 2003-09-12 | 半導体レーザ装置及びそれを用いたピックアップ |
CNB031248810A CN1248207C (zh) | 2002-09-30 | 2003-09-29 | 半导体激光装置和使用它的光拾取器 |
TW092127036A TWI229483B (en) | 2002-09-30 | 2003-09-30 | Semiconductor laser device and optical pickup using the same |
US10/677,030 US6983002B2 (en) | 2002-09-30 | 2003-09-30 | Semiconductor laser device and optical pickup using the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002286806 | 2002-09-30 | ||
JP2003321541A JP4199080B2 (ja) | 2002-09-30 | 2003-09-12 | 半導体レーザ装置及びそれを用いたピックアップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004146803A JP2004146803A (ja) | 2004-05-20 |
JP4199080B2 true JP4199080B2 (ja) | 2008-12-17 |
Family
ID=32044656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003321541A Expired - Fee Related JP4199080B2 (ja) | 2002-09-30 | 2003-09-12 | 半導体レーザ装置及びそれを用いたピックアップ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6983002B2 (ja) |
JP (1) | JP4199080B2 (ja) |
CN (1) | CN1248207C (ja) |
TW (1) | TWI229483B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113834784B (zh) * | 2021-09-18 | 2024-06-18 | 王红珍 | 一种检测宽禁带半导体电子器件的装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3035077B2 (ja) | 1992-06-22 | 2000-04-17 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ用パッケージ |
JP2000196176A (ja) | 1992-10-22 | 2000-07-14 | Matsushita Electronics Industry Corp | パッケ―ジ |
JPH06203403A (ja) | 1992-10-22 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
JP3412609B2 (ja) | 1992-10-22 | 2003-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
EP1089406A4 (en) * | 1999-04-20 | 2005-11-02 | Furukawa Electric Co Ltd | LASER MODULE WITH SEMICONDUCTOR |
-
2003
- 2003-09-12 JP JP2003321541A patent/JP4199080B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-29 CN CNB031248810A patent/CN1248207C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 US US10/677,030 patent/US6983002B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 TW TW092127036A patent/TWI229483B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6983002B2 (en) | 2006-01-03 |
CN1248207C (zh) | 2006-03-29 |
TWI229483B (en) | 2005-03-11 |
JP2004146803A (ja) | 2004-05-20 |
CN1497551A (zh) | 2004-05-19 |
US20040066813A1 (en) | 2004-04-08 |
TW200409425A (en) | 2004-06-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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