JP2004195629A - 研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】研磨面を有する研磨テーブル1と、被研磨基板Wを保持するトップリング4を具備し、該トップリング4で保持した被研磨基板Wを研磨テーブル1の研磨面に押し当て研磨する研磨装置において、トップリング4の近傍の1ヶ所又は複数箇所にセンサと研磨テーブル表面との間の静電容量の変化により被研磨基板Wの離脱を検出する静電容量式センサ、センサと研磨テーブル表面間の電気抵抗の変化により被研磨基板Wの離脱を検出する渦電流式センサのいずれか又は2つを組み合わせたセンサ8、9、10を設けた。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハ等の被研磨物を研磨する研磨装置に関し、特に研磨中に被研磨物の被研磨物保持機構からの離脱・飛び出しを検知する機能を有する研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの微細化と高集積化が進み、回路の配線間距離が狭くなりつつある。特に0.5μm以下の光リソグラフィの場合は、焦点深度が浅くなるため露光装置の結像面の平坦度を必要とする。この平坦度を実現するために研磨装置による研磨が広く採用されている。
【0003】
この種の研磨装置として、各々独立した回転数で回転する上面に研磨布を貼ったターンテーブルとトップリング本体とを有し、ターンテーブルの研磨面にトップリング本体に保持した被研磨基板を押圧し、該研磨面に砥液を供給しつつ該被研磨基板の表面を平坦且つ鏡面に研磨する研磨装置がある。そして研磨終了後は被研磨基板をトップリング本体から離脱させ、被研磨基板を次の処理、例えば洗浄処理に移している。
【0004】
上記のような研磨装置において、研磨中に被研磨基板が割れてしまい、研磨布上に破片が散らばることがあった。このように被研磨基板の破片の散らばった研磨布を再使用した場合に、被研磨基板の表面に傷を与えてしまうので、割れる毎に研磨布を交換しなければならなかった。また、被研磨基板が割れなくとも、該被研磨基板がトップリング本体から飛び出してしまうことがあった。このとき、飛び出した被研磨基板が半導体シリコンウエハ等の脆性材料で構成されている場合、ターンテーブルを覆うケーシングの壁面等に衝突して被研磨基板の外周部にチッピング等の破損を生じる場合がある。この破損した被研磨基板を再度研磨するときには、前記破損箇所の付近に軽く力が加わっただけでも、容易に割れ易くなる。
【0005】
上記問題に対処するため特許文献1では、トップリングの外側に設置され、ターンテーブル表面までの距離を測定する超音波式センサを設け、該超音波式センサによるターンテーブル表面までの測定距離がターンテーブル表面上に被研磨基板が介在することで変化したときに、これを研磨異常又は被研磨基板の飛び出しと検出している。また、トップリングに保持された被研磨基板の両側を挟むように電極板を設置してなるコンデンサー又はトップリングの外部に飛び出した被研磨基板を挟む位置に電極板を設置してなるコンデンサーを設け、該コンデンサーに一定電圧を印加し該コンデンサーから流れる電流により、研磨異常又は被研磨基板の飛び出しと検出している。また、トップリングの下面又はその周囲でターンテーブルに接触子を接触させこの接触子とターンテーブル表面間に電流を流し、該電流の変化により研磨異常又は被研磨基板の飛び出しと検出している。
【0006】
しかしながら上記何れの研磨異常又は被研磨基板の飛び出し検出方法も、ノイズ等の影響を受け易く誤検知が多く、信頼性が得られないという問題がある。また、信号処理してこの処理した信号から研磨異常又は被研磨基板が飛び出しか否かを判断し、検出するのに時間がかかり、トップリングやターンテーブル等の停止等の適切処置をとる間に被研磨基板が例えばターンテーブルを囲むケーシングの壁面に衝突してしまうという問題があった。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−96455号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、被研磨物保持機構からの被研磨物の離脱を短時間に検出し、速やかに適切な処置をとることができる研磨装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項1に記載の発明は、研磨面を有する研磨テーブルと、被研磨物を保持する被研磨物保持機構を具備し、該被研磨物保持機構で保持した被研磨物を研磨テーブルの研磨面に押し当て、該被研磨物保持機構で保持された被研磨物と研磨テーブルの研磨面の相対的運動により、被研磨物を研磨する研磨装置において、被研磨物保持機構の被研磨物保持部近傍の1ヶ所又は複数箇所にセンサと研磨テーブル表面との間の静電容量の変化により被研磨物の離脱を検出する静電容量式センサ、センサと研磨テーブル表面間の電気抵抗の変化により被研磨物の離脱を検出する渦電流式センサのいずれか又は2つを組み合わせたセンサを設けたことを特徴とする。
【0010】
上記のように被研磨物保持部近傍の1ヶ所又は複数箇所にセンサと研磨テーブル表面間の静電容量の変化により被研磨物の離脱を検出する静電容量式センサ、センサと研磨テーブル表面間の電気抵抗の変化により被研磨物の離脱を検出する渦電流式センサのいずれか又は2つを組み合わせたセンサを設けたことにより、後に詳述するように、被研磨物の被研磨物保持機構からの離脱・飛び出しを速やかに(短時間で)検出できる。
【0011】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の研磨装置において、静電容量式センサ及び/又は渦電流式センサを被研磨物保持機構を支持し揺動する揺動アームに取り付けたことを特徴とする。
【0012】
上記のように静電容量式センサ及び/又は渦電流式センサを揺動アームに取り付けたことにより、被研磨物保持機構の揺動中でも被研磨物の離脱を速やかに検出できる。
【0013】
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の研磨装置において、静電容量式センサ及び渦電流式センサは略円弧状の1個又は複数個のセンサ電極を具備し、該センサ電極を被研磨物保持機構の被研磨物保持部近傍の周辺に配置したことを特徴とする。
【0014】
上記のように被研磨物保持機構の被研磨物保持部近傍の周辺に略円弧状の1個又は複数個のセンサ電極を具備する静電容量式センサ又は渦電流センサを設けることにより、被研磨物の広範囲からの離脱を速やかに検知できる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例を図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る研磨装置の概略構成例を示す図で、図1(a)はトップリングと研磨テーブルの配置を示す平面図、図1(b)は研磨装置の側面図である。図において、1は研磨テーブル(ターンテーブル)であり、該研磨テーブル1の上面には研磨布(研磨パッド)2が貼り付けられ、回転軸3に支持され矢印A方向に回転するようになっている。4は下面に半導体ウエハ等の被研磨基板Wを保持するトップリング(被研磨物保持機構)であり、該トップリング4はトップリング回転軸5の下端に枢着され、該トップリング回転軸5はトップリング揺動アーム6に矢印B方向に回転自在に支持されている。また、トップリング4はトップリング回転軸5と共に、図示しない昇降手段により、研磨テーブル1の研磨面、即ち研磨布2に対して下降して被研磨基板Wを所定の圧力で加圧、及び上昇して離間できるように構成されている。
【0016】
上記トップリング揺動アーム6は揺動軸7に固定され、該揺動軸7により矢印C方向に揺動(旋回)できるようになっている。8、9、10はトップリング4の被研磨基板保持部の周辺に設けた被研磨基板Wの離脱・飛び出しを検出するためのセンサであり、該センサ8、9、10はそれぞれトップリング揺動アーム6に取り付けられている。11は研磨テーブル1の研磨布2の上面にスラリー等の砥液12を供給するための砥液供給ノズルである。
【0017】
上記構成の研磨装置において、回転している研磨テーブル1の研磨布2の上面(研磨面)にトップリング回転軸5を中心に回転するトップリング4の下端面に保持された被研磨基板Wを押し当て、砥液供給ノズル11から砥液12を供給しながら、被研磨基板Wを研磨する。この研磨中に被研磨基板Wがトップリング4から離脱・飛び出すと、センサ8、9、10のいずれかの下端と研磨布2の表面の間に侵入するから、センサ8、9、10のいずれかはそれを検出する。
【0018】
なお、ここではトップリング4の被研磨基板保持部の周辺の3箇所にそれぞれ被研磨基板Wを検出するためのセンサ8、9、10を設けているから、離脱・飛び出した被研磨基板Wがどの方向に飛び出してもそれをセンサ8、9、10の何れかで検出できるが、被研磨基板Wが離脱して飛び出す方向は例えば研磨テーブルの回転方向から見てトップリングより下流方向などの様に略決まっているから、その方向の周辺の1ヶ所個又は数個所にそれぞれセンサを設けてもよい。
【0019】
上記センサ8、9、10としては、静電容量式センサ、渦電流式センサ、該静電容量式センサと渦電流式センサを組み合わせたセンサを用いる。図2は静電容量式センサを説明するための図であり、図2(a)は被研磨基板Wがトップリング4の下面に正常に保持されて研磨されている状態を、図2(b)は被研磨基板Wがトップリング4の下面から離脱・飛び出した状態をそれぞれ示す。図2(a)に示すように、被研磨基板Wがトップリング4の下面に正常に保持されている状態では、センサ8下面と研磨布2表面の間のギャップG1と研磨布2の厚みG2で形成される容量を測定し、その値を基準値Crとする。また、被研磨基板Wが図2(b)に示すようにトップリング4の下面から離脱・飛び出してセンサ8下面と研磨布2表面間のギャップG1に侵入したときのセンサ8下面と研磨布2表面間のギャップG1と研磨布2の厚みG2で形成される合成容量をCcとすると、センサ8下面と研磨テーブル1上面の静電容量の変化ΔCはΔC=Cc―Crとして求められ、被研磨基板Wの離脱・飛び出しを速やかに(短時間に)検出できる。
【0020】
図3は静電容量式センサを用いた静電容量測定系の概略構成を示す図である。
ここでセンサ8の対応する面積をA、センサ8下面と研磨テーブル1上面の間隙をG1+G2、センサ8下面と研磨テーブル1上面の間に存在する物質の誘電率をεとすると、センサ8下面と研磨テーブル1上面の間隙G1+G2、センサ8下面と研磨テーブル1の間の静電容量は、
C=(A×ε)/(G1+G2)
となる。即ち、センサ8下面と研磨テーブル1の間に空気とは誘電率εの異なる被研磨基板Wが介在することにより上記静電容量Cが変化するから、制御部13でこの静電容量Cの変化を検出することにより、被研磨基板Wの離脱を検出できる。
【0021】
図4は静電容量式のセンサ8を用いて静電容量の変化を検知するための回路構成例を示す図である。検出部20は、発振器(水晶発振器等)21、抵抗器22、増幅器23、整流平滑器24、A/D変換器25及び容量値変換器26を具備する構成である。発振器21からの発振信号(高周波信号)をセンサ8に供給し、研磨テーブル1からの信号を増幅器23で増幅し、整流平滑器24で直流信号に変換し、A/D変換器25でデジタル信号に変換し、容量値変換器26で静電容量値に対応する出力電圧Vcに変換する。センサ8下面と研磨テーブル1の間の静電容量Cが変化するとセンサ8から研磨テーブル1に流れる信号電流が変化し、出力電圧Vcも変化するから、この出力電圧の変化より、被研磨基板Wのトップリング4からの離脱・飛出しが検出できる。
【0022】
図5は渦電流式センサを説明するための図であり、図5(a)は被研磨基板Wがトップリング4の下面に正常に保持されて研磨されている状態を、図5(b)は被研磨基板Wがトップリング4の下面から離脱した状態をそれぞれ示す。図5(a)に示すように、被研磨基板Wがトップリング4の下面に正常に保持されている状態で、センサ8の電気抵抗(センサ下面と研磨テーブル間の電気抵抗)を測定し、その測定値を基準値Rrとする。また、被研磨基板Wが図5(b)に示すようにトップリング4の下面から離脱し、離脱してセンサ8下面と研磨布2表面の間に侵入したときのセンサ8の電気抵抗を測定しその値をRsとする。この測定値Rsと上記基準値Rrとを比較し、その差ΔR=Rr−Rsを捉えることにより、被研磨基板Wの離脱を速やかに検知することができる。
【0023】
図6は渦電流式のセンサ8を用いてセンサ8下面と研磨テーブル表面との間の抵抗値を検出するための回路構成例を示す図である。センサ8のセンサコイル41は空芯渦巻状コイルであり、センサコイル41は被研磨基板Wの近傍に配置される。センサコイル41の両端で検出される電圧は、バンドパスフィルタ43を通り、cos同期検波器45及びsin同期検波器46からなる同期検波部により検出信号のcos成分とsin成分とが取出される。発振部42からの発振信号は、位相シフト回路44により信号源の同相成分(0°)と直交成分(90°)の2つの信号が形成され、それぞれcos同期検波器45とsin同期検波器46に入力され、上記同期検波が行われる。
【0024】
同期検波された信号は、ローパスフィルタ47、48により、信号成分以上の不要な高周波成分が除去され、cos同期検波出力である抵抗成分(R)出力と、sin同期検波出力であるリアクタンス成分(X)出力とがそれぞれ取出される。センサ8下面と研磨テーブル1表面の間に被研磨基板Wが侵入するとこの抵抗成分(R)出力とリアクタンス成分(X)出力が変化するから、被研磨基板Wのトップリング4からの離脱・飛出しが検出できる。
【0025】
従来の渦電流センサでは被研磨基板Wが絶縁物、例えばシリコンウエハであった場合、その有無を検出できなかった。これに対して、ここでは渦電流式のセンサ8の電気抵抗(センサ下面と研磨テーブル1の間の電気抵抗)を測定して、その変化より、被研磨基板の飛び出しを検知するのであるから、短時間(1msec以内)で被研磨基板Wの離脱・飛び出しを検知でき、トップリング4及び/又は研磨テーブル1の回転を停止、及び又はトップリングを上昇させて被研磨基板Wを研磨面から離間させる等の処置が可能となる。
【0026】
上記例ではトップリング4の周囲の複数ヶ所(図1では3ヶ所)に静電容量式又は渦電流式のセンサ8、9、10を配置する例を示したが、センサの電極17を図7に示すように円弧状とし、該電極17をトップリング4の周囲に配置する構成としてもよい。これにより、複数個の静電容量式又は渦電流式のセンサを用いなくとも被研磨基板Wが何処から飛び出ても速やかに検出できる。
【0027】
従来の電流センサ等によるシリコンウエハ等の被研磨基板の異常検出信号においては信号の平均化、移動平均処理を施さないと信号の安定性、再現性が良くなかった。これらの信号の平均化、移動平均処理を行うと時間遅れが最大3.6sec程度の時間遅れが発生し、異常を検知したときには既に遅く、被研磨基板Wがトップリング4から飛出してしまう。センサ8に渦電流式センサを用いた場合は、上記のように抵抗成分(R)出力とリアクタンス成分(X)出力のどちらの信号が通常レベルより大きくなったことを検出することで、被検出基板Wのトップリング4からの離脱・飛出しを検知することが可能となる。この時の検知時間は10msec以内となる。
【0028】
なお、上記実施例では研磨テーブルとしてターンテーブルを例に説明したが、研磨テーブルはこれに限定されるものではなく、図8に示すようにベルト状の研磨パッド16を従動ローラ14、駆動ローラ15に懸架し、該駆動ローラ15の回転により研磨パッド16が移動するように構成した研磨テーブルでもよい。また、研磨テーブルは自転せずに微小半径で公転するスクロール(並進循環)運動するテーブルや、自転・公転の各々の回転数を独立して制御して制御可能な自転公転テーブルでもよい。
【0029】
なお、上記実施形態例では、センサに静電容量式センサ又は渦電流式センサ或いはその組み合わたセンサを例に説明したが、センサに静電容量式センサ又は渦電流式センサに、例えば超音波式センサを組み合わせてもよく、さらにはこれら全部を組み合わせたセンサを用いてもよいことは当然である。
【0030】
上記実施例では、研磨面として研磨パッドを用いたが、砥粒をバインダーで固めた固定砥粒(砥石又はパッド)でもよい。この場合、研磨液として水(純水)や砥粒の自生量や研磨レートを調節して研磨面に供給するために界面活性剤等の薬液を用いてもよい。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように本各請求項に記載の発明によれば、下記のような優れた効果が得られる。
【0032】
請求項1に記載の発明によれば、被研磨物保持部近傍の1ヶ所又は複数箇所にセンサと研磨テーブル表面との間の静電容量の変化により被研磨物の離脱を検出する静電容量式センサ、センサと研磨テーブル表面間の電気抵抗の変化により被研磨物の離脱を検出する渦電流式センサのいずれか又は2つを組み合わせたセンサを設けたことにより、被研磨物の被研磨物保持機構からの離脱・飛び出しを速やかに(短時間で)検出できる。
【0033】
請求項2に記載の発明によれば、静電容量式センサ及び/又は渦電流式センサを揺動アームに取り付けたことにより、被研磨物保持機構の揺動中でも被研磨物の離脱を速やかに検出できる。
【0034】
請求項3に記載の発明によれば、被研磨物保持機構の被研磨物保持部近傍の周辺に略円弧状の1個又は複数個のセンサ電極を具備する静電容量式センサ又は渦電流センサを設けることにより、被研磨物の広範囲からの離脱を速やかに検知できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る研磨装置の概略構成例を示す図で、図1(a)はトップリングと研磨テーブルの配置を示す平面図、図1(b)は研磨装置の側面図である。
【図2】本発明に係る研磨装置の静電容量式センサを説明するための図で、図2(a)は被研磨基板がトップリングの下面に正常に保持されて研磨されている状態を、図2(b)は被研磨基板がトップリングの下面から離脱・飛び出した状態を示す図である。
【図3】本発明に係る研磨装置の静電容量測定系の概略構成を示す図である。
【図4】静電容量式のセンサを用いて静電容量の変化を検知するための回路構成例を示す図である。
【図5】本発明に係る研磨装置の渦電流式センサを説明するための図で、図5(a)は被研磨基板がトップリングの下面に正常に保持されて研磨されている状態を、図5(b)は被研磨基板がトップリングの下面から離脱・飛び出した状態を示す図である。
【図6】渦電流式のセンサ8を用いてセンサ下面と研磨テーブル表面との間の抵抗値を検出するための回路構成例を示す図である。
【図7】本発明に係る研磨装置のセンサ電極の配置構成を示す図である。
【図8】本発明に係る研磨装置の概略構成例を示す図である。
【符号の説明】
1 研磨テーブル
2 研磨布
3 回転軸
4 トップリング
5 トップリング回転軸
6 トップリング揺動アーム
7 揺動軸
8 センサ
9 センサ
10 センサ
11 砥液供給ノズル
12 砥液
13 制御部
14 従動ローラ
15 駆動ローラ
16 研磨パッド
17 電極
20 検出部
21 発振器
22 抵抗器
23 増幅器
24 整流平滑器
25 A/D変換器
26 容量値変換器
41 センサコイル
42 発振部
43 バンドパスフィルタ
44 位相シフト回路
45 cos同期検波器
46 sin同期検波器
47 ローパスフィルタ
48 ローパスフィルタ
Claims (3)
- 研磨面を有する研磨テーブルと、被研磨物を保持する被研磨物保持機構を具備し、該被研磨物保持機構で保持した被研磨物を前記研磨テーブルの研磨面に押し当て、該被研磨物保持機構で保持された被研磨物と前記研磨テーブルの研磨面の相対的運動により、被研磨物を研磨する研磨装置において、
前記被研磨物保持機構の被研磨物保持部近傍の1ヶ所又は複数箇所にセンサと前記研磨テーブル表面との間の静電容量の変化により被研磨物の離脱を検出する静電容量式センサ、センサと研磨テーブル表面間の電気抵抗の変化により被研磨物の離脱を検出する渦電流式センサのいずれか又は2つを組み合わせたセンサを設けたことを特徴とする研磨装置。 - 請求項1に記載の研磨装置において、
前記静電容量式センサ及び/又は渦電流式センサを前記被研磨物保持機構を支持し揺動する揺動アームに取り付けたことを特徴とする研磨装置。 - 請求項1又は2に記載の研磨装置において、
前記静電容量式センサ及び渦電流式センサは略円弧状の1個又は複数個のセンサ電極を具備し、該センサ電極を前記被研磨物保持機構の被研磨物保持部近傍の周辺に配置したことを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002370858A JP2004195629A (ja) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | 研磨装置 |
US10/739,134 US7258595B2 (en) | 2002-12-20 | 2003-12-19 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002370858A JP2004195629A (ja) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | 研磨装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008017612A Division JP2008142892A (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004195629A true JP2004195629A (ja) | 2004-07-15 |
Family
ID=32766654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002370858A Pending JP2004195629A (ja) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | 研磨装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7258595B2 (ja) |
JP (1) | JP2004195629A (ja) |
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CN110948379B (zh) * | 2019-10-24 | 2020-10-20 | 清华大学 | 一种化学机械抛光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040166773A1 (en) | 2004-08-26 |
US7258595B2 (en) | 2007-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050708 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080228 |