JPH0740240A - セラミック板研削方法及び装置 - Google Patents
セラミック板研削方法及び装置Info
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- JPH0740240A JPH0740240A JP20704893A JP20704893A JPH0740240A JP H0740240 A JPH0740240 A JP H0740240A JP 20704893 A JP20704893 A JP 20704893A JP 20704893 A JP20704893 A JP 20704893A JP H0740240 A JPH0740240 A JP H0740240A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック板を安定した高度の厚み精度で自
動的に研削する。 【構成】 研削盤１を用いてセラミック板３を研削する
と共に、セラミック板３の静電容量を厚み検出／制御装
置２によって検出し、検出された静電容量に基づいて、
セラミック板３が必要な厚みとなるように、研削盤１の
動作を制御する。
動的に研削する。 【構成】 研削盤１を用いてセラミック板３を研削する
と共に、セラミック板３の静電容量を厚み検出／制御装
置２によって検出し、検出された静電容量に基づいて、
セラミック板３が必要な厚みとなるように、研削盤１の
動作を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電特性を有するセラ
ミック板研削方法及びセラミック板研削装置に関する。
ミック板研削方法及びセラミック板研削装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電特性を有するセラミック板を用いた
各種電子部品において、セラミック板の厚みを所定の厚
みに設定することは、電子部品として要求される電気的
特性を満たすために極めて重要な事項である。セラミッ
ク板の厚み制御は、通常、セラミック板を研削すること
によって行われる。従来より広く採用されている一般的
な研削方法は、ダイヤモンド砥石を有する研削盤を用い
てセラミック板を研削する方法である。この研削方法
は、回転吸着テーブルの吸着面にセラミック板を吸着
し、吸着テーブルを回転させながら、回転砥石を接近さ
せ、研削液を加えながらセラミック板を研削する。所定
量の研削後、砥石又は吸着テーブルを後退させてセラミ
ック板の片面研削を終了する。次に、セラミック板を反
転させて他面側を同様に研削し、所定の厚み寸法に仕上
げる。厚み寸法の制御は、研削盤に研削停止位置をプロ
グラムしておき、このプログラムに従って実行するのが
主流である。
各種電子部品において、セラミック板の厚みを所定の厚
みに設定することは、電子部品として要求される電気的
特性を満たすために極めて重要な事項である。セラミッ
ク板の厚み制御は、通常、セラミック板を研削すること
によって行われる。従来より広く採用されている一般的
な研削方法は、ダイヤモンド砥石を有する研削盤を用い
てセラミック板を研削する方法である。この研削方法
は、回転吸着テーブルの吸着面にセラミック板を吸着
し、吸着テーブルを回転させながら、回転砥石を接近さ
せ、研削液を加えながらセラミック板を研削する。所定
量の研削後、砥石又は吸着テーブルを後退させてセラミ
ック板の片面研削を終了する。次に、セラミック板を反
転させて他面側を同様に研削し、所定の厚み寸法に仕上
げる。厚み寸法の制御は、研削盤に研削停止位置をプロ
グラムしておき、このプログラムに従って実行するのが
主流である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術では、砥石の摩耗、研削盤の停止位置繰り返
し精度、環境温度の影響等が、研削盤の研削停止位置の
制御条件として入ってくるため、セラミック板を安定し
た厚み精度で研削することが極めて難しかった。
た従来技術では、砥石の摩耗、研削盤の停止位置繰り返
し精度、環境温度の影響等が、研削盤の研削停止位置の
制御条件として入ってくるため、セラミック板を安定し
た厚み精度で研削することが極めて難しかった。
【０００４】本発明の課題は、セラミック板を安定した
厚み精度で研削し得るセラミック板研削方法及び装置を
提供することである。
厚み精度で研削し得るセラミック板研削方法及び装置を
提供することである。
【０００５】本発明のもう一つの課題は、セラミック板
を高度の厚み精度で研削し得るセラミック板研削方法及
び装置を提供することである。
を高度の厚み精度で研削し得るセラミック板研削方法及
び装置を提供することである。
【０００６】本発明のもう一つの課題は、自動研削加工
の可能なセラミック板研削方法及び装置を提供すること
である。
の可能なセラミック板研削方法及び装置を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、誘電特性を有するセラミック板を研削す
る研削方法であって、研削盤を用いて前記セラミック板
を研削すると共に、前記セラミック板の静電容量を厚み
検出／制御装置によって検出し、検出された静電容量に
基づいて、前記セラミック板が必要な厚みとなるよう
に、前記研削盤の動作を制御する。
め、本発明は、誘電特性を有するセラミック板を研削す
る研削方法であって、研削盤を用いて前記セラミック板
を研削すると共に、前記セラミック板の静電容量を厚み
検出／制御装置によって検出し、検出された静電容量に
基づいて、前記セラミック板が必要な厚みとなるよう
に、前記研削盤の動作を制御する。
【０００８】上述のセラミック板研削方法を実施するた
めの本発明に係るセラミック板研削装置は、研削盤と、
厚み検出／制御装置とを含み、誘電特性を有するセラミ
ック板を研削するセラミック板研削装置であって、前記
研削盤は、前記セラミック板を研削するものであり、前
記厚み検出／制御装置は、前記セラミック板の静電容量
を検出し、検出された静電容量に基づいて、前記セラミ
ック板が必要な厚みとなるように、前記研削盤の研削動
作を制御する
めの本発明に係るセラミック板研削装置は、研削盤と、
厚み検出／制御装置とを含み、誘電特性を有するセラミ
ック板を研削するセラミック板研削装置であって、前記
研削盤は、前記セラミック板を研削するものであり、前
記厚み検出／制御装置は、前記セラミック板の静電容量
を検出し、検出された静電容量に基づいて、前記セラミ
ック板が必要な厚みとなるように、前記研削盤の研削動
作を制御する
【０００９】
【作用】研削盤を用いてセラミック板を研削すると共
に、セラミック板の静電容量を厚み検出／制御装置によ
って検出し、検出された静電容量に基づいて、セラミッ
ク板が必要な厚みとなるように、研削盤の研削動作を制
御するから、研削停止位置の制御条件はセラミック板の
静電容量によって与えられることになる。静電容量はセ
ラミック板の厚みに依存し、砥石の摩耗、研削盤の停止
位置繰り返し精度、環境温度の影響を殆ど受けない。こ
のため、安定した厚み精度を得ることができる。
に、セラミック板の静電容量を厚み検出／制御装置によ
って検出し、検出された静電容量に基づいて、セラミッ
ク板が必要な厚みとなるように、研削盤の研削動作を制
御するから、研削停止位置の制御条件はセラミック板の
静電容量によって与えられることになる。静電容量はセ
ラミック板の厚みに依存し、砥石の摩耗、研削盤の停止
位置繰り返し精度、環境温度の影響を殆ど受けない。こ
のため、安定した厚み精度を得ることができる。
【００１０】好ましくは、厚み検出／制御装置は静電容
量の変化を周波数の変化として検出し、検出された周波
数と基準周波数との相対関係から、研削盤制御信号を出
力する。これにより、セラミック板の厚みを周波数信号
に基づいて高精度で検出し、セラミック板を高度の厚み
精度で研削し得る。更に好ましくは、厚み検出／制御装
置は、検出された周波数の変化率から制御信号を出力す
るタイミングを定める。これにより、セラミック板の過
剰研削を回避し、一層高精度で研削することができる。
量の変化を周波数の変化として検出し、検出された周波
数と基準周波数との相対関係から、研削盤制御信号を出
力する。これにより、セラミック板の厚みを周波数信号
に基づいて高精度で検出し、セラミック板を高度の厚み
精度で研削し得る。更に好ましくは、厚み検出／制御装
置は、検出された周波数の変化率から制御信号を出力す
るタイミングを定める。これにより、セラミック板の過
剰研削を回避し、一層高精度で研削することができる。
【００１１】研削盤の好ましい例は、テーブルと、研削
具とを有し、テーブルがセラミック板を支持し、研削具
がテーブルの上でセラミック板を研削するように駆動さ
れるタイプである。厚み検出／制御装置は、上記構成の
研削盤を構成する研削具を駆動する駆動装置に制御信号
を供給する。この場合の利点は、セラミック板の過剰研
削を回避し、高精度で研削することができることであ
る。
具とを有し、テーブルがセラミック板を支持し、研削具
がテーブルの上でセラミック板を研削するように駆動さ
れるタイプである。厚み検出／制御装置は、上記構成の
研削盤を構成する研削具を駆動する駆動装置に制御信号
を供給する。この場合の利点は、セラミック板の過剰研
削を回避し、高精度で研削することができることであ
る。
【００１２】上記の構成に加えて、テーブルの搭載面が
セラミック板を吸着する吸着面を構成していることも有
効である。吸着は真空吸着が望ましい。このようなテー
ブルを用いると、テーブルに対するセラミック板の装着
及び取り外し作業が極めて簡単になり、自動研削加工を
可能にする。
セラミック板を吸着する吸着面を構成していることも有
効である。吸着は真空吸着が望ましい。このようなテー
ブルを用いると、テーブルに対するセラミック板の装着
及び取り外し作業が極めて簡単になり、自動研削加工を
可能にする。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係るセラミック板研削装置の
構成を示す図、図２は 本発明に係るセラミック板研削
装置を部分的に拡大して示す部分破断面図、図３は本発
明に係るセラミック板研削装置のテーブルと研削具との
関係を示す平面図、図４は本発明に係るセラミック板研
削装置のプローブ部分を拡大して示す図である。
構成を示す図、図２は 本発明に係るセラミック板研削
装置を部分的に拡大して示す部分破断面図、図３は本発
明に係るセラミック板研削装置のテーブルと研削具との
関係を示す平面図、図４は本発明に係るセラミック板研
削装置のプローブ部分を拡大して示す図である。
【００１４】図１〜図４を参照すると、本発明に係るセ
ラミック板研削装置は、研削盤１及び厚み検出／制御装
置２を含んでいる。参照符号３は誘電特性を有するセラ
ミック板である。研削盤１はセラミック板３を研削す
る。厚み検出／制御装置２は、セラミック板３の静電容
量Ｃｖ（図４参照）を検出し、検出された静電容量Ｃｖ
に基づいて、セラミック板３が必要な厚みとなるよう
に、研削盤１の研削動作を制御する。セラミック板３
は、誘電特性が厚みによって変化するものであればよ
い。具体的には、回路基板用セラミック基板、誘電体セ
ラミック基板、半導体セラミック基板、圧電セラミック
基板、焦電セラミック基板または磁性セラミック基板を
含むことができる。誘電体セラミック基板は各種コンデ
ンサとして用いられ、半導体セラミック基板は半導体セ
ラミックコンデンサ、正特性サーミスタもしくは負特性
サーミスタに用いられる。圧電セラミック基板は各種の
圧電セラミック部品、例えば圧電セラミックフィルタ、
弾性表面波フィルタもしくは圧電ブザー等に用いられて
いる。焦電セラミック基板は赤外線検出素子に用いら
れ、磁性セラミックは例えばフェライト基板もしくは磁
性ウエハとして各種磁性部品または磁気ヘッド等に用い
られる。
ラミック板研削装置は、研削盤１及び厚み検出／制御装
置２を含んでいる。参照符号３は誘電特性を有するセラ
ミック板である。研削盤１はセラミック板３を研削す
る。厚み検出／制御装置２は、セラミック板３の静電容
量Ｃｖ（図４参照）を検出し、検出された静電容量Ｃｖ
に基づいて、セラミック板３が必要な厚みとなるよう
に、研削盤１の研削動作を制御する。セラミック板３
は、誘電特性が厚みによって変化するものであればよ
い。具体的には、回路基板用セラミック基板、誘電体セ
ラミック基板、半導体セラミック基板、圧電セラミック
基板、焦電セラミック基板または磁性セラミック基板を
含むことができる。誘電体セラミック基板は各種コンデ
ンサとして用いられ、半導体セラミック基板は半導体セ
ラミックコンデンサ、正特性サーミスタもしくは負特性
サーミスタに用いられる。圧電セラミック基板は各種の
圧電セラミック部品、例えば圧電セラミックフィルタ、
弾性表面波フィルタもしくは圧電ブザー等に用いられて
いる。焦電セラミック基板は赤外線検出素子に用いら
れ、磁性セラミックは例えばフェライト基板もしくは磁
性ウエハとして各種磁性部品または磁気ヘッド等に用い
られる。
【００１５】上述のように、本発明においては、研削盤
１を用いてセラミック板３を研削すると共に、セラミッ
ク板３の静電容量Ｃｖを厚み検出／制御装置２によって
検出し、検出された静電容量Ｃｖに基づいて、セラミッ
ク板３が必要な厚みとなるように、研削盤１の研削動作
を制御するから、研削停止位置の制御条件がセラミック
板３の静電容量Ｃｖによって与えられる。静電容量Ｃｖ
はセラミック板３の厚みに依存し、研削盤１に通常含ま
れる砥石の摩耗、研削盤１の停止位置繰り返し精度、環
境温度の影響を殆ど受けない。このため、安定した厚み
精度を得ることができる。
１を用いてセラミック板３を研削すると共に、セラミッ
ク板３の静電容量Ｃｖを厚み検出／制御装置２によって
検出し、検出された静電容量Ｃｖに基づいて、セラミッ
ク板３が必要な厚みとなるように、研削盤１の研削動作
を制御するから、研削停止位置の制御条件がセラミック
板３の静電容量Ｃｖによって与えられる。静電容量Ｃｖ
はセラミック板３の厚みに依存し、研削盤１に通常含ま
れる砥石の摩耗、研削盤１の停止位置繰り返し精度、環
境温度の影響を殆ど受けない。このため、安定した厚み
精度を得ることができる。
【００１６】研削盤１は、図２に拡大して示すように、
テーブル１１と、研削具１２とを有する。テーブル１１
はセラミック板３を支持し、研削具１２はテーブル１１
の上でセラミック板３の一面を研削するように駆動され
る。厚み検出／制御装置２からの制御信号は研削具１２
を駆動する駆動装置１３に供給される。従って、必要量
の研削が終了した後の研削停止を、セラミック板３から
の研削具１２の引き上げによって行うことができるの
で、惰性による研削過剰を回避することができる。但
し、テーブル１１を駆動する駆動装置１４に制御信号を
与えて制御することも可能である。
テーブル１１と、研削具１２とを有する。テーブル１１
はセラミック板３を支持し、研削具１２はテーブル１１
の上でセラミック板３の一面を研削するように駆動され
る。厚み検出／制御装置２からの制御信号は研削具１２
を駆動する駆動装置１３に供給される。従って、必要量
の研削が終了した後の研削停止を、セラミック板３から
の研削具１２の引き上げによって行うことができるの
で、惰性による研削過剰を回避することができる。但
し、テーブル１１を駆動する駆動装置１４に制御信号を
与えて制御することも可能である。
【００１７】更に、テーブル１１は、回転盤１１１を含
み、回転盤１１１の回転面がセラミック板３を搭載する
搭載面１１２を構成している。また、研削具１２は回転
砥石１２１を含む。図３に示すように、研削具１２は、
回転砥石１２１の回転軸１２２がテーブル１１の回転軸
１１３と平行であって、かつ、異なる位置にあり、回転
砥石１２１の回転面がテーブル１１の搭載面１１２上に
位置するように配置されている。この配置により、回転
盤１１１を矢印ａ１の方向に回転させ、回転砥石１２１
を矢印ａ２の方向に回転させるだけで両回転軌跡によ
り、搭載面１１２上のセラミック基板３の全面を平面研
削することができる。このため、テーブル１１及び研削
具１２を移動させることなくセラミック板３を平面研削
することができ、装置構成が簡素化される。
み、回転盤１１１の回転面がセラミック板３を搭載する
搭載面１１２を構成している。また、研削具１２は回転
砥石１２１を含む。図３に示すように、研削具１２は、
回転砥石１２１の回転軸１２２がテーブル１１の回転軸
１１３と平行であって、かつ、異なる位置にあり、回転
砥石１２１の回転面がテーブル１１の搭載面１１２上に
位置するように配置されている。この配置により、回転
盤１１１を矢印ａ１の方向に回転させ、回転砥石１２１
を矢印ａ２の方向に回転させるだけで両回転軌跡によ
り、搭載面１１２上のセラミック基板３の全面を平面研
削することができる。このため、テーブル１１及び研削
具１２を移動させることなくセラミック板３を平面研削
することができ、装置構成が簡素化される。
【００１８】厚み検出／制御装置２は、プローブ２１
と、回転集電装置２２とを含んでいる。プローブ２１は
セラミック板３に接触する１対の接触電極２１１、２１
２（図３及び図４参照）を有し、テーブル１１に装着さ
れている。接触電極２１１、２１２はバネ２１３によっ
てセラミック板３の面に押し付けられている。回転集電
装置２２はテーブル１１の回転駆動軸に取り付けられ、
プローブ２１から出力された信号を静止側に伝送する。
このような回転集電装置２２はスリップリングやロータ
リトランス等によって構成できる。
と、回転集電装置２２とを含んでいる。プローブ２１は
セラミック板３に接触する１対の接触電極２１１、２１
２（図３及び図４参照）を有し、テーブル１１に装着さ
れている。接触電極２１１、２１２はバネ２１３によっ
てセラミック板３の面に押し付けられている。回転集電
装置２２はテーブル１１の回転駆動軸に取り付けられ、
プローブ２１から出力された信号を静止側に伝送する。
このような回転集電装置２２はスリップリングやロータ
リトランス等によって構成できる。
【００１９】テーブル１１は、搭載面１１２がセラミッ
ク板３を吸着する吸着面を構成している。この吸着は具
体的には真空吸着である。１１４は真空吸引孔である。
吸引孔１１４はセラミック板搭載領域に単数もしくは多
数個設けることができる。セラミック板３を真空吸引孔
１１４上に配置し、真空吸引するだけで、セラミック板
３を載置面１１１に固定できるので、セラミック板３の
取り付け固定作業が容易である。
ク板３を吸着する吸着面を構成している。この吸着は具
体的には真空吸着である。１１４は真空吸引孔である。
吸引孔１１４はセラミック板搭載領域に単数もしくは多
数個設けることができる。セラミック板３を真空吸引孔
１１４上に配置し、真空吸引するだけで、セラミック板
３を載置面１１１に固定できるので、セラミック板３の
取り付け固定作業が容易である。
【００２０】静電容量Ｃｖの変化を検出する具体的手段
として、研削に伴うセラミック板３の静電容量Ｃｖの変
化を周波数の変化として検出し、検出された周波数と基
準周波数との相対関係から、研削盤１を制御する制御信
号を出力する構成が適している。このような構成は、セ
ラミック板３の静電容量ＣｖＣを含む共振回路を構成
し、共振回路の共振周波数を、必要な板厚の静電容量Ｃ
ｖによって定まる周波数とし、この周波数を基準周波数
として用いる構成である。
として、研削に伴うセラミック板３の静電容量Ｃｖの変
化を周波数の変化として検出し、検出された周波数と基
準周波数との相対関係から、研削盤１を制御する制御信
号を出力する構成が適している。このような構成は、セ
ラミック板３の静電容量ＣｖＣを含む共振回路を構成
し、共振回路の共振周波数を、必要な板厚の静電容量Ｃ
ｖによって定まる周波数とし、この周波数を基準周波数
として用いる構成である。
【００２１】厚み検出／制御装置２は、また、検出され
た周波数の変化率から制御信号を出力するタイミングを
定める機能を有することも可能である。セラミック板が
研削されて行く時、それにつれて静電容量Ｃｖが増大
し、周波数が基準周波数に近付いて行く。そのときの周
波数の変化率から、基準周波数に到達するタイミングを
予測し、予測に従って研削盤１を制御する制御信号を出
力する。厚み検出／制御装置２はコンピュータを主構成
要素として用いることができる。
た周波数の変化率から制御信号を出力するタイミングを
定める機能を有することも可能である。セラミック板が
研削されて行く時、それにつれて静電容量Ｃｖが増大
し、周波数が基準周波数に近付いて行く。そのときの周
波数の変化率から、基準周波数に到達するタイミングを
予測し、予測に従って研削盤１を制御する制御信号を出
力する。厚み検出／制御装置２はコンピュータを主構成
要素として用いることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）セラミック板を安定した厚み精度で研削し得るセ
ラミック板研削方法及び装置を提供することができる。 （ｂ）セラミック板を高度の厚み精度で研削し得るセラ
ミック板研削方法及び装置を提供することができる。 （ｃ）自動研削加工の可能なセラミック板研削方法及び
装置を提供することができる。
のような効果が得られる。 （ａ）セラミック板を安定した厚み精度で研削し得るセ
ラミック板研削方法及び装置を提供することができる。 （ｂ）セラミック板を高度の厚み精度で研削し得るセラ
ミック板研削方法及び装置を提供することができる。 （ｃ）自動研削加工の可能なセラミック板研削方法及び
装置を提供することができる。
【図１】本発明に係るセラミック板研削装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明に係るセラミック板研削装置を部分的に
拡大して示す部分破断面図である。
拡大して示す部分破断面図である。
【図３】本発明に係るセラミック板研削装置のテーブル
と研削具との関係を示す平面図である。
と研削具との関係を示す平面図である。
【図４】本発明に係るセラミック板研削装置のプローブ
部分を拡大して示す図である。
部分を拡大して示す図である。
１ 研削盤 １１ 研削具 １２ テーブル ２ 厚み検出／制御装置 ３ セラミック板
Claims (9)
- 【請求項１】 誘電特性を有するセラミック板を研削す
る研削方法であって、 研削盤を用いて前記セラミック板を研削すると共に、前
記セラミック板の静電容量を厚み検出／制御装置によっ
て検出し、検出された静電容量に基づいて、前記セラミ
ック板が必要な厚みとなるように、前記研削盤の研削動
作を制御するセラミック板研削方法。 - 【請求項２】 前記セラミック板は、電気絶縁材料、誘
電体材料、半導体材料、圧電材料、焦電材料または磁性
材料から選択された少なくとも一種からなる請求項１に
記載のセラミック板研削方法。 - 【請求項３】 研削盤と、厚み検出／制御装置とを含
み、誘電特性を有するセラミック板を研削するセラミッ
ク板研削装置であって、 前記研削盤は、前記セラミック板を研削するものであ
り、 前記厚み検出／制御装置は、前記セラミック板の静電容
量を検出し、検出された静電容量に基づいて、前記セラ
ミック板が必要な厚みとなるように、前記研削盤の研削
動作を制御するセラミック板研削装置。 - 【請求項４】 前記研削盤は、テーブルと、研削具とを
有し、前記テーブルが前記セラミック板を支持し、前記
研削具が前記テーブルの上で前記セラミック板を研削す
るように駆動されるものであり、 前記厚み検出／制御装置は、前記研削具を駆動する駆動
装置に制御信号を供給する請求項３に記載のセラミック
板研削装置。 - 【請求項５】 前記テーブルは、回転盤を含み、前記回
転盤の回転面が前記セラミック板を搭載する搭載面を構
成しており、 前記研削具は回転砥石を含み、前記回転砥石の回転軸が
前記テーブルの回転軸と平行であって、かつ、異なる位
置にあり、前記回転砥石の回転面が前記テーブルの前記
搭載面上に位置する請求項４に記載のセラミック板研削
装置。 - 【請求項６】 前記テーブルは、前記搭載面が前記セラ
ミック板を吸着する吸着面を構成している請求項４に記
載のセラミック板研削装置。 - 【請求項７】 前記厚み検出／制御装置は、プローブ
と、回転集電装置とを含み、前記プローブが前記セラミ
ック板に接触する１対の接触電極を有して前記テーブル
に装着され、前記回転集電装置が前記テーブルの回転駆
動軸に取り付けられ、前記プローブから出力された信号
を静止側に伝送する請求項４に記載のセラミック板研削
装置。 - 【請求項８】 前記厚み検出／制御装置は、前記静電容
量の変化を周波数の変化として検出し、検出された周波
数と基準周波数との相対関係から前記制御信号を出力す
る請求項３に記載のセラミック板研削装置。 - 【請求項９】 前記厚み検出／制御装置は、検出された
周波数の変化率から制御信号を出力するタイミングを定
める請求項８に記載のセラミック板研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20704893A JPH0740240A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | セラミック板研削方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20704893A JPH0740240A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | セラミック板研削方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0740240A true JPH0740240A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16533348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20704893A Pending JPH0740240A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | セラミック板研削方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014004663A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の加工方法 |
| CN105290969A (zh) * | 2014-06-13 | 2016-02-03 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
| JP2021501063A (ja) * | 2017-11-03 | 2021-01-14 | エイエム テクノロジー カンパニー リミテッドＡｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 研磨装備 |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP20704893A patent/JPH0740240A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014004663A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の加工方法 |
| CN105290969A (zh) * | 2014-06-13 | 2016-02-03 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
| CN105290969B (zh) * | 2014-06-13 | 2019-03-15 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
| JP2021501063A (ja) * | 2017-11-03 | 2021-01-14 | エイエム テクノロジー カンパニー リミテッドＡｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 研磨装備 |
| US11772232B2 (en) | 2017-11-03 | 2023-10-03 | Am Technology Co., Ltd. | Grinding equipment |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031001 |