JP2004193599A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)第1の基板10と第1の基板10に重ねるように配置された第2の基板20とを接続すること、(b)切削ツール120によって、第1の基板10と第2の基板20とを同一工程において切削すること、を含む。切削ツール120は、近接して配置された切削幅の異なる複数のカッタ122,124を有し、(b)工程で、第1及び第2の基板10,20を、切削ツール120によって異なる幅で切削する。
【選択図】 図5
Description
(b)切削ツールによって、前記第1の基板と前記第2の基板とを同一工程において切削すること、
を含み、
前記切削ツールは、近接して配置された切削幅の異なる複数のカッタを有し、
前記(b)工程で、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記切削ツールによって異なる幅で切削する。本発明によれば、重ねられた複数の基板を、切削幅の異なるように同一工程で切削するので、複数回にわけて切削する必要がなく、半導体装置の生産性を高めることができる。
(2)この半導体装置の製造方法において、
前記第1の基板は、少なくとも一部に光透過性を有し、
前記第2の基板は、光学的部分を有する光学チップとなる部分を複数有してもよい。
(3)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記切削ツールを、前記第1及び第2の基板に、前記第1の基板側から挿入してもよい。
(4)この半導体装置の製造方法において、
前記切削ツールは、前記第1の基板を切削する第1のカッタと、前記第2の基板を切削する第2のカッタとを有し、
前記(b)工程で、前記第1のカッタによる前記第1の基板の切削幅は、前記第2のカッタによる前記第2の基板の切削幅よりも大きくてもよい。
(5)この半導体装置の製造方法において、
前記第1のカッタの長さは、前記第1の基板の切削する部分における厚みよりも大きくてもよい。
(6)この半導体装置の製造方法において、
前記第2のカッタの長さは、前記第2の基板の切削する部分における厚みよりも大きくてもよい。
(7)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記第2の基板の切削時において、前記第1のカッタを前記第2の基板の表面から間隔をあけて配置してもよい。これによって、第1のカッタによる第2の基板への切削を防止することができる。
(8)この半導体装置の製造方法において、
前記第2の基板の前記光学チップとなる部分には、前記光学的部分の外側に電極が形成され、
前記(b)工程で、前記第1のカッタによって、前記第1の基板における前記電極の上方の部分を除去してもよい。これによれば、第2の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
(9)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程前に、前記第2の基板にシートを貼り付けることをさらに含み、
前記(b)工程で、前記切削ツールが前記シートを貫通しないように、前記第2の基板を切削してもよい。これによれば、切削後の第2の基板をシートで保持することができるので、その後の工程が処理しやすい。
(10)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程において、前記第1の基板を切削ラインに沿って切断し、
前記(b)工程前に、前記第1の基板の前記切削ラインに沿って、溝を形成することをさらに含んでもよい。これによれば、切削ラインを他の部分よりも薄くできるので、第1のカッタで容易に第1の基板を切削することができ、また、溝を形成することで、第1の基板の切削位置を明示することができる。
(11)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記第1及び第2の基板を切断することによって、第1の基板の一部及び前記第2の基板の一部が対向して固着された個片に切断することを含んでもよい。
(12)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、
前記第1の基板と前記第2の基板とを、スペーサを介して対向させて、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記スペーサを介して固着してもよい。
(13)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記第1の基板と前記第2の基板とを、光透過性の接着層を介して貼り付けて、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記光透過性の接着層を介して固着してもよい。
(14)この半導体装置の製造方法において、
前記第1の基板は、複数のカバーと前記複数のカバーを連結する連結部とを含み、
前記(a)工程で、前記複数のカバーを前記第2の基板に取り付け、
前記(b)工程で、前記連結部を切断してもよい。
(15)本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてなる。
(16)本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置と、
上記半導体装置を支持する支持部材と、
をさらに含む。
(17)本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
(18)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
図1(A)〜図6(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、一例として、光デバイス及びその製造方法を説明する。本実施の形態では、第1及び第2の基板10,20を使用する。
図9(A)〜図9(C)は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態でも、一例として、光デバイスの製造方法を説明する。本実施の形態では、第1及び第2の基板130,20を、接着層132を介して貼り付ける。第1の基板130は、上述の実施の形態で説明した第1の基板10の内容を適用することができる。
図10(A)〜図11は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態でも、一例として、光デバイスの製造方法を説明する。図10(B)は、図10(A)のXB−XB線断面図である。本実施の形態では、第1の基板140は、複数のカバー142の集合体である。
図12は、本発明の実施の形態に係る半導体装置(例えば光モジュール)及び回路基板を説明する図である。この光モジュールは、図6(A)に示す光デバイスと同等の光デバイス50を有する。光デバイス50は、支持部材(例えばケース)52に取り付けられている。支持部材52には、配線54が形成されている。支持部材52は、配線54等を有しない部材からなるものであってもよい。支持部材52は、MID(Molded Interconnect Device)であってもよい。光デバイス50の電極34と配線54とは、電気的に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ56を用いてもよい。また、電気的な接続部(例えばワイヤ56及びそのボンディングされた部分)には、封止材料58が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、封止材料58で封止されている。封止材料58は、例えばポッティングによって設けてもよい。光デバイス50は、透明基板110及びスペーサ18によって光学的部分22が封止されているので、封止材料58が光学的部分22を覆わない。これは、透明基板110及びスペーサ18が、封止材料58に対してダムとして機能するためである。
21 シート、 22 光学的部分、 34 電極、 42 スペーサ、
100 光学チップ、 110 透明基板、 120 切削ツール、
122 第1のカッタ、 124 第2のカッタ、 130 第1の基板、
132 接着層、 134 透明基板、 140 第1の基板、
142 カバー、 148 連結部
Claims (18)
- (a)第1の基板と前記第1の基板に重ねるように配置された第2の基板とを接続すること、
(b)切削ツールによって、前記第1の基板と前記第2の基板とを同一工程において切削すること、
を含み、
前記切削ツールは、近接して配置された切削幅の異なる複数のカッタを有し、
前記(b)工程で、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記切削ツールによって異なる幅で切削する半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の基板は、少なくとも一部に光透過性を有し、
前記第2の基板は、光学的部分を有する光学チップとなる部分を複数有する半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記切削ツールを、前記第1及び第2の基板に、前記第1の基板側から挿入する半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記切削ツールは、前記第1の基板を切削する第1のカッタと、前記第2の基板を切削する第2のカッタとを有し、
前記(b)工程で、前記第1のカッタによる前記第1の基板の切削幅は、前記第2のカッタによる前記第2の基板の切削幅よりも大きい半導体装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1のカッタの長さは、前記第1の基板の切削する部分における厚みよりも大きい半導体装置の製造方法。 - 請求項4又は請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2のカッタの長さは、前記第2の基板の切削する部分における厚みよりも大きい半導体装置の製造方法。 - 請求項4から請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記第2の基板の切削時において、前記第1のカッタを前記第2の基板の表面から間隔をあけて配置する半導体装置の製造方法。 - 請求項4から請求項7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2の基板の前記光学チップとなる部分には、前記光学的部分の外側に電極が形成され、
前記(b)工程で、前記第1のカッタによって、前記第1の基板における前記電極の上方の部分を除去する半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程前に、前記第2の基板にシートを貼り付けることをさらに含み、
前記(b)工程で、前記切削ツールが前記シートを貫通しないように、前記第2の基板を切削する半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程において、前記第1の基板を切削ラインに沿って切断し、
前記(b)工程前に、前記第1の基板の前記切削ラインに沿って、溝を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記第1及び第2の基板を切断することによって、第1の基板の一部及び前記第2の基板の一部が対向して固着された個片に切断することを含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、
前記第1の基板と前記第2の基板とを、スペーサを介して対向させて、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記スペーサを介して固着する半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記第1の基板と前記第2の基板とを、光透過性の接着層を介して貼り付けて、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記光透過性の接着層を介して固着する半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の基板は、複数のカバーと前記複数のカバーを連結する連結部とを含み、
前記(a)工程で、前記複数のカバーを前記第2の基板に取り付け、
前記(b)工程で、前記連結部を切断する半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項14のいずれかに記載の方法によって製造されてなる半導体装置
- 請求項15記載の半導体装置と、
前記半導体装置を支持する支持部材と、
をさらに含む半導体装置。 - 請求項15又は請求項16に記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
- 請求項15又は請求項16に記載の半導体装置を有する電子機器。
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