JP2004193526A - 熱電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】より径の細いナノワイヤ化した熱電物質を形成することで、性能指数を大幅に増加させた新規な構造の熱電物質を従来より高密度に形成した熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料４３は、多孔体４５の柱状の細孔４６内に熱電物質（半導体材料）４７を導入して得られるナノワイヤから成る。多孔体４５は、第一の成分（例えば、アルミニウム）４１を含み構成される柱状物質が、第一の成分４１と共晶を形成し得る第二の成分（例えば、シリコン、ゲルマニウム、あるいはゲルマニウムとシリコンの混合物）４４を含み構成される部材中に分散している構造体から、柱状物質を除去して形成されている。ナノワイヤとしての熱電物質４７の平均直径は、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満であり、ナノワイヤの間隔は、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。
【選択図】 図４
【解決手段】熱電変換材料４３は、多孔体４５の柱状の細孔４６内に熱電物質（半導体材料）４７を導入して得られるナノワイヤから成る。多孔体４５は、第一の成分（例えば、アルミニウム）４１を含み構成される柱状物質が、第一の成分４１と共晶を形成し得る第二の成分（例えば、シリコン、ゲルマニウム、あるいはゲルマニウムとシリコンの混合物）４４を含み構成される部材中に分散している構造体から、柱状物質を除去して形成されている。ナノワイヤとしての熱電物質４７の平均直径は、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満であり、ナノワイヤの間隔は、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な構造を有する熱電変換材料及びその製造方法に係り、特に、熱から電気への変換又は電気から熱への変換を行う熱電変換素子において、高い熱電変換指数を有する新規な構成を有する熱電変換材料とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
理論的な計算から、熱電変換材料をナノワイヤ化（量子細線化）とすることで、バルク状態の熱電変換材料と比べて、熱電変換指数が増加することが知られている。その大きな理由としては、材料を１次元化することにより発生する量子効果により、状態密度が変化することで、バルクに比べて高いゼーベック係数αが観測されるからである。
【０００３】
熱電物質の指標として一般的に使われている性能指数Ｚは、
Ｚ＝α2／χρ （１）
と定義されている。ここで、αがゼーベック係数であり、χが熱伝導率であり、ρが抵抗率である。この式からあきらかなように、ゼーベック係数αが増加すれば、性能指数Ｚは増加する。
【０００４】
そこで、性能指数Ｚを増加させる為に、様々な熱電物質（半導体材料）をナノワイヤ化（量子細線化）することが求められていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明では、ナノワイヤ化可能な新規構造体を利用した熱電変換素子、及びその製造方法等を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る熱電変換素子の製造方法は、柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に熱電変換可能な材料を導入する工程を有することを特徴とする。 また、本発明に係る熱電変換素子は、柱状の部材とそれを取り囲む領域を含み構成される構造体から、該柱状の部材を除去して得られる多孔質体に熱電変換可能な材料を導入して得られることを特徴とする。
【０００７】
ここで、前記構造体は、第1の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることがよい。特に、前記多孔質体の細孔径が２０ｎｍ以下、及び/または細孔間隔が３０ｎｍであるのがよい。
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第１の側面では、柱状構造体を有する熱電変換材料であって、該柱状構造体は、第一の成分を含み構成される柱状物質が該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から該柱状物質を除去して形成される柱状の空孔を有する多孔体（多孔質体）と、該多孔体の該空孔内に導入された熱電変換可能な半導体材料とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の側面では、柱状構造体を有する熱電変換材料であって、該柱状構造体は、第一の成分を含み構成される柱状物質が該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から該柱状物質を除去して形成される柱状の空孔を有する多孔体を用いて該空孔内に熱電変換可能な半導体材料を導入した後に該多孔体を除去して得られる該半導体材料を有することを特徴とする。
【００１０】
前記多孔体が、薄膜状であるであることが望ましい。
【００１１】
本発明によれば、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して形成されている多孔体を用いることにより、熱電物質ナノワイヤを形成できる。
【００１２】
本発明において、前記多孔体に化学的処理を施した後、前記空孔内に前記半導体材料を導入しても良い。また、前記化学的処理が酸化処理であることが望ましい。このように、前記多孔体を化学的処理（酸化処理）することで、多孔体を化学的に安定化させることが可能となる。
【００１３】
本発明において、前記柱状物質がアルミニウムであり、前記部材がシリコンであって、且つ前記構造体におけるシリコンの割合が２０atomic%以上７０atomic%以下の範囲にあるか、あるいは、前記柱状物質がアルミニウムであり、前記部材がゲルマニウムであって、且つ前記構造体におけるゲルマニウムの割合が２０atomic%以上７０atomic%以下の範囲にあることが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記多孔体の主成分がシリコンあるいはゲルマニウムあるいはシリコンとゲルマニウムの複合体であることが望ましい。このような材料構成をとることで、熱電物質ナノワイヤを形成できる。
【００１５】
前記柱状構造体の直径は、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが望ましい。このような細孔径にすることで、より高い熱電性能指数を達成できる。
【００１６】
前記柱状構造体の間隔は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが望ましい。このような間隔にすることで、より高密度に熱電物質ナノワイヤを形成できる。
【００１７】
前記柱状物質の一部は、結晶性物質であり、前記部材は、非晶質物質であることが望ましい。
【００１８】
本発明に係る熱電変換材料の製造方法は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する工程、該柱状物質を除去する除去工程、及び該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に半導体材料を導入する導入工程を有することを特徴とする。
【００１９】
前記導入工程後、前記部材を除去する工程を有しても良い。さらに、前記除去工程後、前記多孔体に化学的処理を施す工程を有しても良い。さらに、前記化学的処理とは、酸化処理であることが望ましいし、前記除去工程が、エッチングであることが望ましい。また、前記導入工程が、電着であることが好ましい。
【００２０】
前記半導体材料は、典型的にはＢｉＳｂやＢｉ2Ｔｅ3などのＢｉ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅから構成される合金系結晶であるが、これに限定されるわけではなく、すでにバルク状態の熱電変換材料として使用されている様々な材料を用いることが可能である。
【００２１】
本発明を成すに至った経緯について説明すると、本発明者らは、アルミニウムを用いた微細構造体に関して研究を進めていたところ、たまたま下記のような知見に至った。
【００２２】
即ち、スパッタリング法などの非平衡状態で材料を形成する成膜方法により、基板上にアルミニウムの膜を形成する際に、シリコン及びゲルマニウムを添加したところ所定条件下では自己形成的に柱状構造のアルミニウムがシリコンあるいはゲルマニウムあるいはシリコンとゲルマニウムの混合体の中に形成される場合があることを見出したのである。また、その柱状構造のアルミニウムが形成された膜をシリコンあるいはゲルマニウムあるいはシリコンとゲルマニウムの複合体よりも、アルミニウムを優先的に溶かす溶液に浸すことで、アルミニウムの陽極酸化では形成できない細孔径及び成功密度をもった多孔体が形成できることが分かった。
【００２３】
さらに、形成された多孔体を酸化処理することで、多孔体を構成する材料を酸化物に変化させることができることが分かった。
【００２４】
そこで、本発明者らは上記知見に基づき鋭意研究を進め、本発明を成すに至ったものである。
【００２５】
なお、シリコンあるいはゲルマニウムの量をアルミニウムとシリコンの全量に対して、２０〜７０atomic％にしたアルミニウムシリコン膜あるいはアルミニウムゲルマニウム膜を形成する理由は、この範囲のみでアルミニウムが柱状形状をしたナノ構造体を形成するからである。つまり、シリコン（あるいはゲルマニウム）の量がアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の全量に対して２０atomic％未満の場合は、アルミニウムを含む柱状構造体を形成しない。一方、シリコン（あるいはゲルマニウム）の量がアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の全量に対して７０atomic％を越える場合は、通常の電子顕微鏡ではアルミニウムを含む柱状構造体を確認できないからである。
【００２６】
また、このようなシリコン（あるいはシリコン酸化物）あるいはゲルマニウム（ゲルマニウム酸化物）から成る多孔体に、電着法などにより、半導体材料を導入することで、径の小さい（例えば、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満）ナノワイヤを高密度（例えば、ナノワイヤ同士の間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ未満）に形成できる。なお、ナノワイヤを形成した後に、多孔体の部材であるシリコン（あるいはシリコン酸化物）あるいはゲルマニウム（ゲルマニウム酸化物）を除去することも可能である。
【００２７】
以下、上記多孔体の母材となる構造体について説明を加える。
【００２８】
本発明で適用される構造体は、第１の成分と第２の成分を含み構成される構造体であって、該第１の成分を含み構成される柱状物質(柱状の部材)が、該第２の成分を含み構成される部材（領域）に取り囲まれているものである。この構成では、該構造体には該第２の成分が、該第１の成分と第２の成分の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることが望ましい。
【００２９】
上記割合は、前記構造体を構成する前記第１の成分と第２の成分の全量に対する前記第２の成分の割合のことであり、好ましくは２５atomic％以上６５atomic％以下、より好ましくは３０atomic％以上６０atomic％以下である。
【００３０】
なお、前記柱状物質は、実質的に柱状形状が実現していればよく、例えば柱状物質の成分として第２の成分が含まれていてもよいし、前記部材に第１の成分が含まれていてもよい。例えば、前記領域に第１の材料（例えばアルミニウム）が１％以上２０％以下含まれていてもよい。また、前記柱状物質やその周囲の部材に酸素、アルゴン、窒素、水素などが少量含まれていてもよい。
【００３１】
上記割合は、例えば誘導結合型プラズマ発光分析法で定量分析することにより得られる。atomic％を単位として用いているが、wt％を単位として用いる場合には、２０atomic％以上７０atomic％以下とは、２０．６５wt％以上７０．８４wt％以下となる（Ａｌの原子量を２６．９８２、Ｓｉの原子量を２８．０８６として換算している）。
【００３２】
前記第１及び第２の成分としては、両者の成分系相平衡図において、共晶点を有する材料（いわゆる共晶系の材料）であることが好ましい。特に共晶点が３００℃以上好ましくは４００℃以上であるのがよい。なお、第１の成分と第２の成分として好ましい組み合わせとしては、第１の成分としてＡｌを用い、第２の成分としてＳｉを用いる形態、第１の成分としてＡｌを用い、第２の成分としてＧｅを用いる形態、あるいは第１の成分としてＡｌを用い、第２の成分としてＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ＜１）を用いるのが好ましい。
【００３３】
前記柱状物質の平面形状は、円形あるいは楕円形状である。前記構造体には、前記第２の成分を含み構成されるマトリックス中に複数の前記柱状物質が分散していることになる。柱状物質の径（平面形状が円の場合は直径）は、主として前記構造体の組成（即ち、前記第２の成分の割合）に応じて制御可能であるが、その平均径は、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ未満、さらに好ましくは２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。楕円等の場合は、最も長い外径部が、上記範囲内であればよい。ここで平均径とは、例えば、実際のＳＥＭ写真（約１００ｎｍ×７０ｎｍの範囲）で観察される柱状の部分を、その写真から直接、あるいはコンピュータで画像処理して、導出される値である。
【００３４】
また、複数の柱状物質間の中心間距離２Ｒは、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、更に好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。勿論、中心間距離の下限として上記２Ｒは、柱状物質どうしが接触しない間隔は最低限備えている必要がある。
【００３５】
前記構造体は、膜状の構造体であることが好ましく、かかる場合、前記柱状の部材は膜の面内方向に対して略垂直になるように前記第２の成分を含み構成されるマトリックス中に分散していることになる。膜状構造体の膜厚としては、特に限定されるものではないが、１ｎｍ〜１００μｍの範囲で適用できる。プロセス時間等を考慮してより現実的な膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度である。特に３００ｎｍ以上の膜厚でも柱状構造が維持されていることが好ましい。また、柱状の部材は、厚さ（長さ）方向に対して実質的に分岐を持たない柱状構造である。
【００３６】
前記構造体は膜状の構造体であることが好ましく、基板上に当該構造体が設けられていてもよい。基板としては、特に限定されるものではないが、石英ガラスなどの絶縁性基板、シリコン基板、ガリウム砒素、あるいはインジウム燐などの半導体基板、アルミニウムなどの金属基板あるいは支持部材としての基板上に上記構造体が形成できるのであれば、フレキシブル基板（例えばポリイミド樹脂など）も用いることができる。基板に対して、略垂直な柱状構造が実現される。
【００３７】
前記構造体は、非平衡状態で成膜する方法を利用して作製することができる。当該成膜方法としては、スパッタリング法が好ましいが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）、イオンプレーティング法をはじめとする任意の非平衡状態で物質を形成する成膜法が適用可能である。スパッタリング法で行う場合には、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ＥＣＲスパッタリング、ＤＣスパッタリング法を用いることができる。スパッタリング法で行う場合は、アルゴンガス雰囲気中で反応装置内の圧力を０.２Ｐａから1Ｐａ程度にして成膜を行う。スパッタリングの際には、ターゲット原料として前記第１の材料と第２の材料をそれぞれ別途用意しても良いが、予め所望の割合で第１の材料と第２の材料が焼成されたターゲット材料を用いてもよい。
【００３８】
基板上に形成される前記構造体は、基板温度を２０℃以上３００℃以下、好ましくは２０℃以上２００℃以下、より好適には１００℃以上１５０℃以下で形成されることが好ましい。
【００３９】
前記構造体から前記柱状物質を除去（ウェットエッチングあるいはドライエッチングなど）することにより複数の柱状の孔を有する多孔体（多孔質体）が形成される。エッチングには、柱状の部材を選択的に除去できればよく、エッチング液としては例えば、燐酸、硫酸、塩酸、硝酸などの酸が好適である。当該除去により形成される多孔体の孔は、互いに連結せず独立していることが好適である。陽極酸化により上記柱状物質を除去してもよい。
【００４０】
上記構造体から多孔体を作製する方法として、第１の成分と第２の成分を含み構成される構造体であって、該第１の成分を含み構成される柱状の部材が、該第２の成分を含み構成される領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の成分が、該第１の成分と第２の成分の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれている該構造体を用意する工程、及び該構造体から該柱状の部材を除去する工程を有することが望ましい。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る熱電変換材料及びその製造方法の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
（熱電変換材料の構成）
図１は、本実施形態の熱電変換材料の一例を示す概略図である。この例では数ｎｍ（ナノメートル）から数十ｎｍサイズの径をもつ熱電物質の量子細線（以下、ナノワイヤ）を基板上の細孔内に形成した熱電変換材料の例を示している。図１において、１１が膜状の熱電変換材料であり、１２が熱電変換材料１１を構成しているナノワイヤ化した熱電物質（以下、必要に応じ「ナノワイヤ」と呼ぶ）、１３が基板、１４が多孔体である。
【００４２】
このうち、ナノワイヤ１２は、多孔体１４内に形成されている。このナノワイヤ１２は、図１に示されているように多孔体１４によって互いに分離されており、また、基板１３に対して垂直またはほぼ垂直に形成されている。ナノワイヤ１２の形状は、図１に示されているように柱状形状である。また、ナノワイヤ１２の直径（膜面から見たナノワイヤ１２の平均直径を示す）は、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満であり、ナノワイヤ１２の間隔（膜面から見たナノワイヤの平均中心間距離を示す）は、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。
【００４３】
上記熱電変換材料１１を構成している多孔体１４は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して形成されている。ここで、第一の成分を含み構成される柱状物質は、例えば、アルミニウムを主成分とする材料から構成されている。また、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材は、例えば、ゲルマニウム、シリコン、あるいはゲルマニウムとシリコンの混合物からなる。
【００４４】
この多孔体１４の部材は、シリコン（あるいはその酸化物）あるいはゲルマニウム（あるいはその酸化物）を主成分とすることが好ましい。また、シリコンとゲルマニウムの混合体（あるいはその酸化物）を主成分とすることも可能である。また、多孔体１４の部材は、シリコンあるいはゲルマニウム（あるいはそれらの酸化物）を主成分とすることが望ましいが、数から数十atomic％程度のアルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ）、水素（Ｈ）などの各種の元素を含有してもよい。
【００４５】
また、多孔体１４の部材は、非晶質であることが望ましいが、結晶質の部材を含んでいても問題はない。
【００４６】
なお、ナノワイヤ１２を構成する材料は、典型的にＢｉＳｂやＢｉ2Ｔｅ3などのＢｉ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅから構成される合金系結晶であるが、これに限定されるわけではなく、すでにバルクの熱電変換材料として使用されている様々な材料を用いることが可能である。
【００４７】
また、図１において、熱電変換材料１１は、上記構成に限らず、ナノワイヤ化した熱電物質１２を分離している多孔体１４を除去した構成であってもよい。
（熱電変換材料の製造方法）
以下、本実施形態にかかる熱電変換材料の製造方法について詳細に説明する。
【００４８】
図２は、上記熱電変換材料の製造方法の一実施態様を示す工程図である。図２に示す熱電変換材料の製造方法は、下記の（ａ）工程〜（ｃ）工程を有する。
【００４９】
（ａ）工程：第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する工程。
【００５０】
（ｂ）工程：次に、該柱状物質を除去する工程。
【００５１】
（ｃ）工程：次に、該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に半導体材料を導入する導入工程。
【００５２】
図３は、上記熱電変換材料の他の製造方法の他の実施態様を示す工程図である。
【００５３】
（ａ）工程：第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する工程。
【００５４】
（ｂ）工程：次に、該柱状物質を除去する工程。
【００５５】
（ｃ）工程：前記部材を化学的処理（例えば、酸化処理）する工程
（ｄ）工程：次に、該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に半導体材料を導入する導入工程。
【００５６】
次に、上記熱電変換材料の製造方法を図面に基づいて説明する。
【００５７】
図４は、本実施形態の熱電変換材料の製造方法の一例を示す説明図である。図４の（ａ）〜（ｃ）の順に追って説明する。
【００５８】
（ａ）工程：第一の成分４１を含み構成される柱状物質が、第一の成分４１と共晶を形成し得る第二の成分４４を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する。
【００５９】
例えば、マトリックス（第二の成分４４）内に柱状構造（第一の成分４１）を形成するアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）を用意し、スパッタリング法などの非平衡状態の物質を形成できる方法により、基板４２上に構造体である混合膜（アルミニウムシリコン混合膜あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３を形成する。
【００６０】
このような方法でアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３を形成すると、アルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）が準安定状態の共晶型組織となり、アルミニウムがシリコン（あるいはゲルマニウム）マトリックス内に数ｎｍレベルのナノ構造体（柱状構造体）を形成し、自己組織的に分離する。そのときのアルミニウムはほぼ円柱状形状であり、その孔径は０．５ｎｍ以上〜１５ｎｍ未満であり、間隔は５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。
【００６１】
なお、アルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の混合膜４３において、形成される膜４３中のシリコン（あるいはゲルマニウム）の量は、アルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の全量に対して２０〜７０atomic％であり、好ましくは２５〜６５atomic％、さらに好ましくは３０〜６０atomic％である。シリコン量が斯かる範囲内であれば、シリコン（あるいはゲルマニウム）領域内にアルミニウムの柱状構造体が分散したアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３が得られる。
【００６２】
上記のアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の割合を示すatomic％とは、シリコン（あるいはゲルマニウム）とアルミニウムの原子の数の割合を示し、ａｔｏｍ％あるいはａｔ％とも記載され、例えば誘導結合型プラズマ発光分析法（ＩＣＰ法）でアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３中のシリコン（あるいはゲルマニウム）とアルミニウムの量を定量分析したときの値である。
【００６３】
（ｂ）工程：次に、該柱状物質を除去する。
【００６４】
例えば、上記のアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３中の柱状物質であるアルミニウムを濃硫酸でエッチングし、マトリックス内（ここではシリコンあるいはゲルマニウム）内に細孔４６を形成する。これにより基板４２上に多孔体４５が形成される。
【００６５】
なお、上記の多孔体４５中の細孔４６は、間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ未満、孔径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満である。
【００６６】
エッチングに用いる溶液は、例えばアルミニウムを溶かしシリコン（あるいはゲルマニウム）をほとんど溶解しない、りん酸、硫酸、塩酸、クロム酸溶液などの酸が挙げられるが、エッチングによる細孔形成に不都合がなければ水酸化ナトリウムなどのアルカリを用いることができ、特に酸の種類やアルカリの種類に限定されるものではない。また、数種類の酸溶液やあるいは数種類のアルカリ溶液を混合したものを用いてもかまわない。またエッチング条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製する多孔体に応じて、適宜設定することができる。
【００６７】
（ｃ）工程：次に、該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に熱電物質（半導体材料）４７を導入する。これにより、熱電物質４７がナノワイヤ化する。
【００６８】
この工程では、多孔体内に、熱電物質４７を充填する。例えば、電着によりＢｉ2Ｔｅ3を細孔に充填する。ここで、充填する熱電物質４７は、典型的に材料固有の熱電性能指数が高いＢｉ2Ｔｅ3などであるが、これに限定されるわけではなく、すでにバルクの熱電変換材料として使用されている様々な材料を用いることが可能である。
【００６９】
細孔内に材料を充填する方法としては、電着が好ましいが触媒反応法、さらにはＶＬＳ法などでも可能である。
【００７０】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
（実施例１：第１の材料Ａｌ、第２の材料Ｓｉ）
本実施例では、多孔体（多孔質体）の母材となる構造体（混合膜）として、シリコンに周囲を囲まれたアルミニウム構造体部分が円柱状構造であり、その径２ｒが３ｎｍであり、間隔２Ｒが７ｎｍ、長さＬが２００ｎｍであるアルミニウム細線を得た。
【００７１】
まず、このアルミニウム細線の作製方法を説明する。
【００７２】
ガラス基板上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成する。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００７３】
なお、ここではターゲットとして、アルミニウムターゲット上にシリコンチップを８枚置いたものを用いたが、シリコンチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタ条件により変化し、アルミニウムシリコン混合膜の組成が約５５ａｔｏｍｉｃ％近辺になれば良い。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にシリコンチップを置いたものに限定したものではなく、シリコンターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでも良いし、シリコンとアルミニウムの粉末を焼結したターゲットを用いても良い。
【００７４】
次に、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約５５ａｔｏｍｉｃ％であった。なお、ここでは測定の都合上、基板として、カーボン基板上に堆積したアルミニウムシリコン混合膜を用いた。
【００７５】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムシリコン混合膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、シリコンに囲まれた円形のアルミニウムナノ構造体が二次元的に配列していた。アルミニウムナノ構造体部分の孔径は３ｎｍであり、その平均中心間間隔は７ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウムナノ構造体部分はお互いに独立していた。
【００７６】
また、Ｘ線回折法でこの試料を観察した所、結晶性を示すシリコンのピークは確認できず、シリコンは非晶質であった。
【００７７】
従って、シリコンに周囲を囲まれた間隔２Ｒが７ｎｍ、径２ｒが３ｎｍ、高さＬが２００ｎｍのアルミニウム細線を含んだアルミニウムシリコンナノ構造体を作製することができた。
【００７８】
（比較例）
上記実施例に対する比較試料Ａとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して１５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を２枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００７９】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ａを観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、アルミニウム部分は円形状にはなっておらず、縄状になっていた。即ち、アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっていなかった。さらに、その大きさは１０ｎｍを遥かに超えていた。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、アルミニウム部分の幅は１５ｎｍを超えていた。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約１５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００８０】
さらに、比較試料Ｂとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して７５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を１４枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００８１】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｂを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウム部分を観察することができなかった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察しても、明確にアルミニウム部分を観察することができなかった。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約７５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００８２】
また、比較試料Ａを作製した場合と、シリコンチップの枚数の条件のみを変え、アルミニウムシリコン混合体の全量に対するシリコンの割合が、２０ａｔｏｍｉｃ％、３５ａｔｏｍｉｃ％、５０ａｔｏｍｉｃ％、６０ａｔｏｍｉｃ％、７０ａｔｏｍｉｃ％である試料を作製した。アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっている場合を○、なっていない場合を×としたものを以下に示す。
【００８３】
【表１】
このように、アルミニウムとシリコンの全量に対するシリコン含有量を、２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下に調整することで、作製されたアルミニウムナノ構造体の孔径の制御が可能であり、また、直線性に優れたアルミニウム細線の作製が可能になる。なお、構造の確認には、ＳＥＭの他にもＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）等を利用するのがよい。なお、上記含有量に関しては上記シリコンに代えてゲルマニウム、あるいはシリコンとゲルマニウムの混合物を用いても同様であった。
【００８４】
さらに、比較試料Ｃとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は２５０℃とした。
【００８５】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｃを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウムとシリコンの明瞭な境界を確認することができなかった。つまり、アルミニウムナノ構造体を確認することができなかった。即ち、基板温度が高すぎると、より安定な状態に変化してしまうため、このようなアルミニウムナノ構造体を形成する膜成長ができていないと思われる。
【００８６】
なお、柱状の部材が分散した構造体を得る為に、ターゲットの組成をＡｌ：Ｓｉ＝５５：４５などに設定することも好ましい形態である。
（実施例２）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材が非晶質シリコンであり、該空孔内に充填された半導体がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【００８７】
まず、熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極としてタングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを３７atomic％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のシリコンチップを６枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【００８８】
得られたアルミニウムシリコン混合膜をＦＥ−ＳＥＭ（Field Emission - Scanning Electron Microscope：電界放出走査型電子顕微鏡）にて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ａ）に示すように、シリコン領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は５ｎｍであり、その平均中心間間隔は８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、それぞれのアルミニウム柱状構造体はお互いに独立していた。
【００８９】
次に、上記のように作製したアルミニウムシリコン混合膜を９８％濃硫酸溶液中にて２４時間浸し、アルミニウム柱状構造部分のみを選択的にエッチングして細孔を形成した。この結果、シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体が作製された。
【００９０】
このように濃硫酸エッチングしたアルミニウムシリコン混合膜（シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体）をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ｂ）のように、シリコンの部材に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔の孔径は５ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。
【００９１】
次に、上記のように作製したシリコンを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料であるＢｉ2Ｔｅ3を細孔中に充填した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【００９２】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図５に示す基板５２上に形成された熱電変換材料５３において、シリコンを主成分とした部材からなる多孔体５４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ５７が二次元的に配列していた。また、基板断面から見たナノワイヤ５７は、柱状構造を示していた。このナノワイヤ５７の平均的な直径は５ｎｍであり、隣接するナノワイヤ５７の平均的な中心間間隔は約８ｎｍであった。
（実施例３）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材の主成分が酸化シリコンであり、該空孔内に充填された半導体がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【００９３】
まず、熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極としてタングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを３７atomic％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のシリコンチップを６枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【００９４】
得られたアルミニウムシリコン混合膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、前述の図４（ａ）に示すように、シリコン領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は５ｎｍであり、その平均中心間間隔は８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、それぞれのアルミニウム柱状構造体はお互いに独立していた。
【００９５】
次に、上記のようにアルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを３７atomic％含んだアルミニウムシリコン混合膜を陽極酸化装置を用いて、陽極酸化処理を施し、酸化シリコンを主成分とする部材で構成された多孔体を形成した。陽極酸化で使う電解液は７ｍｏｌ／ｌに調節した硫酸水溶液を用い、恒温槽により溶液を２０℃に保持し、陽極酸化電圧は５Ｖとした。この結果、酸化シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体が作製された。
【００９６】
このように酸化シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、酸化シリコンを主成分とする部材に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔部の平均孔径は約４ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、それぞれの細孔は酸化シリコンを主成分とする部材により隔たれており、互いに独立していた。
【００９７】
次に、陽極酸化により酸化された熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極であるタングステンを還元する為に、水素雰囲気中で５００℃、２時間熱処理した。
【００９８】
次に、このように作製した酸化シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料であるを多孔体中に充填し、多孔体内にＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤを形成した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【００９９】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図６に示すように、基板６２上に形成された熱電変換材料６３において、酸化シリコンを主成分として構成された多孔体６４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ６７が二次元的に配列してた。また、基板断面から見たナノワイヤ６７は、柱状構造を示していた。ナノワイヤ６７の平均的な直径は４ｎｍであり、隣接するナノワイヤ６７の平均的な中心間間隔は約８ｎｍであった。
（実施例４）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材がゲルマニウムであり、該空孔内に充填された半導体がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【０１００】
まず、熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極としてタングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のゲルマニウムチップを４枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１０１】
得られたアルミニウムゲルマニウム混合膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は図４（ａ）のように、ゲルマニウム領域に囲まれた断面がほぼ円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は１０ｎｍであり、その平均中心間間隔は１５ｎｍであった。
【０１０２】
次に、上記のようにアルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜を９８％濃硫酸溶液中にて２４時間浸し、アルミニウム柱状構造部分のみを選択的にエッチングして細孔を形成した。この結果、ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体が作製された。
【０１０３】
このように濃硫酸エッチングしたアルミニウムゲルマニウム混合膜（ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体）をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ｂ）のように、ゲルマニウム領域に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔の孔径２ｒは１０ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。この結果、ゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体が形成された。また、作製した試料をＸ線回折法で測定したところ、ゲルマニウムは非晶質であった。
【０１０４】
次に、このように作製したゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料を充填した。ここでは、多孔体に対してＢｉ2Ｔｅ3を充填し、多孔体内にＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤを形成した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【０１０５】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図７に示す基板７２上に形成された熱電変換材料７３において、ゲルマニウムを主成分として構成された多孔体７４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ７７が二次元的に配列していた。また、基板断面から見たナノワイヤ７７は、柱状構造を示していた。このナノワイヤ７７の平均的な直径は１０ｎｍであり、隣接するナノワイヤ７７の平均的な中心間間隔は約１５ｎｍであった。
（実施例５）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材の主成分が酸化ゲルマニウムであり、該空孔内に充填された半導体材料がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【０１０６】
まず、タングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のゲルマニウムチップを４枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１０７】
得られたアルミニウムゲルマニウム混合膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ａ）に示すように、ゲルマニウム領域に囲まれた断面がほぼ円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は１０ｎｍであり、その平均中心間間隔は１５ｎｍであった。
【０１０８】
次に、上記のようなアルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜をりん酸５ｗｔ％溶液中にて８時間浸し、アルミニウム柱状構造部分のみを選択的にエッチング及びゲルマニウムの水溶液酸化を行い、細孔を形成した。この結果、酸化ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体が作製された。
【０１０９】
このようにりん酸エッチングしたアルミニウムゲルマニウム混合膜（ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体）をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、ゲルマニウム領域に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔の孔径は９ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。その結果、酸化ゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体が形成された。また、作製した試料をＸ線回折法で測定したところ、酸化ゲルマニウムは非晶質であった。
【０１１０】
次に、このように作製した酸化ゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料を充填した。ここでは、多孔体に対してＢｉ2Ｔｅ3を充填し、多孔体内にＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤを形成した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【０１１１】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図８に示す基板８２上に形成された熱電変換材料８３において、酸化ゲルマニウムを主成分として構成された多孔体８４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ８７が二次元的に配列していた。また、基板断面から見たナノワイヤ８７は柱状構造を示していた。このナノワイヤ８７の平均的な直径は９ｎｍであり、隣接するナノワイヤ８７の平均的な中心間間隔は約１５ｎｍであった。
【０１１２】
上記の各実施例に示した様に、本発明は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して形成されている多孔体内に、熱電物質である半導体材料を充填することで、直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満である熱電物質ナノワイヤを高密度（ナノワイヤの中心間間隔が２０ｎｍ未満）に形成した熱電変換材料を形成できる。
【０１１３】
また、多孔体を形成する部材は、シリコンやゲルマニウムなどの様々な部材を使用できる。
【０１１４】
次に、上記実施形態及び各実施例で得られた熱電変換材料を用いた熱電変換デバイスを図９に基づいて説明する。図９に示す熱電変換デバイスは、既知のバルク状態の熱電変換デバイスと同様に、ペルチェ効果を利用して材料に電流を流すことによりその材料の一端で発熱、その他端で吸熱を行い冷却と加熱を同時に行う冷却器・温度制御装置等のデバイスや、その逆に材料の両端で温度差を与えることにより、起電力（熱起電力）を発生させる熱電発電機等のデバイスに適用されるものである。
【０１１５】
図９において、熱電変換デバイスは、多孔体１０１内に形成されたｐ型の半導体材料（熱電物質）のナノワイヤ１０２を有する熱電変換材料（以下、「ｐ型材料」）１０３と、多孔体１０１内に形成されたｎ型の半導体材料（熱電物質）のナノワイヤ１０４を有する熱電変換材料（以下、「ｎ型材料」）１０５とを一対にした素子（π型素子）を多数個直列に接続してユニット化したものである（図の例では１個のπ型素子のみ示している）。なお、図９において、１０６はｐ型材料１０３の一端側（以下、低温側）に設けられる電極、１０７はｎ型材料１０５の一端側（以下、低温側）に設けられる側電極、１０８は両材料１０３、１０５の他端側（以下、高温側）に設けられる電極を示す。
【０１１６】
ここで、上記熱電変換デバイスをペルチェ効果を利用したデバイスに適用する場合、両電極１０６、１０７間に図示しない電源を接続し、その電源からｐ型材料１０３、ｎ型材料１０５に電流を流す。これにより、両材料１０３、１０５中のナノワイヤ１０２、１０４を通じ電気から熱エネルギーへの熱電変換が行われ、両材料１０３、１０５の低温側では発熱（加熱）され、その高温側では吸熱（例冷却）される。
【０１１７】
また、上記熱電変換デバイスを熱電発電で用いる場合、ｐ型材料１０３、ｎ型材料１０５の低温側を図示しない冷却源により冷却、又はその高温側を図示しない熱源により加熱、あるいは両方を同時に行うことにより、その両材料１０３、１０５中に温度差を与える。これにより、ナノワイヤ１０２、１０４を通じ熱エネルギーから電気への熱電変換が行われ、両電極１０６、１０７間に熱起電力が発生する。
なお、本発明は、代表的に例示した上述の実施形態とその各実施例及びその適用例に限定されるものではなく、当業者であれば、特許請求の範囲の記載内容に基づき、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の態様に変形、変更することができる。これらの変更例や変形例も本発明の権利範囲に属するものである。
【０１１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば新規な熱電変換素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る熱電変換材料の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係る熱電変換材料の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の実施形態に係る熱電変換材料の他の製造方法を示す工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係る熱電変換材料の製造方法を示す説明図である。
【図５】実施例２の熱電変換材料を示す概略図である。
【図６】実施例３の熱電変換材料を示す概略図である。
【図７】実施例４の熱電変換材料を示す概略図である。
【図８】実施例５の熱電変換材料を示す概略図である。
【図９】本発明の実施形態及び各実施例の熱電変換材料を用いた熱電変換デバイスの一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１１、４３、５３、６３、７３、８３ 熱電変換材料
１２、４７、５７、６７、７７、８７ 熱電物質（ナノワイヤ）
１３、４２、５２、６２、７２、８２、９４ 基板
１４、４５、５４、６４、７４、８４ 多孔体
４１ 第一の成分（アルミニウム）
４３ 混合膜
４４ 第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分
４６ 細孔
９１ 独立した細孔
９２ 独立してない細孔
９３ 陽極酸化アルミナ
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な構造を有する熱電変換材料及びその製造方法に係り、特に、熱から電気への変換又は電気から熱への変換を行う熱電変換素子において、高い熱電変換指数を有する新規な構成を有する熱電変換材料とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
理論的な計算から、熱電変換材料をナノワイヤ化（量子細線化）とすることで、バルク状態の熱電変換材料と比べて、熱電変換指数が増加することが知られている。その大きな理由としては、材料を１次元化することにより発生する量子効果により、状態密度が変化することで、バルクに比べて高いゼーベック係数αが観測されるからである。
【０００３】
熱電物質の指標として一般的に使われている性能指数Ｚは、
Ｚ＝α2／χρ （１）
と定義されている。ここで、αがゼーベック係数であり、χが熱伝導率であり、ρが抵抗率である。この式からあきらかなように、ゼーベック係数αが増加すれば、性能指数Ｚは増加する。
【０００４】
そこで、性能指数Ｚを増加させる為に、様々な熱電物質（半導体材料）をナノワイヤ化（量子細線化）することが求められていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明では、ナノワイヤ化可能な新規構造体を利用した熱電変換素子、及びその製造方法等を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る熱電変換素子の製造方法は、柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に熱電変換可能な材料を導入する工程を有することを特徴とする。 また、本発明に係る熱電変換素子は、柱状の部材とそれを取り囲む領域を含み構成される構造体から、該柱状の部材を除去して得られる多孔質体に熱電変換可能な材料を導入して得られることを特徴とする。
【０００７】
ここで、前記構造体は、第1の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることがよい。特に、前記多孔質体の細孔径が２０ｎｍ以下、及び/または細孔間隔が３０ｎｍであるのがよい。
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第１の側面では、柱状構造体を有する熱電変換材料であって、該柱状構造体は、第一の成分を含み構成される柱状物質が該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から該柱状物質を除去して形成される柱状の空孔を有する多孔体（多孔質体）と、該多孔体の該空孔内に導入された熱電変換可能な半導体材料とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の側面では、柱状構造体を有する熱電変換材料であって、該柱状構造体は、第一の成分を含み構成される柱状物質が該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から該柱状物質を除去して形成される柱状の空孔を有する多孔体を用いて該空孔内に熱電変換可能な半導体材料を導入した後に該多孔体を除去して得られる該半導体材料を有することを特徴とする。
【００１０】
前記多孔体が、薄膜状であるであることが望ましい。
【００１１】
本発明によれば、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して形成されている多孔体を用いることにより、熱電物質ナノワイヤを形成できる。
【００１２】
本発明において、前記多孔体に化学的処理を施した後、前記空孔内に前記半導体材料を導入しても良い。また、前記化学的処理が酸化処理であることが望ましい。このように、前記多孔体を化学的処理（酸化処理）することで、多孔体を化学的に安定化させることが可能となる。
【００１３】
本発明において、前記柱状物質がアルミニウムであり、前記部材がシリコンであって、且つ前記構造体におけるシリコンの割合が２０atomic%以上７０atomic%以下の範囲にあるか、あるいは、前記柱状物質がアルミニウムであり、前記部材がゲルマニウムであって、且つ前記構造体におけるゲルマニウムの割合が２０atomic%以上７０atomic%以下の範囲にあることが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記多孔体の主成分がシリコンあるいはゲルマニウムあるいはシリコンとゲルマニウムの複合体であることが望ましい。このような材料構成をとることで、熱電物質ナノワイヤを形成できる。
【００１５】
前記柱状構造体の直径は、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが望ましい。このような細孔径にすることで、より高い熱電性能指数を達成できる。
【００１６】
前記柱状構造体の間隔は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが望ましい。このような間隔にすることで、より高密度に熱電物質ナノワイヤを形成できる。
【００１７】
前記柱状物質の一部は、結晶性物質であり、前記部材は、非晶質物質であることが望ましい。
【００１８】
本発明に係る熱電変換材料の製造方法は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する工程、該柱状物質を除去する除去工程、及び該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に半導体材料を導入する導入工程を有することを特徴とする。
【００１９】
前記導入工程後、前記部材を除去する工程を有しても良い。さらに、前記除去工程後、前記多孔体に化学的処理を施す工程を有しても良い。さらに、前記化学的処理とは、酸化処理であることが望ましいし、前記除去工程が、エッチングであることが望ましい。また、前記導入工程が、電着であることが好ましい。
【００２０】
前記半導体材料は、典型的にはＢｉＳｂやＢｉ2Ｔｅ3などのＢｉ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅから構成される合金系結晶であるが、これに限定されるわけではなく、すでにバルク状態の熱電変換材料として使用されている様々な材料を用いることが可能である。
【００２１】
本発明を成すに至った経緯について説明すると、本発明者らは、アルミニウムを用いた微細構造体に関して研究を進めていたところ、たまたま下記のような知見に至った。
【００２２】
即ち、スパッタリング法などの非平衡状態で材料を形成する成膜方法により、基板上にアルミニウムの膜を形成する際に、シリコン及びゲルマニウムを添加したところ所定条件下では自己形成的に柱状構造のアルミニウムがシリコンあるいはゲルマニウムあるいはシリコンとゲルマニウムの混合体の中に形成される場合があることを見出したのである。また、その柱状構造のアルミニウムが形成された膜をシリコンあるいはゲルマニウムあるいはシリコンとゲルマニウムの複合体よりも、アルミニウムを優先的に溶かす溶液に浸すことで、アルミニウムの陽極酸化では形成できない細孔径及び成功密度をもった多孔体が形成できることが分かった。
【００２３】
さらに、形成された多孔体を酸化処理することで、多孔体を構成する材料を酸化物に変化させることができることが分かった。
【００２４】
そこで、本発明者らは上記知見に基づき鋭意研究を進め、本発明を成すに至ったものである。
【００２５】
なお、シリコンあるいはゲルマニウムの量をアルミニウムとシリコンの全量に対して、２０〜７０atomic％にしたアルミニウムシリコン膜あるいはアルミニウムゲルマニウム膜を形成する理由は、この範囲のみでアルミニウムが柱状形状をしたナノ構造体を形成するからである。つまり、シリコン（あるいはゲルマニウム）の量がアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の全量に対して２０atomic％未満の場合は、アルミニウムを含む柱状構造体を形成しない。一方、シリコン（あるいはゲルマニウム）の量がアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の全量に対して７０atomic％を越える場合は、通常の電子顕微鏡ではアルミニウムを含む柱状構造体を確認できないからである。
【００２６】
また、このようなシリコン（あるいはシリコン酸化物）あるいはゲルマニウム（ゲルマニウム酸化物）から成る多孔体に、電着法などにより、半導体材料を導入することで、径の小さい（例えば、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満）ナノワイヤを高密度（例えば、ナノワイヤ同士の間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ未満）に形成できる。なお、ナノワイヤを形成した後に、多孔体の部材であるシリコン（あるいはシリコン酸化物）あるいはゲルマニウム（ゲルマニウム酸化物）を除去することも可能である。
【００２７】
以下、上記多孔体の母材となる構造体について説明を加える。
【００２８】
本発明で適用される構造体は、第１の成分と第２の成分を含み構成される構造体であって、該第１の成分を含み構成される柱状物質(柱状の部材)が、該第２の成分を含み構成される部材（領域）に取り囲まれているものである。この構成では、該構造体には該第２の成分が、該第１の成分と第２の成分の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることが望ましい。
【００２９】
上記割合は、前記構造体を構成する前記第１の成分と第２の成分の全量に対する前記第２の成分の割合のことであり、好ましくは２５atomic％以上６５atomic％以下、より好ましくは３０atomic％以上６０atomic％以下である。
【００３０】
なお、前記柱状物質は、実質的に柱状形状が実現していればよく、例えば柱状物質の成分として第２の成分が含まれていてもよいし、前記部材に第１の成分が含まれていてもよい。例えば、前記領域に第１の材料（例えばアルミニウム）が１％以上２０％以下含まれていてもよい。また、前記柱状物質やその周囲の部材に酸素、アルゴン、窒素、水素などが少量含まれていてもよい。
【００３１】
上記割合は、例えば誘導結合型プラズマ発光分析法で定量分析することにより得られる。atomic％を単位として用いているが、wt％を単位として用いる場合には、２０atomic％以上７０atomic％以下とは、２０．６５wt％以上７０．８４wt％以下となる（Ａｌの原子量を２６．９８２、Ｓｉの原子量を２８．０８６として換算している）。
【００３２】
前記第１及び第２の成分としては、両者の成分系相平衡図において、共晶点を有する材料（いわゆる共晶系の材料）であることが好ましい。特に共晶点が３００℃以上好ましくは４００℃以上であるのがよい。なお、第１の成分と第２の成分として好ましい組み合わせとしては、第１の成分としてＡｌを用い、第２の成分としてＳｉを用いる形態、第１の成分としてＡｌを用い、第２の成分としてＧｅを用いる形態、あるいは第１の成分としてＡｌを用い、第２の成分としてＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ＜１）を用いるのが好ましい。
【００３３】
前記柱状物質の平面形状は、円形あるいは楕円形状である。前記構造体には、前記第２の成分を含み構成されるマトリックス中に複数の前記柱状物質が分散していることになる。柱状物質の径（平面形状が円の場合は直径）は、主として前記構造体の組成（即ち、前記第２の成分の割合）に応じて制御可能であるが、その平均径は、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ未満、さらに好ましくは２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。楕円等の場合は、最も長い外径部が、上記範囲内であればよい。ここで平均径とは、例えば、実際のＳＥＭ写真（約１００ｎｍ×７０ｎｍの範囲）で観察される柱状の部分を、その写真から直接、あるいはコンピュータで画像処理して、導出される値である。
【００３４】
また、複数の柱状物質間の中心間距離２Ｒは、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、更に好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。勿論、中心間距離の下限として上記２Ｒは、柱状物質どうしが接触しない間隔は最低限備えている必要がある。
【００３５】
前記構造体は、膜状の構造体であることが好ましく、かかる場合、前記柱状の部材は膜の面内方向に対して略垂直になるように前記第２の成分を含み構成されるマトリックス中に分散していることになる。膜状構造体の膜厚としては、特に限定されるものではないが、１ｎｍ〜１００μｍの範囲で適用できる。プロセス時間等を考慮してより現実的な膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度である。特に３００ｎｍ以上の膜厚でも柱状構造が維持されていることが好ましい。また、柱状の部材は、厚さ（長さ）方向に対して実質的に分岐を持たない柱状構造である。
【００３６】
前記構造体は膜状の構造体であることが好ましく、基板上に当該構造体が設けられていてもよい。基板としては、特に限定されるものではないが、石英ガラスなどの絶縁性基板、シリコン基板、ガリウム砒素、あるいはインジウム燐などの半導体基板、アルミニウムなどの金属基板あるいは支持部材としての基板上に上記構造体が形成できるのであれば、フレキシブル基板（例えばポリイミド樹脂など）も用いることができる。基板に対して、略垂直な柱状構造が実現される。
【００３７】
前記構造体は、非平衡状態で成膜する方法を利用して作製することができる。当該成膜方法としては、スパッタリング法が好ましいが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）、イオンプレーティング法をはじめとする任意の非平衡状態で物質を形成する成膜法が適用可能である。スパッタリング法で行う場合には、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ＥＣＲスパッタリング、ＤＣスパッタリング法を用いることができる。スパッタリング法で行う場合は、アルゴンガス雰囲気中で反応装置内の圧力を０.２Ｐａから1Ｐａ程度にして成膜を行う。スパッタリングの際には、ターゲット原料として前記第１の材料と第２の材料をそれぞれ別途用意しても良いが、予め所望の割合で第１の材料と第２の材料が焼成されたターゲット材料を用いてもよい。
【００３８】
基板上に形成される前記構造体は、基板温度を２０℃以上３００℃以下、好ましくは２０℃以上２００℃以下、より好適には１００℃以上１５０℃以下で形成されることが好ましい。
【００３９】
前記構造体から前記柱状物質を除去（ウェットエッチングあるいはドライエッチングなど）することにより複数の柱状の孔を有する多孔体（多孔質体）が形成される。エッチングには、柱状の部材を選択的に除去できればよく、エッチング液としては例えば、燐酸、硫酸、塩酸、硝酸などの酸が好適である。当該除去により形成される多孔体の孔は、互いに連結せず独立していることが好適である。陽極酸化により上記柱状物質を除去してもよい。
【００４０】
上記構造体から多孔体を作製する方法として、第１の成分と第２の成分を含み構成される構造体であって、該第１の成分を含み構成される柱状の部材が、該第２の成分を含み構成される領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の成分が、該第１の成分と第２の成分の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれている該構造体を用意する工程、及び該構造体から該柱状の部材を除去する工程を有することが望ましい。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る熱電変換材料及びその製造方法の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
（熱電変換材料の構成）
図１は、本実施形態の熱電変換材料の一例を示す概略図である。この例では数ｎｍ（ナノメートル）から数十ｎｍサイズの径をもつ熱電物質の量子細線（以下、ナノワイヤ）を基板上の細孔内に形成した熱電変換材料の例を示している。図１において、１１が膜状の熱電変換材料であり、１２が熱電変換材料１１を構成しているナノワイヤ化した熱電物質（以下、必要に応じ「ナノワイヤ」と呼ぶ）、１３が基板、１４が多孔体である。
【００４２】
このうち、ナノワイヤ１２は、多孔体１４内に形成されている。このナノワイヤ１２は、図１に示されているように多孔体１４によって互いに分離されており、また、基板１３に対して垂直またはほぼ垂直に形成されている。ナノワイヤ１２の形状は、図１に示されているように柱状形状である。また、ナノワイヤ１２の直径（膜面から見たナノワイヤ１２の平均直径を示す）は、０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満であり、ナノワイヤ１２の間隔（膜面から見たナノワイヤの平均中心間距離を示す）は、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。
【００４３】
上記熱電変換材料１１を構成している多孔体１４は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して形成されている。ここで、第一の成分を含み構成される柱状物質は、例えば、アルミニウムを主成分とする材料から構成されている。また、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材は、例えば、ゲルマニウム、シリコン、あるいはゲルマニウムとシリコンの混合物からなる。
【００４４】
この多孔体１４の部材は、シリコン（あるいはその酸化物）あるいはゲルマニウム（あるいはその酸化物）を主成分とすることが好ましい。また、シリコンとゲルマニウムの混合体（あるいはその酸化物）を主成分とすることも可能である。また、多孔体１４の部材は、シリコンあるいはゲルマニウム（あるいはそれらの酸化物）を主成分とすることが望ましいが、数から数十atomic％程度のアルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ）、水素（Ｈ）などの各種の元素を含有してもよい。
【００４５】
また、多孔体１４の部材は、非晶質であることが望ましいが、結晶質の部材を含んでいても問題はない。
【００４６】
なお、ナノワイヤ１２を構成する材料は、典型的にＢｉＳｂやＢｉ2Ｔｅ3などのＢｉ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅから構成される合金系結晶であるが、これに限定されるわけではなく、すでにバルクの熱電変換材料として使用されている様々な材料を用いることが可能である。
【００４７】
また、図１において、熱電変換材料１１は、上記構成に限らず、ナノワイヤ化した熱電物質１２を分離している多孔体１４を除去した構成であってもよい。
（熱電変換材料の製造方法）
以下、本実施形態にかかる熱電変換材料の製造方法について詳細に説明する。
【００４８】
図２は、上記熱電変換材料の製造方法の一実施態様を示す工程図である。図２に示す熱電変換材料の製造方法は、下記の（ａ）工程〜（ｃ）工程を有する。
【００４９】
（ａ）工程：第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する工程。
【００５０】
（ｂ）工程：次に、該柱状物質を除去する工程。
【００５１】
（ｃ）工程：次に、該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に半導体材料を導入する導入工程。
【００５２】
図３は、上記熱電変換材料の他の製造方法の他の実施態様を示す工程図である。
【００５３】
（ａ）工程：第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する工程。
【００５４】
（ｂ）工程：次に、該柱状物質を除去する工程。
【００５５】
（ｃ）工程：前記部材を化学的処理（例えば、酸化処理）する工程
（ｄ）工程：次に、該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に半導体材料を導入する導入工程。
【００５６】
次に、上記熱電変換材料の製造方法を図面に基づいて説明する。
【００５７】
図４は、本実施形態の熱電変換材料の製造方法の一例を示す説明図である。図４の（ａ）〜（ｃ）の順に追って説明する。
【００５８】
（ａ）工程：第一の成分４１を含み構成される柱状物質が、第一の成分４１と共晶を形成し得る第二の成分４４を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する。
【００５９】
例えば、マトリックス（第二の成分４４）内に柱状構造（第一の成分４１）を形成するアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）を用意し、スパッタリング法などの非平衡状態の物質を形成できる方法により、基板４２上に構造体である混合膜（アルミニウムシリコン混合膜あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３を形成する。
【００６０】
このような方法でアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３を形成すると、アルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）が準安定状態の共晶型組織となり、アルミニウムがシリコン（あるいはゲルマニウム）マトリックス内に数ｎｍレベルのナノ構造体（柱状構造体）を形成し、自己組織的に分離する。そのときのアルミニウムはほぼ円柱状形状であり、その孔径は０．５ｎｍ以上〜１５ｎｍ未満であり、間隔は５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。
【００６１】
なお、アルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の混合膜４３において、形成される膜４３中のシリコン（あるいはゲルマニウム）の量は、アルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の全量に対して２０〜７０atomic％であり、好ましくは２５〜６５atomic％、さらに好ましくは３０〜６０atomic％である。シリコン量が斯かる範囲内であれば、シリコン（あるいはゲルマニウム）領域内にアルミニウムの柱状構造体が分散したアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３が得られる。
【００６２】
上記のアルミニウムとシリコン（あるいはゲルマニウム）の割合を示すatomic％とは、シリコン（あるいはゲルマニウム）とアルミニウムの原子の数の割合を示し、ａｔｏｍ％あるいはａｔ％とも記載され、例えば誘導結合型プラズマ発光分析法（ＩＣＰ法）でアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３中のシリコン（あるいはゲルマニウム）とアルミニウムの量を定量分析したときの値である。
【００６３】
（ｂ）工程：次に、該柱状物質を除去する。
【００６４】
例えば、上記のアルミニウムシリコン混合膜（あるいはアルミニウムゲルマニウム混合膜）４３中の柱状物質であるアルミニウムを濃硫酸でエッチングし、マトリックス内（ここではシリコンあるいはゲルマニウム）内に細孔４６を形成する。これにより基板４２上に多孔体４５が形成される。
【００６５】
なお、上記の多孔体４５中の細孔４６は、間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ未満、孔径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満である。
【００６６】
エッチングに用いる溶液は、例えばアルミニウムを溶かしシリコン（あるいはゲルマニウム）をほとんど溶解しない、りん酸、硫酸、塩酸、クロム酸溶液などの酸が挙げられるが、エッチングによる細孔形成に不都合がなければ水酸化ナトリウムなどのアルカリを用いることができ、特に酸の種類やアルカリの種類に限定されるものではない。また、数種類の酸溶液やあるいは数種類のアルカリ溶液を混合したものを用いてもかまわない。またエッチング条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製する多孔体に応じて、適宜設定することができる。
【００６７】
（ｃ）工程：次に、該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に熱電物質（半導体材料）４７を導入する。これにより、熱電物質４７がナノワイヤ化する。
【００６８】
この工程では、多孔体内に、熱電物質４７を充填する。例えば、電着によりＢｉ2Ｔｅ3を細孔に充填する。ここで、充填する熱電物質４７は、典型的に材料固有の熱電性能指数が高いＢｉ2Ｔｅ3などであるが、これに限定されるわけではなく、すでにバルクの熱電変換材料として使用されている様々な材料を用いることが可能である。
【００６９】
細孔内に材料を充填する方法としては、電着が好ましいが触媒反応法、さらにはＶＬＳ法などでも可能である。
【００７０】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
（実施例１：第１の材料Ａｌ、第２の材料Ｓｉ）
本実施例では、多孔体（多孔質体）の母材となる構造体（混合膜）として、シリコンに周囲を囲まれたアルミニウム構造体部分が円柱状構造であり、その径２ｒが３ｎｍであり、間隔２Ｒが７ｎｍ、長さＬが２００ｎｍであるアルミニウム細線を得た。
【００７１】
まず、このアルミニウム細線の作製方法を説明する。
【００７２】
ガラス基板上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成する。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００７３】
なお、ここではターゲットとして、アルミニウムターゲット上にシリコンチップを８枚置いたものを用いたが、シリコンチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタ条件により変化し、アルミニウムシリコン混合膜の組成が約５５ａｔｏｍｉｃ％近辺になれば良い。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にシリコンチップを置いたものに限定したものではなく、シリコンターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでも良いし、シリコンとアルミニウムの粉末を焼結したターゲットを用いても良い。
【００７４】
次に、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約５５ａｔｏｍｉｃ％であった。なお、ここでは測定の都合上、基板として、カーボン基板上に堆積したアルミニウムシリコン混合膜を用いた。
【００７５】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムシリコン混合膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、シリコンに囲まれた円形のアルミニウムナノ構造体が二次元的に配列していた。アルミニウムナノ構造体部分の孔径は３ｎｍであり、その平均中心間間隔は７ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウムナノ構造体部分はお互いに独立していた。
【００７６】
また、Ｘ線回折法でこの試料を観察した所、結晶性を示すシリコンのピークは確認できず、シリコンは非晶質であった。
【００７７】
従って、シリコンに周囲を囲まれた間隔２Ｒが７ｎｍ、径２ｒが３ｎｍ、高さＬが２００ｎｍのアルミニウム細線を含んだアルミニウムシリコンナノ構造体を作製することができた。
【００７８】
（比較例）
上記実施例に対する比較試料Ａとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して１５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を２枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００７９】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ａを観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、アルミニウム部分は円形状にはなっておらず、縄状になっていた。即ち、アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっていなかった。さらに、その大きさは１０ｎｍを遥かに超えていた。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、アルミニウム部分の幅は１５ｎｍを超えていた。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約１５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００８０】
さらに、比較試料Ｂとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して７５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を１４枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００８１】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｂを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウム部分を観察することができなかった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察しても、明確にアルミニウム部分を観察することができなかった。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約７５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００８２】
また、比較試料Ａを作製した場合と、シリコンチップの枚数の条件のみを変え、アルミニウムシリコン混合体の全量に対するシリコンの割合が、２０ａｔｏｍｉｃ％、３５ａｔｏｍｉｃ％、５０ａｔｏｍｉｃ％、６０ａｔｏｍｉｃ％、７０ａｔｏｍｉｃ％である試料を作製した。アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっている場合を○、なっていない場合を×としたものを以下に示す。
【００８３】
【表１】
【００８４】
さらに、比較試料Ｃとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は２５０℃とした。
【００８５】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｃを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウムとシリコンの明瞭な境界を確認することができなかった。つまり、アルミニウムナノ構造体を確認することができなかった。即ち、基板温度が高すぎると、より安定な状態に変化してしまうため、このようなアルミニウムナノ構造体を形成する膜成長ができていないと思われる。
【００８６】
なお、柱状の部材が分散した構造体を得る為に、ターゲットの組成をＡｌ：Ｓｉ＝５５：４５などに設定することも好ましい形態である。
（実施例２）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材が非晶質シリコンであり、該空孔内に充填された半導体がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【００８７】
まず、熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極としてタングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを３７atomic％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のシリコンチップを６枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【００８８】
得られたアルミニウムシリコン混合膜をＦＥ−ＳＥＭ（Field Emission - Scanning Electron Microscope：電界放出走査型電子顕微鏡）にて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ａ）に示すように、シリコン領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は５ｎｍであり、その平均中心間間隔は８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、それぞれのアルミニウム柱状構造体はお互いに独立していた。
【００８９】
次に、上記のように作製したアルミニウムシリコン混合膜を９８％濃硫酸溶液中にて２４時間浸し、アルミニウム柱状構造部分のみを選択的にエッチングして細孔を形成した。この結果、シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体が作製された。
【００９０】
このように濃硫酸エッチングしたアルミニウムシリコン混合膜（シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体）をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ｂ）のように、シリコンの部材に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔の孔径は５ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。
【００９１】
次に、上記のように作製したシリコンを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料であるＢｉ2Ｔｅ3を細孔中に充填した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【００９２】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図５に示す基板５２上に形成された熱電変換材料５３において、シリコンを主成分とした部材からなる多孔体５４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ５７が二次元的に配列していた。また、基板断面から見たナノワイヤ５７は、柱状構造を示していた。このナノワイヤ５７の平均的な直径は５ｎｍであり、隣接するナノワイヤ５７の平均的な中心間間隔は約８ｎｍであった。
（実施例３）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材の主成分が酸化シリコンであり、該空孔内に充填された半導体がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【００９３】
まず、熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極としてタングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを３７atomic％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のシリコンチップを６枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【００９４】
得られたアルミニウムシリコン混合膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、前述の図４（ａ）に示すように、シリコン領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は５ｎｍであり、その平均中心間間隔は８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、それぞれのアルミニウム柱状構造体はお互いに独立していた。
【００９５】
次に、上記のようにアルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを３７atomic％含んだアルミニウムシリコン混合膜を陽極酸化装置を用いて、陽極酸化処理を施し、酸化シリコンを主成分とする部材で構成された多孔体を形成した。陽極酸化で使う電解液は７ｍｏｌ／ｌに調節した硫酸水溶液を用い、恒温槽により溶液を２０℃に保持し、陽極酸化電圧は５Ｖとした。この結果、酸化シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体が作製された。
【００９６】
このように酸化シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、酸化シリコンを主成分とする部材に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔部の平均孔径は約４ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、それぞれの細孔は酸化シリコンを主成分とする部材により隔たれており、互いに独立していた。
【００９７】
次に、陽極酸化により酸化された熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極であるタングステンを還元する為に、水素雰囲気中で５００℃、２時間熱処理した。
【００９８】
次に、このように作製した酸化シリコンを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料であるを多孔体中に充填し、多孔体内にＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤを形成した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【００９９】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図６に示すように、基板６２上に形成された熱電変換材料６３において、酸化シリコンを主成分として構成された多孔体６４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ６７が二次元的に配列してた。また、基板断面から見たナノワイヤ６７は、柱状構造を示していた。ナノワイヤ６７の平均的な直径は４ｎｍであり、隣接するナノワイヤ６７の平均的な中心間間隔は約８ｎｍであった。
（実施例４）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材がゲルマニウムであり、該空孔内に充填された半導体がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【０１００】
まず、熱電物質であるＢｉ2Ｔｅ3を電着する為の電極としてタングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のゲルマニウムチップを４枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１０１】
得られたアルミニウムゲルマニウム混合膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は図４（ａ）のように、ゲルマニウム領域に囲まれた断面がほぼ円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は１０ｎｍであり、その平均中心間間隔は１５ｎｍであった。
【０１０２】
次に、上記のようにアルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜を９８％濃硫酸溶液中にて２４時間浸し、アルミニウム柱状構造部分のみを選択的にエッチングして細孔を形成した。この結果、ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体が作製された。
【０１０３】
このように濃硫酸エッチングしたアルミニウムゲルマニウム混合膜（ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体）をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ｂ）のように、ゲルマニウム領域に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔の孔径２ｒは１０ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。この結果、ゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体が形成された。また、作製した試料をＸ線回折法で測定したところ、ゲルマニウムは非晶質であった。
【０１０４】
次に、このように作製したゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料を充填した。ここでは、多孔体に対してＢｉ2Ｔｅ3を充填し、多孔体内にＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤを形成した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【０１０５】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図７に示す基板７２上に形成された熱電変換材料７３において、ゲルマニウムを主成分として構成された多孔体７４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ７７が二次元的に配列していた。また、基板断面から見たナノワイヤ７７は、柱状構造を示していた。このナノワイヤ７７の平均的な直径は１０ｎｍであり、隣接するナノワイヤ７７の平均的な中心間間隔は約１５ｎｍであった。
（実施例５）
本実施例は、柱状の空孔を有する多孔体の部材の主成分が酸化ゲルマニウムであり、該空孔内に充填された半導体材料がＢｉ2Ｔｅ3である熱電変換材料を形成した例を示す。
【０１０６】
まず、タングステンを２０ｎｍ堆積したシリコン基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて、アルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜を約２００ｎｍの厚さに形成した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に、１５ｍｍ角のゲルマニウムチップを４枚置いたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１０７】
得られたアルミニウムゲルマニウム混合膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図４（ａ）に示すように、ゲルマニウム領域に囲まれた断面がほぼ円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。アルミニウム柱状構造体部分の孔径は１０ｎｍであり、その平均中心間間隔は１５ｎｍであった。
【０１０８】
次に、上記のようなアルミニウムとゲルマニウムの全量に対してゲルマニウムを３７atomic％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜をりん酸５ｗｔ％溶液中にて８時間浸し、アルミニウム柱状構造部分のみを選択的にエッチング及びゲルマニウムの水溶液酸化を行い、細孔を形成した。この結果、酸化ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体が作製された。
【０１０９】
このようにりん酸エッチングしたアルミニウムゲルマニウム混合膜（ゲルマニウムを主成分とする部材で構成された多孔体）をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、ゲルマニウム領域に囲まれた細孔が二次元的に配列していた。細孔の孔径は９ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。その結果、酸化ゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体が形成された。また、作製した試料をＸ線回折法で測定したところ、酸化ゲルマニウムは非晶質であった。
【０１１０】
次に、このように作製した酸化ゲルマニウムを主成分とした部材で構成された多孔体に対して、半導体材料を充填した。ここでは、多孔体に対してＢｉ2Ｔｅ3を充填し、多孔体内にＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤを形成した。ここでは、Ｂｉ2Ｔｅ3の電着には、硝酸１ｍｏｌ／ｌ内にＢｉとＴｅを溶かしたものを用いた。電着は、以上の溶液中にて参照極としてＡｇ／ＡｇＣｌを用いて、−１．０Ｖで行った。その後、細孔から溢れたＢｉ2Ｔｅ3を研磨により除去した。
【０１１１】
このように作製された多孔体内に形成されたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、基板斜め上方向から見た表面の形状は、図８に示す基板８２上に形成された熱電変換材料８３において、酸化ゲルマニウムを主成分として構成された多孔体８４に囲まれたＢｉ2Ｔｅ3ナノワイヤ８７が二次元的に配列していた。また、基板断面から見たナノワイヤ８７は柱状構造を示していた。このナノワイヤ８７の平均的な直径は９ｎｍであり、隣接するナノワイヤ８７の平均的な中心間間隔は約１５ｎｍであった。
【０１１２】
上記の各実施例に示した様に、本発明は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して形成されている多孔体内に、熱電物質である半導体材料を充填することで、直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満である熱電物質ナノワイヤを高密度（ナノワイヤの中心間間隔が２０ｎｍ未満）に形成した熱電変換材料を形成できる。
【０１１３】
また、多孔体を形成する部材は、シリコンやゲルマニウムなどの様々な部材を使用できる。
【０１１４】
次に、上記実施形態及び各実施例で得られた熱電変換材料を用いた熱電変換デバイスを図９に基づいて説明する。図９に示す熱電変換デバイスは、既知のバルク状態の熱電変換デバイスと同様に、ペルチェ効果を利用して材料に電流を流すことによりその材料の一端で発熱、その他端で吸熱を行い冷却と加熱を同時に行う冷却器・温度制御装置等のデバイスや、その逆に材料の両端で温度差を与えることにより、起電力（熱起電力）を発生させる熱電発電機等のデバイスに適用されるものである。
【０１１５】
図９において、熱電変換デバイスは、多孔体１０１内に形成されたｐ型の半導体材料（熱電物質）のナノワイヤ１０２を有する熱電変換材料（以下、「ｐ型材料」）１０３と、多孔体１０１内に形成されたｎ型の半導体材料（熱電物質）のナノワイヤ１０４を有する熱電変換材料（以下、「ｎ型材料」）１０５とを一対にした素子（π型素子）を多数個直列に接続してユニット化したものである（図の例では１個のπ型素子のみ示している）。なお、図９において、１０６はｐ型材料１０３の一端側（以下、低温側）に設けられる電極、１０７はｎ型材料１０５の一端側（以下、低温側）に設けられる側電極、１０８は両材料１０３、１０５の他端側（以下、高温側）に設けられる電極を示す。
【０１１６】
ここで、上記熱電変換デバイスをペルチェ効果を利用したデバイスに適用する場合、両電極１０６、１０７間に図示しない電源を接続し、その電源からｐ型材料１０３、ｎ型材料１０５に電流を流す。これにより、両材料１０３、１０５中のナノワイヤ１０２、１０４を通じ電気から熱エネルギーへの熱電変換が行われ、両材料１０３、１０５の低温側では発熱（加熱）され、その高温側では吸熱（例冷却）される。
【０１１７】
また、上記熱電変換デバイスを熱電発電で用いる場合、ｐ型材料１０３、ｎ型材料１０５の低温側を図示しない冷却源により冷却、又はその高温側を図示しない熱源により加熱、あるいは両方を同時に行うことにより、その両材料１０３、１０５中に温度差を与える。これにより、ナノワイヤ１０２、１０４を通じ熱エネルギーから電気への熱電変換が行われ、両電極１０６、１０７間に熱起電力が発生する。
なお、本発明は、代表的に例示した上述の実施形態とその各実施例及びその適用例に限定されるものではなく、当業者であれば、特許請求の範囲の記載内容に基づき、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の態様に変形、変更することができる。これらの変更例や変形例も本発明の権利範囲に属するものである。
【０１１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば新規な熱電変換素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る熱電変換材料の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係る熱電変換材料の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の実施形態に係る熱電変換材料の他の製造方法を示す工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係る熱電変換材料の製造方法を示す説明図である。
【図５】実施例２の熱電変換材料を示す概略図である。
【図６】実施例３の熱電変換材料を示す概略図である。
【図７】実施例４の熱電変換材料を示す概略図である。
【図８】実施例５の熱電変換材料を示す概略図である。
【図９】本発明の実施形態及び各実施例の熱電変換材料を用いた熱電変換デバイスの一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１１、４３、５３、６３、７３、８３ 熱電変換材料
１２、４７、５７、６７、７７、８７ 熱電物質（ナノワイヤ）
１３、４２、５２、６２、７２、８２、９４ 基板
１４、４５、５４、６４、７４、８４ 多孔体
４１ 第一の成分（アルミニウム）
４３ 混合膜
４４ 第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分
４６ 細孔
９１ 独立した細孔
９２ 独立してない細孔
９３ 陽極酸化アルミナ
Claims (20)
- 柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に熱電変換可能な材料を導入する工程を有することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
- 前記構造体は、第1の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれている請求項１記載の熱電変換素子の製造方法。
- 柱状の部材とそれを取り囲む領域を含み構成される構造体から、該柱状の部材を除去して得られる多孔質体に熱電変換可能な材料を導入して得られることを特徴とする熱電変換素子。
- 前記構造体は、第１の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれている請求項３記載の熱電変換素子。
- 柱状構造体を有する熱電変換材料であって、
該柱状構造体は、第一の成分を含み構成される柱状物質が該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から該柱状物質を除去して形成される柱状の空孔を有する多孔体と、該多孔体の該空孔内に導入された熱電変換可能な半導体材料とを有することを特徴とする熱電変換材料。 - 柱状構造体を有する熱電変換材料であって、
該柱状構造体は、第一の成分を含み構成される柱状物質が該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から該柱状物質を除去して形成される柱状の空孔を有する多孔体を用いて該空孔内に熱電変換可能な半導体材料を導入した後に該多孔体を除去して得られる該半導体材料を有することを特徴とする熱電変換材料。 - 前記多孔体が薄膜状である請求項５又は６に記載の熱電変換材料。
- 前記柱状構造体は、前記多孔体に化学的処理を施した後、前記空孔内に前記半導体材料を導入して得られる請求項５乃至７のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記化学的処理が酸化処理である請求項８記載の熱電変換材料。
- 前記柱状物質がアルミニウムであり、前記部材がシリコンであって、且つ前記構造体におけるシリコンの割合が２０atomic%以上７０atomic%以下の範囲にある請求項５乃至９のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記柱状物質がアルミニウムであり、前記部材がゲルマニウムであって、且つ前記構造体におけるゲルマニウムの割合が２０atomic%以上７０atomic%以下の範囲にある請求項５乃至９のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記多孔体の主成分がシリコンである請求項５乃至９のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記多孔体の主成分がゲルマニウムである請求項５乃至９のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記柱状構造体の直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である請求項５乃至１３のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記柱状構造体の間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である請求項５乃至１４のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記柱状物質の一部は結晶性物質であり、前記部材は非晶質物質である請求項５乃至１５のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 第一の成分を含み構成される柱状物質が、該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体を用意する工程、該柱状物質を除去する除去工程、及び該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に半導体材料を導入する導入工程を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
- 前記除去工程後、前記多孔体に化学的処理を施す工程を有する請求項１７に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 前記化学的処理は、酸化処理である請求項１７記載の熱電変換材料の製造方法。
- 前記導入工程が、電着である請求項１７乃至１９のいずれか１項に記載の熱電変換材料の製造方法。
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Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281070A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Denso Corp | 熱電変換素子およびその製造方法 |
| US7309830B2 (en) | 2005-05-03 | 2007-12-18 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Nanostructured bulk thermoelectric material |
| WO2010010783A1 (ja) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 熱電変換素子 |
| JP2010272859A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電界効果トランジスタ（ｆｅｔ）インバータとその製造方法（単一ゲート・インバータのナノワイヤ・メッシュ） |
| JP2011040663A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Hioki Ee Corp | サーモパイル型赤外線検知素子およびその製造方法 |
| JP2011117883A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Hioki Ee Corp | サーモパイル型赤外線検知素子およびその製造方法 |
| JP2012510150A (ja) * | 2008-11-25 | 2012-04-26 | サッシャ・マントヴァーニ | 熱エネルギーを迅速に移送する装置 |
| KR101310295B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2013-09-23 | 한양대학교 산학협력단 | 열전 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2014028903A1 (en) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Silicium Energy, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
| JP2014505998A (ja) * | 2010-12-03 | 2014-03-06 | アルファベット エナジー インコーポレイテッド | 埋め込み型ナノ構造を持つ低熱伝導マトリクスとその方法 |
| WO2014126211A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 | ｎ型熱電変換材料および熱電変換素子、ならびにｎ型熱電変換材料の製造方法 |
| WO2015148554A1 (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | Silicium Energy, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
| JPWO2013161645A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-12-24 | リンテック株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| US9269882B2 (en) | 2012-11-16 | 2016-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric material, thermoelectric element and module including the same, and method of preparing the thermoelectric material |
| US9419198B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-08-16 | California Institute Of Technology | Nanomesh phononic structures for low thermal conductivity and thermoelectric energy conversion materials |
| KR101680764B1 (ko) | 2008-08-11 | 2016-11-29 | 삼성전자주식회사 | 이방성 신장 열전 나노복합물, 그의 제조방법 및 이를 포함한 열전소자 |
| US9595653B2 (en) | 2011-10-20 | 2017-03-14 | California Institute Of Technology | Phononic structures and related devices and methods |
| WO2017057237A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | セントラル硝子株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| JPWO2017002514A1 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-04-19 | 住友電気工業株式会社 | 熱電材料、熱電素子、光センサおよび熱電材料の製造方法 |
| USD819627S1 (en) | 2016-11-11 | 2018-06-05 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric smartwatch |
| US10003004B2 (en) | 2012-10-31 | 2018-06-19 | Matrix Industries, Inc. | Methods for forming thermoelectric elements |
| WO2018117045A1 (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 国立大学法人東北大学 | 熱電材料および熱電モジュール |
| US10032974B2 (en) | 2012-03-07 | 2018-07-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion apparatus |
| US10205080B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-02-12 | Matrix Industries, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
| US10290796B2 (en) | 2016-05-03 | 2019-05-14 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
| US10749094B2 (en) | 2011-07-18 | 2020-08-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003078688A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| JP4464041B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-05-19 | キヤノン株式会社 | 柱状構造体、柱状構造体を有する電極、及びこれらの作製方法 |
| JP4428921B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体、電子デバイス、及びその製造方法 |
| US7465871B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-12-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanocomposites with high thermoelectric figures of merit |
| US8865995B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-10-21 | Trustees Of Boston College | Methods for high figure-of-merit in nanostructured thermoelectric materials |
| US8044293B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-10-25 | GM Global Technology Operations LLC | High performance thermoelectric nanocomposite device |
| EP1909959B1 (en) * | 2005-03-18 | 2012-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Pillar structure for separating or capturing target substance |
| US8039726B2 (en) * | 2005-05-26 | 2011-10-18 | General Electric Company | Thermal transfer and power generation devices and methods of making the same |
| US20070084499A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Biprodas Dutta | Thermoelectric device produced by quantum confinement in nanostructures |
| US20070084495A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Biprodas Dutta | Method for producing practical thermoelectric devices using quantum confinement in nanostructures |
| US7960251B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for producing nanowires using a porous template |
| US7767564B2 (en) * | 2005-12-09 | 2010-08-03 | Zt3 Technologies, Inc. | Nanowire electronic devices and method for producing the same |
| US7559215B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-07-14 | Zt3 Technologies, Inc. | Methods of drawing high density nanowire arrays in a glassy matrix |
| US20070131269A1 (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Biprodas Dutta | High density nanowire arrays in glassy matrix |
| US8658880B2 (en) * | 2005-12-09 | 2014-02-25 | Zt3 Technologies, Inc. | Methods of drawing wire arrays |
| DE102006013245A1 (de) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Ausbildung von Öffnungen in einer Matrizenschicht und zur Herstellung von Kondensatoren |
| US7561760B2 (en) * | 2006-07-19 | 2009-07-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | System and method for optical beam steering using nanowires and method of fabricating same |
| CN101148245B (zh) * | 2006-09-22 | 2011-08-24 | 清华大学 | 纳米级微孔模具 |
| US7781317B2 (en) | 2007-01-03 | 2010-08-24 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method of non-catalytic formation and growth of nanowires |
| US8101449B2 (en) | 2007-01-03 | 2012-01-24 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Process for altering thermoelectric properties of a material |
| DE102007048749A1 (de) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Fahrner, Wolfgang R. | Thermogenerator |
| CN101971360A (zh) * | 2008-02-08 | 2011-02-09 | 清洁电池国际股份有限公司 | 用于发电的基于纳米棒的复合结构 |
| EP2297795A4 (en) * | 2008-05-21 | 2013-07-31 | Nano Nouvelle Pty Ltd | THERMOELECTRIC ELEMENT |
| TW201042789A (en) * | 2009-04-02 | 2010-12-01 | Basf Se | Thermoelectric material coated with a protective layer |
| US20110089402A1 (en) * | 2009-04-10 | 2011-04-21 | Pengfei Qi | Composite Nanorod-Based Structures for Generating Electricity |
| US8569740B2 (en) * | 2010-01-12 | 2013-10-29 | MicroXact Inc. | High efficiency thermoelectric materials and devices |
| FR2963476B1 (fr) * | 2010-07-30 | 2012-08-24 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'un condensateur comprenant un reseau de nano-capacites |
| TWI441305B (zh) | 2010-12-21 | 2014-06-11 | Ind Tech Res Inst | 半導體裝置 |
| US8889454B2 (en) * | 2011-11-08 | 2014-11-18 | Ut-Battelle, Llc | Manufacture of thermoelectric generator structures by fiber drawing |
| WO2013119293A2 (en) * | 2011-11-22 | 2013-08-15 | Research Triangle Institute | Nanoscale, ultra-thin films for excellent thermoelectric figure of merit |
| DE102012000763A1 (de) * | 2012-01-18 | 2013-07-18 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung eines rohrförmigen thermoelektrischen Moduls |
| DE102012208837A1 (de) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Robert Bosch Gmbh | Seebeck-Elementanordnung, Seebeck-Elementvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Seebeck-Elementanordnung |
| WO2015161202A2 (en) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | North Carolina State University | Flexible thermoelectric modules and methods of fabrication |
| KR101679833B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2016-11-28 | 고려대학교 산학협력단 | 열전발전모듈 및 그 제조방법 |
| CN109074029A (zh) | 2015-12-01 | 2018-12-21 | 美特瑞克斯实业公司 | 热电设备和系统 |
| KR101837828B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2018-03-12 | 연세대학교 산학협력단 | 열전 재료, 이의 제조 방법 및 열전 소자 |
| US11087055B2 (en) | 2017-11-17 | 2021-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of screening materials using forward conducting modes |
| CN111483975A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-04 | 北京理工大学 | 一种热导率可控的具有微纳结构的薄膜制作方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3182522B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2001-07-03 | ファインセラミックス技術研究組合 | 一次元貫通気孔を持つセラミック膜とその製造方法 |
| US6231744B1 (en) * | 1997-04-24 | 2001-05-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for fabricating an array of nanowires |
| JP4250287B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2009-04-08 | キヤノン株式会社 | シリカメソ構造体の製造方法 |
| JP4536866B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
| US7301199B2 (en) * | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
| TWI292583B (en) * | 2000-08-22 | 2008-01-11 | Harvard College | Doped elongated semiconductor articles, growing such articles, devices including such articles and fabicating such devices |
| DE60135775D1 (de) * | 2000-12-11 | 2008-10-23 | Harvard College | Vorrichtung enthaltend nanosensoren zur ekennung eines analyten und verfahren zu ihrer herstellung |
| JP3912583B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2007-05-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 配向性カーボンナノチューブ膜の製造方法 |
| US6670539B2 (en) * | 2001-05-16 | 2003-12-30 | Delphi Technologies, Inc. | Enhanced thermoelectric power in bismuth nanocomposites |
| EP1433208A4 (en) * | 2001-10-05 | 2008-02-20 | Nextreme Thermal Solutions Inc | LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, ELECTRON EMITTERS AND PHONES BLOCKERS |
| US6972146B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure having holes and method for producing the same |
| WO2003078687A1 (fr) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Materiau poreux et son procede de production |
| WO2003078688A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| JP4428921B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体、電子デバイス、及びその製造方法 |
| JP4027218B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 濾過膜の製造方法 |
-
2002
- 2002-12-13 JP JP2002363133A patent/JP4434575B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-12 WO PCT/JP2003/015951 patent/WO2004055912A1/en active Application Filing
- 2003-12-12 AU AU2003285774A patent/AU2003285774A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-12 US US10/537,161 patent/US20060032526A1/en not_active Abandoned
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008523614A (ja) * | 2004-12-07 | 2008-07-03 | トヨタ テクニカル センター，ユー．エス．エー．，インコーポレイティド | ナノ構造のバルク熱電材料 |
| JP2010278449A (ja) * | 2004-12-07 | 2010-12-09 | Toyota Technical Center Usa Inc | ナノ構造のバルク熱電材料 |
| US7309830B2 (en) | 2005-05-03 | 2007-12-18 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Nanostructured bulk thermoelectric material |
| JP2007281070A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Denso Corp | 熱電変換素子およびその製造方法 |
| WO2010010783A1 (ja) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 熱電変換素子 |
| US9673371B2 (en) | 2008-08-11 | 2017-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Anisotropically elongated thermoelectric material, process for preparing the same, and device comprising the material |
| KR101680764B1 (ko) | 2008-08-11 | 2016-11-29 | 삼성전자주식회사 | 이방성 신장 열전 나노복합물, 그의 제조방법 및 이를 포함한 열전소자 |
| JP2012510150A (ja) * | 2008-11-25 | 2012-04-26 | サッシャ・マントヴァーニ | 熱エネルギーを迅速に移送する装置 |
| JP2010272859A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電界効果トランジスタ（ｆｅｔ）インバータとその製造方法（単一ゲート・インバータのナノワイヤ・メッシュ） |
| KR101310295B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2013-09-23 | 한양대학교 산학협력단 | 열전 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP2011040663A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Hioki Ee Corp | サーモパイル型赤外線検知素子およびその製造方法 |
| JP2011117883A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Hioki Ee Corp | サーモパイル型赤外線検知素子およびその製造方法 |
| US9419198B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-08-16 | California Institute Of Technology | Nanomesh phononic structures for low thermal conductivity and thermoelectric energy conversion materials |
| JP2014505998A (ja) * | 2010-12-03 | 2014-03-06 | アルファベット エナジー インコーポレイテッド | 埋め込み型ナノ構造を持つ低熱伝導マトリクスとその方法 |
| US10749094B2 (en) | 2011-07-18 | 2020-08-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
| US9595653B2 (en) | 2011-10-20 | 2017-03-14 | California Institute Of Technology | Phononic structures and related devices and methods |
| US10205080B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-02-12 | Matrix Industries, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
| US10032974B2 (en) | 2012-03-07 | 2018-07-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion apparatus |
| JPWO2013161645A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-12-24 | リンテック株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| US9515246B2 (en) | 2012-08-17 | 2016-12-06 | Silicium Energy, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
| WO2014028903A1 (en) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Silicium Energy, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
| US10003004B2 (en) | 2012-10-31 | 2018-06-19 | Matrix Industries, Inc. | Methods for forming thermoelectric elements |
| US9269882B2 (en) | 2012-11-16 | 2016-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric material, thermoelectric element and module including the same, and method of preparing the thermoelectric material |
| WO2014126211A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 | ｎ型熱電変換材料および熱電変換素子、ならびにｎ型熱電変換材料の製造方法 |
| JPWO2014126211A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-02-02 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | ｎ型熱電変換材料および熱電変換素子、ならびにｎ型熱電変換材料の製造方法 |
| US9263662B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-02-16 | Silicium Energy, Inc. | Method for forming thermoelectric element using electrolytic etching |
| JP2017510992A (ja) * | 2014-03-25 | 2017-04-13 | シリシウム エナジー，インコーポレイテッド | 熱電デバイス及びシステム |
| WO2015148554A1 (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | Silicium Energy, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
| US10644216B2 (en) | 2014-03-25 | 2020-05-05 | Matrix Industries, Inc. | Methods and devices for forming thermoelectric elements |
| JPWO2017002514A1 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-04-19 | 住友電気工業株式会社 | 熱電材料、熱電素子、光センサおよび熱電材料の製造方法 |
| WO2017057237A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | セントラル硝子株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| JPWO2017057237A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2018-08-30 | セントラル硝子株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| US10290796B2 (en) | 2016-05-03 | 2019-05-14 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
| US10580955B2 (en) | 2016-05-03 | 2020-03-03 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
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