JP2004188459A - 溶接装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】溶接チャンバー2内の部屋3を略円筒状に形成し、被覆管4と端栓5の突き合わせ部を溶接部Aとして挿入した状態で回転可能に保持する。部屋3と被覆管4との空隙9を不活性ガス流路とし、空隙9は溶接部A及びその周辺部を収容する第一流路部9aとこれより空隙の間隔の狭い第二流路部9bとする。第一流路部9aでは、径方向の間隔をdとし、dは4mm以下に狭く設定する。溶接時に溶接トーチ10から不活性ガスを溶接部Aに吹きつけ、第一流路部9a及び第二流路部9b内を流す。溶接チャンバー2の本体内には冷却パイプ13を収容する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被溶接物、例えば原子炉に使用される核燃料集合体を構成する燃料棒と端栓とを溶接チャンバー内で溶接するための溶接装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、燃料棒の被覆管の端部に端栓を嵌合して突き合わせて溶接部としてTIG(ティグ)溶接する場合、溶接チャンバーの部屋内に燃料棒の被覆管に端栓を封止させた状態で挿入し、被覆管と端栓との溶接部に溶接トーチのタングステン電極等からなる溶接電極を対向させた状態で、ヘリウムガス等の不活性ガスをシールドガスとして供給し、不活性ガス雰囲気で溶接電極から溶接部にアーク放電させる。そして被覆管と端栓との溶接部を周方向に回転させながら順次溶接させることになる。
ところで、被覆管や端栓の材質はジルカロイ合金やチタン等の活性な金属からなるために、酸化や窒化によって品質の低下を来すおそれがある。そのため溶接部やその周辺部の酸化や窒化を防止すると共に冷却を十分促進させるために、溶接時にシールドガスとして高純度な不活性ガスを溶接部とその周辺部に吹き付けている。また、不活性ガス雰囲気で溶接したとしても、溶接後に溶接部やその周辺部の冷却が不十分な状態で溶接チャンバーから取り出すと酸化してしまう。そのため、溶接時や溶接後の冷却のために不活性ガスの流量を制御することで、溶接部やその周辺の酸化や窒化を防止している。
このような溶接装置の一例として、例えば下記特許文献1に記載のものが提案されている。この溶接装置によれば、溶接後の冷却中に溶接チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を溶接中の流量よりも十分多くするよう制御している。これによって溶接部の冷却を急速に行える。しかも同一ガス配管系統でガス流量を増減制御することで複数のガス配管系統を設けて切り換え制御する必要もないとしている。
【0003】
また、他の溶接装置を図3により説明すると、図3(a)に示すように溶接チャンバー40内の部屋41が比較的広い空間として形成され、この部屋41内に被覆管42と端栓43との溶接部Aを挿入した状態で溶接トーチ44によって溶接する。この場合、端栓43をストッパ45で回転可能に保持した状態で被覆管42を回転させつつ、溶接トーチ44の電極からアークを放電して溶接部Aを溶接する。溶接と同時に溶接トーチ44の先端開口からヘリウムガス等の不活性ガスを溶接部Aに吐出させて溶接部の酸化や窒化を防ぐと共に溶接部及びその周辺部を冷却するようにしている。
【0004】
【特許文献1】
特許第2954580号公報(第2−3頁、図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特許文献1記載の溶接装置等では、溶接時と溶接後とで二段階に分けて不活性ガス流量を吐出させ、しかも溶接後の吐出量を増大させているため、多量の不活性ガスを使用するのでコスト高になる欠点がある。しかも多量の不活性ガスを使用するにもかかわらず溶接後の冷却効率が十分でなく、溶接の生産性が悪いという欠点があった。
また、図3(a)に示す他の溶接装置では、溶接トーチ44から吹き付けられる不活性ガスは図3(b)に示すように溶接トーチ44の先端開口に対向する直下の領域では被覆管42に対して高速で接触して冷却効果を期待できるが、その後の不活性ガスの流れは部屋41内で被覆管4の周囲や周辺に拡散するために流速が緩慢になり、迅速な冷却効果を期待できない。そのために、不活性ガスの流量が多量であるにもかかわらず冷却効率が悪いためにコスト高で溶接の生産性が悪いという欠点があった。
本発明は、このような実情に鑑みて、不活性ガスの使用量を少量に抑制すると共に十分な冷却効率を挙げられ、溶接作業の生産性を向上できるようにした溶接装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明による溶接装置は、溶接チャンバー内の空間を形成する部屋を不活性ガス雰囲気にして被溶接物を溶接するようにした溶接装置において、被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する部屋の内面と被溶接物との空隙を、不活性ガスが部屋の内面及び被溶接物に沿って流れるように狭く設定したことを特徴とする。溶接時に、被溶接物の溶接部を溶接トーチ等の溶接器によって溶接すると溶接部とその周辺部が高温になるが、溶接と同時に不活性ガスを放出して、溶接部を不活性ガス雰囲気にして酸化や窒化を防止する。しかも吐出された不活性ガスが部屋の内面と被溶接物の外面との空隙を通過して流れることで、部屋の内面と被溶接物の外面に接触する不活性ガスの接面流速が上昇することになり、溶接部とその周辺部の熱を奪って高温となった不活性ガス流が外部へ流れる。また溶接部とその周辺部の熱は不活性ガスを介して溶接チャンバーへ熱伝導されて外部へ放熱される。
【0007】
また空隙を形成する部屋の内面と被溶接物との間隔dを4mm以下に設定してもよい。
空隙dを4mm以下に設定することで、不活性ガスの接面流速を確実に上昇させて総伝熱係数(熱貫流率)を向上させる。
尚、空隙は1.5mm以上に設定することが好ましい。1.5mm未満であると、周方向(全周囲)への不活性ガスの流量を確保できず、熱交換による溶接部及びその周辺部の冷却を十分に行えない。
【0008】
本発明による溶接装置は、溶接チャンバー内の空隙を形成する部屋を不活性ガス雰囲気にして被溶接物を溶接するようにした溶接装置において、被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する部屋の内面に凹凸部を形成したことを特徴とする。
部屋の内面にフィン等の凹凸部を形成することで、部屋と溶接部との空隙を流れる不活性ガスの流れに乱れを生じさせ、部屋の内面や溶接部及びその周辺部の接面流速を上昇させることができ、これによって総伝熱係数(熱貫流率)を向上させる。
【0009】
また溶接チャンバーに冷却機構を配設してもよい。冷却機構は溶接チャンバーの本体内部やその外面に設けることができ、これによって不活性ガスを介して伝導された熱を溶接チャンバーを通して外部に放出して冷却を促進できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図1に基づいて説明する。
図1は本発明の実施の形態による溶接装置の要部を示すもので、(a)は燃料棒の長手方向に沿う縦断面図、(b)は(a)における溶接チャンバーのB−B線縦断面図である。
図1に示す溶接装置1は、溶接チャンバー2内に例えば略円筒状の空間からなる部屋3が形成されており、この部屋3内には燃料棒の被覆管4が被溶接物として挿入されている。被覆管4は溶接チャンバー2の外部に位置する回転チャック等の回転手段によって中心軸回りに回転可能に支持されている。尚、被覆管4は両端を端栓で封止され、その内部には複数の燃料ペレットが充填されてプレナムスプリングで一方の端栓側に押圧され且つヘリウムガス等の不活性ガスを充満させることによって燃料棒を構成する。
溶接チャンバー2の部屋3内では被覆管4の一端に端栓5が封止状態で突き合わされており、この端栓5は部屋3内の最奥部でストッパ6(冷やし金)に把持されている。ストッパ6は部屋3の最奥部内壁に設けられたベアリング7によって回転可能に支持されている。被覆管4は溶接チャンバー2の略円筒状の部屋3内に例えば同心状に支持されており、部屋3の内面3a、3bと被覆管4との間の空隙9は略円筒形状の不活性ガス流路を形成し、突き合わせ部からなる溶接部Aと溶接チャンバー2の外部とを連通させている。
【0011】
空隙9は溶接部Aとその周辺部を含み径方向の間隔dの厚みを有する第一流路部9aと、第一流路部9aから外部の開口へ向けた第二流路部9bとで構成されている。第二通路部9bは部屋3の内面3bの内径がガス第一通路部9aの内面3aの内径よりも若干小さく設定されて空隙9の径方向の間隔(厚み)が間隔dより小さく形成され、部屋3内に外部空気が侵入するのを抑制している。
そして溶接チャンバー2の部屋3内には、被覆管4と端栓5との溶接部Aに対し径方向に対向する位置にTIG溶接器の溶接トーチ10(溶接器)が配設され、溶接トーチ10の例えばタングステン電極からなる電極11が被覆管4と端栓5との突き合わせ部である溶接部Aに若干の空隙を以て臨んでいる。溶接トーチ10の先端開口からは例えばヘリウムガス等の不活性ガスが溶接部Aに向けて吹き出し、空隙9を流れて溶接チャンバー2の外部へ流れるようになっている。この不活性ガスによって溶接部の酸化や窒化を防止すると共に溶接部Aの冷却を促進する。
部屋3即ち空隙9は図3に示す従来のものより狭窄に設定することで、溶接時に高温になる溶接部A及びその周辺部の被覆管4を流れる不活性ガスの流速を、例えば従来より10倍以上の高速に設定できる。そのため、この空隙9は第一流路部9aの間隔dが1.5mm〜4.0mmの範囲に設定されている。第一流路部9aの間隔dが1.5mmより小さいと空隙9内を流れる不活性ガスの周方向全周への流量を確保できないために冷却効果を十分発揮できず、4.0mmより大きいと不活性ガスの接面流速を十分高速にできないために同じく冷却効果を十分発揮できない。
尚、溶接チャンバー2の本体内には冷却パイプ13が冷却機構として配設されており、これによって不活性ガスを介して溶接チャンバー2に伝導された被覆管4と端栓6の溶接時の熱を冷却することができる。また、溶接チャンバー2の外面にも冷却パイプ等の冷却機構を設けてもよい。
【0012】
本実施の形態による溶接装置1は上述のように構成されており、次にその作用について説明する。
先ず図1に示すように被覆管4と端栓5との溶接部Aを溶接チャンバー2の部屋3内に同軸に収容し、端栓5をストッパ6で回転可能に支持した状態で、溶接トーチ10によって溶接部Aの溶接を行う。溶接トーチ10の先端開口から不活性ガスを溶接部Aに吐出しながら電極11からアークを放電させつつ回転チャックで被覆管4を端栓5と共に中心軸回りに相対回転させる。
これによって被覆管4と端栓5の溶接部Aは全周に亘って順次溶接され、しかも不活性ガスによって溶接部Aの酸化や窒化を防止できる。また溶接部Aの周辺部も高熱になるが、不活性ガスが溶接部Aの全周から空隙9内を外部に向けて流れる(図1(b)参照)。この時、溶接トーチ10からの吐出領域に対して第一流路部9aの断面積が小さく設定されていることで、被覆管4を取り巻く空隙9の第一流路部9a内の不活性ガス流は高速になり、特に接面流速が高速になる。そして、溶接部Aやその周辺部の被覆管4表面の熱伝達を受けて高温状態で第二流路部9bを通して外部へ放出される。しかも溶接部Aやその周辺部の被覆管4表面の熱は不活性ガスを介して溶接チャンバー2へ伝達され、冷却パイプ13で冷却されて外面から放熱される。
このようにして溶接部Aは全周に亘って溶接され、しかも溶接部Aとその周辺部は空隙9を高速で流れる不活性ガスによって迅速に冷却でき、冷却効率が高い。
【0013】
上述のように本実施の形態によれば、ガス流路を構成する空隙9が狭いために比較的少ない不活性ガス流量によって、溶接部Aとその周辺部の接面流速を高速にして、溶接部Aの酸化や窒化を防止すると共に溶接部Aとその周辺部を迅速に冷却できて冷却効率が高く、生産性が高いという効果を奏する。
【0014】
次に本発明の第二の実施の形態を図2により説明するが、上述の第一の実施の形態と同一または同様な部分、部材には同一の符号を用いて説明を省略する。
本第二の実施の形態による溶接装置20は、溶接チャンバー2の略円筒状の部屋3内で空隙9の第一流路部9aを仕切る略円筒状の内面3aに連続する凹凸からなるフィン21を形成している。このフィン21は第一流路部9a内で、好ましくは端栓5の領域から被覆管4の溶接部Aの周辺部まで延在して形成されており、溶接によって高温になる領域に対向して設けられている。図2(a)に示す例では、フィン21は第一流路部9aの領域に距離L(例えばL=15mm)に亘って形成されている。
その余の構成は第一の実施の形態による溶接装置1と同一である。
【0015】
本実施の形態による溶接装置20は上述の構成を備えているから、溶接時に溶接トーチ10の先端開口から吐出される不活性ガスは溶接部Aに吹き付けられた後に被覆管4の全周に流れて(図2(b)参照)部屋3内の空隙9を溶接チャンバー2の外部に向けて高速で流れる。しかも第一流路部9aでは部屋3の内面3aにフィン21を設けているために、不活性ガス流はフィン21の凹凸に沿って流れの方向が変化させられ、流れ方向に乱れを生じる。これによって溶接部Aやその周辺部における部屋3の内面3aや被覆管4の表面の不活性ガスの接面流速が上昇し、熱交換効率が上昇する。
そして溶接部A及びその周辺部と熱交換された不活性ガス流は高温となって第一流路部9a及びより幅の狭い第二流路部9bを通して、高温状態で溶接チャンバー2の外部へ排出される。また溶接部A及びその周辺部の熱は不活性ガス流を介して溶接チャンバー2の本体に伝導され、冷却パイプ13や外面の冷却パイプで冷却された後に外部へ放熱される。
【0016】
本第二の実施の形態による溶接装置20によれば、溶接チャンバー2内のガス流路を構成する部屋3と被覆管4及び端栓5との空隙9を狭い断面積に設定すると共に、溶接部A及びその周辺部に対向する部屋3の内面3aにフィン21を設けたから、第一の実施の形態による溶接装置1よりも更に接面流速を上昇させて冷却効果及び熱交換効率を更に向上させることができる。
【0017】
【実施例】
次に本発明の実施例について説明する。
実施例として第一の実施の形態による溶接装置20を用い、従来例として図3に示す溶接装置40を用いた。燃料棒の被覆管4は端栓5を嵌合させて封止し、半径5mm、溶接チャンバーの部屋3内に挿入される部分の長さは実施例で25mm、従来例で50mmとした。
尚、実施例による部屋3の容積は、第一流路部9aにおける部屋3の内面3aの内径寸法によって全体を計算し、第二流路部9bにおける内面3bの内径の寸法差は無視した。
▲1▼実施例
溶接チャンバー2の部屋3の内径:φ14mm、
溶接チャンバー2の部屋3の長さ:25mm
溶接チャンバー2の部屋3の容積:7・7・π・25=3846.5mm3
部屋3内での被覆管4及び端栓5の占有体積:5・5.π・25=1962.5mm3
部屋3と被覆管4との空隙9の容積:1884mm3
ガス流路断面積:2mm・25mm=50mm2
▲2▼従来例
溶接チャンバー2の部屋3の内径:φ30mm
溶接チャンバー2の部屋3の長さ:50mm
溶接チャンバー2の部屋3の容積:15・15・π・50=35325mm3
部屋3内での被覆管4及び端栓5の占有体積:5・5.π・50=3925 mm3
部屋3と被覆管4との空隙の容積:31400mm3
ガス流路断面積:10mm・50mm=500mm2
【0018】
上記構成の実施例と従来例について、同一の溶接トーチ10を用いて溶接時の不活性ガスを単位面積当たり同量吐出して各流速を、部屋3内の溶接部A及び周辺部の近傍で測定した。その結果は表1に示されている。
【0019】
【表1】
【0020】
表1の結果から、実施例によれば第一流路部9a内で従来例の10倍の不活性ガス流速を得られた。
尚、上述の実施例では、第一の実施の形態による溶接チャンバー2を用いた構成を採用しているが、これに代えて第二の実施形態による溶接チャンバーを用いてもよく、この場合でも同様に従来例の約10倍以上の不活性ガス流速を得られた。しかも第一流路部9aの領域で部屋3の内面にフィン21を設けた構成を採用しているために、ガス流に乱流を発生させることができてガス流速が上昇して、より一層の冷却効果を得られる。
【0021】
尚、上述の各実施の形態では、被覆管4を溶接チャンバー2の部屋3内に同軸に挿入したために空隙9は幅dの略円筒形状に形成されているが、本発明はこのような構成に限定されるものではない。例えば略円筒状の部屋3内に被覆管4が偏心状態で配設されていてもよい。この場合でも、被覆管4をその中心軸回りに回転させつつ溶接することで、溶接トーチ10の電極11と溶接部Aとの距離は同一寸法に設定され、不具合を生じない。
また第二の実施の形態において、フィン21に代えて単なる凹凸部を第一流路部9aにおける部屋3の内面3aに形成してもよい。また第二流路部9bにおける部屋3の内面3bは第一流路部9aの間隔dと同等の間隔を有していてもよい。この場合には、部屋3の内面全長に亘って間隔dの空隙9を形成できる。またフィン21を部屋3の内面3aだけでなく第二流路部9bにおける内面3bにも設けてもよい。
【0022】
【発明の効果】
上述のように、本発明に係る溶接装置は、被溶接物の溶接部とその周辺部に対向する部屋の内面と被溶接物との空隙を、不活性ガスが部屋の内面及び被溶接物外面に沿って流れるように狭く設定したから、この空隙での不活性ガスの流速を速く設定できて溶接部及びその周辺部や部屋の内面での接面流速を増大させることができて熱伝導係数(熱貫流率)を向上でき、不活性ガスの流量を低減させたにもかかわらず、溶接部及びその周辺部の冷却効率を向上できる。
【0023】
また、本発明に係る溶接装置は、被溶接物の溶接部とその周辺部に対向する部屋の内面に凹凸部を形成したから、不活性ガスは流れに変化を付けて乱れた流動を生じるために流速を向上させ、溶接チャンバー内面と溶接部及びその周辺部との接面流速を上昇させることができ、熱伝導係数(熱貫流率)を向上させ、比較的少ない不活性ガス流量で、溶接部及びその周辺部での効率的な冷却を行うことができて溶接作業の効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第一の実施の形態による溶接装置の要部縦断面図、(b)は(a)におけるB−B線断面図である。
【図2】(a)は本発明の第二の実施の形態による溶接装置の要部縦断面図、(b)は(a)におけるC−C線断面図である。
【図3】従来例による溶接装置の要部縦断面図、(b)は(a)におけるD−D線断面図である。
【符号の説明】
1、20 溶接装置
2 溶接チャンバー
3 部屋
4 被覆管(被溶接物)
5 端栓(被溶接物)
9 空隙
9a 第一流路部
10 溶接トーチ(溶接器)
13 冷却パイプ(冷却機構)
21 フィン(凹凸部)
A 溶接部
【課題を解決するための手段】
本発明による溶接装置は、溶接チャンバー内の空間を形成する部屋を不活性ガス雰囲気にして部屋内に位置する被溶接物を溶接するようにした溶接装置において、被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する前記部屋の内面と被溶接物との空隙を、間隔が4mm以下になるように設定することで、吐出された不活性ガスが部屋の内面及び被溶接物に沿って被溶接物の全周を流れて接面流速を向上させるようにしたことを特徴とする。
溶接時に、被溶接物の溶接部を溶接トーチ等の溶接器によって溶接すると溶接部とその周辺部が高温になるが、溶接と同時に不活性ガスを放出して、溶接部を不活性ガス雰囲気にして酸化や窒化を防止する。しかも吐出された不活性ガスが部屋の内面と被溶接物の外面との空隙を通過して流れることで、部屋の内面と被溶接物の外面に接触する不活性ガスの接面流速が上昇することになり、溶接部とその周辺部の熱を奪って高温となった不活性ガス流が外部へ流れる。また溶接部とその周辺部の熱は不活性ガスを介して溶接チャンバーへ熱伝導されて外部へ放熱される。しかも、空隙dを4mm以下に設定することで、不活性ガスの接面流速を確実に上昇させて総伝熱係数(熱貫流率)を向上させる。
尚、空隙は1.5mm以上に設定することが好ましい。1.5mm未満であると、周方向(全周囲)への不活性ガスの流量を確保できず、熱交換による溶接部及びその周辺部の冷却を十分に行えない。
また、被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する部屋の内面に凹凸部を形成してもよい。
部屋の内面にフィン等の凹凸部を形成することで、部屋と溶接部との空隙を流れる不活性ガスの流れに乱れを生じさせ、部屋の内面や溶接部及びその周辺部の接面流速を上昇させることができ、これによって総伝熱係数(熱貫流率)を向上させる。
【発明の効果】
上述のように、本発明に係る溶接装置は、被溶接物の溶接部とその周辺部に対向する部屋の内面と被溶接物との空隙を、間隔が4mm以下になるように設定することで、溶接部へ向けて吐出された前記不活性ガスが部屋の内面及び被溶接物に沿って被溶接物の全周を流れて接面流速を向上させるにようにしたから、この空隙での不活性ガスの流速を速く設定できて溶接部及びその周辺部や部屋の内面での接面流速を増大させることができて熱伝導係数(熱貫流率)を向上でき、不活性ガスの流量を低減させたにもかかわらず、溶接部及びその周辺部の冷却効率を向上できる。
【課題を解決するための手段】
本発明による溶接装置は、溶接チャンバー内の空間を形成する部屋を、1つの溶接器の開口から不活性ガスを吐出して不活性ガス雰囲気にして部屋内に位置する被溶接物を溶接するようにした溶接装置において、前記被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する前記部屋の内面と被溶接物との空隙を、間隔が1.5mm〜4mmの範囲になるように設定することで、前記溶接部へ向けて吐出された前記不活性ガスが部屋の内面及び被溶接物に沿って被溶接物の全周を流れて接面流速を向上させるようにしたことを特徴とする
溶接時に、被溶接物の溶接部を溶接トーチ等の溶接器によって溶接すると溶接部とその周辺部が高温になるが、溶接と同時に不活性ガスを放出して溶接部全周に流し、溶接部を不活性ガス雰囲気にして酸化や窒化を防止する。しかも吐出された不活性ガスが部屋の内面と被溶接物の外面との空隙を通過して流れることで、部屋の内面と被溶接物の外面に接触する不活性ガスの接面流速が上昇することになり、溶接部とその周辺部の熱を奪って高温となった不活性ガス流が外部へ流れる。また溶接部とその周辺部の熱は不活性ガスを介して溶接チャンバーへ熱伝導されて外部へ放熱される。しかも、空隙dを4mm以下に設定することで、不活性ガスの接面流速を確実に上昇させて総伝熱係数(熱貫流率)を向上させる。また、空隙は1.5mm以上に設定する。1.5mm未満であると、溶接部の周方向(全周囲)への不活性ガスの流量を確保できず、熱交換による溶接部及びその周辺部の冷却を十分に行えない。
また、被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する前記部屋の内面に凹凸部を形成して熱交換効率を上昇させるようにしてもよい。
部屋の内面にフィン等の凹凸部を形成することで、部屋と溶接部との空隙を流れる不活性ガスの流れに乱れを生じさせ、部屋の内面や溶接部及びその周辺部の接面流速を上昇させることができ、これによって総伝熱係数(熱貫流率)を向上させる。
【発明の効果】
上述のように、本発明に係る溶接装置は、被溶接物の溶接部とその周辺部に対向する部屋の内面と被溶接物との空隙を、間隔が1.5mm〜4mmの範囲になるように設定することで、溶接部へ向けて吐出された前記不活性ガスが部屋の内面及び被溶接物に沿って被溶接物の全周を流れて接面流速を向上させるにようにしたから、この空隙での不活性ガスの流速を速く設定できて溶接部及びその周辺部や部屋の内面での接面流速を増大させることができて熱伝導係数(熱貫流率)を向上でき、不活性ガスの流量を低減させたにもかかわらず、溶接部及びその周辺部の冷却効率を向上できる。
Claims (4)
- 溶接チャンバー内の空間を形成する部屋を不活性ガス雰囲気にして部屋内に位置する被溶接物を溶接するようにした溶接装置において、
前記被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する前記部屋の内面と被溶接物との空隙を、前記不活性ガスが
部屋の内面及び被溶接物に沿って流れるように狭く設定したことを特徴とする溶接装置。 - 前記空隙を形成する部屋の内面と被溶接物との間隔を4mm以下に設定したことを特徴とする請求項1に記載の溶接装置。
- 溶接チャンバー内の空隙を形成する部屋を不活性ガス雰囲気にして被溶接物を溶接するようにした溶接装置において、
前記被溶接物の溶接部及びその周辺部に対向する前記部屋の内面に凹凸部を形成したことを特徴とする溶接装置。 - 前記溶接チャンバー内に冷却機構を配設したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の溶接装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006313679A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極合剤ペーストの塗布方法および装置 |
KR100906146B1 (ko) | 2007-07-13 | 2009-07-03 | 한국원자력연구원 | 핵연료봉의 브레이징 용접 장치 및 그를 이용한 방법 |
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WO2006120905A1 (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電極合剤ペーストの塗布方法および装置 |
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