JP2004172578A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体発光素子とパターン電極を接続するワイヤボンディング工程、および封止材により封止する工程を不要とし、歩留よく安価に薄型の発光装置を製造する。
【解決手段】支持基板1の上に、半導体発光素子2として、例えば青色に発光するInGaN系発光ダイオード2が搭載され、半導体発光素子を覆うように、透光性フィルム5が支持基板に固定されている。透光性フィルムの上面にはパターン電極7が形成され、パターン電極7と半導体発光素子の端子電極4とが、例えばスルーホールを介して導通している。透光性フィルム5には、半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有させることができる。
【選択図】図1A

Description

本発明は、例えば半導体装置、照明装置、表示装置等に利用可能な発光ダイオード、面発光レーザ等の半導体発光素子の実装技術に関するものである。
近年、半導体技術の進展により、青色から紫外の短波長域で発光する発光ダイオードや面発光レーザが実現されるようになった。これらを用いて、蛍光体を励起した白色光源の開発が盛んに行われている。例えば、青色発光ダイオードの上に黄色に発光する蛍光体を塗布することにより、白色光を得ることがでる。それにより、各種表示や照明用として実用化が始まっている。また、光源として300〜400nmの紫外域発光ダイオードを用い、これによって赤、緑、青の3原色蛍光体を励起することにより、より自然な白色を得る試みもなされている。これら、発光ダイオードと蛍光体による発光装置の実装形態に関しては、さまざまな方法が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2等)。
以下、図面を参照しながら、上述のような発光ダイオードと蛍光体を組み合わせた、従来例の白色発光装置の構成について説明する。
図8は従来の白色発光装置の構成の一例を示す断面図である。絶縁膜21を挟んでパターン電極22が表面に形成された支持基板1の上に、青色発光ダイオード2が銀ペースト3により実装されている。発光ダイオード2の表面には端子電極が形成されており、この端子電極と支持基板1上のパターン電極22とが金ワイヤ23によって電気的に接続されている。また、蛍光体を含有した封止材24が、発光ダイオード2を覆うように形成されている。
パターン電極22を介して発光ダイオード2に電力を供給すると、発光ダイオード2は青色に発光する。その光の一部は封止材24の中の蛍光体によって吸収され、これによって蛍光体は黄色に発光する。蛍光体による黄色の発光と、封止材24を透過して出てきた青色光の一部とが混ざり合い、白色の光源が得られる。
特開平11−298048号公報 特開2002−76444号公報
しかしながら、この構成では以下に述べるような課題があった。すなわち、この構成では、金ワイヤ23を形成するワイヤボンディング工程が必要であった。しかもワイヤボンディング時に、発光ダイオード2に過剰な応力がかかり劣化を招くことがあった。また、従来の構成では、ワイヤボンディング工程の後に封止材24を形成する工程が必要であり、製造コストがかかるという問題があった。
さらに、封止材24が硬化する際の応力により、金ワイヤ23が端子電極あるいはパターン電極22から外れるという不良を生じることがあった。これらの課題は特に、多数個の発光ダイオードをアレイ状に並べた構成の発光装置において、歩留を低下させる大きな要因であった。また、従来の構成では、金ワイヤ23の存在により装置の厚みを薄くすることが困難であるという課題もあった。
上記課題に鑑み、本発明は、ワイヤボンディング工程や、蛍光体を含有した封止材を形成する工程を不要とし、歩留よく安価に製造可能な薄型の発光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の発光装置は、支持基板と、前記支持基板の上に搭載された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように前記支持基板に固定された透光性のフィルムと、前記透光性フィルムの上面に形成されたパターン電極とを有し、前記パターン電極と前記半導体発光素子の端子電極とが導通している。
上記構成の発光装置によれば、製造工程において、半導体発光素子とパターン電極を接続するためのワイヤボンディング工程や、封止材により封止する工程を不要とし、歩留よく安価に薄型の発光装置を製造することができる。
本発明の発光装置において好ましくは、透光性フィルムは、半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する。それにより、蛍光体を含有した封止材を形成する工程が省略され、安価に発光装置を製造することができる。
また好ましくは、透光性フィルムの少なくとも一方の面に、半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含む蛍光体膜が形成される。それにより、蛍光体を含有した封止材を形成する工程が省略され、安価に発光装置を製造することができる。しかも透光性フィルムに多量の蛍光体を含有させた場合に生じる強度の劣化を防ぐことができ、また、任意量の蛍光体を使用することができる。さらに好ましくは、蛍光体膜が透光性フィルムの半導体発光素子側の表面に形成される。それにより、特に、発光ダイオードの発光波長が紫外域であるとき、発光ダイオードからの光が透光性フィルムを通過する前に蛍光体によって可視光に変換されるので、透光性フィルムの吸収による光の損失を低減させて、発光効率を高めることができる。
また好ましくは、支持基板が凹部を有し、半導体発光素子が凹部内に搭載される。それにより、透光性フィルムの曲がりが少なくなり、歩留よく発光装置を製造することができる。凹部の側壁面は、底部から透光性フィルムに向かって広がるように形成されることが好ましい。それにより、発光素子の側面から出射された光が、凹部の側壁斜面によって反射され透光性フィルムの方向に導かれるので、光の取り出し効率が向上し、発光効率を高めることができる。凹部の側壁面が支持基板の上面に対してなす角度は、30°〜60°の範囲とすることが好ましい。
上記構成の発光装置において、半導体発光素子の少なくともひとつの端子電極が、支持基板または支持基板上に形成された電極に導通している構成とすることができる。それにより、発光ダイオードと透光性フィルム上の電極との接続は1箇所で済むので、透光性フィルム上の電極による光の遮りを最小限にして、発光効率を高めることができる。
また上記構成の発光装置は、支持基板の上に、複数の半導体発光素子がアレイ状に実装された構成とすることが可能である。それにより、大出力の発光装置を容易に構成することができる。
また上記構成の発光装置において、透光性フィルムを支持基板に接着剤によって固着することができる。それにより、透光性フィルムを強固に固定できると共に、発光ダイオードが外気と遮断され水分等の混入を最小限に防ぐことができるので、発光ダイオードの信頼性を高めることができる。好ましくは、接着剤は、半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する。それにより、発光ダイオードの側面から出射し洩れてきた光も蛍光体によって可視光に変換できるので、発光効率を高めることができる。
上記構成の発光装置において、支持基板を金属で構成することができる。それにより、発光ダイオードの放熱特性が格段に向上し、動作可能な最高温度の向上や信頼性の向上を図ることができる。
また、上記構成の発光装置において好ましくは、支持基板と透光性フィルムとで囲まれた空間に、樹脂を封入する。それにより、樹脂が硬化収縮する際に、透光性フィルムを支持基板側に吸い寄せるので、実装状態が強固になり、信頼性の高い発光装置を実現することができる。さらに好ましくは、空間に封入された樹脂が、半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する。それにより、発光ダイオードの側面から出射した光も蛍光体によって可視光に変換して、発光効率を高めることができる。また好ましくは、前記空間に封入された樹脂の屈折率が、前記半導体発光素子の発光部の屈折率よりも小さく、前記透光性フィルムの屈折率よりも大きい値に設定する。それにより、発光ダイオードからの光の取り出し効率が向上して、発光効率を高めることができる。
上記構成の発光装置において好ましくは、支持基板と透光性フィルムとで囲まれた空間に、大気圧よりも低い圧力で気体を封入する。それにより、透光性フィルムが支持基板側に吸い寄せられるので、実装状態が強固になり、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
また、上記構成の発光装置において好ましくは、支持基板と透光性フィルムとで囲まれた空間に、窒素、アルゴン、ヘリウム、あるいはこれらの混合ガス等の不活性ガスを封入する。それにより、特に、発光ダイオードが紫外域で発光する場合、大気中の酸素や水分の存在により発光ダイオードの電極が劣化することを防止することができ、高信頼性の発光装置を実現することができる。
以下に、本発明の各実施の形態における発光装置について、図面を参照して具体的に説明する。
(実施の形態1)
図1Aは、本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す断面図、図1Bはその平面図である。支持基板1の上に、青色に発光するInGaN系発光ダイオード2が、銀ペースト3によって固着されている。発光ダイオード2の上部を覆って、青色光に対して透光性の樹脂からなる透光性フィルム5が配置され、接着剤6によって支持基板1に固定されている。透光性フィルム5の表面には、パターン化されたパターン電極7が形成されている。パターン電極7は、発光ダイオード2の直上で、スルーホール8を介して透光性フィルム5の反対側の面に伸び、金バンプ9によって発光ダイオード2の端子電極4と電気的に接続されている。透光性フィルム5には、得ようとする白色光の水準に応じて、蛍光粉末顔料が一定の比率で混入されている。
このような構成により、ワイヤボンディング工程が不要となり、極めて能率よく実装ができる。また、ワイヤボンディングに起因するワイヤ剥がれや、歪による発光ダイオードの劣化による、歩留の低下を抑制することができる。また、蛍光体を塗布する工程が不要となるので、工程数も減り、安価に歩留よく発光装置を製造することができる。さらに、ワイヤが不要であるため、全体の厚みを薄くすることができる。
透光性フィルム5は、支持基板1との間に発光ダイオード2を挟んで固定されるので、発光ダイオード2に対応する部分が多少変形するが、発光ダイオード2の厚さは極めて小さいので、実質的に構造上の支障はない。
発光ダイオード2は、上記の例に限らず、目的に応じて種々選択可能である。透光性フィルム5の材質としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエステル、ポリビニルアルコール、1軸延伸ポリエステル、無軸ポリエステル、ポリアリレート、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、環状非晶質ポリオレフィン、ポリイミド、その他のファインプラスチック材料等を用いることができる。透光性フィルム5に混入する蛍光粉末顔料は、発光ダイオード2との組み合わせで適宜選択することができる。赤色蛍光体としては、例えば、(Y、Gd)BO3:Eu、Y23:Eu等を用いることができる。緑色蛍光体としては、例えば、Zn2SiO4:Mn、BaAl1219:Mn等を用いることができる。青色蛍光体としては、例えば、BaMgAl1423:Eu等を用いることができる。
(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態2に係る発光装置を示す断面図である。実施の形態1の発光装置との相違点は、透光性フィルム5aには蛍光体顔料を含有せず、透光性フィルム5aの表面に、蛍光体膜10が薄膜状に形成されている点である。
このような構成により、透光性フィルム5aに多量の蛍光体を含有させた場合に生じる透光性フィルム5aの強度の劣化を防ぐことができる。また、任意量の蛍光体を使用することができる。
蛍光体膜10は、透光性フィルム5aの上面に設けることも可能であるが、図2に示したように、透光性フィルム5aの下面、すなわち透光性フィルム5aの発光ダイオード2側の表面に設けた場合は、次のような利点がある。すなわち、発光ダイオード2から出た光をまず蛍光体膜10により、発光ダイオード2の発光ピークよりも長波長側の可視光に変換するように構成することができる。それにより、透光性フィルム5aによる光の吸収損失が低減でき、発光効率を高めることができる。また、発光ダイオード2の発光スペクトルが紫外域にあるときには、紫外光による透光性フィルム5aの経時劣化を抑制することができ、高信頼性の発光装置を実現することができる。
蛍光体膜10の形成には、薄膜形成技術あるいは塗布等、どのような成膜方法を用いてもよい。
(実施の形態3)
図3は、本発明の実施の形態3に係る発光装置を示す断面図である。実施の形態1との相違点は、支持基板1に凹部11が形成され、凹部11の底面に発光ダイオード2が実装されている点である。例えば、支持基板1としてアルミニウムを用い、プレス加工により、1辺が約1mm、深さが発光ダイオード2の厚みと同程度の100μmの凹部11を形成した構成とすることができる。
このような構成により、発光ダイオード2から側方に出射された光を、凹部11の側壁面により反射させて、透光性フィルム5の側に効果的に導くことができる。それにより、発光効率の高い発光装置を実現することができる。光の取り出し効率の観点からは、凹部11の側壁が、図3に示すように底部から透光性フィルム5に向かって開いた形状であることが望ましい。支持基板1の上面に対して凹部11の側壁面がなす角度θは、30°〜60°が適当である。さらに、凹部11の側壁面に反射膜を設ければ、光の取り出し効率を、より高めることが可能である。
また、このような構成により、透光性フィルム5の曲げを最小限にしてほぼ平坦に固着することができる。それにより、曲げに伴う透光性フィルム5内の局所的な過剰応力による透光性フィルム5の劣化や、パターン電極7の剥がれを回避することが可能となる。
(実施の形態4)
図4は、本発明の実施の形態4に係る発光装置を示す断面図である。本実施の形態は、実施の形態3の構成に実施の形態2の着想を適用した例である。すなわち、実施の形態3との相違点は、透光性フィルム5aには蛍光体顔料を含有せず、透光性フィルム5aの表面に蛍光体膜10が薄膜状に形成されている点である。
このような構成により、実施の形態2において述べたように、透光性フィルム5aに多量の蛍光体を含有させた場合に生じる透光性フィルム5aの強度の劣化を防ぐことができ、任意量の蛍光体を使用することができる。蛍光体膜10を透光性フィルム5aの下面に設ける場合の利点も、実施の形態2の場合と同様である。
(実施の形態5)
図5は、本発明の実施の形態5に係る発光装置を示す断面図である。支持基板1はアルミニウム製であり、実施の形態3、4と同様に、プレス加工により形成した凹部11を有する。
実施の形態3との相違点は、発光ダイオード2の2つの端子電極が、発光ダイオード2の上下両面に形成され、一方の端子電極4aは支持基板1に接続され、他方の端子電極4bは透光性フィルム5上のパターン電極7に接続されている点である。
このような構成により、パターン電極7と発光ダイオード2の電気的接続が1箇所のみになる。それにより、実装歩留を向上させることができると共に、パターン電極7によって光が遮られる面積が半減するので、より効率の高い発光装置を実現することができる。
上述の発光装置は、支持基板1として導電性金属であるアルミニウムを用いることにより、端子電極4aとの電気的な接続を可能とした例であるが、これに限定されるものではない。例えば、パターン電極を形成した絶縁性基板を用いて、端子電極4aと電気的に接続してもよい。
端子電極4aを支持基板1または支持基板1に設けられた電極と接続するためには、端子電極4aを発光ダイオード2の下面に配置することは必須ではない。端子電極4aを上面に設けた場合であっても、スルーホール等を介して支持基板1等と接続することは可能である。
また、上述の発光装置は、支持基板1に凹部11を設けた構成の例であるが、これに限定されるものではない。実施の形態1と同様に平坦な支持基板を用いた場合であっても、本実施の形態の特徴である構成を適用して同様の効果を得ることは可能である。
また、蛍光体顔料を含有した透光性フィルム5ではなく、実施の形態2と同様に、表面に蛍光体膜10を形成した透光性フィルム5aを用いた場合でも、本実施の形態を適用して同様の効果を得ることが可能である。
(実施の形態6)
図6Aは、本発明の実施の形態6に係る発光装置を示す断面図、図6Bは、その平面図である。支持基板1は、例えばアルミニウム製で導電性を有し、プレス加工により凹部11がアレイ状に形成されている。アレイを構成する個々の発光部の構成は、実施の形態5の場合と同様である。
各発光ダイオード2の2つの端子電極のうち、発光ダイオード2の下面に形成された端子電極4aは支持基板1に接続され、上面に形成された端子電極4bは透光性フィルム5上のパターン電極7に接続されている。
このような構成により、蛍光灯や白熱電灯等の一般照明装置と置き換え可能な大電力の発光装置を実現することができる。しかも、発光ダイオード2の端子電極4aおよび端子電極4bとの接続は、各々、支持基板1および透光性フィルム5上のパターン電極7との接続により一括して行われ、各発光ダイオード2ごとのワイヤボンディングや蛍光体塗布工程が不要である。それにより、製造コストを飛躍的に低減できる。
以上の実施の形態1〜6で述べた構成において、支持基板1と透光性フィルム5により囲まれた発光ダイオード2の近傍の空間は、実用上の条件に応じて種々の雰囲気を適用可能である。例えば、大気圧の空気が封入されていてもよい。また、発光ダイオード2の近傍の空間に、大気圧よりも低い圧力、例えば1×103〜5×104Paの範囲の圧力で気体を封入することもできる。それにより、透光性フィルム5が発光ダイオード2の上部で支持基板1の側に押さえつけられるので、透光性フィルム5の固着状態が安定し、長期信頼性を向上させることができる。また、封入する気体は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスであることが望ましい。それにより、発光ダイオード2からの光の紫外成分によって、空気中の酸素や水分が発光ダイオードの電極や透光性フィルムの表面と反応を起こし、信頼性を低下させることを回避することができる。なお、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを封入する場合、大気圧あるいはそれ以上の圧力であってもよい。
(実施の形態7)
図7は、本発明の実施の形態7に係る発光装置を示す断面図である。実施の形態6との相違点は、発光ダイオード2の周囲の空間に樹脂12が封入されている点である。樹脂12を封入することにより、支持基板1に対する発光ダイオード2の固定が安定する。
樹脂12は、その屈折率が、発光ダイオード2の発光層の屈折率と透光性フィルム5の屈折率の中間の値であることが望ましい。それにより、発光ダイオード2からの光の取り出し効率を高めることができる。屈折率の関係は、例えば、発光ダイオード:2.6、樹脂:2.0、透光性フィルム:1.6とすればよい。また、樹脂12に、透光性フィルム5と同様に蛍光体顔料を含有させてもよい。それにより、白色への変換効率を一層高めることができるので、高効率の発光装置を実現することができる。
なお、本実施の形態では、凹部11を有する支持基板1の上に発光ダイオード2をアレイ状に配置した場合を示したが、これに限定されるものではない。例えば、実施の形態1〜5で示した構成において、発光ダイオード2の周囲の空間に樹脂を封入することにより、同様の効果を得ることができる。
以上の実施の形態に関して、支持基板1の材質は特に限定されるものではないが、特に、アルミニウム、銅等の金属を用いることが望ましい。それにより、優れた放熱性を確保することができ、動作可能温度を高めたり、信頼性を高めたりすることができる。
また、透光性フィルムの膜厚は特に限定されないが、機械的な安定性と実装時のフレキシブルさを両立させるために、約25μm以上500μm未満が望ましい。
また、透光性フィルム上の電極のパターンは、発光装置と外部駆動回路との接続の形態に応じて自由に設計可能である。但し、発光ダイオードおよび蛍光体からの光が透過する発光ダイオード直上およびその近傍では、光の遮りを最小限に抑えるためにできるだけ線幅を小さくする方がよい。線幅が100μm未満であることが望ましい。
また、以上の実施の形態においては、例えば、波長470nm程度の青色の発光ダイオードを用いることができるが、これに限るものではない。例えば、波長420nm以下の紫外領域の発光ダイオードを用い、透光性フィルムに含有させる蛍光体として赤色、黄色、青色、緑色等に発光するものを適当な分量比で選定して混合することにより、自然光に一層近い白色光を得ることができる。
また、透光性フィルムを支持基板に固定する手段は、接着剤に限定されるものではなく、機械的な押さえ機構により固定することもできる。例えば、基板に溝を設け、当該溝に透光性フィルムをはめ込んで固定すればよい。発光ダイオードを実装する手段は、銀ペーストに限定されるものではなく、例えばPbSnやAuSn等の共晶半田によって実装してもよい。半導体発光素子としては、発光ダイオードに限らず、例えば面発光レーザを適用することもできる。
本発明によれば、半導体発光素子とパターン電極を接続するためのワイヤボンディング工程や、封止材により封止する工程が不要となるので、歩留よく安価に薄型の発光装置を製造することができる。
本発明の第1実施の形態に係る発光装置の一断面図 同上面図 本発明の第2実施の形態に係る発光装置の一断面図 本発明の第3実施の形態に係る発光装置の一断面図 本発明の第4実施の形態に係る発光装置の一断面図 本発明の第5実施の形態に係る発光装置の一断面図 本発明の第6実施の形態に係る発光装置の一断面図 同上面図 本発明の第7実施の形態に係る発光装置の一断面図 従来の発光装置の一断面図
符号の説明
1 支持基板
2 青色発光ダイオード
3 銀ペースト
4、4a、4b 端子電極
5、5a 透光性フィルム
6 接着剤
7 パターン電極
8 スルーホール
9 金バンプ
10 蛍光体膜
11 凹部
12 樹脂
21 絶縁膜
22 パターン電極
23 金ワイヤ
24 封止材

Claims (18)

  1. 支持基板と、前記支持基板の上に搭載された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように前記支持基板に固定された透光性のフィルムと、前記透光性フィルムの上面に形成されたパターン電極とを有し、前記パターン電極と前記半導体発光素子の端子電極とが導通している発光装置。
  2. 前記透光性フィルムは、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する請求項1記載の発光装置。
  3. 前記透光性フィルムの少なくとも一方の面に、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含む蛍光体膜が形成されている請求項1記載の発光装置。
  4. 前記蛍光体膜が前記透光性フィルムの前記半導体発光素子側の表面に形成されている請求項3記載の発光装置。
  5. 前記支持基板が凹部を有し、前記半導体発光素子が前記凹部内に搭載されている請求項1記載の発光装置。
  6. 前記凹部の側壁面が、底部から前記透光性フィルムに向かって広がるように形成されている請求項5記載の発光装置。
  7. 前記凹部の側壁面が前記支持基板の上面に対してなす角度は、30°〜60°の範囲である請求項6記載の発光装置。
  8. 前記半導体発光素子の少なくともひとつの前記端子電極が、前記支持基板または前記支持基板上に形成された電極に導通している請求項1記載の発光装置。
  9. 前記支持基板の上に、複数の前記半導体発光素子がアレイ状に実装されている請求項1記載の発光装置。
  10. 前記透光性フィルムは前記支持基板に接着剤によって固着されている請求項1記載の発光装置。
  11. 前記接着剤は、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する請求項10記載の発光装置。
  12. 前記支持基板が金属製である請求項1記載の発光装置。
  13. 前記支持基板と前記透光性フィルムとで囲まれた空間に、樹脂が封入されている請求項1記載の発光装置。
  14. 前記空間に封入された樹脂が、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する請求項13記載の発光装置。
  15. 前記空間に封入された樹脂の屈折率が、前記半導体発光素子の発光部の屈折率よりも小さく、前記透光性フィルムの屈折率よりも大きい請求項13記載の発光装置。
  16. 前記支持基板と前記透光性フィルムとで囲まれた空間に、大気圧よりも低い圧力で気体が封入されている請求項1記載の発光装置。
  17. 前記支持基板と前記透光性フィルムとで囲まれた空間に不活性ガスが封入されている請求項1記載の発光装置。
  18. 前記不活性ガスが窒素、アルゴン、ヘリウムあるいはこれらの混合ガスである請求項17記載の発光装置。
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Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006148051A (ja) * 2004-06-30 2006-06-08 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
JP2006278567A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd Ledユニット
JP2007227935A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電子モジュールおよび電子モジュールをカプセル化する方法
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
JP2008515208A (ja) * 2004-09-30 2008-05-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ワイヤレス式のコンタクトを有するオプトエレクトロニクス素子
JP2008532298A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ledアレイ
JP2008294224A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2009506527A (ja) * 2005-08-24 2009-02-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ カラー変換器を備えた発光ダイオードおよびレーザーダイオードのための電気接触システム
JP2009531839A (ja) * 2006-03-31 2009-09-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電式ヘッドライト、光電式ヘッドライトの製造方法と発光ダイオードチップ
JP2011513966A (ja) * 2008-05-06 2011-04-28 ソンノ ユン プレス鍛造方式の発光ダイオード金属製ハウジング及び金属製ハウジングを用いた発光ダイオード金属製パッケージ
JP2012503866A (ja) * 2008-09-26 2012-02-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング キャリア基板および複数の放射放出半導体部品を備えたオプトエレクトロニクスモジュール、およびその製造方法
JP2012080070A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Everlight Yi-Guang Technology (Shanghai) Ltd 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法
JP2012509574A (ja) * 2008-11-18 2012-04-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光モジュール及びこれを備えたディスプレイ装置
JP2012234195A (ja) * 2006-03-03 2012-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR20130013381A (ko) * 2011-07-28 2013-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2013141001A (ja) * 2004-06-30 2013-07-18 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
JP2013536592A (ja) * 2010-08-27 2013-09-19 クォークスター・エルエルシー 全般照明用の固体光シートまたはストリップ
JP2013201340A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013219398A (ja) * 2013-07-26 2013-10-24 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR101374896B1 (ko) * 2007-06-20 2014-03-17 서울반도체 주식회사 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20140038203A (ko) * 2012-09-20 2014-03-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20140042193A (ko) * 2012-09-28 2014-04-07 제너럴 일렉트릭 캄파니 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체
KR20140054625A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101399524B1 (ko) 2012-12-28 2014-05-29 한국광기술원 발광 소자 패키지 장치와, 발광 소자 패키지 모듈 및 발광 소자 패키지 장치의 제작 방법
JP2014165450A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2015109331A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 シャープ株式会社 窒化物半導体発光装置
JP2016167540A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 シチズンホールディングス株式会社 発光モジュール
JP2019054194A (ja) * 2017-09-19 2019-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20190079598A (ko) * 2019-06-26 2019-07-05 제너럴 일렉트릭 캄파니 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체
KR20190132124A (ko) * 2018-05-18 2019-11-27 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
JP2019212879A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 海華科技股▲分▼有限公司 フリップチップ型発光モジュール

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5137571A (ja) * 1974-09-27 1976-03-29 Hitachi Ltd
JPS63164482A (ja) * 1986-12-26 1988-07-07 Res Dev Corp Of Japan 発光ダイオ−ド装置
JPH0321983A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Kyoto Semiconductor Kk 発光ダイオード表示装置
JPH10223021A (ja) * 1996-12-02 1998-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 面状発光装置及びそれを用いたディスプレイ装置
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Led実装基板
JP2000200928A (ja) * 1998-12-29 2000-07-18 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオ―ド
JP2001077430A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2001203392A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード
JP2001305535A (ja) * 2000-04-18 2001-10-31 Miyota Kk 直下型バックライト
JP2001345482A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Toshiba Corp 蛍光表示装置
JP2002111073A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5137571A (ja) * 1974-09-27 1976-03-29 Hitachi Ltd
JPS63164482A (ja) * 1986-12-26 1988-07-07 Res Dev Corp Of Japan 発光ダイオ−ド装置
JPH0321983A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Kyoto Semiconductor Kk 発光ダイオード表示装置
JPH10223021A (ja) * 1996-12-02 1998-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 面状発光装置及びそれを用いたディスプレイ装置
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Led実装基板
JP2000200928A (ja) * 1998-12-29 2000-07-18 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオ―ド
JP2001077430A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2001203392A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード
JP2001305535A (ja) * 2000-04-18 2001-10-31 Miyota Kk 直下型バックライト
JP2001345482A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Toshiba Corp 蛍光表示装置
JP2002111073A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013141001A (ja) * 2004-06-30 2013-07-18 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
JP2006148051A (ja) * 2004-06-30 2006-06-08 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
JP2008515208A (ja) * 2004-09-30 2008-05-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ワイヤレス式のコンタクトを有するオプトエレクトロニクス素子
KR101413503B1 (ko) * 2004-09-30 2014-07-01 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 와이어 없는 방식으로 접촉되는 광전자 소자
JP2008532298A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ledアレイ
JP2006278567A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd Ledユニット
JP2009506527A (ja) * 2005-08-24 2009-02-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ カラー変換器を備えた発光ダイオードおよびレーザーダイオードのための電気接触システム
JP2007227935A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電子モジュールおよび電子モジュールをカプセル化する方法
US9419142B2 (en) 2006-03-03 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10818703B2 (en) 2006-03-03 2020-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012234195A (ja) * 2006-03-03 2012-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2009531839A (ja) * 2006-03-31 2009-09-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電式ヘッドライト、光電式ヘッドライトの製造方法と発光ダイオードチップ
KR101314367B1 (ko) 2006-03-31 2013-10-04 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 헤드라이트, 광전자 헤드라이트 제조방법 및 발광 다이오드 칩
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
US9166118B2 (en) 2007-05-24 2015-10-20 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting apparatus
JP2008294224A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US8742433B2 (en) 2007-05-24 2014-06-03 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting apparatus
KR101374896B1 (ko) * 2007-06-20 2014-03-17 서울반도체 주식회사 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP2011513966A (ja) * 2008-05-06 2011-04-28 ソンノ ユン プレス鍛造方式の発光ダイオード金属製ハウジング及び金属製ハウジングを用いた発光ダイオード金属製パッケージ
EP2297780B1 (de) * 2008-09-26 2019-06-12 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches modul mit einem trägersubstrat und einer mehrzahl von strahlung emittierenden halbleiterbauelementen und verfahren zu dessen herstellung
JP2012503866A (ja) * 2008-09-26 2012-02-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング キャリア基板および複数の放射放出半導体部品を備えたオプトエレクトロニクスモジュール、およびその製造方法
JP2012509574A (ja) * 2008-11-18 2012-04-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光モジュール及びこれを備えたディスプレイ装置
US8670087B2 (en) 2008-11-18 2014-03-11 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module and display device having the same
JP2013536592A (ja) * 2010-08-27 2013-09-19 クォークスター・エルエルシー 全般照明用の固体光シートまたはストリップ
US8772807B2 (en) 2010-09-30 2014-07-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
JP2012080070A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Everlight Yi-Guang Technology (Shanghai) Ltd 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法
US8796713B2 (en) 2010-09-30 2014-08-05 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
KR20130013381A (ko) * 2011-07-28 2013-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9184361B2 (en) 2012-03-26 2015-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP2013201340A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US9142735B2 (en) 2012-09-20 2015-09-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR20140038203A (ko) * 2012-09-20 2014-03-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2014063977A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及び発光素子パッケージ
KR101983774B1 (ko) 2012-09-20 2019-05-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20140042193A (ko) * 2012-09-28 2014-04-07 제너럴 일렉트릭 캄파니 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체
KR101995538B1 (ko) * 2012-09-28 2019-07-02 제너럴 일렉트릭 캄파니 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체
JP2014090164A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及び発光素子パッケージ
KR20140054625A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101977278B1 (ko) * 2012-10-29 2019-09-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101399524B1 (ko) 2012-12-28 2014-05-29 한국광기술원 발광 소자 패키지 장치와, 발광 소자 패키지 모듈 및 발광 소자 패키지 장치의 제작 방법
JP2014165450A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2013219398A (ja) * 2013-07-26 2013-10-24 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2015109331A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 シャープ株式会社 窒化物半導体発光装置
JP2016167540A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 シチズンホールディングス株式会社 発光モジュール
JP2019054194A (ja) * 2017-09-19 2019-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20190132124A (ko) * 2018-05-18 2019-11-27 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR102538472B1 (ko) * 2018-05-18 2023-06-01 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
JP2019212879A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 海華科技股▲分▼有限公司 フリップチップ型発光モジュール
KR20190079598A (ko) * 2019-06-26 2019-07-05 제너럴 일렉트릭 캄파니 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체
KR102085649B1 (ko) * 2019-06-26 2020-03-06 제너럴 일렉트릭 캄파니 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체

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