JP2004172578A - 発光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 77
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020658 PbSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150071746 Pbsn gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
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Abstract
【解決手段】支持基板1の上に、半導体発光素子2として、例えば青色に発光するInGaN系発光ダイオード2が搭載され、半導体発光素子を覆うように、透光性フィルム5が支持基板に固定されている。透光性フィルムの上面にはパターン電極7が形成され、パターン電極7と半導体発光素子の端子電極4とが、例えばスルーホールを介して導通している。透光性フィルム5には、半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有させることができる。
【選択図】図1A
Description
図1Aは、本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す断面図、図1Bはその平面図である。支持基板1の上に、青色に発光するInGaN系発光ダイオード2が、銀ペースト3によって固着されている。発光ダイオード2の上部を覆って、青色光に対して透光性の樹脂からなる透光性フィルム5が配置され、接着剤6によって支持基板1に固定されている。透光性フィルム5の表面には、パターン化されたパターン電極7が形成されている。パターン電極7は、発光ダイオード2の直上で、スルーホール8を介して透光性フィルム5の反対側の面に伸び、金バンプ9によって発光ダイオード2の端子電極4と電気的に接続されている。透光性フィルム5には、得ようとする白色光の水準に応じて、蛍光粉末顔料が一定の比率で混入されている。
図2は、本発明の実施の形態2に係る発光装置を示す断面図である。実施の形態1の発光装置との相違点は、透光性フィルム5aには蛍光体顔料を含有せず、透光性フィルム5aの表面に、蛍光体膜10が薄膜状に形成されている点である。
図3は、本発明の実施の形態3に係る発光装置を示す断面図である。実施の形態1との相違点は、支持基板1に凹部11が形成され、凹部11の底面に発光ダイオード2が実装されている点である。例えば、支持基板1としてアルミニウムを用い、プレス加工により、1辺が約1mm、深さが発光ダイオード2の厚みと同程度の100μmの凹部11を形成した構成とすることができる。
図4は、本発明の実施の形態4に係る発光装置を示す断面図である。本実施の形態は、実施の形態3の構成に実施の形態2の着想を適用した例である。すなわち、実施の形態3との相違点は、透光性フィルム5aには蛍光体顔料を含有せず、透光性フィルム5aの表面に蛍光体膜10が薄膜状に形成されている点である。
図5は、本発明の実施の形態5に係る発光装置を示す断面図である。支持基板1はアルミニウム製であり、実施の形態3、4と同様に、プレス加工により形成した凹部11を有する。
図6Aは、本発明の実施の形態6に係る発光装置を示す断面図、図6Bは、その平面図である。支持基板1は、例えばアルミニウム製で導電性を有し、プレス加工により凹部11がアレイ状に形成されている。アレイを構成する個々の発光部の構成は、実施の形態5の場合と同様である。
図7は、本発明の実施の形態7に係る発光装置を示す断面図である。実施の形態6との相違点は、発光ダイオード2の周囲の空間に樹脂12が封入されている点である。樹脂12を封入することにより、支持基板1に対する発光ダイオード2の固定が安定する。
2 青色発光ダイオード
3 銀ペースト
4、4a、4b 端子電極
5、5a 透光性フィルム
6 接着剤
7 パターン電極
8 スルーホール
9 金バンプ
10 蛍光体膜
11 凹部
12 樹脂
21 絶縁膜
22 パターン電極
23 金ワイヤ
24 封止材
Claims (18)
- 支持基板と、前記支持基板の上に搭載された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように前記支持基板に固定された透光性のフィルムと、前記透光性フィルムの上面に形成されたパターン電極とを有し、前記パターン電極と前記半導体発光素子の端子電極とが導通している発光装置。
- 前記透光性フィルムは、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する請求項1記載の発光装置。
- 前記透光性フィルムの少なくとも一方の面に、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含む蛍光体膜が形成されている請求項1記載の発光装置。
- 前記蛍光体膜が前記透光性フィルムの前記半導体発光素子側の表面に形成されている請求項3記載の発光装置。
- 前記支持基板が凹部を有し、前記半導体発光素子が前記凹部内に搭載されている請求項1記載の発光装置。
- 前記凹部の側壁面が、底部から前記透光性フィルムに向かって広がるように形成されている請求項5記載の発光装置。
- 前記凹部の側壁面が前記支持基板の上面に対してなす角度は、30°〜60°の範囲である請求項6記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子の少なくともひとつの前記端子電極が、前記支持基板または前記支持基板上に形成された電極に導通している請求項1記載の発光装置。
- 前記支持基板の上に、複数の前記半導体発光素子がアレイ状に実装されている請求項1記載の発光装置。
- 前記透光性フィルムは前記支持基板に接着剤によって固着されている請求項1記載の発光装置。
- 前記接着剤は、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する請求項10記載の発光装置。
- 前記支持基板が金属製である請求項1記載の発光装置。
- 前記支持基板と前記透光性フィルムとで囲まれた空間に、樹脂が封入されている請求項1記載の発光装置。
- 前記空間に封入された樹脂が、前記半導体発光素子から発せられた光によって励起される蛍光体を含有する請求項13記載の発光装置。
- 前記空間に封入された樹脂の屈折率が、前記半導体発光素子の発光部の屈折率よりも小さく、前記透光性フィルムの屈折率よりも大きい請求項13記載の発光装置。
- 前記支持基板と前記透光性フィルムとで囲まれた空間に、大気圧よりも低い圧力で気体が封入されている請求項1記載の発光装置。
- 前記支持基板と前記透光性フィルムとで囲まれた空間に不活性ガスが封入されている請求項1記載の発光装置。
- 前記不活性ガスが窒素、アルゴン、ヘリウムあるいはこれらの混合ガスである請求項17記載の発光装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003306748A JP3782411B2 (ja) | 2002-09-02 | 2003-08-29 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002256513 | 2002-09-02 | ||
JP2003306748A JP3782411B2 (ja) | 2002-09-02 | 2003-08-29 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004172578A true JP2004172578A (ja) | 2004-06-17 |
JP3782411B2 JP3782411B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=32715528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003306748A Expired - Fee Related JP3782411B2 (ja) | 2002-09-02 | 2003-08-29 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3782411B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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