KR101374896B1 - 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents

금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판과, 기판 상에 배치된 리드 프레임과, 기판 또는 리드 프레임 상에 실장된 발광칩, 및 발광칩과 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 금속 패턴을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조방법이 제공된다.
발광 다이오드, 금속 패턴, 몰드 필름, 몰딩부

Description

금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 {Light emitting diode having metal pattern and method for manufacturing the same}
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 평면도이며, 도 1b는 도 1a에 도시된 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 평면도이며, 도 2b는 도 2a에 도시된 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 공정 순서도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 기판
200: 리드 프레임
300: 발광칩
400: 지지부
500: 금속 패턴
600: 몰드 필름
700: 몰딩부
본 발명은 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 와이어 대신에 금속 패턴을 이용하여 발광칩과 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드에서 발광칩을 리드 프레임에 연결시키기 위하여, 일반적으로 와어어 본딩 방식이 주로 사용된다. 와이어 본딩은 본딩 머신에서 가해지는 기계적, 열적인 부하로 인해 와이어가 특정 수준 이상의 기계적 특성을 보유하고 있어야 하기 때문에, 수 십 마이크로미터 이상의 두께를 가져야 한다. 또한, 발광칩에 접촉 시 본딩 머신에서 가하는 압력으로 인해 발광칩의 손상이 유발되어 금속볼을 형성한 후 본딩을 하는 과정을 거쳐야 하며, 와이어의 접착을 용이하게 하기 위해 발광칩 상부에 100 마이크로미터 이상의 공간을 확보해야 하기 때문에 전체적으로 발광 다이오드의 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 와이어 대신에 금속 패턴을 전기적 연결 수단으로 이용함으로써 보다 박형이면서, 제조 공정이 간단한 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치된 리드 프레임; 상기 기판 또는 상기 리드 프레임 상에 실장된 발광칩; 및 상기 발광칩과 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 금속 패턴을 포함하는 발광 다이오드가 제공된다.
상기 금속 패턴을 지지하기 위하여, 상기 기판 상에 배치된 지지부를 더 포함한다.
상기 금속 패턴은 몰드 필름 상에 형성되며, 상기 몰드 필름은 상기 기판 상에 부착된다.
상기 발광칩을 봉지하는 몰딩부를 더 포함하며, 상기 몰딩부는 상기 몰드 필름과 일체로 형성된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 또는 상기 기판 상에 배치된 리드 프레임 상에 발광칩을 실장하는 단계; 몰드 필름에 금속 패턴을 형성하는 단계; 상기 몰드 필름을 상기 기판 상에 위치 정렬하는 단계; 및 상기 몰드 필름을 상기 기판 상에 부착하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법이 제공된다.
상기 몰드 필름을 상기 기판 상에 부착하는 단계는 상기 몰드 필름을 섭씨 120도 내지 섭씨 180도에서 가열하는 단계를 포함한다.
상기 발광칩을 실장하는 단계는 상기 기판 상에 상기 금속 패턴을 지지하기 위한 지지부를 배치하는 단계를 포함한다.
상기 발광칩을 봉지하는 몰딩부를 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 몰드 필름과 상기 몰딩부는 일체로 형성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 평면도이며, 도 1b는 도 1a에 도시된 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 발광 다이오드는 기판(100), 리드 프레임(200), 발광칩(300), 지지부(400), 금속 패턴(500) 및 몰드 필름(600)을 포함한다. 발광 다이오드의 기판(100) 상에는 리드 프레임(200)이 배치되며, 리드 프레임(200) 상에 발광칩(300)이 실장된다. 금속 패턴(500)이 형성된 몰드 필름(600)은 금속 패턴(500)이 발광칩(300)과 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결할 수 있도록 위치 정렬된 상태로 기판(100)에 부착된다. 또한, 기판(100)에는 지지부(400)가 배치되어, 금속 패턴(500)을 지지하게 된다.
이하에서 발광 다이오드의 구조를 보다 상세히 살펴보면, 기판(100) 상에는 제1 리드 단자(210) 및 제2 리드 단자(220)로 구성된 리드프레임(200)이 배치된다. 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220)는 극성이 서로 다른 단자로서, 상호 이격되게 배치된다. 제1 리드 단자(210)는 기판(100)의 제1 측면을 둘러싸도록 기판의 일 측에 배치되며, 제2 리드 단자(220)는 기판(100)의 제2 측면 즉, 제1 측면과 대향되는 측면을 둘러싸도록 기판의 타 측에 배치된다. 본 실시예에서는 제1 리드 단자(210)는 기판(100)의 중앙 영역으로 연장되도록 형성되며, 제2 리드 단자(220)는 제1 리드 단자(210)와 이격되게 배치되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220)의 배치 구조는 다양하게 변형될 수 있다.
발광칩(300)은 제1 리드 단자(210) 상에 실장된다. 본 실시예의 경우, 발광칩(300)은 제1 리드 단자(210) 상에 실장되나, 이에 한정되는 것은 아니며, 만약 제2 리드 단자(220)가 기판(100)의 중앙 영역으로 연장되는 경우에는 발광칩(300)은 제2 리드 단자(220) 상에 실장될 수 있다.
발광칩(300)은 반도체 PN 접합 다이오드로서, P, N 반도체를 접합한 뒤, 전압을 가해주면, P형 반도체의 정공은 N형 반도체 쪽으로 가서 가운데층으로 모이며, 이와는 반대로 N형 반도체의 전자는 P형 반도체 쪽으로 가서 전도대(conduction band)의 가장 낮은 곳인 가운데층으로 모인다. 이 전자들은 가전대(valence band)의 정공으로 자연스럽게 떨어지며, 이 때 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지가 빛의 형태로 방출된다. 이외에도 여러 가지 발광 방식의 발광칩을 사용할 수 있다. 또한, 발광칩(300)은 다양한 파장을 갖는 광을 방출시킬 수 있으며, 이를 위하여, 예를 들면 질화물계 발광 다이오드에서 활성층으로 사용되는 인듐(In) 함유량을 조절하거나, 서로 다른 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 조합하거나, 또는 자외선 등과 같은 소정 파장대의 광을 방출하는 발광칩과 형광체를 결합하여 사용할 수도 있다.
몰드 필름(600) 상에는 금속 패턴(500)이 형성된다. 금속 패턴(500)이 형성된 몰드 필름(600)은 기판(100) 상에 위치 정렬되어 부착된다. 이때, 몰드 필 름(600)은 금속 패턴(500)의 일 단은 발광칩(300)의 전극(미도시)상에 배치되며, 금속 패턴(500)의 타 단은 제2 리드 단자(220) 상에 배치되도록 위치 정렬된 후, 기판(100) 상에 부착된다. 몰드 필름(600)의 재료로는 예를 들면, 에폭시 등과 같은 투명 접착성 수지를 사용하며, 금속 패턴(500)의 재료로는 금(Au) 또는 은(Ag) 나노입자를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 전도성이 우수한 금속 나노 입자라면 어떠한 재료라도 사용할 수 있다.
지지부(400)는 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220) 사이의 이격 공간 즉, 노출된 기판(100) 상에 배치된다. 지지부(400)는 기판(100)과 일체로 형성될 수 있거나, 또는 별도로 기판(100) 상에 부착되어 형성될 수도 있다. 이러한 지지부(400)는 발광칩(300)과 제2 리드 단자(220)의 단차를 완화시키고, 금속 패턴(500)을 지지하게 되어, 금속 패턴(500)의 중간 영역이 끊어지는 것을 방지할 수 있게 된다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 발광칩과 리드 프레임을 연결하는 수단을 와이어가 아닌 금속 패턴으로 대체하게 되면, 발광 다이오드를 보다 얇게 제조할 수 있게 된다.
도 2a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 평면도이며, 도 2b는 도 2a에 도시된 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 제2 실시예는 제1 실시예와 비교하여, 발광칩을 봉지하는 몰딩부의 구성이 다소 상이하며, 나머지 구성은 유사한 바 이하에서는 상이한 구성 을 위주로 상술한다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 발광 다이오드는 기판(100), 리드 프레임(200), 발광칩(300), 지지부(400), 금속 패턴(500) 및 몰딩부(700)을 포함한다. 발광 다이오드의 기판(100) 상에는 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220)로 구성된 리드 프레임(200)이 배치되며, 제1 리드 단자(210) 상에 발광칩(300)이 실장된다. 금속 패턴(500)의 일 단은 발광칩(300)의 전극(미도시)과 연결되며, 금속 패턴(500)의 타 단은 제2 리드 단자(220)와 연결된다. 따라서, 발광칩(300)은 금속 패턴(500)에 의해 리드 프레임(200)과 전기적으로 연결된다.
지지부(400)는 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220) 사이의 이격 공간 즉, 노출된 기판(100) 상에 배치된다. 지지부(400)는 발광칩(300)과 제2 리드 단자(220)의 단차를 완화시키고, 금속 패턴(500)을 지지한다.
발광칩(300)을 봉지하기 위하여, 기판(100) 상에는 몰딩부(700)가 형성된다. 몰딩부(700)는 제1 실시예에 도시된 발광 다이오드의 몰드 필름(600)과 동일 재질로 형성될 수 있으며, 몰드 필름(600)과 일체로 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다. 도 3에 도시된 제3 실시예는 상기 실시예들과 비교하여, 금속 패턴을 지지하는 지지부를 생략한 구조이며, 나머지 구성은 유사한 바 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.
도 3을 참조하면, 발광 다이오드는 기판(100), 리드 프레임(200), 발광 칩(300), 금속 패턴(500) 및 몰드 필름(600)을 포함한다. 발광 다이오드의 기판(100) 상에는 리드 프레임(200)이 배치되며, 리드 프레임(200) 상에 발광칩(300)이 실장된다. 금속 패턴(500)이 형성된 몰드 필름(600)은 금속 패턴(500)이 발광칩(300)과 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결할 수 있도록 위치 정렬된 상태로 기판(100)에 부착된다. 발광칩(300)과 리드 프레임(200)의 단차가 크지 않은 경우에는 본 실시예의 경우와 같이 지지부를 형성하지 않아도 무방하다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다. 도 4에 도시된 제4 실시예는 상기 실시예들과 비교하여, 2개의 금속 패턴을 구비한다는 점이 상이하며, 나머지 구성은 유사한 바 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.
도 4를 참조하면, 발광 다이오드는 기판(100), 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220)로 구성된 리드 프레임(200), 발광칩(300), 제1 지지부(410), 제2 지지부(420), 제1 금속 패턴(510), 제2 금속 패턴(520) 및 몰드 필름(600)을 포함한다.
발광 다이오드의 기판(100) 상에는 리드 프레임(200)이 배치되며, 기판(100)상에 상에 발광칩(300)이 실장된다. 제1 및 제2 금속 패턴(510, 520)이 형성된 몰드 필름(600)은 제1 및 제2 금속 패턴(510, 520)이 발광칩(300)과 제1 및 제2 리드 단자(210, 220)를 각각 전기적으로 연결할 수 있도록 위치 정렬된 상태로 기판(100)에 부착된다. 또한, 기판(100)에는 제1 및 제2 지지부(410, 420)가 각각 배 치되어, 제1 및 제2 금속 패턴(510, 520)을 각각 지지하게 된다.
도 5 내지 도 9는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 공정 순서도이다.
도 5 내지 도 9를 참조하여, 발광 다이오드의 제조 공정을 살펴보면, 우선 기판(100)을 제공한다(도 5 참조). 기판(100)에는 금속 패턴을 지지하기 위한 지지부(400)가 배치될 수 있다. 기판(100) 상에는 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220)로 구성된 리드 프레임(200)이 배치된다.
그 다음에, 제1 리드 단자(210) 상에 발광칩(300)을 실장하는 공정을 수행한다(도 6 참조). 본 실시예의 경우, 예시적으로 발광칩(300)을 제1 리드 단자(210) 상에 실장하고 있으나, 상기에서 살펴본 바와 같이 발광칩(300)은 기판(100) 또는 제2 리드 단자(220) 상에 실장될 수도 있다.
그 다음에, 몰드 필름(600) 상에 금속 패턴(500)을 형성하는 공정을 수행한다(도 7 참조). 금속 패턴(500)은 다양한 형태로 몰드 필름(600) 상에 인쇄될 수 있으며, 금속 패턴(500)의 재료로는 금(Au) 또는 은(Ag) 나노 입자가 사용될 수 있다. 몰드 필름(600)의 재료로는 투명 접착성 수지 예를 들면, 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다.
그리고 나서, 금속 패턴(500)이 형성된 몰드 필름(600)을 기판(100) 상에 위치 정렬한 후, 몰드 필름(600)을 기판(100) 상에 부착하는 공정을 수행한다(도 8a 및 도 8b 참조). 몰드 필름(600)을 기판(100) 상에 위치 정렬하여 배치한 후, 몰드 필름(600)을 섭씨 120도 내지 섭씨 180도에서 소정 시간 예를 들면 수 분 내지 수 십 분 동안 가열한다. 그러면, 몰드 필름(600)은 기판(100) 상에 안정되게 부착되며, 금속 패턴(500)도 발광칩(300), 리드 프레임(200) 및 지지부(400) 상에 안정되게 형성된다.
발광칩(300)은 몰드 필름(600)에 의해서 봉지되어 보호되기 때문에, 현 공정에서 발광 다이오드의 제조 공정을 완료할 수 있다.
한편, 발광칩(300)을 봉지하는 봉지제를 소정 형태로 형성하기 위하여, 몰딩부(700)를 형성하는 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다(도 9 참조). 몰드 필름(600) 상에 몰드 필름과 동일한 재료로 구성된 봉지제를 트랜스퍼 몰딩 등의 방식으로 형성하게 되면, 몰드 필름(600)과 봉지제는 서로 혼합되어 일체로 형성된 몰딩부(700)가 형성된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 발광 다이오드 제조 공정 중 와이어 본딩 공정을 생략할 수 있게 되어, 제조 공정 비용 및 제조 시간을 감소시킬 수 있다.
금속 패턴의 경우 몰드 필름에 인쇄하여 발광칩과 리드 프레임에 부착하는데 큰 기계적인 무리가 없기 때문에, 금속 패턴의 선폭에 제한이 없어 발광 다이오드의 소형화가 용이하다.
또한, 와이어 본딩은 발광칩과 와이어의 안정적인 전기적 연결을 위해 소정 공간을 확보하여야 하지만, 본 발명에 따르면 이러한 공간확보가 필요없어 발광 다이오드의 두께를 감소시켜 박형화할 수 있게 된다.

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 리드 프레임;
    상기 기판 또는 상기 리드 프레임 상에 실장된 발광칩;
    상기 발광칩과 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 금속패턴; 및
    상기 금속패턴을 지지하는 지지부를 포함하고,
    상기 지지부는, 상기 발광칩의 상면과 동일하거나 상기 발광칩의 상면보다 낮게 위치하는 제1 상면, 및 상기 리드프레임의 상면보다 높게 위치하고 상기 제1 상면보다 낮게 위치하는 제2 상면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 지지부는 상기 발광칩의 상면과 상기 리드 프레임의 상면 간의 단차에 대응하여 상기 발광칩과 상기 리드 프레임 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 금속패턴을 덮는 필름을 더 포함하고,
    상기 금속패턴은 상기 필름의 일면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 금속패턴은 상기 필름 상에 인쇄된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 필름은 투명 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 필름은 상기 발광칩 및 상기 리드 프레임 상에 접착된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 발광칩은 상기 필름에 의해 봉지되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  8. 청구항 3에 있어서, 상기 필름 상에 형성된 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 리드 프레임은 상기 기판의 측면에서 중앙 영역으로 연장되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 지지부는 상기 기판과 일체로 형성된 발광 다이오드.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 지지부는 상기 발광칩 및 상기 리드프레임과 이격된 발광 다이오드.
KR1020070060710A 2007-06-20 2007-06-20 금속 패턴을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 KR101374896B1 (ko)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH1187779A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
JP2004172578A (ja) * 2002-09-02 2004-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
KR20070060140A (ko) * 2004-09-30 2007-06-12 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 와이어 없는 방식으로 접촉되는 광전자 소자
KR100776853B1 (ko) 2003-10-24 2007-11-16 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광원 장치 및 프로젝터

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187779A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
JP2004172578A (ja) * 2002-09-02 2004-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
KR100776853B1 (ko) 2003-10-24 2007-11-16 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광원 장치 및 프로젝터
KR20070060140A (ko) * 2004-09-30 2007-06-12 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 와이어 없는 방식으로 접촉되는 광전자 소자

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