JP2001203392A - 発光ダイオード - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 13
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 17
- 101100204204 Homo sapiens STARD8 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 102100026755 StAR-related lipid transfer protein 8 Human genes 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子部の半導体内部からの光束の損失を
抑え、封止樹脂外部へ有効に導出する。 【解決手段】 発光素子部１を封止した発光ダイオード
であって、発光素子部１との間に隙間が形成されないよ
うに、少なくともエポキシ樹脂５よりも屈折率が高く、
絶縁特性を持つ高屈折材料（ＤＬＣ３）で発光素子部１
を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を低くすること
で連続的、もしくは段階的に異なる屈折率を持つ光学的
傾斜機能膜２を形成した。これにより、発光素子部１を
形成している屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部
１に接している材質の屈折率との差を小さくできる。こ
のため、半導体内部から外へ出る光について全反射が生
じにくくなり、発光素子部１から出てくる光を有効に外
部へ導くことができ、全光束量が向上する。
抑え、封止樹脂外部へ有効に導出する。 【解決手段】 発光素子部１を封止した発光ダイオード
であって、発光素子部１との間に隙間が形成されないよ
うに、少なくともエポキシ樹脂５よりも屈折率が高く、
絶縁特性を持つ高屈折材料（ＤＬＣ３）で発光素子部１
を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を低くすること
で連続的、もしくは段階的に異なる屈折率を持つ光学的
傾斜機能膜２を形成した。これにより、発光素子部１を
形成している屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部
１に接している材質の屈折率との差を小さくできる。こ
のため、半導体内部から外へ出る光について全反射が生
じにくくなり、発光素子部１から出てくる光を有効に外
部へ導くことができ、全光束量が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、発光素子部から
光の取出し効率を向上させる封止構造を有する発光ダイ
オードに関するものである。
光の取出し効率を向上させる封止構造を有する発光ダイ
オードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の砲弾型発光ダイオードを示
す概念図、図６（ａ）は従来のモジュール型発光ダイオ
ードを示す斜視図、（ｂ）はその要部拡大断面図であ
る。図５に示すように、従来の発光ダイオードでは、発
光素子部５０をエポキシ樹脂５１で封止している。ま
た、図６では反射枠５２の開口部に発光素子部５０を配
置してエポキシ樹脂５１で封止している。
す概念図、図６（ａ）は従来のモジュール型発光ダイオ
ードを示す斜視図、（ｂ）はその要部拡大断面図であ
る。図５に示すように、従来の発光ダイオードでは、発
光素子部５０をエポキシ樹脂５１で封止している。ま
た、図６では反射枠５２の開口部に発光素子部５０を配
置してエポキシ樹脂５１で封止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の発光ダイオードでは、発光素子部５０を形成してい
る半導体の屈折率は非常に大きく、発光素子部５０に接
している封止材料（エポキシ樹脂）の屈折率との差が大
きいため、半導体内部での発光については全反射が生じ
易く、光束の取出し効率が低い欠点があった。また、エ
ポキシ樹脂外へ射出される光は、ある角度より大きなも
のは全反射され内部で損失を生じていた。
来の発光ダイオードでは、発光素子部５０を形成してい
る半導体の屈折率は非常に大きく、発光素子部５０に接
している封止材料（エポキシ樹脂）の屈折率との差が大
きいため、半導体内部での発光については全反射が生じ
易く、光束の取出し効率が低い欠点があった。また、エ
ポキシ樹脂外へ射出される光は、ある角度より大きなも
のは全反射され内部で損失を生じていた。
【０００４】したがって、この発明の目的は、上記のよ
うな従来の問題点を考慮して、発光素子部の半導体内部
からの光束の損失を抑えるための発光ダイオード封止構
造および一度素子から取り出された光側を封止樹脂外部
へ有効に導出する発光ダイオードを提供することであ
る。
うな従来の問題点を考慮して、発光素子部の半導体内部
からの光束の損失を抑えるための発光ダイオード封止構
造および一度素子から取り出された光側を封止樹脂外部
へ有効に導出する発光ダイオードを提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明の請求項１記載の発光ダイオードは、発光素
子部を封止した発光ダイオードであって、前記発光素子
部との間に隙間が形成されないように、少なくともエポ
キシ樹脂よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材
料で前記発光素子部を囲み、外側へいくに従い材料の屈
折率を低くすることで連続的、もしくは段階的に異なる
屈折率を持つ光学的傾斜機能膜を形成した。
にこの発明の請求項１記載の発光ダイオードは、発光素
子部を封止した発光ダイオードであって、前記発光素子
部との間に隙間が形成されないように、少なくともエポ
キシ樹脂よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材
料で前記発光素子部を囲み、外側へいくに従い材料の屈
折率を低くすることで連続的、もしくは段階的に異なる
屈折率を持つ光学的傾斜機能膜を形成した。
【０００６】一般に発光素子部を構成している半導体の
屈折率は非常に高く、接している物質が屈折率が低けれ
ば臨界角も小さく全反射が起こり易い。そのため、より
屈折率の高い物質で発光素子部を包むことで、全反射の
起こる角度を大きくでき、その分外部への光束取出し効
率が向上する。
屈折率は非常に高く、接している物質が屈折率が低けれ
ば臨界角も小さく全反射が起こり易い。そのため、より
屈折率の高い物質で発光素子部を包むことで、全反射の
起こる角度を大きくでき、その分外部への光束取出し効
率が向上する。
【０００７】請求項１では、発光素子部との間に隙間が
形成されないように、少なくともエポキシ樹脂よりも屈
折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料で前記発光素子
部を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を低くするこ
とで連続的、もしくは段階的に異なる屈折率を持つ光学
的傾斜機能膜を形成したので、発光素子部を形成してい
る屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部に接してい
る材料の屈折率との差を小さくできる。このため、半導
体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくな
り、発光素子部から出てくる光を有効に外部へ導くこと
ができ、全光束量が向上する。
形成されないように、少なくともエポキシ樹脂よりも屈
折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料で前記発光素子
部を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を低くするこ
とで連続的、もしくは段階的に異なる屈折率を持つ光学
的傾斜機能膜を形成したので、発光素子部を形成してい
る屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部に接してい
る材料の屈折率との差を小さくできる。このため、半導
体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくな
り、発光素子部から出てくる光を有効に外部へ導くこと
ができ、全光束量が向上する。
【０００８】請求項２記載の発光ダイオードは、発光素
子部を封止した発光ダイオードであって、少なくともエ
ポキシ樹脂よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折
材料で前記発光素子部を表面に接するように囲み、高屈
折材料より低い屈折率の材料で外周部を形成した。
子部を封止した発光ダイオードであって、少なくともエ
ポキシ樹脂よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折
材料で前記発光素子部を表面に接するように囲み、高屈
折材料より低い屈折率の材料で外周部を形成した。
【０００９】このように、少なくともエポキシ樹脂より
も屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料で発光素子
部を表面に接するように囲み、高屈折材料より低い屈折
率の材料で外周部を形成したので、発光素子部を形成し
ている屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部に接し
ている材料の屈折率との差を小さくできる。このため、
半導体内部から外へ出る光について全反射が生じにくく
なり、発光素子部から出てくる光を有効に外部へ導くこ
とができ、全光束量が向上する。
も屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料で発光素子
部を表面に接するように囲み、高屈折材料より低い屈折
率の材料で外周部を形成したので、発光素子部を形成し
ている屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部に接し
ている材料の屈折率との差を小さくできる。このため、
半導体内部から外へ出る光について全反射が生じにくく
なり、発光素子部から出てくる光を有効に外部へ導くこ
とができ、全光束量が向上する。
【００１０】請求項３記載の発光ダイオードは、発光素
子部を樹脂で封止した発光ダイオードであって、封止樹
脂表面に少なくとも封止樹脂より屈折率が低い低屈折材
料を塗布するとともに、この低屈折材料は少なくとも１
重以上有し、外側ほど屈折率を低くした。
子部を樹脂で封止した発光ダイオードであって、封止樹
脂表面に少なくとも封止樹脂より屈折率が低い低屈折材
料を塗布するとともに、この低屈折材料は少なくとも１
重以上有し、外側ほど屈折率を低くした。
【００１１】このように、封止樹脂表面に少なくとも封
止樹脂より屈折率が低い低屈折材料を塗布するととも
に、この低屈折材料は少なくとも１重以上有し、外側ほ
ど屈折率を低くしたので、外部空気層と封止樹脂の界面
で全反射していた光をより多く外部へ射出できるように
なり、全光束量が向上する。
止樹脂より屈折率が低い低屈折材料を塗布するととも
に、この低屈折材料は少なくとも１重以上有し、外側ほ
ど屈折率を低くしたので、外部空気層と封止樹脂の界面
で全反射していた光をより多く外部へ射出できるように
なり、全光束量が向上する。
【００１２】請求項４記載の発光ダイオードは、請求項
１または２において、高屈折材料はＤＬＣである。この
ように、高屈折材料はＤＬＣ（Diamond Like Carbon)で
あるので、屈折率が高く絶縁性のある材料として用いる
ことができる。
１または２において、高屈折材料はＤＬＣである。この
ように、高屈折材料はＤＬＣ（Diamond Like Carbon)で
あるので、屈折率が高く絶縁性のある材料として用いる
ことができる。
【００１３】請求項５記載の発光ダイオードは、請求項
２において、高屈折材料の外側にエポキシ樹脂を形成し
た。このように、高屈折材料の外側にエポキシ樹脂を形
成したので、発光素子部から出てくる光を有効に外部に
導くことができる。
２において、高屈折材料の外側にエポキシ樹脂を形成し
た。このように、高屈折材料の外側にエポキシ樹脂を形
成したので、発光素子部から出てくる光を有効に外部に
導くことができる。
【００１４】請求項６記載の発光ダイオードは、請求項
１において、高屈折材料の外側に塩化チタン、エポキシ
樹脂、フッ化マグネシウムを積層した。このように、高
屈折材料の外側に塩化チタン、エポキシ樹脂、フッ化マ
グネシウムを積層したので、外側へいくに従い屈折率を
低くすることができ、発光素子部から出てくる光を有効
に外部に導くことができる。
１において、高屈折材料の外側に塩化チタン、エポキシ
樹脂、フッ化マグネシウムを積層した。このように、高
屈折材料の外側に塩化チタン、エポキシ樹脂、フッ化マ
グネシウムを積層したので、外側へいくに従い屈折率を
低くすることができ、発光素子部から出てくる光を有効
に外部に導くことができる。
【００１５】請求項７記載の発光ダイオードは、請求項
１において、光学的傾斜機能膜をレンズ形状にした。こ
のように、光学的傾斜機能膜をレンズ形状にしたので、
外部空気層の界面での屈折率差は少なくなり、全反射は
非常に少なくなる。
１において、光学的傾斜機能膜をレンズ形状にした。こ
のように、光学的傾斜機能膜をレンズ形状にしたので、
外部空気層の界面での屈折率差は少なくなり、全反射は
非常に少なくなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態の発
光ダイオードを図１および図２に基づいて説明する。図
１（ａ）はこの発明の第１の実施の形態で砲弾型発光ダ
イオードの断面図、（ｂ）は第１の実施の形態の変形例
でモジュール型発光ダイオードの断面図、（ｃ）は第１
の実施の形態の光学的傾斜機能膜の屈折率を示した説明
図、図２は光束取出し原理を示す説明図である。
光ダイオードを図１および図２に基づいて説明する。図
１（ａ）はこの発明の第１の実施の形態で砲弾型発光ダ
イオードの断面図、（ｂ）は第１の実施の形態の変形例
でモジュール型発光ダイオードの断面図、（ｃ）は第１
の実施の形態の光学的傾斜機能膜の屈折率を示した説明
図、図２は光束取出し原理を示す説明図である。
【００１７】図１に示すように、この発光ダイオード
は、発光素子部１を封止した構造で、発光素子部１との
間に隙間が形成されないように、少なくともエポキシ樹
脂５よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料で
発光素子部１を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を
低くすることで連続的、もしくは段階的に異なる屈折率
を持つ光学的傾斜機能膜２を形成している。この場合、
図１（ａ）では電極７上に設けた発光素子部１を中心
に、高屈折で絶縁性のある材料としてＤＬＣ（Diamond
Like Carbon)３を形成し、その外部を酸化チタン４、エ
ポキシ樹脂５、フッ化マグネシウム６と外側へ積み上
げ、レンズ形状としている。図１（ｂ）では反射枠８の
開口部に同様に発光素子部１、ＤＬＣ３、酸化チタン
４、エポキシ樹脂５、フッ化マグネシウム６を形成して
いる。また、図１（ｃ）に示すように、ＤＬＣ３の屈折
率が最も高く、酸化チタン４、エポキシ樹脂５と外側へ
いくに従い順次屈折率が低くなり、最外のフッ化マグネ
シウム６の屈折率が最も低くなっている。
は、発光素子部１を封止した構造で、発光素子部１との
間に隙間が形成されないように、少なくともエポキシ樹
脂５よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料で
発光素子部１を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を
低くすることで連続的、もしくは段階的に異なる屈折率
を持つ光学的傾斜機能膜２を形成している。この場合、
図１（ａ）では電極７上に設けた発光素子部１を中心
に、高屈折で絶縁性のある材料としてＤＬＣ（Diamond
Like Carbon)３を形成し、その外部を酸化チタン４、エ
ポキシ樹脂５、フッ化マグネシウム６と外側へ積み上
げ、レンズ形状としている。図１（ｂ）では反射枠８の
開口部に同様に発光素子部１、ＤＬＣ３、酸化チタン
４、エポキシ樹脂５、フッ化マグネシウム６を形成して
いる。また、図１（ｃ）に示すように、ＤＬＣ３の屈折
率が最も高く、酸化チタン４、エポキシ樹脂５と外側へ
いくに従い順次屈折率が低くなり、最外のフッ化マグネ
シウム６の屈折率が最も低くなっている。
【００１８】上記構成の発光ダイオードの光束取出し原
理について説明する。図２（ａ）に示すように発光素子
部１を構成している半導体の屈折率は非常に高く、接し
ている物質Ｂが屈折率が低ければ臨界角も小さく全反射
が起こり易い。そのため、図２（ｂ）に示すようにより
屈折率の高い物質（材質）Ａで発光素子部１を包むこと
で、全反射の起こる角度を大きくでき、その分外部への
光束取出し効率が向上する。
理について説明する。図２（ａ）に示すように発光素子
部１を構成している半導体の屈折率は非常に高く、接し
ている物質Ｂが屈折率が低ければ臨界角も小さく全反射
が起こり易い。そのため、図２（ｂ）に示すようにより
屈折率の高い物質（材質）Ａで発光素子部１を包むこと
で、全反射の起こる角度を大きくでき、その分外部への
光束取出し効率が向上する。
【００１９】この実施の形態では、発光ダイオード１を
形成している屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部
１に接している封止材料であるＤＬＣ３の屈折率との差
を小さくできるため、半導体内部から外へ出る光につい
て全反射が生じにくくなる。このため、発光素子部１か
ら出てくる光を有効に外部へ導くことができ、全光束量
が向上し、発光素子部１からの光束取出し効率が増加す
る。
形成している屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部
１に接している封止材料であるＤＬＣ３の屈折率との差
を小さくできるため、半導体内部から外へ出る光につい
て全反射が生じにくくなる。このため、発光素子部１か
ら出てくる光を有効に外部へ導くことができ、全光束量
が向上し、発光素子部１からの光束取出し効率が増加す
る。
【００２０】さらに、順次屈折率の低い材料が外側を形
成しているため、レンズ形成材である光学的傾斜機能膜
２と外部空気層の界面での屈折率差は少なくなること
で、全反射は非常に少なくなり樹脂内での内部反射損失
がほとんどなくなる。これにより、レンズ形成材から外
部空気層への光束損失が低減し、発光素子部１より取出
された光束を損失することなく、有効に外部へ導くこと
ができる。
成しているため、レンズ形成材である光学的傾斜機能膜
２と外部空気層の界面での屈折率差は少なくなること
で、全反射は非常に少なくなり樹脂内での内部反射損失
がほとんどなくなる。これにより、レンズ形成材から外
部空気層への光束損失が低減し、発光素子部１より取出
された光束を損失することなく、有効に外部へ導くこと
ができる。
【００２１】この発明の第２の実施の形態の発光ダイオ
ードを図３に基づいて説明する。図３（ａ）はこの発明
の第２の実施の形態で砲弾型発光ダイオードの断面図、
（ｂ）は第２の実施の形態の変形例でモジュール型発光
ダイオードの断面図である。
ードを図３に基づいて説明する。図３（ａ）はこの発明
の第２の実施の形態で砲弾型発光ダイオードの断面図、
（ｂ）は第２の実施の形態の変形例でモジュール型発光
ダイオードの断面図である。
【００２２】図３に示すように、この発光ダイオード
は、発光素子部１を封止した構造で、少なくともエポキ
シ樹脂よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料
で発光素子部１をその表面に接するように囲み、高屈折
材料により低い屈折率の材料で外周部を形成している。
この場合、図３（ａ）では高屈折材料としてＤＬＣ３を
電極７上に設けた発光ダイオード１へ塗布し、その外部
をエポキシ樹脂５を用いてレンズ形状としている。図３
（ｂ）では反射枠８の開口部に同様に発光素子部１、Ｄ
ＬＣ３、エポキシ樹脂５を形成している。また、ＤＬＣ
３の屈折率はエポキシ樹脂５の屈折率より高い。上記構
成の発光ダイオードの光束取出し原理は図２と同様であ
る。
は、発光素子部１を封止した構造で、少なくともエポキ
シ樹脂よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料
で発光素子部１をその表面に接するように囲み、高屈折
材料により低い屈折率の材料で外周部を形成している。
この場合、図３（ａ）では高屈折材料としてＤＬＣ３を
電極７上に設けた発光ダイオード１へ塗布し、その外部
をエポキシ樹脂５を用いてレンズ形状としている。図３
（ｂ）では反射枠８の開口部に同様に発光素子部１、Ｄ
ＬＣ３、エポキシ樹脂５を形成している。また、ＤＬＣ
３の屈折率はエポキシ樹脂５の屈折率より高い。上記構
成の発光ダイオードの光束取出し原理は図２と同様であ
る。
【００２３】この実施の形態では、発光素子部１を形成
している屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部１に
接している封止材料であるＤＬＣ３の屈折率との差を小
さくできるため、半導体内部から外へ出る光について全
反射が生じにくくなる。このため、発光素子部１から出
てくる光を有効に外部へ導くことができ、全光束量が向
上し、発光素子部１からの光束取出し効率が増加する。
している屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部１に
接している封止材料であるＤＬＣ３の屈折率との差を小
さくできるため、半導体内部から外へ出る光について全
反射が生じにくくなる。このため、発光素子部１から出
てくる光を有効に外部へ導くことができ、全光束量が向
上し、発光素子部１からの光束取出し効率が増加する。
【００２４】この発明の第３の実施の形態の発光ダイオ
ードを図４に基づいて説明する。図４（ａ）はこの発明
の第３の実施の形態で砲弾型発光ダイオードの断面図、
（ｂ）は第３の実施の形態の変形例でモジュール型発光
ダイオードの断面図である。
ードを図４に基づいて説明する。図４（ａ）はこの発明
の第３の実施の形態で砲弾型発光ダイオードの断面図、
（ｂ）は第３の実施の形態の変形例でモジュール型発光
ダイオードの断面図である。
【００２５】図４に示すように、この発光ダイオード
は、発光素子部１を樹脂で封止した構造で、封止樹脂表
面に少なくとも封止樹脂より屈折率が低い低屈折材料を
塗布するとともに、この低屈折材料は少なくとも１重以
上有し、外側ほど屈折率を低くしている。この場合、図
４（ａ）では低屈折材料としてフッ化マグネシウムを用
い、これを封止樹脂であるエポキシ樹脂１０表面へ塗布
してレンズ形状を構成している。図４（ｂ）では反射枠
８の開口部に同様に発光素子部１、エポキシ樹脂１０、
フッ化マグネシウム１１を形成している。また、フッ化
マグネシウム１１の屈折率はエポキシ樹脂１０の屈折率
より低い。
は、発光素子部１を樹脂で封止した構造で、封止樹脂表
面に少なくとも封止樹脂より屈折率が低い低屈折材料を
塗布するとともに、この低屈折材料は少なくとも１重以
上有し、外側ほど屈折率を低くしている。この場合、図
４（ａ）では低屈折材料としてフッ化マグネシウムを用
い、これを封止樹脂であるエポキシ樹脂１０表面へ塗布
してレンズ形状を構成している。図４（ｂ）では反射枠
８の開口部に同様に発光素子部１、エポキシ樹脂１０、
フッ化マグネシウム１１を形成している。また、フッ化
マグネシウム１１の屈折率はエポキシ樹脂１０の屈折率
より低い。
【００２６】この実施の形態では、屈折率の低い材料が
外側を形成しているため、封止樹脂（エポキシ樹脂１
０）に塗布した材料（フッ化マグネシウム１１）と外部
空気層の界面での屈折率差は少なくなることで、全反射
は非常に少なくなり樹脂内での内部反射損失がほとんど
なくなる。これにより、レンズ形成材から外部空気層へ
の光束損失の低減を図ることができ、発光素子部１より
取出された光束を損失することなく、有効に外部へ導光
できる。また、低コストで表面塗布可能でありコストパ
フォーマンスが高い。
外側を形成しているため、封止樹脂（エポキシ樹脂１
０）に塗布した材料（フッ化マグネシウム１１）と外部
空気層の界面での屈折率差は少なくなることで、全反射
は非常に少なくなり樹脂内での内部反射損失がほとんど
なくなる。これにより、レンズ形成材から外部空気層へ
の光束損失の低減を図ることができ、発光素子部１より
取出された光束を損失することなく、有効に外部へ導光
できる。また、低コストで表面塗布可能でありコストパ
フォーマンスが高い。
【００２７】なお、第１の実施の形態では、光学的傾斜
機能膜２を４層構造としたが、３層以上であればよい。
また、高屈折材料としてＤＬＣを用いたがこれ以外でも
よい。第３の実施の形態では、低屈折材料としてフッ化
マグネシウムを用いたがこれ以外でもよい。
機能膜２を４層構造としたが、３層以上であればよい。
また、高屈折材料としてＤＬＣを用いたがこれ以外でも
よい。第３の実施の形態では、低屈折材料としてフッ化
マグネシウムを用いたがこれ以外でもよい。
【００２８】
【発明の効果】この発明の請求項１記載の発光ダイオー
ドによれば、発光素子部との間に隙間が形成されないよ
うに、少なくともエポキシ樹脂よりも屈折率が高く、絶
縁特性を持つ高屈折材料で前記発光素子部を囲み、外側
へいくに従い材料の屈折率を低くすることで連続的、も
しくは段階的に異なる屈折率を持つ光学的傾斜機能膜を
形成したので、発光素子部を形成している屈折率が非常
に大きな半導体と発光素子部に接している材料の屈折率
との差を小さくできる。このため、半導体内部から外へ
出る光について全反射が生じにくくなり、発光素子部か
ら出てくる光を有効に外部へ導くことができ、全光束量
が向上し、発光素子部からの光束取出し効率が増加す
る。
ドによれば、発光素子部との間に隙間が形成されないよ
うに、少なくともエポキシ樹脂よりも屈折率が高く、絶
縁特性を持つ高屈折材料で前記発光素子部を囲み、外側
へいくに従い材料の屈折率を低くすることで連続的、も
しくは段階的に異なる屈折率を持つ光学的傾斜機能膜を
形成したので、発光素子部を形成している屈折率が非常
に大きな半導体と発光素子部に接している材料の屈折率
との差を小さくできる。このため、半導体内部から外へ
出る光について全反射が生じにくくなり、発光素子部か
ら出てくる光を有効に外部へ導くことができ、全光束量
が向上し、発光素子部からの光束取出し効率が増加す
る。
【００２９】この発明の請求項２記載の発光ダイオード
によれば、少なくともエポキシ樹脂よりも屈折率が高
く、絶縁特性を持つ高屈折材料で発光素子部を表面に接
するように囲み、高屈折材料より低い屈折率の材料で外
周部を形成したので、発光素子部を形成している屈折率
が非常に大きな半導体と発光素子部に接している材料の
屈折率との差を小さくできる。このため、半導体内部か
ら外へ出る光について全反射が生じにくくなり、発光素
子部から出てくる光を有効に外部へ導くことができ、全
光束量が向上し、発光素子部からの光束取出し効率が増
加する。
によれば、少なくともエポキシ樹脂よりも屈折率が高
く、絶縁特性を持つ高屈折材料で発光素子部を表面に接
するように囲み、高屈折材料より低い屈折率の材料で外
周部を形成したので、発光素子部を形成している屈折率
が非常に大きな半導体と発光素子部に接している材料の
屈折率との差を小さくできる。このため、半導体内部か
ら外へ出る光について全反射が生じにくくなり、発光素
子部から出てくる光を有効に外部へ導くことができ、全
光束量が向上し、発光素子部からの光束取出し効率が増
加する。
【００３０】この発明の請求項３記載の発光ダイオード
によれば、封止樹脂表面に少なくとも封止樹脂より屈折
率が低い低屈折材料を塗布するとともに、この低屈折材
料は少なくとも１重以上有し、外側ほど屈折率を低くし
たので、外部空気層と封止樹脂の界面で全反射していた
光をより多く外部へ射出できるようになり、全光束量が
向上する。また、低屈折材料は簡易な工程で表面塗布可
能であるので、コストパフォーマンスが高い。
によれば、封止樹脂表面に少なくとも封止樹脂より屈折
率が低い低屈折材料を塗布するとともに、この低屈折材
料は少なくとも１重以上有し、外側ほど屈折率を低くし
たので、外部空気層と封止樹脂の界面で全反射していた
光をより多く外部へ射出できるようになり、全光束量が
向上する。また、低屈折材料は簡易な工程で表面塗布可
能であるので、コストパフォーマンスが高い。
【００３１】請求項４記載の発光ダイオードは、高屈折
材料はＤＬＣであるので、屈折率が高く絶縁性のある材
料として用いることができる。
材料はＤＬＣであるので、屈折率が高く絶縁性のある材
料として用いることができる。
【００３２】請求項５では、高屈折材料の外側にエポキ
シ樹脂を形成したので、発光素子部から出てくる光を有
効に外部に導くことができる。
シ樹脂を形成したので、発光素子部から出てくる光を有
効に外部に導くことができる。
【００３３】請求項６では、高屈折材料の外側に塩化チ
タン、エポキシ樹脂、フッ化マグネシウムを積層したの
で、外側へいくに従い屈折率を低くすることができ、発
光素子部から出てくる光を有効に外部に導くことができ
る。
タン、エポキシ樹脂、フッ化マグネシウムを積層したの
で、外側へいくに従い屈折率を低くすることができ、発
光素子部から出てくる光を有効に外部に導くことができ
る。
【００３４】請求項７では、光学的傾斜機能膜をレンズ
形状にしたので、外部空気層の界面での屈折率差は少な
くなり、全反射は非常に少なくなる。
形状にしたので、外部空気層の界面での屈折率差は少な
くなり、全反射は非常に少なくなる。
【図１】（ａ）はこの発明の第１の実施の形態で砲弾型
発光ダイオードの断面図、（ｂ）は第１の実施の形態の
変形例でモジュール型発光ダイオードの断面図、（ｃ）
は第１の実施の形態の光学的傾斜機能膜の屈折率を示し
た説明図である。
発光ダイオードの断面図、（ｂ）は第１の実施の形態の
変形例でモジュール型発光ダイオードの断面図、（ｃ）
は第１の実施の形態の光学的傾斜機能膜の屈折率を示し
た説明図である。
【図２】光束取出し原理を示す説明図である。
【図３】（ａ）はこの発明の第２の実施の形態で砲弾型
発光ダイオードの断面図、（ｂ）は第２の実施の形態の
変形例でモジュール型発光ダイオードの断面図である。
発光ダイオードの断面図、（ｂ）は第２の実施の形態の
変形例でモジュール型発光ダイオードの断面図である。
【図４】（ａ）はこの発明の第３の実施の形態で砲弾型
発光ダイオードの断面図、（ｂ）は第３の実施の形態の
変形例でモジュール型発光ダイオードの断面図である。
発光ダイオードの断面図、（ｂ）は第３の実施の形態の
変形例でモジュール型発光ダイオードの断面図である。
【図５】従来の砲弾型発光ダイオードを示す概念図であ
る。
る。
【図６】（ａ）は従来のモジュール型発光ダイオードを
示す斜視図、（ｂ）はその要部拡大断面図である。
示す斜視図、（ｂ）はその要部拡大断面図である。
【符号の説明】 １ 発光素子部 ２ 光学的傾斜機能膜 ３ ＤＬＣ ４ 酸化チタン ５，１０ エポキシ樹脂 ６，１１ フッ化マグネシウム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 晋治 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (72)発明者 内田 達清 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA06 DA19 DA36 DA44 DA46 DA57 DA58 DB01
Claims (7)
- 【請求項１】 発光素子部を封止した発光ダイオードで
あって、前記発光素子部との間に隙間が形成されないよ
うに、少なくともエポキシ樹脂よりも屈折率が高く、絶
縁特性を持つ高屈折材料で前記発光素子部を囲み、外側
へいくに従い材料の屈折率を低くすることで連続的、も
しくは段階的に異なる屈折率を持つ光学的傾斜機能膜を
形成したことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 発光素子部を封止した発光ダイオードで
あって、少なくともエポキシ樹脂よりも屈折率が高く、
絶縁特性を持つ高屈折材料で前記発光素子部を表面に接
するように囲み、前記高屈折材料より低い屈折率の材料
で外周部を形成したことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項３】 発光素子部を樹脂で封止した発光ダイオ
ードであって、封止樹脂表面に少なくとも封止樹脂より
屈折率が低い低屈折材料を塗布するとともに、この低屈
折材料は少なくとも１重以上有し、外側ほど屈折率を低
くしたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項４】 高屈折材料はＤＬＣである請求項１また
は２記載の発光ダイオード。 - 【請求項５】 高屈折材料の外側にエポキシ樹脂を形成
した請求項２記載の発光ダイオード。 - 【請求項６】 高屈折材料の外側に塩化チタン、エポキ
シ樹脂、フッ化マグネシウムを積層した請求項１記載の
発光ダイオード。 - 【請求項７】 光学的傾斜機能膜をレンズ形状にした請
求項１記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009619A JP2001203392A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009619A JP2001203392A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203392A true JP2001203392A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18537748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000009619A Pending JP2001203392A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001203392A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110149A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ユニット及び当該発光ユニットを用いた照明装置 |
| WO2003034508A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| DE10220583A1 (de) * | 2002-03-27 | 2003-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| JP2004172578A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| KR20050054468A (ko) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광학 반도체 장치 |
| JP2005251875A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| EP1538681A3 (en) * | 2003-12-04 | 2005-09-21 | Nitto Denko Corporation | Process for producing optical semiconductor device |
| EP1580818A1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-28 | Nitto Denko Corporation | Process for producing optical semiconductor device |
| JP2005268431A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| EP1585179A1 (en) * | 2004-04-05 | 2005-10-12 | Nitto Denko Corporation | Sheet for optical-semiconductor element encapsulation and process for producing optical semiconductor device using the sheet |
| JP2006140362A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法 |
| US7078737B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| JP2007516601A (ja) * | 2003-09-08 | 2007-06-21 | ナノクリスタル・ライティング・コーポレーション | 高屈折率のカプセル材料を用いたｌｅｄランプのための光の効率的なパッケージ構成 |
| JP2007258701A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Chi Lin Technology Co Ltd | 発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法 |
| JP2007273562A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| WO2007136000A1 (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Alps Electric Co., Ltd. | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2009049301A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Toshiba Corp | 発光素子及びその製造方法 |
| JP5025636B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-09-12 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| WO2014019988A1 (de) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur seiner herstellung |
| EP3059765A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-24 | Taiwan Biophotonic Corporation | Reflective optical sensor module |
| JP2021093418A (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-01-19 JP JP2000009619A patent/JP2001203392A/ja active Pending
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110149A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ユニット及び当該発光ユニットを用いた照明装置 |
| WO2003034508A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| US7301175B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| US7390684B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-24 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| DE10220583A1 (de) * | 2002-03-27 | 2003-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| DE10220583B4 (de) * | 2002-03-27 | 2007-07-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| US7378334B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-05-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7078737B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2004172578A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| JP2007516601A (ja) * | 2003-09-08 | 2007-06-21 | ナノクリスタル・ライティング・コーポレーション | 高屈折率のカプセル材料を用いたｌｅｄランプのための光の効率的なパッケージ構成 |
| EP1538681A3 (en) * | 2003-12-04 | 2005-09-21 | Nitto Denko Corporation | Process for producing optical semiconductor device |
| CN100401538C (zh) * | 2003-12-04 | 2008-07-09 | 日东电工株式会社 | 制造光半导体器件的方法 |
| KR20050054468A (ko) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광학 반도체 장치 |
| JP2005251875A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| EP1580818A1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-28 | Nitto Denko Corporation | Process for producing optical semiconductor device |
| JP4543712B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-09-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2005268431A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| US7221007B2 (en) | 2004-04-05 | 2007-05-22 | Nitto Denko Corporation | Sheet for optical-semiconductor element encapsulation and process for producing optical semiconductor device using the sheet |
| EP1585179A1 (en) * | 2004-04-05 | 2005-10-12 | Nitto Denko Corporation | Sheet for optical-semiconductor element encapsulation and process for producing optical semiconductor device using the sheet |
| EP1657756A3 (en) * | 2004-11-15 | 2007-07-11 | Nitto Denko Corporation | Sheet for optical semiconductor element encapsulation and process for producing optical semiconductor device with the sheet |
| JP2006140362A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法 |
| JP2007258701A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Chi Lin Technology Co Ltd | 発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法 |
| JP5025636B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-09-12 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| JP2007273562A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US8294165B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| WO2007136000A1 (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Alps Electric Co., Ltd. | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2009049301A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Toshiba Corp | 発光素子及びその製造方法 |
| WO2014019988A1 (de) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur seiner herstellung |
| EP3059765A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-24 | Taiwan Biophotonic Corporation | Reflective optical sensor module |
| US9696199B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-07-04 | Taiwan Biophotonic Corporation | Optical sensor |
| JP2021093418A (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP7499019B2 (ja) | 2019-12-09 | 2024-06-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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