JP2004165665A - 放熱部品 - Google Patents
放熱部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004165665A JP2004165665A JP2003381134A JP2003381134A JP2004165665A JP 2004165665 A JP2004165665 A JP 2004165665A JP 2003381134 A JP2003381134 A JP 2003381134A JP 2003381134 A JP2003381134 A JP 2003381134A JP 2004165665 A JP2004165665 A JP 2004165665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- composite material
- component according
- surface layer
- nanofibers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12486—Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249924—Noninterengaged fiber-containing paper-free web or sheet which is not of specified porosity
- Y10T428/249927—Fiber embedded in a metal matrix
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249924—Noninterengaged fiber-containing paper-free web or sheet which is not of specified porosity
- Y10T428/249928—Fiber embedded in a ceramic, glass, or carbon matrix
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249924—Noninterengaged fiber-containing paper-free web or sheet which is not of specified porosity
- Y10T428/24994—Fiber embedded in or on the surface of a polymeric matrix
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】技術水準の欠点を有しない放熱部品を提供する。
【解決手段】放熱部品は少なくとも部分的に複合材料から形成され、複合材料が少なくとも2つの方向に30℃と250℃の間の2〜13×10−6・K−1の熱膨張係数α、3000kg・m−3未満の体積質量および113W・m−1・K−1以上の伝導率λを有し、金属からなるマトリックスまたはポリマーまたは樹脂からなるマトリックスおよび強化要素から形成され、強化要素が少なくともミクロ繊維およびナノ繊維から形成され、複合材料の上に付加的な表面層が被覆され、付加的な表面層が全体にまたは部分的に金属特性を有する。
【選択図】図1
【解決手段】放熱部品は少なくとも部分的に複合材料から形成され、複合材料が少なくとも2つの方向に30℃と250℃の間の2〜13×10−6・K−1の熱膨張係数α、3000kg・m−3未満の体積質量および113W・m−1・K−1以上の伝導率λを有し、金属からなるマトリックスまたはポリマーまたは樹脂からなるマトリックスおよび強化要素から形成され、強化要素が少なくともミクロ繊維およびナノ繊維から形成され、複合材料の上に付加的な表面層が被覆され、付加的な表面層が全体にまたは部分的に金属特性を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、放熱部品に関し、前記部品は、少なくとも部分的に複合材料から形成され、前記複合材料が少なくとも2つの方向に30℃と250℃の間の2〜13×10−6・K−1の熱膨張係数αを有し、3000kg・m−3未満の体積質量および113W・m−1・K−1以上の伝導率λを有し、前記複合材料が純粋アルミニウム、純粋マグネシウム、純粋銅およびこれらの合金から選択される金属からなるマトリックスまたは銅−タングステンもしくは銅−モリブデンからなるマトリックスまたはポリマーまたは樹脂からなるマトリックスおよび強化要素から形成され、その際強化要素が体積割合により5〜90%の範囲でミクロ繊維および体積割合により1〜60%の範囲でナノ繊維から形成され、その際複合材料が液体状態の金属または同様に液体もしくは硬化していない状態のポリマーもしくは樹脂による強化要素の浸透から形成されている。
建築材料として複合材料は、高い機械的負荷が必要であるが、できるだけ少ない質量が必要である分野に一般に使用されている。複合材料は建築部品のほかに電子工業において支持体基板として広い使用範囲を持っている。これは個々の部品の意図的な選択により機械的特性を、およびこれらを幅広く使用するために重要な熱特性を最適に調節する可能性による。通常の場合は複合材料は熱処理適用のために、金属および有機ポリマーであってもよい可延性のマトリックスおよびマトリックスと構造的に異なる充填成分からなる。
熱伝導材料もしくは放熱材料のための材料は公知である(非特許文献1参照)。この文献は可能な個々の成分の特性および複合材料に関する適当な例を概略的に説明する。アルミニウムVGCF(蒸気成長炭素繊維)複合材料およびその熱伝導性は文献に記載されている(非特許文献2参照)。これに続くAl−VGCF MMCも公知である(特許文献1参照)。金属マトリックスおよびポリマーマトリックス中のカーボンフィブリル(Carbon Fibril)(登録商標)、すなわち所定のCVD炭素繊維を有する複合材料はすでに知られている(特許文献2参照)。充填剤としてCVD成長炭素繊維を具体的に実施した、マトリックス金属の圧力溶浸による複合材料の製造は公知である(特許文献3参照)。支持体プレートに炭素繊維を組み込むことにより運転中に生じる熱を排出する半導体部品は公知である(特許文献4参照)。金属マトリックスを有する複合材料に前記炭素繊維を使用することは公知である(特許文献5参照)。Alマトリックス中のAl2O3繊維および相当する繊維強化された複合材料の製造は公知である(特許文献6参照)。
本発明の意味の放熱部品は、例えば放熱トレー、出力回路の支持体および詰め物、レーザーダイオードキャリア、マイクロエレクトロニクス出力ハイブリッド回路または高周波回路の放熱部品および封入ケースのような部品を含む。これは冷媒、例えば水が貫流するマイクロ冷却機、導体プレート上のヒートシンク、熱パイプ等であると理解される。電子部品の場合は一般にセラミック、例えば酸化アルミニウムからなる断熱基板を有するかまたは、例えば珪素または砒化ガリウムのような半導体を有する放熱部品である。
これらの電子部品の運転はかなりの放熱を生じることがある。従って過度の加熱により部品が損なわれないために、放出される熱をできるだけ速く排出することが必要である。このために高い熱伝導率λ、すなわち少なくとも60W・m−1・K−1より高い熱伝導率の複合材料を使用する。
それにもかかわらず温度が上昇し、複合材料の膨張係数αがセラミック基板の膨張係数とあまりに異なる場合は、セラミックの強度より高い負荷が発生し、従って装置の伝導性およびその電気的絶縁を損なう破壊が生じる。従って複合材料が、酸化アルミニウムに適合する膨張係数、有利には30〜400℃の温度範囲で16×10−6・K−1未満の膨張係数を有することが必要である。
他方でこの回路を自動車に場合により使用することは、移動に必要なエネルギー消費をできるだけ減少するために、有利には3000kg・m−3未満のできるだけ少ない体積質量を有する材料を探求することになる。
更に回路が周囲に対して反応しやすいので、この材料が適当な非磁性特性および外部媒体に対する良好な密閉性を有することが要求される。
これらのすべての特性の間で妥協が成立する材料の製造は多くの試験の対象であった。
しかしながら繊維強化複合材料では電子部品を強固に結合することは不可能であった。製造に起因して本来の表面に存在する特別な炭素は、炭素が電子技術でろう接として使用される金属または合金により湿潤しないので、回路、トランジスター等の取り付けを妨げる。アルミニウムもしくはその合金の場合は、表面酸化物形成によるアルミニウムの自己不活性化が放熱基板への電子部品の直接の取り付けに不利な作用をする。
Materials for Thermal Conduction Chung et al.Appl.Therm.Eng.21,(2001)1593−1605 Ting et al.J.Mater.Res.10(6),1995,1478−1484 米国特許第5814408号明細書
米国特許第5578543号明細書
米国特許第6406790号明細書
米国特許第6469381号明細書
米国特許第5660923号明細書
米国特許第6460597号明細書
Materials for Thermal Conduction Chung et al.Appl.Therm.Eng.21,(2001)1593−1605 Ting et al.J.Mater.Res.10(6),1995,1478−1484
従って本発明の課題は、前記欠点を克服することができる冒頭に記載の形式の放熱部品を提供することである。
前記課題は、本発明により、複合材料の上に付加的な表面層が被覆され、付加的な表面層が全体にまたは部分的に金属特性を有することにより解決される。
その際放熱複合材料は製造および/または処理後直ちに適当な金属に良好に付着する表面を備え、これが一方では技術水準に相当する取り付け工程を可能にし、他方では金属マトリックスにもとづく放熱複合材料に十分な腐食保護を付与する。金属に結合した複合材料の場合は、湿った空気、酸性もしくは塩基性霧および反応性ガスの腐食の攻撃を阻止する。ポリマー溶浸した基板材料の場合は本発明による建築部品の表面により付加的に有機試薬、例えば油蒸気、ハロゲン化溶剤等から保護される。
本発明による付加的な表面層は、例えばろう接による電子部品の被覆に用いられ、前記基板材料に対する場合により十分な腐食保護を保証する。
本発明のほかの構成において、付加的な表面層が金属または金属合金からなっていてもよく、その際有利には金属または金属合金はNi,Cu,Au,Ag、Ti,Al,V,MoまたはWもしくはこれらの合金から形成されていてもよい。
従ってそれぞれの金属またはそれぞれの金属合金の被覆は公知の表面被覆法の枠内で実施することができる。
従って付加的な表面層は本発明のほかの構成において、電気化学的、化学的および/または物理的方法を使用して被覆することができる。
このために、選択的に付加的な表面層をスパッタリングまたはロールボンディングにより被覆することができる。この方法は連続的製造に使用することができる。
本発明のほかの構成は、付加的な表面層が全体にまたは部分的にNi,Ni−B,Ni−PおよびNi合金からなり、表面層が複合材料への特に良好な付着能力により際立っていることにある。従来実施される実験において、付加的な表面層を数ナノメートルから数ミリメートルまでの層厚で形成し、特に有利なやり方で数マイクロメートルの層厚を実現できることは、付加的な表面層の付着特性に有利であると示された。
更に本発明のほかの構成において付加的な表面層を、特にエッチングによりパターン化することができ、これは本発明の表面層の金属特性により容易になる。
付加的な表面層を被覆するための土台として用いられる複合材料は炭素繊維を含むことができ、その際5〜90%の範囲が製造の際の利点を生じる。その際炭素繊維の直径は1μmより大きく、有利には5〜15μmの直径を有して形成されていてもよく、これにより複合体の結合特性に有利に影響することができる。
炭素繊維は種々の形式で形成されていてもよく、可能な変形は炭素繊維が黒鉛化されたポリアクリロニトリルおよび/またはピッチから形成されることにある。
炭素繊維は一次元、二次元または三次元ネットワークとして金属マトリックスに組み込まれていてもよい。
本発明の選択的構成は更に、複合材料が1〜90%の範囲で5μm未満の直径を有するミクロ繊維から形成されていることにある。
更に複合材料は1〜60%の範囲で1μm未満の直径を有するナノ繊維から形成されていてもよい。
ナノ繊維の種類に含まれるナノチューブは、1〜30nmの直径を有する円筒型の単層または多層の炭素管である。ナノチューブを用いて複合材料のミクロパターン化もしくはナノパターン化が達成され、これは熱伝導性を著しく改良する、増加した有効体積を生じる。更にナノチューブはその際立った機械的特性により材料の十分な安定性を保証し、それにもかかわらず材料のすぐれた処理能力を可能にする。
本発明の構成により複合材料が1〜60%の範囲でナノ繊維から、特に炭素繊維から300nm未満の直径を有して形成される場合は、これによりこの材料の機械的特性および熱特性が改良される。その際炭素ナノ繊維を、有利に気相から炭素の触媒援助された析出により製造することができる。
本発明のほかの構成により炭素ナノ繊維が空洞の内部通路を有する場合に、複合材料の特に高い熱伝導性が達成される。
複合材料の成分の他の変形は、炭素繊維が炭素のほかにホウ素および/または窒素を含むことにあり、これにより熱伝導性を決定的なやり方で改良できることにある。
特に複合材料は1〜60%の範囲で300nm未満の直径を有するホウ素ナノ繊維またはBNナノ繊維から形成されていてもよい。
複合材料の強度および熱伝導性を高める他の可能性は、複合材料が1〜60%の範囲で300nm未満の直径を有するナノ繊維から形成され、ナノ繊維が複数の壁のナノチューブの形でMoS2,WS2,NbS2,TaS2およびV2O5から形成されることにある。
熱伝導性を高める他の有利な構成は、複合材料が1〜60%の範囲でナノ繊維から形成されることにより付与され、その際この繊維は唯一の原子層から管状に形成されている。
本発明の他の構成は、同様に複合材料が1〜90%の範囲で1μmより大きい直径を有するミクロ繊維から形成され、ミクロ繊維がガラスまたはセラミックからなり、その際ガラス繊維またはセラミック繊維が有利なやり方で貫通する金属層を有することにより、複合材料の良好な熱伝導性および良好な機械的強度を可能にする。
本発明の部品は多くのやり方で放熱に使用することができる。本発明の部品は液体が貫流する冷却部品を取り付けてもよく、これが熱放出を付加的に改良する。選択的構成において本発明の部品は液体が貫流する冷却部品として形成されていてもよい。
本発明の部品の使用可能性は熱パイプとして形成されるかまたは熱パイプに結合することにある。
本発明の部品の変形は、例えば周囲空気による冷却を可能にするために、気体透過性冷却リップを有してもよい。
本発明の部品は、部品内で生じる熱の排出を可能にするために、電子部品の部品として、電子部品ケースとしてまたは気密封止されたケースとして形成されてもよい。本発明の部品はチップ蓋として、IGBTの基板として、サイリスタの基板として、レーザーダイオードの基板として形成されていてもよい。
本発明の他の構成は、本発明の部品が支持体もしくは建築材料として形成され、熱交換負荷に耐えることにある。
最後に本発明の構成は、金属−マトリックスに結合した複合材料コアがマトリックス材料に包囲されることにある。
以下に本発明を図面に示された実施例により、限定されないやり方で説明する。図1は本発明の部品の1つの構成の側面図である。
図1は放熱部品を形成する複合材料2を示し、複合材料上に電子部品5が取り付けられ、電子部品は運転中に発生する損失出力により熱を放出し、熱排出が放熱部品により高い程度で付与される。本発明により複合材料上に付加的な表面層1が被覆され、表面層は全体にまたは部分的に金属特性を有する。
表面層は複合材料を完全にまたは部分的にのみ覆うことができ、特に複合材料表面の付着の改良を可能にし、従って、例えばろう接層3を付着して被覆することができ、ろう接層上に電子部品5の固定を達成することができる。示された実施例においては、安全な、良好な熱伝導性結合層を保証するために、部品5と付加的表面層1の間にDCB(直接的銅ボンディング)基板4が設けられている。部品5は直接付加的表面層1とろう接されていてもよい。
複合材料は少なくとも2つの方向に30℃と250℃の間の2〜13×10−6・K−1の膨張係数αを有し、3000kg・m−3未満の体積質量および113W・m−1・K−1以上の伝導率λを有し、純粋アルミニウム、純粋マグネシウム、純粋銅およびこれらの合金から選択される金属からなるマトリックスまたはポリマーまたは樹脂からなるマトリックスおよび強化要素から形成され、その際強化要素が体積割合で5〜90%の範囲でミクロ繊維のフェルトまたは原形および体積割合で1〜60%の範囲でナノ繊維から形成され、その際複合材料が液体状態の金属または可塑化されたもしくは硬化していない状態のポリマーもしくは樹脂による強化要素の浸透から形成されている。
使用されるナノチューブにより、フェルトもしくは原形の中空は、最適にナノチューブの形で炭素部分を有し、最適なミクロ構造/ナノ構造を形成する。粒子および場合により繊維およびナノ繊維が分配されている金属マトリックスは、純粋アルミニウム、純粋マグネシウム、純粋銅またはこれらの合金からなっていてもよい。これらの金属は良好な伝導性、少ない密度および低い融点を保証する。アルミニウム合金の場合は、わずかに添加元素が混合されている合金を使用する。亜鉛、銅、マグネシウム、鉄およびニッケルは少ない量で許容される。マンガン、チタン、バナジウムおよびリチウムに関するものは避けるべきである。有利にはアルミニウム協会の規格による系列1000、5000および6000の合金および系列4000の鋳造用合金が選択され、鋳造用合金には特に珪素7%、10%および13%を有する合金、例えば合金AA356、AA357およびAA413.2が含まれ、系列6000の合金には合金6061および6101が含まれる。繊維強化した、熱を排出する、ポリマー結合した材料の場合は、可能なマトリックス材料として、熱可塑性樹脂、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、PC(ポリカーボネート)、PA(ポリアミド)等、熱硬化性樹脂、例えばPUR(ポリウレタン)、PF(フェノール−ホルムアルデヒド樹脂)、MF(メラミン−ホルムアルデヒド樹脂)、EP(エポキシ樹脂)等が挙げられる。ナノチューブ/ナノ繊維の製造は、有利にはCCVD法(接触化学蒸着)により行い、この方法に限定されるものではないが、この方法は技術水準により十分な量の材料を技術的使用に保証するから有利である。
図1に示される構成において、付加的表面層は金属または金属合金からなり、その際金属または金属合金は有利にはNi,Cu,Au,Ag,Ti,Al,V,MoまたはWもしくはこれらの合金から形成される。
付加的表面層は、例えば全体にまたは部分的にNi,Ni−B,Ni−PおよびNi合金からなっていてもよい。
付加的表面層1を被覆するために使用される方法は、電気化学的方法、化学的方法から物理的方法まで、特にスパッタリングおよびロールボンディングに及ぶ。
表面層1の層厚は数ナノメートルから数ミリメートルであってもよく、例えばエッチングにより適当なやり方でパターン化することができる。
複合材料は作用に限定されることなく以下の成分を有することができる。
例1
複合材料の成分は1μmより大きい直径を有する炭素繊維5〜90%からなる。
複合材料の成分は1μmより大きい直径を有する炭素繊維5〜90%からなる。
例2
複合材料の成分は5〜15μmの直径を有する炭素繊維5〜90%からなる。炭素繊維は炭素のほかにホウ素および/または窒素を有する。
複合材料の成分は5〜15μmの直径を有する炭素繊維5〜90%からなる。炭素繊維は炭素のほかにホウ素および/または窒素を有する。
例3
複合材料の成分は5μm未満の直径を有するミクロ繊維1〜90%からなる。
複合材料の成分は5μm未満の直径を有するミクロ繊維1〜90%からなる。
例4
複合材料の成分は黒鉛化されたポリアクリロニトリルおよび/またはピッチからなる炭素繊維からなる。
複合材料の成分は黒鉛化されたポリアクリロニトリルおよび/またはピッチからなる炭素繊維からなる。
例5
複合材料の成分は1μm未満の直径を有するナノ繊維1〜60%からなる。
複合材料の成分は1μm未満の直径を有するナノ繊維1〜60%からなる。
例6
複合材料の成分は300nm未満の直径を有するナノ繊維1〜60%からなる。
複合材料の成分は300nm未満の直径を有するナノ繊維1〜60%からなる。
例7
複合材料の成分は気相から炭素の触媒援助析出により製造される、300nm未満の直径を有する炭素ナノ繊維1〜60%からなる。炭素ナノ繊維は空洞の内部通路を有してもよい。
複合材料の成分は気相から炭素の触媒援助析出により製造される、300nm未満の直径を有する炭素ナノ繊維1〜60%からなる。炭素ナノ繊維は空洞の内部通路を有してもよい。
例8
複合材料の成分は300nm未満の直径を有するホウ素ナノ繊維またはBNナノ繊維1〜60%からなる。
複合材料の成分は300nm未満の直径を有するホウ素ナノ繊維またはBNナノ繊維1〜60%からなる。
例9
複合材料の成分は複数壁のナノチューブの形でMoS2,WS2,NbS2,TaS2およびV2O5から形成される、300nm未満の直径を有するナノ繊維1〜60%からなる。
複合材料の成分は複数壁のナノチューブの形でMoS2,WS2,NbS2,TaS2およびV2O5から形成される、300nm未満の直径を有するナノ繊維1〜60%からなる。
例10
複合材料の成分はナノ繊維1〜60%からなり、その際繊維は唯一の原子層から管状に形成されている。
複合材料の成分はナノ繊維1〜60%からなり、その際繊維は唯一の原子層から管状に形成されている。
例11
複合材料の成分はガラスまたはセラミックからなる1μmより大きい直径を有するミクロ繊維1〜90%からなる。
複合材料の成分はガラスまたはセラミックからなる1μmより大きい直径を有するミクロ繊維1〜90%からなる。
本発明の部品は放熱および熱散乱を改良するために用いることができる。本発明の部品は液体が貫流する冷却部品が取り付けられてもよく、または液体が貫流する冷却部品として形成されてもよい。本発明の部品は熱パイプとして形成されてもよく、または熱パイプに結合してもよい。
冷媒供給を改良するために、本発明の部品はガス透過性冷却リップを備えていてもよい。更に本発明の部品は電子部品の部品であってもよく、チップ蓋、IGBT用基板、サイリスタ用基板、レーザーダイオード用基板または電子部品ケースとして形成されてもよい。本発明の部品は気密封止されたケースの形で形成する可能性が存在する。最後に本発明の部品は支持体もしくは建築材料として形成されてもよく、その際熱交換負荷に耐えることができる。
Claims (41)
- 少なくとも部分的に複合材料から形成され、前記複合材料が少なくとも2つの方向に30℃と250℃の間の2〜13×10−6・K−1の熱膨張係数αを有し、3000kg・m−3未満の体積質量および113W・m−1・K−1以上の伝導率λを有し、前記複合材料が純粋アルミニウム、純粋マグネシウム、純粋銅およびこれらの合金から選択される金属からなるマトリックスまたは銅−タングステンもしくは銅−モリブデンからなるマトリックスまたはポリマーまたは樹脂からなるマトリックスおよび強化要素から形成され、その際強化要素が体積割合により5〜90%の範囲でミクロ繊維および体積割合により1〜60%の範囲でナノ繊維から形成され、その際複合材料が液体状態の金属または同様に液体もしくは硬化していない状態のポリマーもしくは樹脂による強化要素の浸透から形成されている放熱部品において、複合材料(2)の上に付加的な表面層(1)が被覆され、付加的な表面層(1)が全体にまたは部分的に金属特性を有することを特徴とする放熱部品。
- 付加的な表面層が金属または金属合金からなる請求項1記載の部品。
- 金属または合金がNi,Cu,Au,Ag,Ti,Al,V,MoまたはWもしくはこれらの合金から形成される請求項2記載の部品。
- 付加的な表面層が全部または部分的にNi,Ni−B,Ni−PおよびNi合金からなる請求項2記載の部品。
- 付加的な表面層が電気化学的方法、化学的および/または物理的方法を使用して被覆される請求項1から4までのいずれか1項記載の部品。
- 付加的な表面層が電気化学的に被覆される請求項1から4までのいずれか1項記載の部品。
- 付加的な表面層がスパッタリングにより被覆される請求項1から4までのいずれか1項記載の部品。
- 付加的な表面層がローラーボンディングにより被覆される請求項1から4までのいずれか1項記載の部品。
- 付加的な表面層が数ナノメートルから数ミリメートルまでの層厚を有して形成される請求項1から8までのいずれか1項記載の部品。
- 付加的な表面層が数マイクロメートルの層厚を有して形成される請求項1から8までのいずれか1項記載の部品。
- 付加的な表面層がパターン化される請求項1から10までのいずれか1項記載の部品。
- 付加的な表面層がエッチングによりパターン化される請求項11記載の部品。
- 複合材料が5〜90%の範囲で1μmより大きい直径を有する炭素繊維から形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 複合材料が5〜90%の範囲で5〜15μmの直径を有する炭素繊維から形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 複合材料が1〜90%の範囲で5μmより小さい直径を有するミクロ繊維から形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 炭素繊維が黒鉛化されたポリアクリロニトリルおよび/またはピッチから形成される請求項13または14記載の部品。
- 炭素繊維が一次元、二次元または三次元のネットワークとして金属マトリックスに組み込まれている請求項13、14または15記載の部品。
- 複合材料が1〜60%の範囲で1μmより小さい直径を有するナノ繊維から形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 複合材料が1〜60%の範囲で300nmより小さい直径を有するナノ繊維から形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 複合材料が1〜60%の範囲で300nmより小さい直径を有する炭素ナノ繊維から形成され、炭素ナノ繊維が気相から炭素の触媒に補助された析出を使用して製造される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 炭素ナノ繊維が空洞の内部通路を有する請求項20記載の部品。
- 炭素繊維が炭素のほかにホウ素および/または窒素を含む請求項20または21記載の部品。
- 複合材料が1〜60%の範囲で300nmより小さい直径を有するホウ素ナノ繊維またはBNナノ繊維から形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 複合材料が1〜60%の範囲で300nmより小さい直径を有するナノ繊維から形成され、ナノ繊維がMoS2、WS2、NbS2、TaS2およびV2O5から複数の壁のナノチューブの形で形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 複合材料が1〜60%の範囲でナノ繊維から形成され、その際繊維が唯一の原子層から管状に形成される請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- 複合材料が1〜90%の範囲で1μmより大きい直径を有するミクロ繊維から形成され、ミクロ繊維がガラスまたはセラミックからなる請求項1から12までのいずれか1項記載の部品。
- ガラス繊維またはセラミック繊維が貫通する金属層を有する請求項26記載の部品。
- 熱発散に用いる請求項1から27までのいずれか1項記載の部品。
- 液体が貫流する冷却部品が取り付けられている請求項1から請求項1から28までのいずれか1項記載の部品。
- 液体が貫流する冷却部品として形成される請求項1から29までのいずれか1項記載の部品。
- 熱パイプとして形成される請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- 熱パイプに結合している請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- ガス貫流可能な冷却リップを有して形成される請求項1から32までのいずれか1項記載の部品。
- チップ蓋として形成される請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- IGBTの基板として形成される請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- サイリスタの基板として形成される請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- レーザーダイオードの基板として形成される請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- 電子部品ケースとして形成されている請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- 気密封止されたケースとして形成されている請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- 支持体もしくは建築材料として形成され、熱交換の負荷に耐える請求項1から30までのいずれか1項記載の部品。
- 金属マトリックスに結合した複合材料コアが金属マトリックスに包囲されている請求項1から40までのいずれか1項記載の部品。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0170502A AT412265B (de) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | Bauteil zur wärmeableitung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004165665A true JP2004165665A (ja) | 2004-06-10 |
Family
ID=32111256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003381134A Pending JP2004165665A (ja) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 放熱部品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040131835A1 (ja) |
EP (1) | EP1420446A1 (ja) |
JP (1) | JP2004165665A (ja) |
AT (1) | AT412265B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007009213A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 熱伝導材料及びその製造方法 |
JP2007284679A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | カーボンナチューブを含む複合材料及びその製造方法 |
JP2010522974A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-08 | エレクトロヴァック エージー | ヒートシンク、およびヒートシンクを備えたコンポーネントユニットまたはモジュールユニット |
US8206815B2 (en) | 2005-11-30 | 2012-06-26 | Shimane Prefectural Government | Metal-based composite material containing both micron-size carbon fiber and nano-size carbon fiber |
JPWO2010087432A1 (ja) * | 2009-01-29 | 2012-08-02 | 株式会社オクテック | 放熱基体およびこれを用いた電子装置 |
JP2013038179A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | 高熱伝導性二軸延伸ポリエステルフィルム |
US8859059B2 (en) | 2008-11-03 | 2014-10-14 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Magnetic patterning method and system |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI388042B (zh) * | 2004-11-04 | 2013-03-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | 基於奈米管基板之積體電路 |
US7338703B2 (en) * | 2004-11-24 | 2008-03-04 | Touchstone Research Laboratory, Ltd. | Metallic-polymeric composite materials |
WO2008063148A2 (en) * | 2005-05-20 | 2008-05-29 | University Of Central Florida | Carbon nanotube reinforced metal composites |
US8231703B1 (en) * | 2005-05-25 | 2012-07-31 | Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc | Nanostructured composite reinforced material |
TW200726344A (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-01 | Epistar Corp | Hybrid composite material substrate |
WO2007079371A2 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Igor Touzov | Perforated heat pipe material |
TWI449137B (zh) * | 2006-03-23 | 2014-08-11 | Ceramtec Ag | 構件或電路用的攜帶體 |
KR20090045364A (ko) * | 2006-09-22 | 2009-05-07 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 열 인터페이스 구조와 그 제조 방법 |
DE102007025958B4 (de) * | 2007-06-04 | 2019-03-21 | Robert Bosch Gmbh | Baugruppe mit geklebtem Leistungsbaustein und Verfahren zur Herstellung einer solchen Baugruppe |
US20100328895A1 (en) * | 2007-09-11 | 2010-12-30 | Dorab Bhagwagar | Composite, Thermal Interface Material Containing the Composite, and Methods for Their Preparation and Use |
KR20100069667A (ko) * | 2007-09-11 | 2010-06-24 | 다우 코닝 코포레이션 | 열계면재료, 열계면재료를 포함하는 전자장치, 그리고 이들의 제조방법 및 용도 |
US20100285271A1 (en) * | 2007-09-28 | 2010-11-11 | Davis Robert C | Carbon nanotube assembly |
US8498381B2 (en) | 2010-10-07 | 2013-07-30 | Moxtek, Inc. | Polymer layer on X-ray window |
CN101662894B (zh) * | 2008-08-27 | 2011-09-21 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 封装基板以及封装结构 |
CN101668383B (zh) * | 2008-09-03 | 2013-03-06 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 电路板以及电路板封装结构 |
WO2010141482A2 (en) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Nanofiber covered micro components and method for micro component cooling |
US20120090825A1 (en) * | 2009-06-01 | 2012-04-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Nanofiber covered micro components and methods for micro component cooling |
DE102010001565A1 (de) * | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Leistungsmodul mit einer Schaltungsanordnung, elektrische/elektronische Schaltungsanordnung, Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls |
DE102010022995A1 (de) * | 2010-06-08 | 2011-12-08 | Hts Hochtechnologie Systeme Gmbh | Wärmeleitendes Kunststoffelement |
US9174412B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-11-03 | Brigham Young University | High strength carbon fiber composite wafers for microfabrication |
US8989354B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-03-24 | Brigham Young University | Carbon composite support structure |
US9076628B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-07-07 | Brigham Young University | Variable radius taper x-ray window support structure |
CN203474703U (zh) * | 2012-04-13 | 2014-03-12 | 普罗旺斯科技(深圳)有限公司 | 一种散热涂层及散热片 |
US9173623B2 (en) | 2013-04-19 | 2015-11-03 | Samuel Soonho Lee | X-ray tube and receiver inside mouth |
EP3019300B1 (en) | 2013-07-09 | 2023-12-20 | RTX Corporation | Transient liquid phase bonding of metal-covered materials |
EP2908083A1 (de) | 2014-02-13 | 2015-08-19 | Ald Vacuum Technologies GmbH | Verwendung eines Materials umfassend eine verpresste Mischung von Graphit und Glas zur Kühlung |
CN106356716B (zh) * | 2016-11-04 | 2018-12-18 | 中国科学院半导体研究所 | 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 |
DE102017216290B4 (de) * | 2017-09-14 | 2022-09-08 | Freie Universität Berlin | Verbundwerkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung, Kühlkörper und elektronisches Bauteil |
US11521910B2 (en) * | 2017-12-29 | 2022-12-06 | Airbus Defence And Space Sa | High-conductance thermal connector |
US11919111B1 (en) | 2020-01-15 | 2024-03-05 | Touchstone Research Laboratory Ltd. | Method for repairing defects in metal structures |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181261A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用ヒートスプレッダーおよびその製造法ならびに半導体装置 |
JPH1088256A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-07 | Tokyo Univ | カーボンナノチューブ強化アルミニウム複合材料 |
JPH11145334A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-05-28 | Eastern Co Ltd | 配線基板 |
JPH11354699A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体用放熱板とその製造方法 |
JP2001107203A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-17 | Yazaki Corp | 複合材料及びその製造方法 |
WO2001066462A2 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Reactors for producing inorganic fullerene-like tungsten disulfide hollow nanoparticles and nanotubes |
WO2001066676A2 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Hollow fullerene-like nanoparticles as solid lubricants in composite metal matrices |
WO2002034959A2 (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | A method and apparatus for producing inorganic fullerene-like nanoparticles |
JP2002246497A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
JP2002266170A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-09-18 | Showa Denko Kk | 分岐状気相法炭素繊維、透明導電性組成物及びその用途 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5165909A (en) * | 1984-12-06 | 1992-11-24 | Hyperion Catalysis Int'l., Inc. | Carbon fibrils and method for producing same |
US5660923A (en) * | 1994-10-31 | 1997-08-26 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Method for the preparation of metal matrix fiber composites |
US6245425B1 (en) * | 1995-06-21 | 2001-06-12 | 3M Innovative Properties Company | Fiber reinforced aluminum matrix composite wire |
US5814408A (en) * | 1996-01-31 | 1998-09-29 | Applied Sciences, Inc. | Aluminum matrix composite and method for making same |
AT405039B (de) * | 1996-02-08 | 1999-04-26 | Electrovac | Verbundbauteil |
US5981085A (en) * | 1996-03-21 | 1999-11-09 | The Furukawa Electric Co., Inc. | Composite substrate for heat-generating semiconductor device and semiconductor apparatus using the same |
AT408153B (de) * | 1998-09-02 | 2001-09-25 | Electrovac | Metall-matrix-composite- (mmc-) bauteil |
AT408345B (de) * | 1999-11-17 | 2001-10-25 | Electrovac | Verfahren zur festlegung eines aus metall-matrix- composite-(mmc-) materiales gebildeten körpers auf einem keramischen körper |
JP2001168246A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-22 | Three M Innovative Properties Co | 熱伝導性シート及びその製造方法 |
US6469381B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-10-22 | Intel Corporation | Carbon-carbon and/or metal-carbon fiber composite heat spreader |
JP2002121404A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-23 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性高分子シート |
JP4796704B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-10-19 | 株式会社タイカ | 押出可能な架橋済グリース状放熱材を充填・封入した容器の製法 |
JP4714371B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2011-06-29 | ポリマテック株式会社 | 熱伝導性成形体及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-11-12 AT AT0170502A patent/AT412265B/de not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-10-03 EP EP03450222A patent/EP1420446A1/de not_active Withdrawn
- 2003-11-11 JP JP2003381134A patent/JP2004165665A/ja active Pending
- 2003-11-12 US US10/706,864 patent/US20040131835A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181261A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用ヒートスプレッダーおよびその製造法ならびに半導体装置 |
JPH1088256A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-07 | Tokyo Univ | カーボンナノチューブ強化アルミニウム複合材料 |
JPH11145334A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-05-28 | Eastern Co Ltd | 配線基板 |
JPH11354699A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体用放熱板とその製造方法 |
JP2001107203A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-17 | Yazaki Corp | 複合材料及びその製造方法 |
WO2001066462A2 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Reactors for producing inorganic fullerene-like tungsten disulfide hollow nanoparticles and nanotubes |
WO2001066676A2 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Hollow fullerene-like nanoparticles as solid lubricants in composite metal matrices |
WO2002034959A2 (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | A method and apparatus for producing inorganic fullerene-like nanoparticles |
JP2002266170A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-09-18 | Showa Denko Kk | 分岐状気相法炭素繊維、透明導電性組成物及びその用途 |
JP2002246497A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007009213A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 熱伝導材料及びその製造方法 |
JP4653029B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-03-16 | 鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司 | 熱伝導材料及びその製造方法 |
US8029900B2 (en) | 2005-07-01 | 2011-10-04 | Tsinghua University | Thermal interface material and method for manufacturing same |
US8206815B2 (en) | 2005-11-30 | 2012-06-26 | Shimane Prefectural Government | Metal-based composite material containing both micron-size carbon fiber and nano-size carbon fiber |
JP2007284679A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | カーボンナチューブを含む複合材料及びその製造方法 |
JP4723529B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2011-07-13 | 鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司 | カーボンナチューブを含む複合材料及びその製造方法 |
JP2010522974A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-08 | エレクトロヴァック エージー | ヒートシンク、およびヒートシンクを備えたコンポーネントユニットまたはモジュールユニット |
US8859059B2 (en) | 2008-11-03 | 2014-10-14 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Magnetic patterning method and system |
JPWO2010087432A1 (ja) * | 2009-01-29 | 2012-08-02 | 株式会社オクテック | 放熱基体およびこれを用いた電子装置 |
JP2013038179A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | 高熱伝導性二軸延伸ポリエステルフィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040131835A1 (en) | 2004-07-08 |
ATA17052002A (de) | 2004-05-15 |
AT412265B (de) | 2004-12-27 |
EP1420446A1 (de) | 2004-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004165665A (ja) | 放熱部品 | |
US7109581B2 (en) | System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler | |
Sidhu et al. | Metal matrix composites for thermal management: A review | |
EP1477467B1 (en) | Composite material having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient, and heat-dissipating substrate | |
US6884522B2 (en) | Metal matrix composite structure and method | |
US20200194334A1 (en) | Thermal structures for dissipating heat and methods for manufacture thereof | |
US20070243407A1 (en) | Machinable Metallic Composites | |
WO2006003773A1 (ja) | 微細炭素繊維・金属複合材料及びその製造方法 | |
JP2007500450A (ja) | 複合材料及び電気回路又は電気モジュール | |
US7566490B2 (en) | Composite material and base plate | |
Zweben | Advances in LED packaging and thermal management materials | |
US10347601B1 (en) | Power electronics assemblies with metal inverse opal bonding, electrical contact and cooling layers, and vehicles incorporating the same | |
Zhang et al. | Roadmap towards new generation liquid metal thermal interface materials | |
JPH0852835A (ja) | 電子部品またはプリント回路の基板として特にエレクトロニクスにおいて使用可能な熱伝達エレメント及びその製造方法 | |
Zweben | Thermal management and electronic packaging applications | |
JP2003100968A (ja) | 放熱材及びその製造方法 | |
US9035448B2 (en) | Semiconductor packages having metal composite base plates | |
Silvain et al. | The role of controlled interfaces in the thermal management of copper–carbon composites | |
Zweben | Emerging low-cost LED thermal management materials | |
Zweben | New material options for high-power diode laser packaging | |
Geffroy et al. | Elaboration and properties of carbon fibre reinforced copper matrix composites | |
Lu | Design architectures for compliant high temperature thermal interface materials | |
JP2003306730A (ja) | Al−SiC系複合体および放熱部品 | |
Xiu et al. | Study on properties of high reinforcement-content aluminum matrix composite for electronic packages | |
Datta | Microelectronic packaging trends and the role of nanotechnology |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091106 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100408 |