JP2004153226A - 半導体チップの製造方法及びダイシング用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、ダイシング後に半導体チップを取り出すに際し、半導体チップを容易に剥離することができると共に、取り出しに際しての半導体チップの位置ずれが生じ難い、半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１にダイシング用粘着テープ２を貼付し、ダイシングし、個々の半導体チップ１Ａに分割した後に、光などの刺激を付与することにより、ダイシング用粘着テープ２の１つの半導体チップ１Ａが貼付されている部分に、粘着力が相対的に高い第１の領域６Ａと、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域６Ｂとを形成し、半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から剥離する、半導体チップの製造方法。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングすることにより多数の半導体チップを製造する方法に関し、より詳細には、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハが貼付された状態でダイシングが行われ、次に半導体チップが取り出される半導体チップの製造方法及び該ダイシング用粘着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップの製造に際しては、表面に多数の半導体チップ用回路が形成された半導体ウェーハが用意される。次に、半導体ウェーハの裏面が研磨されて所定の厚みとされた後に、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに貼付される。次に、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハが縦方向及び横方向にダイシングされ、多数の半導体チップに分割される。しかる後、ダイシング用粘着テープから半導体チップが剥離され、取り出される。このような半導体チップ製造方法の一例は、例えば下記の特許文献１に開示されている。この先行技術に記載の製造方法では、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれを防止するために、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハがダイシング用粘着テープの粘着力により粘着されており、かつダイシング後に光を照射することによりダイシング用粘着テープの粘着剤層の粘着力が低められ、それによって、半導体チップがダイシング用粘着テープから容易に剥離される。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−７８７９３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記先行技術に記載の方法のように、ダイシング後に光を照射した場合、全ての半導体チップの粘着力が一様に低下し、１つの半導体チップを吸着パッドなどにより取り出す際の振動や衝撃等により、隣接する半導体チップの位置ずれを生じることがあった。また、半導体チップの取り出し不良が生じることがあった。
【０００５】
他方、上記ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼付し、ダイシングを行う場合、ダイシング用粘着テープの粘着力がある程度高いことが必要である。粘着力が十分に高くなければ、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれが生じ、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることができなくなる。
【０００６】
しかしながら、光の照射により粘着力が低下する粘着剤を用いた上記先行技術に記載の方法では、上記粘着力を高めた場合、ダイシング後に光を照射しても、粘着力が十分低くならないことがあった。そのため、半導体チップをダイシング用粘着テープから剥離するために、突き上げピンや、吸着パッドを用いて半導体チップを取り出す際に、半導体チップの割れや欠けが生じることがあった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、ダイシング後に半導体チップを取り出すに際し、ダイシング用粘着テープによる粘着力が十分に低められているだけでなく、ダイシング後の半導体チップの位置ずれ及びダイシングの際の半導体ウェーハの位置ずれが生じ難い、半導体チップの製造方法、並びに該製造方法に用いられるダイシング用粘着テープを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の発明は、半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造方法する方法であって、半導体ウェーハを用意する工程と、前記半導体ウェーハにダイシング用粘着テープを貼付する工程と、前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、刺激を付与することにより、前記ダイシング用粘着テープの１つの半導体チップが貼付されている部分に、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを形成する工程と、前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
第１の発明の特定の局面では、前記ダイシング用粘着テープを構成している粘着剤が、刺激の付与により硬化し粘着力が低下する粘着剤により構成されており、前記第２の領域のみに前記刺激が付与される。すなわち、第２の領域のみに刺激を付与することにより、相対的に粘着力が高い第１の領域と、相対的に粘着力が弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが形成される。
【００１０】
好ましくは、上記刺激として光が用いられ、刺激を付与する工程において、第１の領域に光が照射されず、第２の領域のみに光が照射される。
第１の発明のさらに他の特定の局面では、前記ダイシング用粘着テープが表面に凹凸が付与されている基材を有し、該基材表面の凹凸の凸部を超えるように硬化型粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が、刺激の付与により該粘着剤層を硬化させた場合に、硬化収縮により凸部間の凹部において粘着剤層が半導体チップから隔てられる硬化型粘着剤により構成されており、前記凸部が第１の領域を、前記凸部間の凹部が前記第２の領域を構成している。この場合には、硬化収縮により、粘着力が相対的に高い第１の領域と、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが構成される。
【００１１】
硬化収縮により第１，第２の領域が構成される場合の刺激については、特に限定されず、例えば光や熱が用いられる。
第１の発明の別の特定の局面では、前記ダイシング用粘着テープの粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む。この場合には、刺激の付与により、ダイシング用粘着テープと半導体チップとの界面にガスが発生し、ダイシング用粘着テープに対する半導体チップの粘着力をより一層低減することができる。
【００１２】
本願の第２の発明は、半導体ウェーハに貼付され、半導体ウェーハをダイシングした後に半導体チップを剥離するのに用いられるダイシング用粘着テープであって、刺激の付与により、その半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが形成されるように構成されている。
【００１３】
第２の発明の特定の局面では、少なくとも第２の領域が、刺激により粘着力が低下する硬化型粘着剤により構成されている。
第２の発明において、好ましくは、上記刺激として光が用いられ、この場合、第１の領域に光が照射されないように第１の領域への光の照射を阻害する遮光部が設けられる。
【００１４】
第２の発明の別の特定の局面では、表面に凹凸を有する基材を備え、基材の凹凸が設けられている表面に前記凹凸の凸部を超える厚みに硬化型粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が前記刺激の付与により硬化された際の硬化収縮により凸部間の凹部において粘着剤が半導体チップから隔てられるように構成されており、それによって凸部が第１の領域を、凸部間の凹部が前記第２の領域を構成する。
【００１５】
第２の発明においても、上記粘着剤は、好ましくは、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含み、その場合、半導体チップとダイシング用粘着テープとの間にガスが発生することにより、ダイシング用粘着テープの半導体チップに対する粘着力がより一層低められる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１７】
本発明の第１の実施形態では、図２に示す半導体ウェーハ１が用いられる。半導体ウェーハ１では、表面１ａ上に、ストリートによって区画された各領域に個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。なお、図２では、具体的な回路の図示は省略していることを指摘しておく。
【００１８】
半導体ウェーハ１は、略円盤状の形状を有する。半導体ウェーハ１では、表面１ａに上記回路を構成した後に、裏面１ｂ側が研磨され、半導体ウェーハ１が所定の厚みとされる。
【００１９】
本実施形態では、このようにして所定の厚みとされた半導体ウェーハ１が先ず用意される。上記半導体ウェーハは、例えばシリコンなどの半導体材料により構成されており、厚みは、通常、研磨後の状態で数十μｍ〜１５０μｍ程度である。次に、半導体ウェーハ１の裏面１ｂに、図２に示すようにダイシング用粘着テープ２が貼付される。
【００２０】
図１（ａ）は、上記のようにしてダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が貼り合わされた構造を示す模式的断面図である。ダイシング用粘着テープ２は、図示のように、基材３の片面に粘着剤層４を形成することにより構成されている。
【００２１】
基材３としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。特に、後述する刺激が光の場合には、透光性の樹脂フィルムが基材として好ましく用いられる。
【００２２】
上記粘着剤層４は、本実施形態では、光の照射により弾性率が上昇し、粘着力が低下する光硬化型粘着剤により構成されている。このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤が挙げられる。
【００２３】
このような光硬化型粘着剤は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。
【００２４】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）を予め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物）と反応させることにより得ることができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリルまたはメタクリルを意味するものとする。
【００２５】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、さらに必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０〜２００万程度である。
【００２６】
官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００２７】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００２８】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、官能基含有（メタ）アクリルポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００２９】
上記多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱または光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下であり、かつ、その分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数の下限が２個、上限が２０個である。このようなより好ましい多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートまたは上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマーまたはモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３０】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、べンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
上記硬化型粘着剤には、以上の成分の他、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑性、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を配合してもよい。
【００３２】
好ましくは、上記粘着剤層４を構成する粘着剤として、光や熱などの刺激の付与によりガスを発生させるガス発生剤が含有されているものが用いられる。この場合には、後述する光の照射により、第２の領域の粘着力が硬化により低下すると共に、刺激の付与により発生したガスが半導体チップとダイシング用粘着テープとの界面に移行し、第２の領域の粘着力がより一層低下する。従って、半導体チップを無理なくダイシング用粘着テープから剥離することができる。
【００３３】
上記ガス発生剤としては特に限定はされないが、例えばアゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。アゾ化合物としては、例えば、２，２′−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２′−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２′−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２イミダゾイリン−２−イル］プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミダイン）ハイドロクロライド、２，２′−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミダイン、２，２′−アゾビス［２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミダイン］プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２′−アゾビスイソブチレート、４，４′−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４′−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２′−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００３４】
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
また、アジド化合物としては、例えば３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。
【００３５】
上記ガス発生剤のうち、アジド化合物は、衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素ガスを放出する。従って、取扱いが困難であるという難点がある。さらにアジド化合物は、一端分解が始まると連鎖反応を起こし、爆発的に窒素ガスを放出し、その制御が容易でない。従って、爆発的に発生した窒素ガスにより半導体ウェーハが損傷するおそれがある。従って、アジド化合物を用いる場合、その使用量を少なくすることが望ましい。
【００３６】
これに対して、アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり、衝撃によって気体を発生しない。従って、取扱いが極めて容易である。また、アゾ化合物は連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもない。従って、半導体ウェーハの損傷が生じ難い。加えて、光の照射を中断した場合には、気体の発生も中断させることがある。従って、アゾ化合物を用いた場合には、用途に応じて接着性の制御が容易に行われ得る。よって、ガス発生剤としては、アゾ化合物を用いることが好ましい。
【００３７】
粘着剤１００重量部当たり、ガス発生剤は５重量部〜５０重量部の割合で含有されることが望ましい。５重量部を下回る場合には、ガス発生量が不足し、所望の剥離性が得られないことがある。また、５０重量部を上回る場合には、溶解性が悪化し、ブリード等の不具合が発生することがある。
【００３８】
なお、ガス発生剤は、粘着剤層４に分散されるが、その場合には、粘着剤層４全体が発泡体となり、柔らかくなりすぎるおそれがある。従って、好ましくは、少なくとも第２の領域において、半導体ウェーハに粘着される表層部分、すなわち表面から１〜２０μｍ程度の厚みの部分にガス発生剤を偏在させておくことが望ましく、より望ましくは、半導体ウェーハに貼り合わされる部分のみにガス発生剤を含有させることが好ましい。
【００３９】
少なくとも第２の領域を構成している粘着剤の半導体ウェーハに粘着される表層部分にガス発生剤を偏在させておくことにより、ダイシング後に光を照射した場合、ガス発生剤から発生したガスが第の領域の粘着剤と半導体チップとの接着界面に確実に移行する。従って、両者の接着面積が減少し、なおかつ気体が半導体チップを第２の領域において粘着面から剥離するように作用し、それによって半導体チップと第２の領域を構成している粘着剤との粘着力が急激に低下する。
【００４０】
なお、上記表層部分にガス発生剤を含有させた態様とは、粘着剤の表面にガス発生剤が均一に付着している態様や、粘着剤の表面に付着したガス発生剤が粘着剤と相溶し、粘着剤に吸収されている態様も含むものとする。
【００４１】
表層部分にのみガス発生剤を含有させる方法としては、例えば、粘着剤層上に１〜２０μｍ程度の厚みでガス発生剤を含有する粘着剤を塗工する方法や、予め作製された粘着剤層表面にガス発生剤を含有する揮発性液体不透過性フィルムを塗布あるいはスプレーなどにより形成する方法などが挙げられる。
【００４２】
上記表層部分の厚みは、粘着剤層全体の厚みによっても異なるが、粘着剤の表面から２０μｍまでの深さ部分であることが好ましい。
なお、粘着剤層４の表面に気体発生剤を付着させる場合には、粘着剤と相溶性に優れた気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、粘着剤の表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が低くなるが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下することがなく、気体発生剤が拡散することにより被着体との接触面全体に対してより均一に気体を発生させることができる。また、気体発生剤を含有する表面部分とそれ以外とは、異なる組成の樹脂成分からなることが好ましく、なかでも、異なる極性を有する樹脂成分からなることがより好ましい。これにより、表面部分の気体発生剤がそれ以外に移行することを防止するか、移行しにくくすることができる。
【００４３】
本実施形態では、ダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が貼付された場合、粘着剤層４により半導体ウェーハ１の裏面１ｂの全体が強く貼り合わされる。従って、その状態で、公知の方法に従って、半導体ウェーハ１を高精度にダイシングすることができる。図１（ａ）の線Ｘはダイシングにより切断された部分を示す。ダイシングは、公知の方法により行われ、半導体ウェーハ１が、図１（ｂ）に示すように、多数の半導体チップ１Ａに分割される。
【００４４】
次に、本実施形態では、ダイシング用粘着テープ２の基材３の粘着剤層４が設けられている側とは反対側の面にマスク５が配置される。マスク５は、複数の開口部５ａを有する。開口部５ａは、１つの半導体チップ１Ａがダイシング用粘着テープ２に貼付されている領域の少なくとも一部に位置するように設けられている。なお、図１（ｂ）では、１つの半導体チップ１Ａが貼付されている部分において、１つの開口部５ａが配置されているが、１つの半導体チップ１Ａが貼付されている領域において、複数の開口部５ａが配置されていてもよい。
【００４５】
上記マスク５は、遮光性部材からなる。このような遮光性部材としては、金属あるいは着色された樹脂などの適宜の材料を用いることができる。
マスク５を配置した状態で、矢印Ａで示すように光を照射する。この光は、上記粘着剤層４を硬化させる波長の光である。すなわち、光が粘着剤層４を硬化させる刺激として用いられる。
【００４６】
上記光の照射により、開口部５ａと重なり合っている粘着剤層部分が硬化し、粘着力が低下する。従って、開口部５ａに重なり合っていない領域には光が照射されないため、光が照射されない領域においては当初の粘着力が維持され、第１の領域６Ａが構成される。他方、残りの領域、すなわち開口部５ａに重なり合っている領域では粘着剤層に光が照射され、硬化し、弾性率が高められる。従って、開口部５ａに重なり合っている領域が本発明における第２の領域６Ｂを構成する。
【００４７】
図３は、１つの半導体チップが貼付されている粘着剤層部分の模式的平面図である。すなわち、第１の領域６Ａの周囲の領域が第２の領域６Ｂを構成している。マスク５の開口部５ａは第２の領域６Ｂを構成するために設けられている。
【００４８】
この場合、好ましくは、上述したように、粘着剤層４にガス発生剤が含有されている。ガス発生剤が含有されている場合には、ガスを発生させるための刺激を付与することにより、図４において矢印Ｂで示すようにガスが第２の領域６Ｂと半導体チップ１Ａとの界面に移行し、第２の領域６Ｂの半導体チップに対する粘着力がより一層急激に低められる。
【００４９】
なお、本実施形態では、ガス発生剤を分解するための刺激として、光が用いられる。すなわち、上述した矢印Ａで示した光の照射により、粘着剤層４が硬化するだけでなく、上記ガス発生剤が分解され、ガスが発生するように構成されている。もっとも、ガス発生剤を分解するための刺激については、上述した粘着剤層４を硬化させるための光と異なる光を用いてもよく、あるいは光以外の熱などを用いてもよい。すなわち、ガス発生剤を分解するための刺激については、粘着剤層４を硬化させる刺激と同一であってもよく、異なっていてもよい。もっとも、同一の刺激を用いることにより、一度の工程で粘着剤層４の硬化及びガスの発生の双方を果たし得る。
【００５０】
本実施形態では、上記のように、光の照射により、粘着剤層４が第２の領域６Ｂにおいて硬化し、第２の領域における半導体チップ１Ａを粘着する力が低下する。従って、半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から吸着パッドなどを用いて容易に剥離することができる。しかも、第１の領域６Ｂでは、当初の粘着力が維持されているため、吸着パッドによる取り出しに際し、半導体チップ１Ａが位置ずれを生じ難い。特に、全ての半導体チップ１Ａが貼付されている領域にマスク５を介して一度に光を照射した場合には、全ての半導体チップが貼付されている部分において第２の領域の粘着力が低下するが、この場合においても、全ての半導体チップ１Ａが第１の領域６Ａにおいてダイシング用粘着テープ２に確実に粘着されている。従って、半導体チップ１Ａを取り出した際、その衝撃や振動により隣接する半導体チップ１Ａの位置ずれが生じ難い。
【００５１】
よって、半導体チップ１Ａをダイシング後に吸着パッドなどを用いて安定に取り出すことができ、取り出し不良を確実に抑制することができる。
なお、光の照射は、取り出そうとする半導体チップ毎に行ってもよい。
【００５２】
上述した実施形態では、マスク５を用いることにより、第１，第２の領域６Ａ，６Ｂを構成したが、マスク５を用いる方法に代えて、基材３に予め遮光部を設けておいてもよい。すなわち、図５に模式的断面図で示すように、ダイシング用粘着テープ２の基材３の粘着剤層４が設けられている側とは反対側の面に、遮光部３ａを形成しておいてもよい。遮光部３ａは、上述したマスク５の開口部５ａ間の領域に相当する部分に設けられる。基材３に遮光部３ａを設けることにより、光の照射により遮光部３ａの上方の粘着剤層領域が第１の領域を構成し、遮光部３ａを設けられていない部分の上方の粘着剤層領域が第２の領域を構成することになる。
【００５３】
上記遮光部３ａは、基材３の片面に遮光性材料をコーティングすることにより形成することができる。あるいは、基材３の片面に遮光性部材を貼り付けることにより遮光部３ａを構成してもよい。また、基材３の一部を遮光性材料で構成することにより遮光部３ａを構成してもよい。
【００５４】
基材３に遮光部３ａを設ける方法の場合、予め１つの半導体チップの平面形状よりも遥かに小さい多数の遮光部をランダムに形成しておいてもよい。その場合には、様々な形状及び寸法の半導体チップに容易に適用することができる。すなわち、半導体チップの寸法に比べて小さい多数の遮光部３ａをランダムに設けておけば、ダイシングにより得られた半導体チップが貼付されている領域の平面形状や寸法の如何にかかわらず、１つの半導体チップが貼付されている粘着剤層部分の一部に、確実に第１の領域を形成することができる。
【００５５】
次に、本発明の第２の実施形態を説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態と同様にして、半導体ウェーハ１の裏面にダイシング用粘着テープ２が貼付される。第２の実施形態におけるダイシング用粘着テープ２を図６（ａ）に略図的に示す。ダイシング用粘着テープ２は、基材１３と、基材１３の一方面に形成された粘着剤層１４と、他方面に形成された粘着剤層１５とを有する。
【００５６】
基材１３を構成する材料としては、特に限定されないが、例えばポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。特に、硬化型粘着剤を硬化させるための刺激及び／またはガス発生剤からガスを発生させるための刺激が光である場合には、透光性の樹脂フィルムが基材として好ましく用いられる。
【００５７】
基材１３の上面１３ａには、全面に凹凸が付与されている。すなわち、凸部１３ｂが凹部１３ｃを介して隔てられて分散されている。上面１３ａにおいては、粘着剤層１４は、凸部１３ｂを越える厚みに形成されており、かつ粘着剤層１４の上面は平坦とされている。粘着剤を溶剤に溶かして塗工したり溶融塗工することにより粘着剤層１４の上面は容易に平坦化される。
【００５８】
従って、半導体ウェーハ１を貼り合わせた場合、半導体ウェーハ１の裏面１ｂの全面が粘着剤層１４に貼付される。
粘着剤層１４を構成する粘着剤は刺激により反応して硬化する反応硬化型粘着剤である。ここで、粘着剤層１４を硬化させる刺激としては、特に限定されず、光や熱など任意の刺激が挙げられる。
【００５９】
第２の実施形態では、上記のようにして、まず、半導体ウェーハ１がダイシング用粘着テープ２の粘着剤層１４に貼り合わされ、その状態で粘着剤層５を用いてダイシングステージ上に貼り付けられる。しかる後、第１の実施形態と同様に公知の方法に従ってダイシングが行われる。
【００６０】
ダイシングに際しては、粘着剤層１４の粘着力によりダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が確実に固定されているため、高精度にダイシングが行われる。
【００６１】
次に、光や熱などの刺激を付与することにより、粘着剤層１４が、架橋・硬化し、硬化収縮を起こす。そのため、図６（ｂ）に示すように、硬化収縮後には、凹部１３ｃにおいて粘着剤層１４の上面が半導体チップ１Ａの下面から隔てられる。粘着剤層１４は、このように硬化収縮する厚みに形成されている。硬化型粘着剤は、多かれ少なかれ硬化により収縮するが、本実施形態では、硬化後に凹部１３ｃにおいて半導体チップ１Ａから分離されるように、硬化型粘着剤の収縮量に応じて、粘着剤層１４の厚みが設定されている。なお、粘着剤層４の図６（ａ）における凸部１３ｂと粘着剤層１４の上面１４ａとの間の厚みは、硬化収縮量に応じて定められ、硬化型粘着剤の種類によって異なるため、一義的には定め得ない。
【００６２】
上記硬化型粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
【００６３】
このような光硬化型粘着剤または熱硬化型粘着剤等の硬化型粘着剤は、光の照射または加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。なお、上記重合性ポリマー、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物及び光重合開始剤などについては、第１の実施形態において示したものを用いることができるため、第２の実施形態の説明においても援用することとする。
【００６４】
なお、上記硬化型粘着剤として、熱硬化型粘着剤を用いる場合、上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、具体的には例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔブチルパーオキサイド等が挙げられる。中でも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６５】
また、上記粘着剤層１４においては、第１の実施形態の場合と同様に、粘着剤層１４にガス発生剤が含有されていてもよい。このガス発生剤及びガス発生剤を分解してガスを発生させるための刺激についても、第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態の説明を援用することとする。
【００６６】
図６（ｂ）に戻り、基材１３の半導体ウェーハ１が貼付される側とは反対側の面には、粘着剤層１５が形成されている。粘着剤層１５は、ダイシング用粘着テープ２をダイシング用ステージに貼り合わせるために設けられている。粘着剤層１５は必ずしも設けずともよい。すなわち、ダイシング用粘着テープ２をステージに固定し得る限り、他の手段を用いてもよい。粘着剤層１５は、ダイシング用ステージにダイシング用粘着テープ２を貼付するために設けられているため、十分な接着強度を有する適宜の粘着剤で構成され得る。このような粘着剤としては、アクリル系粘着剤などの一般的な粘着剤を用いることができる。
【００６７】
第２の実施形態では、上記のようにダイシング後に光や熱などの刺激を付与することにより、粘着剤層１４が硬化し、収縮する。前述したように、硬化収縮により凸部３ｂ間では、粘着剤が後退するように粘着剤層１４の塗布厚みが設定されていたため、硬化収縮により凹部１３ｃでは粘着剤層１４が半導体チップ１Ａから分離される。従って、硬化収縮後には、半導体チップ１Ａと粘着剤層１４との接着面積が低下する。言い換えれば、凹部１３ｃでは、粘着剤層が半導体チップ１Ａから隔てられるので、半導体チップ１Ａはその下面において部分的にダイシング用粘着テープ２に接着されていることになる。従って、半導体チップ１Ａを吸着パッドなどを用いて容易にダイシング用粘着テープ２から剥離することができる。
【００６８】
すなわち、第２の実施形態では、凸部１３ｂ及びその近傍においてのみ半導体チップ１Ａが粘着剤層１４に貼付された状態となるため、凸部１３ｂ及びその近傍部分が第１の領域を構成し、硬化収縮により半導体チップ１Ａから分離された粘着剤層部分が第２の領域を構成することになる。すなわち、凸部１３ｂ，１３ｂ間の凹部１３ｃが本発明の第２の領域を構成することになる。従って、第１の実施形態の場合と同様に、半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から容易に剥離することができるだけでなく、第１の領域においては半導体チップ１Ａが粘着剤層１４に粘着されているため、取り出しに際しての振動や衝撃により半導体チップ１Ａの位置ずれが生じることがない。
【００６９】
さらに、好ましくは、粘着剤層１４が刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含んでいる場合、ガスを発生させるための刺激を付与すれば、粘着剤層１４内において生じたガスが粘着剤層１４と半導体チップ１Ａとの界面に移行し、界面における粘着力が大幅に低下する。従って、半導体チップ１Ａをより一層無理なく剥離することができる。
【００７０】
なお、図６（ｂ）では、１つの半導体チップ１Ａの下面に１つの凸部１３ｂが位置するように凸部１３ｂが設けられているが、１つの半導体チップ１Ａの下面に複数の凸部が最終的に接触するように複数の凸部が基材１３の上面に形成されていてもよい。また、凸部の平面形状についても特に限定されない。また、凸部の上部が平坦である必要は必ずしもなく、円錐状あるいは角錐状の凸部が形成されていてもよい。
【００７１】
基材１３に上記のような凸部１３ｂや凹部１３ｃを形成する方法についても特に限定されず、上記凸部及び凹部を有するように基材１３を構成する樹脂フィルムを成形したり、あるいは平坦な樹脂フィルムを得た後に表面を荒らすことにより凹部や凸部を形成してもよい。
【００７２】
【発明の効果】
第１の発明の半導体チップの製造方法によれば、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後に、刺激を付与することにより、１つの半導体チップが貼付されている部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが構成される。従って、個々の半導体チップをダイシング用粘着テープから容易に剥離することができる。加えて、第１の領域では半導体チップがダイシング用粘着テープに十分な粘着力で貼付されているため、半導体チップの取り出しに際しての衝撃や振動により半導体チップの位置ずれが生じ難い。従って、半導体チップの取り出し不良の発生を抑制することができる。
【００７３】
また、ダイシング時には、半導体ウェーハが上記粘着剤層によりダイシング用粘着テープに強固に粘着されているため、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれも生じ難い。
【００７４】
第１の発明において、粘着剤が刺激の付与により硬化し、粘着力が低下する粘着剤により構成されており、第２の領域のみに刺激が付与される場合には、刺激として光や熱などを用いることにより、容易に第１，第２の領域を構成することができる。特に、刺激が光であり、刺激を付与する工程において、第１の領域に光を照射せず、第２の領域のみに光を照射する場合には、半導体チップの変質等を招くことなくかつ容易に第１，第２の領域を構成することができる。
【００７５】
ダイシング用粘着テープが、表面に凹凸が付与されている基材を有し、該基材表面の凹凸の凸部を超えるように粘着剤層が形成されており、刺激の付与により粘着剤を硬化させた場合に、硬化収縮により粘着剤層が凹部において半導体チップから分離される硬化型粘着剤により構成されている場合には、凸部が第１の領域を、凹部が第２の領域を構成することになる。この場合においても、半導体チップが凹部において粘着剤層から分離されるため、半導体チップをダイシング用粘着テープから容易に剥離することができる。また、凸部上においては半導体チップが粘着されているため、取り出しに際しての振動や衝撃により半導体チップの位置ずれが生じ難い。
【００７６】
第１の発明において、ダイシング用粘着テープの粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む場合には、ガスが第２の領域において粘着剤層表面に移行するため、半導体チップをダイシング用粘着テープからより一層容易に剥離することができる。
【００７７】
第２の発明に係るダイシング用粘着テープは、刺激の付与により、半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが形成されるように構成されているため、第１の発明に係る半導体チップの製造方法に好適に用いることができる。すなわち、半導体チップの製造に際し、ダイシング用粘着テープから半導体チップを容易に剥離することができると共に、剥離に際しての半導体チップの位置ずれを効果的に抑制することができる。また、ダイシング時には、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに確実に粘着されるため、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれも確実に抑制することができる。
【００７８】
第２の発明において、少なくとも第２の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている場合には、刺激の付与により、容易に第１，第２の領域を構成することができる。特に、刺激が光であり、第１の領域に光が照射されないように、第１の領域への光の照射を阻害する遮光部が設けられている場合には、光の照射により、第１，第２の領域を容易に形成することができる。
【００７９】
また、表面に凹凸を有する基材の該表面に凸部を超える厚みに粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が刺激の付与により硬化された際の硬化収縮により凹部において半導体チップから隔てられるように粘着剤が後退するように構成されている場合には、凸部が第１の領域を、凸部間の凹部が第２の領域を構成することになる。従って、刺激の付与により、容易に第１，第２の領域を形成することができる。第２の発明においても、粘着剤が刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む場合には、半導体チップのダイシング用粘着テープからの剥離をより一層容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態において、半導体ウェーハをダイシング用粘着テープに貼付する工程を説明するための斜視図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態においてダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼り合わせた状態を示す模式的断面図及びダイシング後に光を照射することにより第１，第２の領域を形成する工程を説明するための模式的断面図。
【図３】第１，第２の領域の平面形状を説明するための模式的平面図。
【図４】第１の実施形態において、第１の領域にガス発生剤が含有されている場合の発生したガスの作用を説明するための模式的断面図。
【図５】第１の実施形態の変形例において、基材に遮光部が設けられている構造を説明するための模式的断面図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態において、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼り合わせた状態、並びにダイシング後に刺激を与えて粘着剤を硬化収縮させた状態を示す各部分切欠断面図。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ
１Ａ…半導体チップ
２…ダイシング用粘着テープ
３…基材
３ａ…遮光部
４…粘着剤層
５…マスク
６Ａ…第１の領域
６Ｂ…第２の領域
１３…基材
１３ａ…上面
１３ｂ…凸部
１３ｃ…凹部
１４…粘着剤層
１４ａ…上面
１５…粘着剤層

Claims (12)

1. 半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造方法する方法であって、
   半導体ウェーハを用意する工程と、
   前記半導体ウェーハにダイシング用粘着テープを貼付する工程と、
   前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
   刺激を付与することにより、前記ダイシング用粘着テープの１つの半導体チップが貼付されている部分に、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを形成する工程と、
   前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備える半導体チップの製造方法。
2. 前記ダイシング用粘着テープを構成している粘着剤が、刺激の付与により硬化し粘着力が低下する粘着剤により構成されており、前記第２の領域のみに前記刺激が付与される、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
3. 前記刺激が光であり、前記刺激を付与する工程において、第１の領域に光を照射せず、第２の領域のみに光を照射する、請求項２に記載の半導体チップの製造方法。
4. 前記ダイシング用粘着テープが表面に凹凸が付与されている基材を有し、該基材表面の凹凸の凸部を超えるように硬化型粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が、刺激の付与により該粘着剤層を硬化させた場合に、硬化収縮により粘着剤層が凸部間の凹部において半導体チップから隔てられる硬化型粘着剤により構成されており、前記凸部が第１の領域を、前記凸部間の凹部が前記第２の領域を構成している、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
5. 前記刺激が光であり、前記硬化型粘着剤が光硬化型粘着剤である請求項４に記載の半導体チップの製造方法。
6. 前記刺激が熱であり、前記硬化型粘着剤が熱硬化型粘着剤である、請求項４に記載の半導体チップの製造方法。
7. 前記ダイシング用粘着テープの粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
8. 半導体ウェーハに貼付され、半導体ウェーハをダイシングした後に半導体チップを剥離するのに用いられるダイシング用粘着テープであって、刺激の付与により、その半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが形成されるように構成されていることを特徴とするダイシング用粘着テープ。
9. 少なくとも第２の領域が、刺激により粘着力が低下する硬化型粘着剤により構成されている、請求項８に記載のダイシング用粘着テープ。
10. 前記刺激が光であり、前記第１の領域に光が照射されないように第１の領域への光の照射を阻害する遮光部が設けられていることを特徴とする、請求項８に記載のダイシング用粘着テープ。
11. 表面に凹凸を有する基材を備え、基材の凹凸が設けられている表面に前記凹凸の凸部を超える厚みに硬化型粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が前記刺激の付与により硬化された際の硬化収縮により凸部間の凹部において半導体チップから隔てられるように構成されており、それによって凸部が第１の領域を、凸部間の凹部が前記第２の領域を構成する、請求項８に記載のダイシング用粘着テープ。
12. 前記粘着剤が刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む、請求項８〜１１のいずれかに記載のダイシング用粘着テープ。

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