JP2004146729A - 半導体樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂封止した場合にリードフレームに反りやうねり等の変形を生じない半導体樹脂封止金型を提供する。
【解決手段】半導体樹脂封止用金型１、２は、リードフレーム１１の上にボンディングされた半導体チップ１２の樹脂封止に用いられ、所定長さの刃状の突起部３ａ、３ｂと、前記半導体チップを収納すると共に該半導体チップの周囲に樹脂注入用の第１の空洞部とを有する第１の金型１と、前記突起部と噛合う凹部４ａ、４ｂと、前記第１の空洞部と対向し、前記半導体チップを収納すると共に該半導体チップの周囲に樹脂注入用の第２の空洞部とを有する第２の金型２とを備え、前記第１及び第２の金型の間に前記リードフレームを挟み込み、前記半導体チップを樹脂封止すると共に、前記リードフレームに折曲げ部１４を形成する。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を樹脂封止するために用いられる金型及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、リードフレームにボンディングされた半導体チップを外部環境からの影響を避けるためにパッケージや樹脂材等でシールする工程がある。一般にシール工程として、半導体チップを樹脂で封止する樹脂封止工程が行われている。樹脂封止工程では、半導体チップがボンディングされたリードフレームを金型で挟んで固定し、半導体チップの周囲に樹脂を注入して樹脂封止する。
【０００３】
従来の半導体素子の樹脂封止方法では、リードフレームの両端枠部に設けられた突起部を、上型あるいは下型のリードフレーム挟持部分に設けられた凹部に嵌合させ、上型と下型でリードフレームを挟持している（例えば、特許文献１参照。）。リードフレームの突起部で挟持することで、リードフレームの変形を抑え、樹脂バリの発生を抑制している。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５３−７７４６９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
半導体装置の樹脂封止工程では、銅フレームや薄いリードフレームを樹脂封止した際、型開き時にリードフレームには反りやうねり等の変形を生じる場合がある。これはリードフレームの熱膨張や、型開き時に約１８０℃の金型に接するリードフレームの下面と、外気に接する上面との温度差による熱変形が原因と考えられる。その結果、次のような問題が生じている。
１）樹脂封止後、金型からリードフレームを吸着してピックアップしようとした場合に、フレームの反りやうねりがあると平坦でないため、フレーム吸着パッドとフレーム間にすき間ができて、真空リークが起きる。その結果、正常にフレームを吸着できない場合がある。
２）半導体樹脂封止工程後のリード加工工程において、リードフレームの変形によって、リード加工機や、リードフレーム送り装置でのフレーム引っ掛かりや、摩擦力増大が生じる。
３）リード加工工程において、リード金型上にリードフレームをセットする際、上記２）のようにフレーム送り量がばらつくため、リード金型上へのリードフレームのセット位置がずれる。そのような状態でリード金型を使用した場合には、リード金型を破損する場合がある。
【０００６】
また、上記特許文献１に記載の樹脂封止方法では、あらかじめリードフレームに突起部を形成しておく必要がある。また、金型にも該突起部を嵌合させる凹部を設けておく必要がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、樹脂封止した場合にリードフレームに反りやうねり等の変形を生じない金型及び該金型を備えた装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体樹脂封止用金型は、リードフレームの上にボンディングされた半導体チップの樹脂封止に用いる半導体樹脂封止用金型であって、
所定長さの刃状の突起部と、前記半導体チップを収納すると共に該半導体チップの周囲に樹脂注入用の第１の空洞部とを有する第１の金型と、
前記突起部と噛合う凹部と、前記第１の空洞部と対向し、前記半導体チップを収納すると共に該半導体チップの周囲に樹脂注入用の第２の空洞部とを有する第２の金型と
を備え、
前記第１及び第２の金型の間に前記リードフレームを挟み込み、前記半導体チップを樹脂封止すると共に、前記リードフレームに折曲げ部を形成することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る半導体樹脂封止方法は、半導体チップがボンディングされたリードフレームを用意する工程と、
前記リードフレームを第１及び第２の金型の間に挟みこんで固定すると共に、前記リードフレームに所定長さの刃状の折曲げ部を形成する工程と、
前記第１及び第２の金型の間に挟み込まれた前記半導体チップの周囲に樹脂を注入して、前記半導体チップを樹脂封止する工程と
を含む。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係る半導体樹脂封止用金型及び半導体樹脂封止方法について、添付図面を用いて説明する。なお、図面においては実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１１】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体樹脂封止用金型、該金型を含む半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法について、図１から図７までを用いて説明する。図１は、この半導体樹脂封止装置１０において、リードフレーム１１を下部金型２に載せた場合の断面図である。図２は、半導体樹脂封止方法において、リードフレーム１１を上下金型１、２で挟み込んで折曲げ部１４を形成する工程での断面図である。図３は、この半導体樹脂封止方法において、半導体チップ１２の周囲に樹脂を注入する工程での断面図である。図４の（ａ）は、この半導体樹脂封止方法で製造された半導体チップを有するリードフレームの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）とは逆方向に折曲げ部１４ａが形成された別例の断面図である。図５は、リードフレームの長手方向に形成された折曲げ部１４と抵抗性のある反り方向Ａとの関係を示す斜視図である。図６は、リードフレームの短軸方向に形成された折曲げ部１６と抵抗性の有る反り方向Ｂとの関係を示す斜視図である。図７は、リードフレームの長手方向及び短軸方向の両方に折曲げ部１４、１６を設けた場合の抵抗性のある反り方向との関係を示す斜視図である。
【００１２】
まず、半導体チップ１２の樹脂封止に用いられる半導体樹脂封止用金型１、２について説明する。樹脂封止される半導体チップ１２は、長方形状のリードフレーム１１の長手方向に配置され、該リードフレーム１１に設けられたリードにそれぞれボンディングされている。なお、このリードフレーム１１には複数の半導体チップ１２が長手方向に沿って配置されている。また、半導体樹脂封止用金型１、２は、図１に示すように、半導体チップ１２がボンディングされたリードフレーム１１を上下から挟み込む、上部金型１と下部金型２である。上部金型１には所定長さの刃状の突起部３ａ、３ｂと、半導体チップ１２を収納し、該半導体チップ１２の周囲に樹脂を注入して樹脂封止するための第１の空洞部とを有する。下部金型２には、上部金型１の突起部３ａ、３ｂと噛合う凹部４ａ、４ｂと、半導体チップ１２を収納し、上記第１の空洞部と対向し、該半導体チップ１２の周囲に樹脂を注入して樹脂封止するための第２の空洞部とを備える。この上下金型１、２の間にリードフレーム１１を挟みこむことによって、図４に示すように、リードフレーム１１に反り及びうねり等の変形を抑制する折曲げ部１４を形成することができる。なお、折曲げ部１４の形状は、断面形状がＶ字に限られず、台形やＵ字であってもよい。また、図４の（ｂ）の断面形状のように、フレームの上面から下面へ向かう折曲げ部１４に限られず、（ｃ）の断面形状のように、フレームの下面から上面へ向う折曲げ部１４ａであってもよい。なおこの場合には、下部金型２側に突起部を設ける必要がある。さらに、折曲げ部は１列、２列、３列、あるいはそれ以上の場合であってもよい。また、多列フレームの場合には、フレーム中央部などのフレーム枠を折り曲げてもよい。
【００１３】
また、このリードフレーム１１に形成する折曲げ部の方向は反り方向と関係している。例えば、図５に示すようにリードフレーム１１の長手方向に平行な２本の折曲げ部１４が形成された場合には、反り方向Ａに対する抵抗性を強くすることができる。また、ランナー１７によって反り方向Ｂについての一定の抵抗性を与えることができるが、所定の抵抗性を得る必要がある場合には、図６に示すように、短軸方向に平行な折曲げ部１６を設けることにより、反り方向Ｂに対する抵抗性を強くすることができる。さらに、両方向の折曲げ部１４、１６を設けた場合には、反り方向Ａ及び反り方向Ｂに対する抵抗性をそれぞれ強くできる。このようにそれぞれの反り方向への抵抗性を高めることでリードフレーム１１の熱変形を抑制でき、ジャムの発生を抑制できるとともに、金型の破損を防ぐことができる。
【００１４】
次に、この上下金型１、２を含む半導体樹脂封止装置は、該上下金型１、２と、半導体チップ１２の周囲に樹脂を注入し、半導体チップ１２を樹脂封止する樹脂注入部とを備える。具体的には、上下金型１、２にわたって、プランジャ５がはめ込まれており、樹脂タブレット６の樹脂を上下金型の間の空洞部に圧入することができる。また、下部金型２には、リードフレーム１１を載せる箇所の下部に、樹脂を半導体チップ１２の周囲まで導く樹脂流路８が設けられている。そこで、プランジャ５を押し上げることにより樹脂タブレット６の樹脂を圧入し、半導体チップ１２の周囲の空洞部に樹脂を注入することができる。この半導体樹脂封止装置１０によれば、リードフレーム１１を挟み込む工程で折曲げ部１４を形成することができ、一連の工程として樹脂封止を行うことができるので、余分なサイクルタイムを必要としない。
【００１５】
次に、この半導体樹脂封止方法について、図１から図３を用いて説明する。
（１）突起部３ａ、３ｂを有する上部金型１と、該突起部３ａ、３ｂと噛合う凹部４ａ、４ｂを有する下部金型２とを互いに対向させる。
（２）半導体チップ１２をボンディングしたリードフレーム１１を用意し、該リードフレーム１１を下部金型２に位置決めピン７に合わせて載せる（図１）。
（３）上部金型１を下部金型２に対して移動させて、上下金型１、２の間にリードフレーム１１を挟み込んで固定すると共に、突起部３ａ、３ｂと凹部４ａ、４ｂとによって、該リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成する（図２）。
（４）プランジャ５を押し上げて、樹脂タブレット６からリードフレーム１１の下側の樹脂流路８に沿って半導体チップ１２の周囲に樹脂を注入する（図３）。
（５）その後、樹脂を熱硬化させて半導体チップ１２を樹脂封止する。
以上の工程によって、長手方向に平行な２本の折曲げ部１４が形成されると共に、樹脂封止された半導体チップ１２を備えるリードフレーム１１が得られる。
【００１６】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体樹脂封止用金型、半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法について、図８乃至図１３を用いて説明する。この半導体樹脂封止用金型１、２は、実施の形態１に係る金型と比較すると、図８から図１１に示すように、上部金型１の表面から内側に格納された状態から、該上部金型１の表面から突出させることができる可動型突起部２３ａ、２３ｂを有する点で相違する。このような可動型突起部２３ａ、２３ｂを有する上下金型１、２を備えた半導体樹脂封止装置２０では、リードフレーム１１を固定した後、折曲げ部を形成することができる。そこで、リードフレーム１１に折曲げ部を形成する際の半導体チップ１２の位置ずれを防ぐことができる。さらに、リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成した後、リードフレーム１１が凹部４ａ、４ｂに沿って引き込まれるので、端部に隙間２７を生じる。そこで、この隙間２７を埋めるための可動型の押さえブロック２５ａ、２５ｂをさらに備えている。
【００１７】
次に、この上下金型１、２を含む半導体樹脂封止装置２０について説明する。この半導体樹脂封止装置２０は、上記上下金型１、２と、半導体チップの周囲に樹脂を注入して半導体チップを樹脂封止する樹脂注入部とを備える。具体的には、上下金型１、２にわたって、プランジャ５がはめ込まれており、樹脂タブレット６の樹脂を上下金型の間に圧入することができる。また、下部金型２には、リードフレーム１１を載せる箇所の下部に、樹脂を半導体チップ１２の周囲まで導く樹脂流路８が設けられている。そこで、プランジャ５を押し上げることにより樹脂タブレット６の樹脂を圧入し、半導体チップ１２の周囲に樹脂を注入することができる。この半導体樹脂封止装置１０によれば、まず、上下金型１、２の金型接触部２６でリードフレームを把持し、固定した後、可動型突起部２３ａ、２３ｂで折曲げ部を形成するので、折曲げ部を形成する際にも半導体チップの位置ずれが生じない。しかも、隙間を埋める押さえブロックを有するので、リードフレーム表面に余分の樹脂が付着するのを防ぐことができる。これによって、ピックアップ時の吸着ミスを防ぐことができると共に薄バリなどの製品不良発生を防止できる。
【００１８】
この半導体樹脂封止方法について、図８から図１３を用いて説明する。
（１）可動型突起部２３ａ、２３ｂを有する上部金型１と、該可動型突起部２３ａ、２３ｂと噛合う凹部４ａ、４ｂを有する下部金型２とを鉛直方向に所定間隔を空けて互いに対向させる（図示せず）。
（２）半導体チップ１２をボンディングしたリードフレーム１１を用意し、該リードフレーム１１を下部金型２に位置決めピン７に合わせて載せる（図８）。
（３）可動型突起部２３ａ、２３ｂを表面内側に格納した状態で、上部金型１を下部金型２に対して移動させて、上下金型１、２の間にリードフレーム１１を挟み込んで固定する（図９）。
（４）上部金型１の表面から可動型突起部２３ａ、２３ｂを突出させて、該リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成する（図１０）。
（５）リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成した際に生じる隙間２７を埋めるように押さえブロック２５ａ、２５ｂを押し下げる（図１１）。これにより、樹脂がリードフレーム１１の表面側に回り込むことを防止することができる。その結果、樹脂付着を原因としたピックアップ時の吸着ミスや薄バリなどの製品不良を防止できる。
（６）樹脂タブレット６を乗せたプランジャ５を押し上げ（図１２）、樹脂タブレット６からリードフレーム１１の下側の樹脂流路８に沿って半導体チップ１２の周囲の空洞部に樹脂２８を注入する（図１３）。
（７）その後、半導体チップ１２の周囲の樹脂を熱硬化させて樹脂封止する。
以上の工程によって、樹脂封止された半導体チップ１２を得ることができる。
【００１９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体樹脂封止用金型、半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法について、図１４乃至図１７を用いて説明する。図１４は、半導体チップ１２の周囲の空洞部に樹脂を注入し、該空洞部全体への樹脂注入をほぼ完了した段階を示す断面図である。図１５は、可動型突起部２３ａ、２３ｂを上部金型１の表面内側に引き込む工程を示す断面図である。図１６は、この可動型突起部２３ａ、２３ｂでリードフレーム１１に折曲げ部１４を形成すると共に、貫通孔１８を形成した段階で取り出されたリードフレーム１１の平面図である。図１７の（ａ）は、（ａ）は、本発明の実施の形態３に係る半導体樹脂封止方法において得られた、折曲げ部１４の内部に樹脂を注入したリードフレーム１１の平面図である。図１７の（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００２０】
この半導体樹脂封止用金型１、２は、実施の形態２に係る金型と比較すると、可動型突起部２３ａ、２３ｂを備える点で共通するが、この可動型突起部２３ａ、２３ｂが多段形状である点で相違する。この多段形状の可動型突起部２３ａ、２３ｂによって、図１６に示すように、リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成するとともに、該折曲げ部１４の底部にリードフレーム１１の両面を貫く貫通孔１８を形成することができる。この貫通孔１８を通じて樹脂を折曲げ部１４の内部に導くことができ、リードフレーム１１の変形をさらに抑制できる。
【００２１】
この半導体樹脂封止方法について、図１４及び図１５を用いて説明する。この半導体樹脂封止方法は、実施の形態２に係る半導体樹脂封止方法と比較すると、多段形状の可動型突起部２３ａ、２３ｂによって、リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成すると共に、該折曲げ部１４の底部に貫通孔１８を形成する点で相違する。さらに、半導体チップ１２への樹脂注入後、可動型突起部２３ａ、２３ｂを上部金型１に引き込んで、貫通孔１８を通じて折曲げ部に樹脂を導く点においても相違する。なお、以下の説明では、実施の形態２に係る樹脂封止方法と共通する工程については、図８から図１３を適宜用いて説明する。
【００２２】
（１）多段形状の可動型突起部２３ａ、２３ｂを有する上部金型１と、該可動型突起部２３ａ、２３ｂと噛合う凹部４ａ、４ｂを有する下部金型２とを鉛直方向に所定間隔を空けて互いに対向させる（図示せず）。
（２）半導体チップ１２をボンディングしたリードフレーム１１を用意し、下部金型２に位置決めピン７に合わせて載せる（図８）。
（３）可動型突起部２３ａ、２３ｂを表面内側に格納した状態で、上部金型１を下部金型２に対して移動させて、上下金型１、２の間にリードフレーム１１を挟み込んで固定する（図９）。
（４）上部金型１の表面から複数段の突起を有する可動型突起部２３ａ、２３ｂを突出させて、該リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成すると共に、該折曲げ部１４の底部に貫通孔１８を形成する（図１６）。
（５）リードフレーム１１に折曲げ部１４を形成した際に生じる隙間２７を埋めるように押さえブロック２５ａ、２５ｂを押し下げる（図１１）。これにより、樹脂がリードフレーム１１の表面側に回り込むことを防止することができる。その結果、樹脂付着を原因としたピックアップ時の吸着ミスや薄バリなどの製品不良発生を防止できる。
【００２３】
（６）樹脂タブレット６を乗せたプランジャ５を押し上げ（図１２）、樹脂タブレット６からリードフレーム１１の下側の樹脂流路８に沿って半導体チップ１２の周囲の空洞部に樹脂２８を注入する（図１３）。
（７）半導体チップ１２の周囲の空洞部のほぼ全体に樹脂２８を注入した段階（図１４）で、可動型突起部２３ａ、２３ｂを金型の表面に引き込み、貫通孔１８を通じて折曲げ部１４の内部に樹脂１９を導く（図１５）。
（８）その後、半導体チップ１２の周囲の樹脂２８を熱硬化させて樹脂封止すると共に、折曲げ部１４に導いた樹脂１９を熱硬化させる（図１７）。
以上の工程によって、樹脂封止された半導体チップ１２を得ることができる。
【００２４】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る半導体樹脂封止用金型、半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法について、図１８乃至図２１を用いて説明する。図１８は、この半導体樹脂封止用金型１、２の下部金型２の凹部に設けられたエジェクトピン３１を示す断面図である。図１９は、図１８のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図２０は、この半導体樹脂封止方法において、樹脂封止工程後、エジェクトピンを突出させてリードフレーム１１を金型２から取り外す工程を示す断面図である。図２１は、図２０のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【００２５】
この半導体樹脂封止用金型１、２は、実施の形態１乃至３に係る金型と比較すると、図１８に示すように、下部金型２の凹部４ａ、４ｂの底部に、樹脂封止後のリードフレーム１１を金型２から取り外すためのエジェクトピン３１を備えている点で相違する。樹脂封止工程後、このエジェクトピン３１を凹部４ａ、４ｂから突出させて、折曲げ部の底部でリードフレーム１１を支持することができる。このため、リードフレーム下部をエジェクトする必要がないため、リードフレーム表面にクラック等のキズを付けることがない。また、折曲げ部の底部を支持点とするので、リードフレームを変形させることなく大きなエジェクト力が得られる。その結果、金型からフレームをスムーズにエジェクトできる。
【００２６】
この半導体樹脂封止方法は、実施の形態１から３に記載の半導体樹脂封止方法と比較すると、半導体チップ１２の樹脂封止工程まではそれぞれの実施の形態に係る樹脂封止方法のいずれであってもよいが、該樹脂封止工程の後、さらに次のリードフレームのエジェクト工程を含んでいる。
（１）半導体チップ１２の周囲に樹脂を注入し、該樹脂が固化後、上部金型１を上昇させて下部金型２と分離する（図１８）。
（２）下部金型２の凹部の底部から複数のエジェクトピン３１を突出させてリードフレーム１１の折曲げ部の底部を支持し、下部金型２からリードフレーム１１を取り外す（図１９）。
上記工程によって、樹脂封止された半導体チップ１２を備えたリードフレームを得ることができる。
【００２７】
なお、その後のリード加工工程において、必要に応じてリードフレーム１１に形成された折曲げ部１４を含む部分をカットするカッティング工程を設けてもよい。カッティング工程を設け、折曲げ部１４をカットすることによって、その後の工程で折曲げ部を有しない場合と共通した工程を通すことができる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明の半導体樹脂封止用金型によれば、突起部を備えており、リードフレームを挟み込んだ場合に折曲げ部を形成する。この折曲げ部によって、リードフレームの反り及びうねり等の変形を抑制することができる。また、半導体樹脂封止方法として、上下金型でリードフレームを挟み込みながら折曲げ部を形成し、一連の工程として樹脂封止することができるので、余分のサイクルタイムがかかることもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体樹脂封止装置において、リードフレームを下部金型に載せた場合の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体樹脂封止方法において、リードフレームを上下金型で挟み込んで折曲げ部を形成する工程の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体樹脂封止方法において、挟みこまれた半導体チップの周囲に樹脂を注入する工程の断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る半導体樹脂封止方法で製造された半導体チップを有するリードフレームの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）とは逆方向に折曲げ部が形成された別例の断面図である。
【図５】リードフレームの長手方向に形成された折曲げ部と抵抗性のある反り方向Ａとの関係を示す斜視図である。
【図６】リードフレームの短軸方向に形成された折曲げ部と抵抗性の有る反り方向Ｂとの関係を示す斜視図である。
【図７】リードフレームの長手方向及び短軸方向の両方に折曲げ部を設けた場合の抵抗性のある反り方向との関係を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る半導体樹脂封止装置において、リードフレームを下部金型に載せた場合の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る半導体樹脂封止方法において、リードフレームを上下金型で挟み込んで固定する工程の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る半導体樹脂封止方法において、上部金型の表面から可動型突起部を突出させてリードフレームに折曲げ部を形成する工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る半導体樹脂封止方法において、押さえブロックを押し下げて、折曲げ部を形成した際の隙間を埋める工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る半導体樹脂封止方法において、プランジャを押し上げる工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る半導体樹脂封止方法において、リードフレームの下部の樹脂流路を通じて樹脂を半導体チップの周囲に注入する工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３に係る半導体樹脂封止方法において、半導体チップの周囲全体にほぼ樹脂を注入した段階を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３に係る半導体樹脂封止方法において、可動型突起部を金型表面に引き込み、折曲げ部の底部の貫通孔から樹脂を折曲げ部に導く工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３に係る半導体樹脂封止方法において、可動型突起部でリードフレームに折曲げ部を形成すると共に、貫通孔を形成した段階で取り出されたリードフレームの平面図である。
【図１７】（ａ）は、本発明の実施の形態３に係る半導体樹脂封止方法において得られた、折曲げ部の内部に樹脂を注入したリードフレームの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態４に係る半導体樹脂封止用金型において、下部金型の凹部に設けられたエジェクトピンの配置を示す断面図である。
【図１９】図１８のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図２０】図１８に続いて、樹脂封止工程後、下部金型の凹部からエジェクトピンを突出させてリードフレームを金型から取り外す工程を示す断面図である。
【図２１】図２０のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１　上部金型、２　下部金型、３ａ、３ｂ　突起部、４ａ、４ｂ　凹部、５　プランジャ、６　樹脂タブレット、７　位置決めピン、８　樹脂流路、１０、２０、３０、４０　半導体樹脂封止装置、１１　リードフレーム、１２　半導体チップ、１４、１４ａ　折曲げ部（長手方向）、１６　折曲げ部（短軸方向）、１７ランナー、１８　貫通孔、１９　樹脂、２３ａ、２３ｂ　可動突起部、２５ａ、２５ｂ　可動押えブロック、２６　金型接触部、２７　隙間、２８　樹脂、２９　樹脂封止部、３１　エジェクトピン

Claims (8)

1. リードフレームの上にボンディングされた半導体チップの樹脂封止に用いる半導体樹脂封止用金型であって、
   所定長さの刃状の突起部と、前記半導体チップを収納すると共に該半導体チップの周囲に樹脂注入用の第１の空洞部とを有する第１の金型と、
   前記突起部と噛合う凹部と、前記第１の空洞部と対向し、前記半導体チップを収納すると共に該半導体チップの周囲に樹脂注入用の第２の空洞部とを有する第２の金型と
   を備え、
   前記第１及び第２の金型の間に前記リードフレームを挟み込み、前記半導体チップを樹脂封止すると共に、前記リードフレームに折曲げ部を形成することを特徴とする半導体樹脂封止用金型。
2. 前記突起部は、前記金型の内側に引き込み可能であると共に、前記金型から突出可能な可動型突起部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂封止用金型。
3. 前記突起部は、多段形状を有し、前記リードフレームに折曲げ部を形成すると共に、前記折曲げ部の中に前記リードフレームを貫通する貫通孔を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂封止用金型。
4. 前記第２の金型の前記凹部の底部に突出可能なエジェクトピンをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂封止用金型。
5. 半導体チップがボンディングされたリードフレームを用意する工程と、
   前記リードフレームを第１及び第２の金型の間に挟みこんで固定すると共に、前記リードフレームに所定長さの刃状の折曲げ部を形成する工程と、
   前記第１及び第２の金型の間に挟み込まれた前記半導体チップの周囲に樹脂を注入して、前記半導体チップを樹脂封止する工程と
   を含む半導体樹脂封止方法。
6. 半導体チップがボンディングされたリードフレームを第１及び第２の金型で挟み込んで固定する工程と、
   前記第１の金型から可動型突起部を突出させて、前記リードフレームに所定長さの刃状の折り曲げ部を形成する工程と、
   前記第１及び第２の金型の間に挟み込まれた前記半導体チップの周囲に樹脂を注入して、前記半導体チップを樹脂封止する工程と
   を含む半導体樹脂封止方法。
7. 半導体チップがボンディングされたリードフレームを第１及び第２の金型で挟み込んで固定する工程と、
   前記第１の金型から多段形状の可動型突起部を突出させて、前記リードフレームに所定長さの刃状の折曲げ部を形成すると共に、前記折曲げ部に貫通孔を形成する工程と、
   前記第１及び第２の金型の間に挟み込まれた前記半導体チップの周囲に樹脂を注入する工程と、
   前記可動型突起部を前記第１の金型に引き込んで、前記貫通孔から前記折り曲げ部に樹脂を注入する工程と、
   前記樹脂を熱硬化させて樹脂封止する工程と
   を含む半導体樹脂封止方法。
8. 前記第２の金型からエジェクトピンを突出させて、樹脂封止された前記半導体チップを有するリードフレームの前記折曲げ部の底部を前記エジェクトピンで支持して、前記リードフレームを前記第２の金型から取り外す工程を、前記樹脂封止工程の後にさらに含むことを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の半導体樹脂封止方法。

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