JP2018500765A - リードフレーム - Google Patents
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Abstract
本発明は、複数のリードフレームセクションを有する枠部を備えたリードフレームであって、リードフレームセクションが枠部に結合されており、枠部が、少なくとも２つの縦方向側部および少なくとも２つの横方向側部を有し、枠部が金属帯状片から形成されており、ダレに対する縦方向側部の安定性を支援する圧痕部が、少なくとも１つの縦方向側部に導入されているリードフレームに関する。【選択図】図１
Description
本発明は、リードフレームに関し、より詳細には、リードフレームと、リードフレームの製造方法と、金型とに関する。
リードフレームは、特許文献１から公知であるように、例えば電気部品またはオプトエレクトロニクス部品との電気的接触を形成する目的で使用される。
本発明の目的は、改良されたリードフレームを提供することである。
本発明の目的は、リードフレームによって達成される。さらに、本発明の目的は、リードフレームの製造方法によって達成される。さらに、本発明の目的は、金型によって達成される。
記載したリードフレームの１つの利点は、リードフレームの機械的安定性が改善されることである。この改善は、リードフレームが、ダレ（sagging）に対する縦方向側部（longitudinal side）の安定性を高める圧痕部（imprint）を少なくとも１つの縦方向側部に有することにおいて達成される。このようにすることで、例えばリードフレームと成形材料との間の熱膨張係数の違いを補正することが可能である。圧痕部を使用してリードフレームを安定化させる利点として、圧痕部は簡単かつ高い費用効率でリードフレームに形成することができる。
さらなる実施形態においては、本リードフレームは、２つの縦方向側部、特に、向かい合う２つの縦方向側部に、圧痕部を有する。このようにすることで、リードフレームのさらなる安定化が達成される。
さらなる実施形態においては、圧痕部は、縦方向側部の中央に配置されている。このようにすることで、ダレに対するリードフレームの良好な安定化が、少ない労力によって達成される。
さらなる実施形態においては、リードフレームは、横方向ウェブ（transverse web）によって２つの領域に分割されている。このようにすることで、リードフレームのさらなる機械的安定化が可能になる。
さらなる実施形態においては、圧痕部は、細長い形状に形成されており、この細長い形状は、枠部の縦方向側部に沿った向きにある。このようにすることで、リードフレームの安定性のさらなる改善が達成される。
さらなる実施形態においては、圧痕部は、圧痕部の幅の寸法の少なくとも２倍である長さを有する。このようにすることで、できる限り小さい領域においてリードフレームの良好な安定化が達成される。
さらなる実施形態においては、圧痕部は、５μｍ〜１００μｍの範囲内の深さを有する。実験によると、リードフレームの良好な安定化のためには、この深さ範囲内の圧痕部が適切であることが判明した。さらに、比較的小さい深さのため、リードフレームの取扱い性が損なわれる、または低下することが回避される。
さらなる実施形態においては、圧痕部は、３ｍｍ〜１５ｍｍの範囲内、特に、５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内の長さを有する。これらの長さ範囲を使用することによって、リードフレームの良好な安定化が達成される。
さらなる実施形態においては、圧痕部は、０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲内の幅を有する。結果として、リードフレームの十分な安定化が達成される。
記載した方法の１つの利点として、簡単な方法で圧痕部がリードフレームに形成される。この利点は、リードフレームに成形材料を設ける圧縮成形工程において、型押し具（stamping tool）を用いてリードフレームに圧痕部をさらに形成することにおいて達成される。したがって、圧痕部を形成するための専用の工程ステップが不要である。圧痕部は、金型を利用して形成され、少なくとも一方の金型部が型押し具を有する。型押し具は、例えば、エッジ（edge）の形に形成されている。
本発明の上述した特性、特徴および利点と、これらを達成する方法は、以下に図面を参照しながらさらに詳しく説明する例示的な実施形態に関連して、さらに明らかとなり、さらに明確に理解されるであろう。
図１は、リードフレーム１を、上からの概略図において示しており、リードフレーム１は、枠部２と、枠部２に結合されている多数のリードフレームセクション（明確には図示していない）とを有する。リードフレームセクションは、電気部品（特に、オプトエレクトロニクス部品）のための電気接触パッドを提供するように意図されている。一般的には、１個の電気部品に少なくとも２つのリードフレームセクションが結合される。これを目的として、部品は、少なくとも１つのリードフレームセクション３の上に配置されて、その少なくとも１つのリードフレームセクション３または少なくとも２つのリードフレームセクション３に、接合化合物（いわゆる成形化合物）を利用して結合される。リードフレーム１は、例えば１５０μｍ〜２００μｍの範囲内の厚さを有する。リードフレーム１は、例えば銅から形成され、例えば押し抜き法によって銅板から作製される。
リードフレーム１は、２つの縦方向側部４，５および２つの横方向側部（transverse side）６，７を有する。図示した例示的な実施形態においては、縦方向側部４，５および横方向側部６，７のそれぞれに圧痕部８が形成されている。選択される実施形態によっては、１つの縦方向側部４にのみ圧痕部８を形成することも可能である。これに加えて、さらなる実施形態においては、縦方向側部４，５の両方に圧痕部８を形成することができる。さらに、一実施形態においては、一方または両方の横方向側部６，７に圧痕部８を形成することができる。図示した例示的な実施形態においては、圧痕部８それぞれは、縦方向側部または横方向側部の長さの中央に配置されている。選択される実施形態に応じて、縦方向側部に沿った別の位置、または横方向側部に沿った別の位置に、圧痕部８を配置することもできる。さらに、選択される実施形態に応じて、少なくとも１つの縦方向側部が２つ以上の圧痕部８を有する、および／または、少なくとも１つの横方向側部が２つ以上の圧痕部８を有することができる。選択される実施形態によっては、フレームの幅の中央に圧痕部８を配置することができる。
図２は、リードフレーム１のさらなる実施形態を示しており、この場合、リードフレーム１は横方向ウェブ９を有する。横方向ウェブ９は、縦方向側部４，５の中央において、横方向側部６，７に平行に配置されており、縦方向側部４，５の両方に結合されている。さらに、図示した例示的な実施形態では、縦方向側部４，５それぞれにおいて、縦方向側部４，５の中央に圧痕部８が配置されている。したがって圧痕部８それぞれは、横方向ウェブ９と縦方向側部４，５とが融合する領域に配置されている。リードフレーム１は、通常では金属板から作製される。図示した例示的な実施形態においては、リードフレーム１に成形材料１０が堆積されており、成形材料１０に電気部品１１が埋め込まれている。部品１１は、例えば、電気部品および／または電子部品、またはオプトエレクトロニクス部品（例えば発光ダイオード、レーザダイオード）とすることができる。使用する成形材料は、プラスチック系またはシリコーン系の成形材料とすることができる。さらに、使用する成形材料はエポキシとすることができる。
図２の実施形態においても、図１を参照しながら説明したように、リードフレーム１の縦方向側部４，５にさらなる圧痕部８を設ける、および／または、リードフレーム１の横方向側部６，７にさらなる圧痕部８を設けることができる。
図示した例示的な実施形態においては、圧痕部８は、上面（すなわちリードフレーム１の上に部品１１が配置されている面）に形成されている。選択される実施形態に応じて、リードフレーム１の底面、またはリードフレーム１の別の面に圧痕部８を形成することもできる。成形材料１０は、平坦な層の形に形成されており、この成形材料１０に部品１１が少なくともその側壁を介して埋め込まれており、この場合、特に部品１１の上面が成形材料１０から突き出している。個々の構造的部分を作製する目的で、リードフレーム１は個々の部分に分割されており、この場合、１個の部品１１は成形材料１０を用いて少なくとも１つのリードフレームセクション３に機械的に結合されている。
図３は、圧痕部８が形成されている、リードフレーム１の領域の平面図を、概略図において示している。リードフレーム１の図示した領域は、縦方向側部、横方向側部、または横方向ウェブとすることができる。図示した例示的な実施形態においては、圧痕部８は、細長い構造の形に（特に、長方形の帯状片の形に）形成されている。選択される実施形態に応じて、圧痕部８は、別の形状（例えば円形状、楕円形状、蛇行した形状）を有することもできる。圧痕部８の縦方向は、枠部２の縦方向１２に平行な向きにある。圧痕部８は、選択される実施形態に応じて、例えば自身の幅の少なくとも２倍の長さを有することができる。さらに、圧痕部８は、３ｍｍ〜１５ｍｍの範囲内の長さを有することができる。特に、圧痕部８は、５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内の長さを有することができる。さらには、圧痕部８は、０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲内の幅１３を有することができる。
図４は、圧痕部８の縦方向範囲に沿った断面図を示している。圧痕部８は、例えば５μｍ〜１００μｍの範囲内の深さ１５を有することができる。
図５は、第１の金型部１７および第２の金型部１８を有する金型１６を、概略図において示している。第２の金型部１８は、リードフレーム１を受け入れるように意図されている。第１の金型部１７は、第２の金型部１８と協働して、リードフレーム１の周囲に成形空間２１を形成し、したがって成形材料１０を成形するように意図されている。さらに、第１の金型部１７は型押し具１９を有し、型押し具１９は、図示した例示的な実施形態においては金型部１７の底面に配置されており、リードフレーム１に面している。型押し具１９は、第１の金型部１７の材料から例えばエッジ（ｅｄｇｅ）の形に形成することができる。
図６は、閉じた状態の金型１６を示しており、この状態においては、型押し具１９がリードフレーム１に圧痕部８を形成し、さらに、金型部１７，１８の間の成形空間２１に成形材料２０が流れ込む。
硬化させる目的で、金型の中で成形材料を例えば１７０℃〜１８０℃の温度に加熱する。金型から取り出した後、次の冷却工程においては、成形材料の熱膨張係数とリードフレームの材料の熱膨張係数とが異なるため、リードフレーム１が曲がる、あるいはダレが生じる危険性がある。成形材料２０が硬化した後、金型１７，１８を互いに引き離してリードフレーム１を取り出す。この場合、リードフレーム１は、例えば図２に示したように形成されている。圧痕部８が形成されていることにより、金型１６から取り出した後にリードフレーム１が示すダレが小さい。少なくとも１つの圧痕部が形成されていることにより、対応するダレが少なくとも低減し、特に回避される。使用する実施形態によっては、成形工程の前にリードフレーム１に圧痕部８を形成することもできる。
図７は、リードフレーム１の単純な実施形態の細部を概略図において示しており、２つのリードフレームセクション３，２２を示している。これらのリードフレームセクション３，２２は、帯状部として形成されており、枠部２の縦方向側部４，５に一体的に結合されている。
図８は、部品１１を有する構造的部分を概略側面図において示している。部品１１は、第１のリードフレームセクション３の上に載せられている。さらに、部品１１は、成形材料２０を使用して第１のリードフレームセクション３に機械的に結合されている。さらに、部品１１は、ボンディングワイヤ２３によって第２のリードフレームセクション２２に電気的に接続されている。
ここまで、本発明について好ましい例示的な実施形態に基づいて詳しく説明してきたが、本発明は開示した例によって制限されず、当業者には、これらの例から、本発明の保護範囲から逸脱することなく別の変形形態を導くことができるであろう。
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１５１０００２５．３号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
１ リードフレーム
２ 枠部
３ リードフレームセクション
４ 第１の縦方向側部
５ 第２の縦方向側部
６ 第１の横方向側部
７ 第２の横方向側部
８ 圧痕部
９ 横方向ウェブ
１０ 成形材料
１１ 部品
１２ 縦方向範囲
１３ 幅
１４ 長さ
１５ 深さ
１６ 金型
１７ 第１の金型部
１８ 第２の金型部
１９ 型押し具
２０ 成形材料
２１ 成形空間
２２ 第２のリードフレームセクション
２３ ボンディングワイヤ
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１６ 金型
１７ 第１の金型部
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１９ 型押し具
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２１ 成形空間
２２ 第２のリードフレームセクション
２３ ボンディングワイヤ
Claims (15)
- 複数のリードフレームセクション（３，２２）を有する枠部（２）を備えたリードフレーム（１）であって、
前記リードフレームセクション（３，２２）は、前記枠部（２）に結合されており、
前記枠部（２）は、少なくとも２つの縦方向側部（４，５）および少なくとも２つの横方向側部（６，７）を有し、
ダレに対する前記縦方向側部（４，５）の安定性を高める圧痕部（８）が、少なくとも１つの縦方向側部（４，５）に形成されている、
リードフレーム。 - 縦方向側部（４，５）の両方が、圧痕部（８）を有する、
請求項１に記載のリードフレーム。 - 前記圧痕部（８）が、前記縦方向側部（４，５）の中央に配置されている、
請求項１または請求項２のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記リードフレーム（１）が横方向ウェブ（９）を有し、
前記横方向ウェブ（９）が前記横方向側部（６，７）に平行に配置されており、
前記横方向ウェブ（９）が前記縦方向側部（４，５）の中央に配置されている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記圧痕部（８）が細長い形状を有し、
前記圧痕部（８）が、縦方向側部（４，５）の縦方向（１２）に沿った向きにある、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記圧痕部（８）が、自身の幅の少なくとも２倍の長さである、
請求項５に記載のリードフレーム。 - 前記圧痕部（８）が、５μｍ〜１００μｍの範囲内の深さを有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記圧痕部（８）が、３ｍｍ〜１５ｍｍの範囲内の長さ、特に、５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内の長さを有する、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記圧痕部（８）が、０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲内の幅を有する、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記リードフレーム（１）が、１００μｍ〜３００μｍの範囲内の厚さ、特に、１５０μｍ〜２００μｍの範囲内の厚さを有する、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記リードフレーム（１）が銅から形成されている、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のリードフレーム。 - 前記リードフレーム（１）に成形材料（２０）が設けられている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のリードフレーム。 - 成形材料層を有するリードフレームを製造する方法であって、
２つの金型部を有する金型の中に前記リードフレームが配置され、
前記金型部が互いに対して動かされることによって前記成形材料のための成形空間が形成され、一方の金型部が型押し具を有し、前記金型部が互いに対して動かされるときに前記型押し具が前記リードフレームに圧痕部を形成し、前記成形空間内で柔らかい成形材料が前記リードフレームに堆積される、
方法。 - 少なくとも２つの金型部（１７，１８）を有する金型（１６）であって、
前記金型部（１７，１８）を互いに対して動かすことができ、
少なくとも一方の金型部（１７）が、リードフレーム（１）に圧痕部（８）を形成するための型押し具（１９）を有する、
金型。 - 前記型押し具（１９）がエッジの形に形成されている、
請求項１４に記載の金型。
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| DE (2) | DE102015100025A1 (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140274A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146729A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Renesas Technology Corp | 半導体樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
| JP2009188150A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
| JP2013232592A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
| JP2014506398A (ja) * | 2011-03-07 | 2014-03-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品のリードフレームとオプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4118353B2 (ja) * | 1996-10-11 | 2008-07-16 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびモールド金型 |
| JP4678941B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2011-04-27 | 日本インター株式会社 | 複合半導体装置 |
| US8236612B2 (en) * | 2002-04-29 | 2012-08-07 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging |
| US20120223423A1 (en) * | 2011-03-02 | 2012-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Lead Frame Strip with Rails Having Bow Reducing Ribs |
| JP5762078B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-08-12 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム |
| DE102012109159A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenverbund, Gehäuseverbund, Baugruppenverbund und Verfahren zum Ermitteln mindestens eines Messwerts einer Messgröße einer elektronischen Baugruppe |
| CN104952825B (zh) * | 2014-03-31 | 2019-01-08 | 恩智浦美国有限公司 | 包含具有槽口内引线的引线框架的半导体器件 |
-
2015
- 2015-01-05 DE DE102015100025.3A patent/DE102015100025A1/de not_active Withdrawn
- 2015-12-29 DE DE112015005886.9T patent/DE112015005886A5/de not_active Ceased
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146729A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Renesas Technology Corp | 半導体樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
| JP2009188150A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
| JP2014506398A (ja) * | 2011-03-07 | 2014-03-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品のリードフレームとオプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
| JP2013232592A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140274A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
| CN110164843A (zh) * | 2018-02-13 | 2019-08-23 | 株式会社三井高科技 | 引线框、带有树脂的引线框、带有树脂的引线框的制造方法以及半导体装置的制造方法 |
| JP7021970B2 (ja) | 2018-02-13 | 2022-02-17 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
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