JP2004140160A - 配線板の製造方法及び配線板、ならびに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱板を有する配線板の製造コストを低減する。
【解決手段】絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が形成され、前記絶縁体の一表面に、放熱用の導体板が形成された配線板の製造方法であって、前記導体板の一表面に、絶縁性接着材料を用いて導体膜を接着し、前記導体膜の不要な部分を除去して前記配線を形成した後、前記絶縁性接着材料のあらかじめ定められた領域を開口するとともに、前記導体板の、前記絶縁性接着材料との接着面側の、前記絶縁性接着材料の開口した領域と重なる領域に凹部を形成する配線板の製造方法である。
【選択図】 図２
【解決手段】絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が形成され、前記絶縁体の一表面に、放熱用の導体板が形成された配線板の製造方法であって、前記導体板の一表面に、絶縁性接着材料を用いて導体膜を接着し、前記導体膜の不要な部分を除去して前記配線を形成した後、前記絶縁性接着材料のあらかじめ定められた領域を開口するとともに、前記導体板の、前記絶縁性接着材料との接着面側の、前記絶縁性接着材料の開口した領域と重なる領域に凹部を形成する配線板の製造方法である。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板の製造方法及び配線板、ならびに半導体装置に関し、特に、放熱用の導体板（以下、放熱板と称する）を有する配線板の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線板上に半導体チップが実装された半導体装置には、前記半導体チップで発生する熱を外部に放出するための放熱板が設けられた半導体装置がある。前記放熱板が設けられた半導体装置には、例えば、ＴＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる半導体装置がある。
【０００３】
前記ＴＢＧＡと呼ばれる半導体装置には、例えば、絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が設けられた配線板と、前記配線板に接着された放熱板と、前記配線板及び前記放熱板に設けられた凹部に収容された半導体チップとからなる半導体装置がある（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
前記非特許文献１に示されているＴＢＧＡ型の半導体装置では、例えば、図１６に示すように、前記絶縁基板１４の第１主面及びその裏面（以下、第２主面と称する）に配線２が設けられている。このとき、前記絶縁基板１４の第２主面側の配線２、言い換えると、放熱板３が接着された面側の配線２は、例えば、グラウンド電位にする配線が全面的に設けられている。以下、前記絶縁基板１４の第２主面側の配線をグラウンド面２Ｇと称する。このとき、前記絶縁基板１４の第１主面の配線２と前記グラウンド面２Ｇとは、例えば、前記絶縁基板１４に形成されたブラインドビアホールの内部に設けられた導体（ビア）２Ａ、あるいはめっきスルーホールにより電気的に接続されている。
【０００５】
前記非特許文献１に示されているＴＢＧＡ型の半導体装置を製造するときには、大きく分けて、前記半導体装置に用いる配線板を形成する配線板形成工程と、前記配線板形成工程で形成された配線板に半導体チップを実装する半導体チップ実装工程がある。
【０００６】
前記配線板形成工程は、まず、例えば、ポリイミドテープなどのテープ状の絶縁基板１４の第１主面及び第２主面に導体膜を形成した後、あらかじめ定められた位置に、前記絶縁基板１４の第１主面及び前記第２主面に設けられた各導体膜を電気的に接続するビア２Ａあるいはめっきスルーホールを形成する。次に、前記各導体膜の不要な部分を除去して前記配線２や前記グラウンド面２Ｇを形成し、前記絶縁基板１４の半導体チップを収容する領域に開口部を形成する。次に、前記配線２及び前記グラウンド面２Ｇの表面に、例えば、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜や、はんだめっきなどの接合材を形成する。その後、前記配線板の第２主面、言い換えると前記グラウンド面２Ｇが形成された面に、絶縁性接着剤１５を用いて放熱板３を接着する。このとき、前記放熱板３には、前記配線板の開口部と対応する凹部（座ぐり）３Ａを形成しておく。
【０００７】
また、前記半導体チップ実装工程では、まず、前記配線板の開口部（デバイスホール）５の内部に半導体チップ９を配置し、前記放熱板３の凹部３Ａの底面に前記半導体チップ９を接着する。次に、前記配線２のインナーリード部２Ｂと前記半導体チップ９の外部電極９０１とをボンディングワイヤ１０で電気的に接続し、前記半導体チップ９及び前記ボンディングワイヤ１０による接続部を絶縁樹脂（モールド樹脂）１１で封止する。その後、前記配線板の定められた位置に、ボール状の外部接続端子１２を形成する。
【０００８】
また、前記放熱板３を設けた半導体装置には、前記非特許文献１に示された形態の半導体装置の他に、例えば、銅又はアルミニウムを主成分とする金属板からなるメタルベース上に、有機系絶縁体からなる絶縁層を介して薄膜パターンが設けられた配線板を用いたＭＢＧＡ（Ｍｅｔａｌ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる半導体装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
【非特許文献１】
大高達也，杉本洋，大森智夫，鈴木幸雄、「画像処理および通信システムＬＳＩ搭載用ＴＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）」、日立電線、日立電線株式会社、２０００年１月、Ｎｏ１９、ｐ．７９−８４
【特許文献１】
特開平０８−３０６８２０号公報（第６項、第４図）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術のうち、前記非特許文献１に記載された形態の半導体装置に用いる配線板の製造工程には、前記絶縁基板の第１主面及び前記第２主面に導体膜を張り合わせる工程と、前記放熱板を張り合わせる工程がある。このとき、前記導体膜を張り合わせる工程や前記放熱板を張り合わせる工程では、一般に、フィルム状（シート状）の接着剤を用いるか、あるいは前記絶縁基板又は前記導体膜、前記放熱板などの表面に接着剤を塗布する工程が必要である。そのため、工程数が増えるとともに、材料費が増え、前記配線板の製造コストが上昇するという問題があった。
【００１１】
また、前記非特許文献１に記載されたＴＢＧＡ型の半導体装置では、一般に、前記配線板の厚さが７５μｍから１５０μｍ程度、前記放熱板３の厚さが３００μｍから８００μｍ程度である。また、前記配線板と前記放熱板３を接着する絶縁性接着剤１５の厚さは５０μｍから１００μｍ程度である。また、前記ボール状の外部接続端子１２は、例えば、直径が６５０μｍ程度のはんだボールを用いて形成される。そのため、前記半導体装置の厚さＴ６は１ｍｍ以上となり、半導体装置の薄型化が難しいという問題があった。
【００１２】
また、前記特許文献１に記載された形態（ＭＢＧＡ型）の半導体装置の場合、前記半導体チップを実装する面と、前記ボール状の外部接続端子を形成する面が異なるとともに、前記半導体チップを実装した面に、中空状のキャップをかぶせている。そのため、半導体装置の薄型化が難しいという問題があった。
【００１３】
本発明の目的は、放熱板を有する配線板の製造コストを低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、放熱板を有する配線板を用いた半導体装置の薄型化が可能な技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００１７】
（１）絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が形成され、前記絶縁体の一表面に、放熱用の導体板が形成された配線板の製造方法であって、前記導体板の一表面に、絶縁性接着材料を用いて導体膜を接着し、前記導体膜の不要な部分を除去して前記配線を形成した後、前記絶縁性接着材料のあらかじめ定められた領域を開口するとともに、前記導体板の、前記絶縁性接着材料との接着面側の、前記絶縁性接着材料の開口した領域と重なる領域に凹部を形成する配線板の製造方法である。
【００１８】
前記（１）の手段によれば、前記放熱用の導体板に前記絶縁性接着材料で接着した導体膜を用いて前記配線を形成することにより、従来の、例えば、前記非特許文献１に記載された配線板の製造方法に比べて、製造工程及び材料費を低減することができる。そのため、前記配線板の製造コストを低減することができる。
【００１９】
また、前記（１）の手段において、前記配線を形成する前に、あらかじめ定められた位置で、前記導体膜と前記導体板を電気的に接続してもよい。この場合、前記導体膜の不要な部分を除去して配線を形成したときに、前記配線のうち、例えば、グラウンド電位（接地電位）や電源電位などの、特定の電位の配線と前記放熱用の導体板が接続されるようにすれば、前記放熱用の導体板をグラウンド層（面）として用いることができ、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を有する配線板を容易に製造することができる。
【００２０】
また、前記（１）の手段を用いた場合、前記配線を形成する前、もしくは前記配線を形成した後、前記導体板の不要な部分を除去して、前記絶縁性接着材料の開口部を覆う放熱用の導体板と、前記導体板と電気的に分離された外部接続端子（ランド）を形成することもできる。このとき、前記外部接続端子は、前記放熱用の導体板と同じ厚さであり、前記配線の厚さに比べて十分に厚い。また、前記外部接続端子は、前記放熱用の導体板と同じ材料であるため、めっきなどで形成する端子（配線）に比べて、表面の平坦性が高い。そのため、前記配線板を用いて半導体装置を製造したときに、前記外部接続端子と他の配線板（実装基板）の配線（端子）との接続性を良くすることができる。
【００２１】
また、前記（１）の手段において、前記絶縁性接着材料には、例えば、イミド系樹脂のような高耐熱性接着剤を用いることが好ましい。このとき、前記高耐熱性接着剤は、例えば、前記導体膜の表面、あるいは前記導体板の表面に形成（塗布）しておき、熱プレスにより接着する。
【００２２】
また、前記絶縁性接着材料には、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いることもできる。前記接着フィルムの場合、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、接着後の、前記導体膜及び前記絶縁性接着材料、ならびに前記導体板からなる積層体の厚さのばらつきを低減することができる。
【００２３】
（２）絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられ、前記絶縁体の一表面に放熱用の導体板が設けられてなり、前記絶縁体は、あらかじめ定められた領域が開口しており、前記放熱用の導体板は、前記絶縁体の開口部を覆うように設けられ、且つ前記絶縁体との接着面側の、前記絶縁体の開口した領域と重なる領域に凹部が設けられた配線板であって、前記配線は、前記放熱性の導体板の一表面上に、絶縁性接着材料で接着されている配線板である。
【００２４】
前記（２）の手段によれば、前記配線が、前記放熱用の導体板の一表面上に接着されているので、従来の、絶縁基板の表面に配線を形成した後、接着剤を用いて前記絶縁基板に放熱板を接着した配線板に比べて、薄型化することができる。
【００２５】
また、前記（２）の手段において、前記放熱用の導体板を、あらかじめ定められた配線と電気的に接続することにより、例えば、前記放熱用の導体板をグラウンド層（面）とすることができ、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を持つ配線板にすることができる。そのため、高周波信号（電流）を伝送したときの信号の劣化や伝送ロス、遅延を少なくすることができる。
【００２６】
また、前記（２）の手段において、前記絶縁性接着材料の、前記放熱用の導体板が設けられた面に、前記放熱用の導体板と電気的に分離され、且つ前記配線と電気的に接続された外部接続端子（ランド）が設けてもよい。このとき、前記配線板を用いて製造した半導体装置はＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる形態にすることができる。
【００２７】
また、前記絶縁性接着材料として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、前記配線板の厚さのばらつきを低減することができる。
【００２８】
（３）絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられ、前記絶縁体の一表面に放熱用の導体板が設けられた配線板と、前記配線板上に設けられた半導体チップと、前記配線板の配線と前記半導体チップの外部電極とを電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、前記絶縁体は、あらかじめ定められた領域が開口しており、前記放熱用の導体板は、前記絶縁体の開口部を覆うように設けられ、且つ前記絶縁体との接着面側の、前記絶縁体の開口した領域と重なる領域に凹部が設けられており、前記半導体チップは、前記放熱用の導体板に設けられた前記凹部の底面に接着されている半導体装置であって、前記配線は、前記放熱用の導体板の一表面上に、絶縁性接着材料で接着されている半導体装置である。
【００２９】
前記（３）の手段によれば、前記配線が、前記放熱用の導体板の一表面に接着されているとともに、前記半導体チップが、前記放熱用の導体板の凹部の底面に接着されているので、従来の、例えば、前記非特許文献１や前記特許文献１に記載された半導体装置に比べて、薄型化することができる。
【００３０】
また、前記（３）の手段において、前記放熱用の導体板を、あらかじめ定められた配線と電気的に接続することにより、前記放熱用の導体板を、例えば、グラウンド層（面）にすることができる。そのため、高周波信号（電流）を伝送したときの信号の劣化や伝送ロス、遅延を少なくすることができる。
【００３１】
また、前記（３）の手段において、前記配線の一端に、ボール状の外部接続端子を設ければ、例えば、前記非特許文献１に記載されたＴＢＧＡと呼ばれる形態の半導体装置と同じ形態の半導体装置になる。このとき、前記配線板の厚さを、従来のＴＢＧＡ型の半導体装置に用いられている配線板の厚さに比べて薄くすることできるので、前記半導体装置を薄型化することができる。
【００３２】
また、前記配線の一端に、前記ボール状の外部接続端子を設けた場合、前記半導体チップを実装する面と、前記ボール状の外部接続端子を設ける面が同じであるため、例えば、前記特許文献１に記載されたＭＢＧＡ（Ｍｅｔａｌ ＢＧＡ）と呼ばれる形態の半導体装置に比べて薄型化することができる。
【００３３】
また、前記（３）の手段において、前記配線の一端に、前記ボール状の外部接続端子の代わりに、前記絶縁性接着材料の、前記放熱用の導体板が設けられた面に、前記放熱用の導体板と電気的に分離され、且つ前記配線と電気的に接続された外部接続端子（ランド）が設けられていてもよい。この場合、前記半導体装置はＬＧＡと呼ばれる形態になる。このとき、前記半導体チップを、前記放熱用の導体板の凹部に設けることにより、従来のＬＧＡ型の半導体装置に比べて薄型化することができる。
【００３４】
また、前記絶縁性接着材料として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、前記配線板の厚さのばらつきを低減することができ、前記半導体装置の厚さのばらつきを低減することができる。
【００３５】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３６】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１乃至図３は、本発明による実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１は半導体装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線での断面図、図３は図２の部分拡大図である。
【００３８】
図１乃至図３において、１は絶縁体（絶縁性接着材料）、２は配線、２Ａはビア、２Ｂは配線のインナーリード部、２Ｃは配線の外部端子部（ランド）、２０１は第１導体膜、２０２は第２導体膜、３は導体板（放熱板）、４は半導体チップを実装する領域（チップ実装領域）、５は凹部空間（デバイスホール）、６は接合材、７は保護膜である。
【００３９】
本実施形態１の配線板は、図１乃至図３に示すように、絶縁体１の第１主面に配線（導体パターン）２が設けられており、前記絶縁体１の第１主面の裏面（以下、第２主面と称する）には、導体板３が設けられている。このとき、前記絶縁体１には、例えば、イミド系樹脂などの高耐熱性接着剤を用いる。以下、前記絶縁体１のことを、絶縁性接着材料と称する。
【００４０】
また、本実施形態１の配線板は、半導体チップを実装して半導体装置を製造するときに用いる配線板であり、前記絶縁性接着材料１は、半導体チップが実装される領域４が開口している。以下、前記半導体チップが実装される領域４を、チップ実装領域と称する。
【００４１】
また、前記導体板３は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａをふさぐように設けられており、且つ前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部（座ぐり）３Ａが設けられている。このとき、前記半導体チップは、前記導体板３の凹部３Ａの底面に接着される。すなわち、本実施形態１の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａで構成される凹部空間５の内部に半導体チップを収容することになる。以下、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａで構成される凹部空間５をデバイスホールと称する。
【００４２】
またこのとき、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、図２に示したような、前記配線２の表面から前記放熱板３の凹部３Ａの底面までの距離Ｄ１が１００μｍ程度になる深さであるとする。
【００４３】
また、前記導体板３は、本実施形態１の配線板を用いて半導体装置を製造したときに、前記半導体チップから発生する熱を外部に放出しやすくするために設けている。そのため、以下、前記導体板３を放熱板と称する。
【００４４】
また、前記放熱板３は、図２に示したように、前記絶縁性接着材料１の第２主面側に、全面的に設けられており、前記配線２のうち、例えば、グラウンド電位（接地電位）や電源電位などの、特定の電位の配線と電気的に接続されているものとする。このとき、前記配線２は、例えば、図２に示したように、前記絶縁性接着材料１に設けられた開口部（ブラインドビアホール）１Ｂの内部で前記放熱板３と接続されている。以下、前記配線２の、前記ブラインドビアホール１Ｂの内部に設けられた部分をビア２Ａと称する。
【００４５】
またこのとき、前記配線２は、例えば、図３に示したように、第１導体膜２０１上に第２導体膜２０２が積層された状態になっており、前記絶縁体１のブラインドビアホール１Ｂ内には、前記第２導体膜２０２が埋め込まれた状態になっている。つまり、前記ビア２Ａは前記第２導体膜２０２でなる。
【００４６】
また、前記配線２は、例えば、半導体装置を製造したときに、半導体チップの外部電極と接続される部分（インナーリード部）２Ｂや、外部接続端子を形成する領域（外部端子部）２Ｃの表面に、金めっきなどの接合材６が設けられている。また、前記配線２の、前記接合材６が設けられた領域以外の領域の表面には、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜７が設けられている。
【００４７】
本実施形態１の配線板では、前記絶縁性接着材料１の厚さは１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記放熱板３には、例えば、厚さが７５μｍから２５０μｍの銅板を用いることができる。また、前記配線２は、前記第１導体膜２０１の厚さが１２μｍ程度であり、前記第２導体膜２０２の厚さが１５μｍ程度である。このとき、前記絶縁性接着材料１の厚さを２５μｍ、前記放熱板３の厚さを７５μｍとすれば、本実施形態１の配線板の厚さＴ１は、前記保護膜７の厚さを考慮しても、１４０μｍから１５０μｍとなる。
【００４８】
図４乃至図６は、本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図４（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図、図５（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は配線を形成する工程の断面図、図６はデバイスホールを形成する工程の断面図である。
【００４９】
以下、図４乃至図６に沿って、本実施形態１の配線板の製造方法について説明する。
【００５０】
まず、図４（ａ）に示すように、絶縁性接着材料（絶縁体）１の第１主面に第１導体膜２０１が張り合わされ、前記絶縁性接着材料１の第２主面に導体板３が張り合わされた積層体を形成する。このとき、前記絶縁性接着材料１には、例えば、イミド系樹脂のような耐熱性の高い樹脂系の絶縁性接着剤を用い、前記第１導体膜２０１の表面、あるいは前記導体膜３の表面に形成（塗布）しておき、熱プレスなどで接着する。またこのとき、前記絶縁性接着材料１は、接着後の厚さが、例えば、５０μｍ程度になるように形成する。
【００５１】
また、前記第１導体膜２０１には、例えば、厚さが１２μｍ程度の銅箔を用いる。また、前記導体板３には、例えば、厚さが１００μｍ程度の銅板を用いる。
【００５２】
また、前記絶縁性接着材料１には、例えば、フィルム状の絶縁体（絶縁フィルム）の両面に接着剤を形成した接着フィルムを用いることもできる。このとき、前記絶縁フィルムには、例えば、厚さが２５μｍ程度のポリイミド系樹脂などの耐熱性の高い絶縁樹脂フィルムを用い、前記接着剤には、例えば、イミド系樹脂を用いる。また、前記接着剤は、例えば、厚さが１２μｍ程度になるように形成する。
【００５３】
前記絶縁性接着材料１として、前記接着フィルムを用いた場合、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、熱プレスによる接着後の前記積層体の厚さのばらつきを低減することができる。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、前記積層体のあらかじめ定められた位置に、前記第１導体膜２０１側から、前記第１導体膜２０１及び前記絶縁性接着材料１を貫通して前記導体板３に達する開口部（ブラインドビアホール）１Ｂを形成する。前記ブラインドビアホール１Ｂは、例えば、炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成する。
【００５５】
次に、前記第１導体膜２０１の表面及び前記ブラインドビアホール１Ｂ内に第２導体膜２０２を形成し、図５（ａ）に示すように、前記絶縁性接着材料１の第１主面側の配線形成用の導体膜２’と前記絶縁性接着材料１の第２主面側の導体板３をビア２Ａで電気的に接続する。前記第２導体膜２０２は、例えば、電気銅めっきで形成する。このとき、前記第２導体膜２０２は、前記ブラインドビアホール１Ｂ内に選択的に形成されるようにし、前記ブラインドビアホール１Ｂの内部に前記導体膜２０２が充填されたときに、前記第１導体膜２０１上に形成される第２導体膜２０２の厚さが１５μｍ程度になるようにする。
【００５６】
次に、配線形成用の導体膜２’、すなわち、前記第１導体膜２０１及びその表面の第２導体膜２０２の不要な部分を除去し、図５（ｂ）に示すように、配線２を形成する。前記配線２は、一般に、ウェットエッチングにより形成するので、エッチングを行う際には、前記導体板３の表面にレジスト（エッチングレジスト）を形成してから行い、エッチング後に前記エッチングレジストを除去する。
【００５７】
次に、図６に示すように、半導体装置を製造するときに半導体チップを収容する凹部空間であるデバイスホール５を形成する。前記デバイスホール５は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４を開口するとともに、前記導体板３の、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部３Ａを形成する。このとき、前記絶縁性接着材料１の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａは、例えば、ルータを用いた座ぐり加工（ｓｐｏｔ ｆａｃｉｎｇ）により形成する。また、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、例えば、前記配線２の表面から前記凹部３Ａの底面までの距離が１００μｍ程度になるようにする。
【００５８】
その後、前記配線２の表面に、図２及び図３に示したように、接合材６及びはんだ保護膜などの保護膜７を形成すると、本実施形態１の配線板が得られる。前記接合材６及び前記保護膜７は、例えば、前記配線２のインナーリード部２Ａ及び前記外部端子部２Ｂにマスクをして前記保護膜７を形成した後、前記マスクを除去して、前記配線２の露出面に、金めっきなどの接合材６を形成する。
【００５９】
図７及び図８は、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図７は半導体チップを実装する工程の断面図、図８は半導体チップを封止して外部接続端子を形成する工程の断面図である。なお、図７及び図８の断面図は、図２と同じ断面で見たときの図である。
【００６０】
本実施形態１の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、図７に示したように、前記デバイスホール５の底面、すなわち、前記放熱板３の凹部３Ａの底面に、例えば、銀ペーストなどの接着剤８を用いて半導体チップ９を接着し、前記配線２のインナーリード部２Ｂと前記半導体チップ９の外部電極９０１をボンディングワイヤ１０で電気的に接続する。
【００６１】
次に、図８に示すように、前記半導体チップ９及び前記ボンディングワイヤ１０による接続部を絶縁樹脂（モールド樹脂）１１で封止し、前記配線２の外部端子部２Ｃにボール状の外部接続端子１２を形成する。
【００６２】
本実施形態１の配線板では、前記絶縁性接着材料（絶縁体）１の厚さを５０μｍ程度、前記放熱板３の厚さを１００μｍとしているので、前記配線板の厚さは１８０μｍから１９０μｍ程度になる。また、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置では、前記半導体チップ９を実装する面と、前記外部接続端子１２を形成する面が同じ面であるため、前記配線板に実装した半導体チップ９を封止する絶縁樹脂１１が、前記配線板から突出（隆起）していても、その高さは無視できる。すなわち、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の厚さＴ２は、前記配線板の厚さＴ１と前記ボール状の外部接続端子１２の高さ（直径）で決まる。そのため、前記ボール状の外部接続端子１２を形成するときに、例えば、直径が６５０μｍ程度のはんだボールを用いたとすると、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の厚さＴ２は、８２０μｍから８３０μｍ程度にすることができる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態１の配線板の製造方法によれば、導体板（放熱板）３の表面に、絶縁性接着材料１で第１導体膜２０１を接着した積層体を用いるので、接着剤を用いて各材料を接着する工程は、前記導体板３の表面に前記第１導体膜２０１を接着する工程のみである。すなわち、本実施形態１の配線板の製造方法を用いることにより、例えば、従来の前記非特許文献１に記載された半導体装置に用いる配線板の製造方法と比べて、製造工程を減らすとともに、材料費を少なくすることができる。そのため、配線板の製造コストを低減することができる。
【００６４】
また、前記絶縁性接着材料１を用いて接着する導体の厚さを変えて、厚いほうの導体、すなわち、前記導体板３を放熱板として用いることにより、放熱板を有する配線板を容易に製造することができる。
【００６５】
また、本実施形態１の配線板は、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度、前記導体板（放熱板）３の厚さを１００μｍにすることができるので、本実施形態１の配線板を用いたＢＧＡ型の半導体装置の厚さＴ２を１ｍｍ以下にすることができる。そのため、例えば、従来の前記非特許文献１や前記特許文献１に記載された半導体装置に比べて、半導体装置の薄型化が容易になる。
【００６６】
また、本実施形態１の配線板では、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度としたが、これに限らず、前記絶縁性接着材料１の厚さは、１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記導体板（放熱板）３も、厚さが１００μｍのものに限らず、７５μｍから２５０μｍ程度のものを用いることができる。そのため、前記絶縁性接着材料１の厚さを２５μｍとし、前記導体板（放熱板）３の厚さを７５μｍとすれば、半導体装置の厚さＴ２をさらに薄くすることができる。
【００６７】
また、本実施形態１の配線板のように、前記配線２のうち、グラウンド電位（接地電位）などの等電位の配線と前記放熱板３を前記ビア２Ａで電気的に接続することにより、前記放熱板３をグラウンド層（面）にすることができる。そのため、前記配線板に、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を設けることができ、高周波信号（電流）を伝送するときのクロストークノイズ、伝送ロスや遅延を低減することができる。
【００６８】
また、前記絶縁性接着材料１として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、接着後の、前記導体膜及び前記絶縁性接着材料、ならびに前記導体板からなる積層体の厚さのばらつきを低減することができる。そのため、前記配線板のばらつきを低減することができ、前記半導体装置の厚さのばらつきを低減することができる。
【００６９】
（実施形態２）
図９乃至図１１は、本発明による実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、図９は配線板の平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ’線での断面図、図１１は図１０の部分拡大断面図である。
【００７０】
図９乃至図１１において、１は絶縁体（絶縁性接着材料）、２は配線、２Ａはビア、２Ｂは配線のインナーリード部、２０１は第１導体膜、２０２は第２導体膜、３は導体板（放熱板）、６Ａは第１接合材、６Ｂは第２接合材、１３は外部接続端子（ランド）である。
【００７１】
本実施形態２の配線板は、図９乃至図１１に示すように、絶縁体１の第１主面に配線（導体パターン）２が設けられており、前記絶縁体１の第１主面の裏面（以下、第２主面と称する）には、導体板３が設けられている。このとき、前記絶縁体１には、例えば、イミド系樹脂などの高耐熱性接着剤を用いる。以下、前記絶縁体１のことを、絶縁性接着材料と称する。
【００７２】
また、本実施形態２の配線板は、半導体チップを実装して半導体装置を製造するときに用いる配線板であり、前記絶縁性接着材料１は、半導体チップが実装される領域（チップ実装領域）４が開口している。
【００７３】
また、前記導体板３は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａを覆うように設けられており、且つ前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部（座ぐり）３Ａが設けられている。このとき、前記半導体チップは、前記導体板３の凹部３Ａの底面に接着される。すなわち、本実施例２の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、前記絶縁性接着材料１の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａで構成される凹部空間（デバイスホール）５の内部に半導体チップを収容することになる。
【００７４】
またこのとき、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、前記配線２の表面から前記放熱板３の凹部３Ａの底面までの距離Ｄ２が１００μｍ程度になる深さであるとする。
【００７５】
また、前記導体板３は、本実施形態２の配線板を用いて半導体装置を製造したときに、前記半導体チップから発生する熱を外部に放出しやすくするために設けている。そのため、以下、前記導体板３を放熱板と称する。
【００７６】
また、本実施形態２の配線板では、前記絶縁性接着材料１の第２主面の、前記放熱板３の外側の領域に、前記放熱板３とは電気的に分離しており、且つ前記配線２と電気的に接続された外部接続端子（ランド）１３が設けられている。また、前記放熱板３は、図１０に示したように、前記配線２のうち、例えば、グラウンド電位（接地電位）や電源電位などの、特定の電位の配線と電気的に接続されているものとする。このとき、前記配線２と前記ランド１３、及び前記配線２と前記放熱板３は、前記絶縁性接着材料１の開口部（ブラインドビアホール）１Ｂの内部に設けられた導体（ビア）２Ａにより電気的に接続されている。
【００７７】
またこのとき、前記配線２は、例えば、図１１に示したように、第１導体膜２０１上に第２導体膜２０２が積層された状態になっており、前記絶縁性接着材料１のブラインドビアホール１Ｂ内には、前記第２導体膜２０２が埋め込まれた状態になっている。つまり、前記ビア２Ａは前記第２導体膜２０２でなる。
【００７８】
また、前記配線２は、例えば、半導体装置を製造したときに、半導体チップの外部電極と接続される領域（インナーリード部）２Ｂの表面に、金めっきなどの第１接合材６Ａが設けられている。また、前記配線２の、前記第１接合材６Ａが設けられた領域以外の領域の表面には、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜７が設けられている。また、前記外部接続端子１３及び前記放熱板３の表面には、例えば、金めっき、錫鉛合金めっき、錫銀合金めっきなどの第２接合材６Ｂが設けられている。
【００７９】
また、本実施形態２の配線板でも、前記絶縁性接着材料１の厚さは１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３には、例えば、厚さが７５μｍから２５０μｍの銅板を用いることができる。また、前記配線２は、前記第１導体膜２０１の厚さが１２μｍ程度であり、前記第２導体膜２０２の厚さが１５μｍ程度である。このとき、前記絶縁性接着材料１の厚さを２５μｍ、前記放熱板３の厚さを７５μｍとすれば、本実施形態２の配線板の厚さＴ３は、前記保護膜７や前記第２接合材６Ｂの厚さを考慮しても、１４０μｍから１５０μｍとなる。
【００８０】
図１２乃至図１４は、本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１２（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図１２（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図、図１３（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図１３（ｂ）は配線を形成する工程の断面図、図１４（ａ）は放熱板及び外部接続端子を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）はデバイスホールを形成する工程の断面図である。
【００８１】
以下、図１２乃至図１４に沿って、本実施形態２の配線板の製造方法について説明する。なお、前記実施形態１で説明した手順と同じ部分については、詳細な説明を省略する。
【００８２】
本実施形態２の配線板を製造するときには、まず、図１２（ａ）に示すように、導体板３’の一表面に、絶縁性接着材料１を用いて銅箔などの第１導体膜２０１を接着した積層板を形成する。前記積層板は、前記実施形態１で説明したような方法で形成する。
【００８３】
次に、図１２（ｂ）に示すように、前記第１導体膜２０１及び前記絶縁性接着材料１を貫通して前記導体板３’に達する開口部（ブラインドビアホール）１Ｂを形成する。その後、例えば、電気銅めっきにより、前記ブラインドビアホール１Ｂの内部及び前記第１導体膜２０１の表面に第２導体膜２０２を形成して、図１３（ａ）に示すように、配線形成用の導体膜２’及び前記配線形成用の導体膜２’と前記導体板３を電気的に接続する導体（ビア）２Ａを形成する。
【００８４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、前記配線形成用の導体膜２’、すなわち前記第１導体膜２０１とその表面の第２導体膜２０２の不要な部分を除去して配線２を形成する。前記配線２は、一般に、ウェットエッチングにより形成するので、前記エッチングを行う前に、前記導体板３’の表面に溶解を防ぐレジスト（エッチングレジスト）を形成し、エッチング後に前記エッチングレジストを除去する。
【００８５】
次に、図１４（ａ）に示すように、前記導体板３’の不要な部分を除去して、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成する。前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成するときも、ウェットエッチングで行うのが一般的であるため、エッチングを行う前に、前記配線２上にレジスト（エッチングレジスト）を形成し、エッチング後に前記エッチングレジストを除去する。
【００８６】
次に、図１４（ｂ）に示すように、半導体装置を製造するときに半導体チップを収容する凹部空間であるデバイスホール５を形成する。前記デバイスホール５は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４を開口するとともに、前記放熱板３の、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部３Ａを形成する。このとき、前記絶縁性接着材料１の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａは、例えば、ルータを用いた座ぐり加工（ｓｐｏｔ ｆａｃｉｎｇ）により形成する。また、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、例えば、前記配線２の表面から前記凹部３Ａの底面までの距離が１００μｍ程度になるようにする。
【００８７】
その後、図１０及び図１１に示したように、前記配線２の表面に第１接合材６Ａ及びはんだ保護膜などの保護膜７を形成し、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３の表面に、第２接合材６Ｂを形成すると、本実施形態２の配線板が得られる。このとき、前記第１接合材４Ａと前記第２接合材４Ｂは、同種の材料を用いて形成してもよいし、異なる種類の材料を用いて形成してもよい。
【００８８】
図１５は、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式図である。
【００８９】
本実施形態２の配線板を用いて半導体装置を製造するときも、図１５に示すように、前記デバイスホール５の底面、すなわち、前記放熱板３の凹部３Ａの底面に、銀ペーストなどの接着剤８を用いて半導体チップ９を接着し、前記配線２のインナーリード部２Ｂと前記半導体チップ９の外部電極９０１をボンディングワイヤ１０で電気的に接続する。その後、前記半導体チップ９及び前記ボンディングワイヤ１０による接続部を絶縁樹脂（モールド樹脂）１１で封止する。
【００９０】
また、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置は、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる形態の半導体装置であり、実装基板などに実装するときには、前記外部接続端子１３を、前記実装基板の配線（端子）と直接接続することができる。このとき、前記外部接続端子１３は、前記放熱板３と同じ材料、すなわち、導体板を用いているため、表面の平坦性が高い。そのため、従来のＬＧＡ型の半導体装置に比べて、前記半導体装置を実装するときの実装性が向上する。
【００９１】
また、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の場合、前記半導体チップ９を実装する面の裏面に、前記外部接続端子１３が設けられている。そのため、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の厚さＴ４は、図１５に示したように、前記配線板の厚さＴ３と、前記半導体チップ９が実装された領域の前記絶縁樹脂（モールド樹脂）１１の突出分（隆起分）の高さＴ５の和となる。このとき、前記絶縁性接着材料１の厚さが５０μｍ程度、前記放熱板３の厚さが１００μｍだとすると、前記配線板の厚さＴ３は、１８０μｍから１９０μｍ程度である。またこのとき、前記デバイスホール５の深さは１００μｍ程度であるので、厚さが１００μｍ程度の半導体チップ９を実装した場合、前記半導体チップ９は、ほぼ全体が前記デバイスホール５の内部に収容される。そのため、前記樹脂材料１１の、前記配線板から突出（隆起）した部分の高さＴ５は１００μｍから１２０μｍ程度にすることができ、半導体装置の厚さＴ４を３００μｍ程度にすることができる。
【００９２】
以上説明したように、本実施形態２の配線板の製造方法によれば、前記実施形態１の配線板の製造方法と同様に、接着剤を用いて各材料を接着する工程は、前記導体板３の表面に前記第１導体膜２０１を接着する工程のみである。そのため、例えば、従来のＬＧＡ型の半導体装置に用いられる配線板（両面配線板）の製造方法と比べて、製造工程の増加や、材料費の増加を防ぐことができる。また、本実施形態２の配線板の製造方法では、前記デバイスホール５を形成する工程を除けば、前記従来の両面配線板と同じ工程数で前記放熱板３も形成することができる。そのため、前記放熱板３が設けられた配線板を容易に製造することができる。
【００９３】
また、本実施形態２の配線板は、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度、前記導体板（放熱板）３の厚さを１００μｍにすることができるので、本実施形態２の配線板を用いたＬＧＡ型の半導体装置の厚さＴ４を１ｍｍ以下にすることができる。そのため、例えば、従来のＬＧＡ型の半導体装置に比べて、半導体装置の薄型化が容易になる。
【００９４】
また、本実施形態２の配線板では、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度としたが、これに限らず、前記絶縁性接着材料１の厚さは、１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記導体板（放熱板）３も、厚さが１００μｍのものに限らず、７５μｍから２５０μｍ程度のものを用いることができる。そのため、前記絶縁性接着材料１の厚さを１０μｍとし、前記導体板（放熱板）３の厚さを７５μｍとすれば、半導体装置の厚さＴ４をさらに薄くすることができる。
【００９５】
また、本実施形態２の配線板のように、前記配線２のうち、グラウンド電位（接地電位）などの等電位の配線と前記放熱板３をビア２Ａにより電気的に接続することにより、前記放熱板３をグラウンド層（面）にすることができる。そのため、前記配線板に、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を設けることができ、高周波信号（電流）を伝送するときのクロストークノイズ、伝送ロスや遅延を低減することができる。
【００９６】
なお、前記実施形態２の配線板の製造方法では、前記配線２を形成した後、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成したが、これに限らず、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成した後、前記配線２を形成してもよいことは言うまでもない。
【００９７】
また、前記絶縁性接着材料１として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、接着後の、前記導体膜及び前記絶縁性接着材料、ならびに前記導体板からなる積層体の厚さのばらつきを低減することができる。そのため、前記配線板のばらつきを低減することができ、前記半導体装置の厚さのばらつきを低減することができる。
【００９８】
以上、本発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００９９】
例えば、前記実施形態１及び前記実施形態２の配線板では、前記配線２と前記放熱板３、あるいは前記配線２と前記外部接続端子１３は、ビア２Ａ、すなわち、前記絶縁性接着材料（絶縁体）１に形成したブラインドビアホール１Ｂ内に充填された第２導体膜２０２により電気的に接続したが、これに限らず、めっきスルーホール（ｐｌａｔｅｄ ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｏｌｅ）により電気的に接続してもよい。
【０１００】
また、前記実施形態１及び前記実施形態２の配線板では、前記放熱板３をグラウンド層（面）として用いる例を示したが、例えば、高周波信号（電流）を扱わない場合などは、前記配線２と前記放熱板３を電気的に接続しなくてもよい。
【０１０１】
また、例えば、前記実施形態１及び前記実施形態２では、前記絶縁性接着材料１の第１主面に前記配線２を設け、前記絶縁性接着材料１の第２主面に前記放熱板３を設けた配線板、すなわち、配線層が２層の配線板（両面配線板）を例に挙げて説明したが、これに限らず、配線層が３層以上の多層配線板に、本発明を適用することもできる。前記多層配線板に適用する場合は、例えば、前記実施形態１で説明した手順に沿って前記配線２を形成した後、前記配線２が形成された面（第１主面）に、前記絶縁性接着材料１を用いて導体膜を接着し、前記導体膜を用いて新たな配線を形成すればよい。
【０１０２】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０１０３】
（１）放熱板を有する配線板の製造コストを低減することができる。
【０１０４】
（２）放熱板を有する配線板を用いた半導体装置の薄型化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、配線板の平面図である。
【図２】本実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】本実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図２の部分拡大断面図である。
【図４】本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図４（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図である。
【図５】本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図５（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は配線を形成する工程の断面図である。
【図６】本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、デバイスホールを形成する工程の断面図である。
【図７】本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体チップを実装する工程の断面図である。
【図８】本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体チップを封止して外部接続端子を形成する工程の断面図である。
【図９】本発明による実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、配線板の平面図である。
【図１０】本実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、図９のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図１１】本実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１０の部分拡大断面図である。
【図１２】本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１２（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図１２（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図である。
【図１３】本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図１３（ｂ）は配線を形成する工程の断面図である。
【図１４】本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は放熱板及び外部接続端子を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）はデバイスホールを形成する工程の断面図である。
【図１５】本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１６】従来のＴＢＧＡ型の半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁体（絶縁性接着材料）
１Ａ チップ実装領域の開口部
１Ｂ ブラインドビアホール
２ 配線
２Ａ ビア
２Ｂ 配線のインナーリード部
２Ｃ 配線の外部端子部
２０１ 第１導体膜
２０２ 第２導体膜
３ 導体板（放熱板）
３Ａ 放熱板の凹部の底面
３’ 導体板
４ 半導体チップを実装する領域
５ 凹部空間（デバイスホール）
６ 接合材
６Ａ 第１接合材
６Ｂ 第２接合材
７ 保護膜
８ 接着剤
９ 半導体チップ
９０１ 半導体チップの外部電極
１０ ボンディングワイヤ
１１ 絶縁樹脂（モールド樹脂）
１２ ボール状の外部接続端子
１３ 外部接続端子（ランド）
１４ 絶縁基板
１５ 絶縁性接着剤
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板の製造方法及び配線板、ならびに半導体装置に関し、特に、放熱用の導体板（以下、放熱板と称する）を有する配線板の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線板上に半導体チップが実装された半導体装置には、前記半導体チップで発生する熱を外部に放出するための放熱板が設けられた半導体装置がある。前記放熱板が設けられた半導体装置には、例えば、ＴＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる半導体装置がある。
【０００３】
前記ＴＢＧＡと呼ばれる半導体装置には、例えば、絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が設けられた配線板と、前記配線板に接着された放熱板と、前記配線板及び前記放熱板に設けられた凹部に収容された半導体チップとからなる半導体装置がある（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
前記非特許文献１に示されているＴＢＧＡ型の半導体装置では、例えば、図１６に示すように、前記絶縁基板１４の第１主面及びその裏面（以下、第２主面と称する）に配線２が設けられている。このとき、前記絶縁基板１４の第２主面側の配線２、言い換えると、放熱板３が接着された面側の配線２は、例えば、グラウンド電位にする配線が全面的に設けられている。以下、前記絶縁基板１４の第２主面側の配線をグラウンド面２Ｇと称する。このとき、前記絶縁基板１４の第１主面の配線２と前記グラウンド面２Ｇとは、例えば、前記絶縁基板１４に形成されたブラインドビアホールの内部に設けられた導体（ビア）２Ａ、あるいはめっきスルーホールにより電気的に接続されている。
【０００５】
前記非特許文献１に示されているＴＢＧＡ型の半導体装置を製造するときには、大きく分けて、前記半導体装置に用いる配線板を形成する配線板形成工程と、前記配線板形成工程で形成された配線板に半導体チップを実装する半導体チップ実装工程がある。
【０００６】
前記配線板形成工程は、まず、例えば、ポリイミドテープなどのテープ状の絶縁基板１４の第１主面及び第２主面に導体膜を形成した後、あらかじめ定められた位置に、前記絶縁基板１４の第１主面及び前記第２主面に設けられた各導体膜を電気的に接続するビア２Ａあるいはめっきスルーホールを形成する。次に、前記各導体膜の不要な部分を除去して前記配線２や前記グラウンド面２Ｇを形成し、前記絶縁基板１４の半導体チップを収容する領域に開口部を形成する。次に、前記配線２及び前記グラウンド面２Ｇの表面に、例えば、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜や、はんだめっきなどの接合材を形成する。その後、前記配線板の第２主面、言い換えると前記グラウンド面２Ｇが形成された面に、絶縁性接着剤１５を用いて放熱板３を接着する。このとき、前記放熱板３には、前記配線板の開口部と対応する凹部（座ぐり）３Ａを形成しておく。
【０００７】
また、前記半導体チップ実装工程では、まず、前記配線板の開口部（デバイスホール）５の内部に半導体チップ９を配置し、前記放熱板３の凹部３Ａの底面に前記半導体チップ９を接着する。次に、前記配線２のインナーリード部２Ｂと前記半導体チップ９の外部電極９０１とをボンディングワイヤ１０で電気的に接続し、前記半導体チップ９及び前記ボンディングワイヤ１０による接続部を絶縁樹脂（モールド樹脂）１１で封止する。その後、前記配線板の定められた位置に、ボール状の外部接続端子１２を形成する。
【０００８】
また、前記放熱板３を設けた半導体装置には、前記非特許文献１に示された形態の半導体装置の他に、例えば、銅又はアルミニウムを主成分とする金属板からなるメタルベース上に、有機系絶縁体からなる絶縁層を介して薄膜パターンが設けられた配線板を用いたＭＢＧＡ（Ｍｅｔａｌ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる半導体装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
【非特許文献１】
大高達也，杉本洋，大森智夫，鈴木幸雄、「画像処理および通信システムＬＳＩ搭載用ＴＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）」、日立電線、日立電線株式会社、２０００年１月、Ｎｏ１９、ｐ．７９−８４
【特許文献１】
特開平０８−３０６８２０号公報（第６項、第４図）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術のうち、前記非特許文献１に記載された形態の半導体装置に用いる配線板の製造工程には、前記絶縁基板の第１主面及び前記第２主面に導体膜を張り合わせる工程と、前記放熱板を張り合わせる工程がある。このとき、前記導体膜を張り合わせる工程や前記放熱板を張り合わせる工程では、一般に、フィルム状（シート状）の接着剤を用いるか、あるいは前記絶縁基板又は前記導体膜、前記放熱板などの表面に接着剤を塗布する工程が必要である。そのため、工程数が増えるとともに、材料費が増え、前記配線板の製造コストが上昇するという問題があった。
【００１１】
また、前記非特許文献１に記載されたＴＢＧＡ型の半導体装置では、一般に、前記配線板の厚さが７５μｍから１５０μｍ程度、前記放熱板３の厚さが３００μｍから８００μｍ程度である。また、前記配線板と前記放熱板３を接着する絶縁性接着剤１５の厚さは５０μｍから１００μｍ程度である。また、前記ボール状の外部接続端子１２は、例えば、直径が６５０μｍ程度のはんだボールを用いて形成される。そのため、前記半導体装置の厚さＴ６は１ｍｍ以上となり、半導体装置の薄型化が難しいという問題があった。
【００１２】
また、前記特許文献１に記載された形態（ＭＢＧＡ型）の半導体装置の場合、前記半導体チップを実装する面と、前記ボール状の外部接続端子を形成する面が異なるとともに、前記半導体チップを実装した面に、中空状のキャップをかぶせている。そのため、半導体装置の薄型化が難しいという問題があった。
【００１３】
本発明の目的は、放熱板を有する配線板の製造コストを低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、放熱板を有する配線板を用いた半導体装置の薄型化が可能な技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００１７】
（１）絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が形成され、前記絶縁体の一表面に、放熱用の導体板が形成された配線板の製造方法であって、前記導体板の一表面に、絶縁性接着材料を用いて導体膜を接着し、前記導体膜の不要な部分を除去して前記配線を形成した後、前記絶縁性接着材料のあらかじめ定められた領域を開口するとともに、前記導体板の、前記絶縁性接着材料との接着面側の、前記絶縁性接着材料の開口した領域と重なる領域に凹部を形成する配線板の製造方法である。
【００１８】
前記（１）の手段によれば、前記放熱用の導体板に前記絶縁性接着材料で接着した導体膜を用いて前記配線を形成することにより、従来の、例えば、前記非特許文献１に記載された配線板の製造方法に比べて、製造工程及び材料費を低減することができる。そのため、前記配線板の製造コストを低減することができる。
【００１９】
また、前記（１）の手段において、前記配線を形成する前に、あらかじめ定められた位置で、前記導体膜と前記導体板を電気的に接続してもよい。この場合、前記導体膜の不要な部分を除去して配線を形成したときに、前記配線のうち、例えば、グラウンド電位（接地電位）や電源電位などの、特定の電位の配線と前記放熱用の導体板が接続されるようにすれば、前記放熱用の導体板をグラウンド層（面）として用いることができ、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を有する配線板を容易に製造することができる。
【００２０】
また、前記（１）の手段を用いた場合、前記配線を形成する前、もしくは前記配線を形成した後、前記導体板の不要な部分を除去して、前記絶縁性接着材料の開口部を覆う放熱用の導体板と、前記導体板と電気的に分離された外部接続端子（ランド）を形成することもできる。このとき、前記外部接続端子は、前記放熱用の導体板と同じ厚さであり、前記配線の厚さに比べて十分に厚い。また、前記外部接続端子は、前記放熱用の導体板と同じ材料であるため、めっきなどで形成する端子（配線）に比べて、表面の平坦性が高い。そのため、前記配線板を用いて半導体装置を製造したときに、前記外部接続端子と他の配線板（実装基板）の配線（端子）との接続性を良くすることができる。
【００２１】
また、前記（１）の手段において、前記絶縁性接着材料には、例えば、イミド系樹脂のような高耐熱性接着剤を用いることが好ましい。このとき、前記高耐熱性接着剤は、例えば、前記導体膜の表面、あるいは前記導体板の表面に形成（塗布）しておき、熱プレスにより接着する。
【００２２】
また、前記絶縁性接着材料には、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いることもできる。前記接着フィルムの場合、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、接着後の、前記導体膜及び前記絶縁性接着材料、ならびに前記導体板からなる積層体の厚さのばらつきを低減することができる。
【００２３】
（２）絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられ、前記絶縁体の一表面に放熱用の導体板が設けられてなり、前記絶縁体は、あらかじめ定められた領域が開口しており、前記放熱用の導体板は、前記絶縁体の開口部を覆うように設けられ、且つ前記絶縁体との接着面側の、前記絶縁体の開口した領域と重なる領域に凹部が設けられた配線板であって、前記配線は、前記放熱性の導体板の一表面上に、絶縁性接着材料で接着されている配線板である。
【００２４】
前記（２）の手段によれば、前記配線が、前記放熱用の導体板の一表面上に接着されているので、従来の、絶縁基板の表面に配線を形成した後、接着剤を用いて前記絶縁基板に放熱板を接着した配線板に比べて、薄型化することができる。
【００２５】
また、前記（２）の手段において、前記放熱用の導体板を、あらかじめ定められた配線と電気的に接続することにより、例えば、前記放熱用の導体板をグラウンド層（面）とすることができ、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を持つ配線板にすることができる。そのため、高周波信号（電流）を伝送したときの信号の劣化や伝送ロス、遅延を少なくすることができる。
【００２６】
また、前記（２）の手段において、前記絶縁性接着材料の、前記放熱用の導体板が設けられた面に、前記放熱用の導体板と電気的に分離され、且つ前記配線と電気的に接続された外部接続端子（ランド）が設けてもよい。このとき、前記配線板を用いて製造した半導体装置はＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる形態にすることができる。
【００２７】
また、前記絶縁性接着材料として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、前記配線板の厚さのばらつきを低減することができる。
【００２８】
（３）絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられ、前記絶縁体の一表面に放熱用の導体板が設けられた配線板と、前記配線板上に設けられた半導体チップと、前記配線板の配線と前記半導体チップの外部電極とを電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、前記絶縁体は、あらかじめ定められた領域が開口しており、前記放熱用の導体板は、前記絶縁体の開口部を覆うように設けられ、且つ前記絶縁体との接着面側の、前記絶縁体の開口した領域と重なる領域に凹部が設けられており、前記半導体チップは、前記放熱用の導体板に設けられた前記凹部の底面に接着されている半導体装置であって、前記配線は、前記放熱用の導体板の一表面上に、絶縁性接着材料で接着されている半導体装置である。
【００２９】
前記（３）の手段によれば、前記配線が、前記放熱用の導体板の一表面に接着されているとともに、前記半導体チップが、前記放熱用の導体板の凹部の底面に接着されているので、従来の、例えば、前記非特許文献１や前記特許文献１に記載された半導体装置に比べて、薄型化することができる。
【００３０】
また、前記（３）の手段において、前記放熱用の導体板を、あらかじめ定められた配線と電気的に接続することにより、前記放熱用の導体板を、例えば、グラウンド層（面）にすることができる。そのため、高周波信号（電流）を伝送したときの信号の劣化や伝送ロス、遅延を少なくすることができる。
【００３１】
また、前記（３）の手段において、前記配線の一端に、ボール状の外部接続端子を設ければ、例えば、前記非特許文献１に記載されたＴＢＧＡと呼ばれる形態の半導体装置と同じ形態の半導体装置になる。このとき、前記配線板の厚さを、従来のＴＢＧＡ型の半導体装置に用いられている配線板の厚さに比べて薄くすることできるので、前記半導体装置を薄型化することができる。
【００３２】
また、前記配線の一端に、前記ボール状の外部接続端子を設けた場合、前記半導体チップを実装する面と、前記ボール状の外部接続端子を設ける面が同じであるため、例えば、前記特許文献１に記載されたＭＢＧＡ（Ｍｅｔａｌ ＢＧＡ）と呼ばれる形態の半導体装置に比べて薄型化することができる。
【００３３】
また、前記（３）の手段において、前記配線の一端に、前記ボール状の外部接続端子の代わりに、前記絶縁性接着材料の、前記放熱用の導体板が設けられた面に、前記放熱用の導体板と電気的に分離され、且つ前記配線と電気的に接続された外部接続端子（ランド）が設けられていてもよい。この場合、前記半導体装置はＬＧＡと呼ばれる形態になる。このとき、前記半導体チップを、前記放熱用の導体板の凹部に設けることにより、従来のＬＧＡ型の半導体装置に比べて薄型化することができる。
【００３４】
また、前記絶縁性接着材料として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、前記配線板の厚さのばらつきを低減することができ、前記半導体装置の厚さのばらつきを低減することができる。
【００３５】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３６】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１乃至図３は、本発明による実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１は半導体装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線での断面図、図３は図２の部分拡大図である。
【００３８】
図１乃至図３において、１は絶縁体（絶縁性接着材料）、２は配線、２Ａはビア、２Ｂは配線のインナーリード部、２Ｃは配線の外部端子部（ランド）、２０１は第１導体膜、２０２は第２導体膜、３は導体板（放熱板）、４は半導体チップを実装する領域（チップ実装領域）、５は凹部空間（デバイスホール）、６は接合材、７は保護膜である。
【００３９】
本実施形態１の配線板は、図１乃至図３に示すように、絶縁体１の第１主面に配線（導体パターン）２が設けられており、前記絶縁体１の第１主面の裏面（以下、第２主面と称する）には、導体板３が設けられている。このとき、前記絶縁体１には、例えば、イミド系樹脂などの高耐熱性接着剤を用いる。以下、前記絶縁体１のことを、絶縁性接着材料と称する。
【００４０】
また、本実施形態１の配線板は、半導体チップを実装して半導体装置を製造するときに用いる配線板であり、前記絶縁性接着材料１は、半導体チップが実装される領域４が開口している。以下、前記半導体チップが実装される領域４を、チップ実装領域と称する。
【００４１】
また、前記導体板３は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａをふさぐように設けられており、且つ前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部（座ぐり）３Ａが設けられている。このとき、前記半導体チップは、前記導体板３の凹部３Ａの底面に接着される。すなわち、本実施形態１の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａで構成される凹部空間５の内部に半導体チップを収容することになる。以下、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａで構成される凹部空間５をデバイスホールと称する。
【００４２】
またこのとき、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、図２に示したような、前記配線２の表面から前記放熱板３の凹部３Ａの底面までの距離Ｄ１が１００μｍ程度になる深さであるとする。
【００４３】
また、前記導体板３は、本実施形態１の配線板を用いて半導体装置を製造したときに、前記半導体チップから発生する熱を外部に放出しやすくするために設けている。そのため、以下、前記導体板３を放熱板と称する。
【００４４】
また、前記放熱板３は、図２に示したように、前記絶縁性接着材料１の第２主面側に、全面的に設けられており、前記配線２のうち、例えば、グラウンド電位（接地電位）や電源電位などの、特定の電位の配線と電気的に接続されているものとする。このとき、前記配線２は、例えば、図２に示したように、前記絶縁性接着材料１に設けられた開口部（ブラインドビアホール）１Ｂの内部で前記放熱板３と接続されている。以下、前記配線２の、前記ブラインドビアホール１Ｂの内部に設けられた部分をビア２Ａと称する。
【００４５】
またこのとき、前記配線２は、例えば、図３に示したように、第１導体膜２０１上に第２導体膜２０２が積層された状態になっており、前記絶縁体１のブラインドビアホール１Ｂ内には、前記第２導体膜２０２が埋め込まれた状態になっている。つまり、前記ビア２Ａは前記第２導体膜２０２でなる。
【００４６】
また、前記配線２は、例えば、半導体装置を製造したときに、半導体チップの外部電極と接続される部分（インナーリード部）２Ｂや、外部接続端子を形成する領域（外部端子部）２Ｃの表面に、金めっきなどの接合材６が設けられている。また、前記配線２の、前記接合材６が設けられた領域以外の領域の表面には、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜７が設けられている。
【００４７】
本実施形態１の配線板では、前記絶縁性接着材料１の厚さは１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記放熱板３には、例えば、厚さが７５μｍから２５０μｍの銅板を用いることができる。また、前記配線２は、前記第１導体膜２０１の厚さが１２μｍ程度であり、前記第２導体膜２０２の厚さが１５μｍ程度である。このとき、前記絶縁性接着材料１の厚さを２５μｍ、前記放熱板３の厚さを７５μｍとすれば、本実施形態１の配線板の厚さＴ１は、前記保護膜７の厚さを考慮しても、１４０μｍから１５０μｍとなる。
【００４８】
図４乃至図６は、本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図４（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図、図５（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は配線を形成する工程の断面図、図６はデバイスホールを形成する工程の断面図である。
【００４９】
以下、図４乃至図６に沿って、本実施形態１の配線板の製造方法について説明する。
【００５０】
まず、図４（ａ）に示すように、絶縁性接着材料（絶縁体）１の第１主面に第１導体膜２０１が張り合わされ、前記絶縁性接着材料１の第２主面に導体板３が張り合わされた積層体を形成する。このとき、前記絶縁性接着材料１には、例えば、イミド系樹脂のような耐熱性の高い樹脂系の絶縁性接着剤を用い、前記第１導体膜２０１の表面、あるいは前記導体膜３の表面に形成（塗布）しておき、熱プレスなどで接着する。またこのとき、前記絶縁性接着材料１は、接着後の厚さが、例えば、５０μｍ程度になるように形成する。
【００５１】
また、前記第１導体膜２０１には、例えば、厚さが１２μｍ程度の銅箔を用いる。また、前記導体板３には、例えば、厚さが１００μｍ程度の銅板を用いる。
【００５２】
また、前記絶縁性接着材料１には、例えば、フィルム状の絶縁体（絶縁フィルム）の両面に接着剤を形成した接着フィルムを用いることもできる。このとき、前記絶縁フィルムには、例えば、厚さが２５μｍ程度のポリイミド系樹脂などの耐熱性の高い絶縁樹脂フィルムを用い、前記接着剤には、例えば、イミド系樹脂を用いる。また、前記接着剤は、例えば、厚さが１２μｍ程度になるように形成する。
【００５３】
前記絶縁性接着材料１として、前記接着フィルムを用いた場合、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、熱プレスによる接着後の前記積層体の厚さのばらつきを低減することができる。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、前記積層体のあらかじめ定められた位置に、前記第１導体膜２０１側から、前記第１導体膜２０１及び前記絶縁性接着材料１を貫通して前記導体板３に達する開口部（ブラインドビアホール）１Ｂを形成する。前記ブラインドビアホール１Ｂは、例えば、炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成する。
【００５５】
次に、前記第１導体膜２０１の表面及び前記ブラインドビアホール１Ｂ内に第２導体膜２０２を形成し、図５（ａ）に示すように、前記絶縁性接着材料１の第１主面側の配線形成用の導体膜２’と前記絶縁性接着材料１の第２主面側の導体板３をビア２Ａで電気的に接続する。前記第２導体膜２０２は、例えば、電気銅めっきで形成する。このとき、前記第２導体膜２０２は、前記ブラインドビアホール１Ｂ内に選択的に形成されるようにし、前記ブラインドビアホール１Ｂの内部に前記導体膜２０２が充填されたときに、前記第１導体膜２０１上に形成される第２導体膜２０２の厚さが１５μｍ程度になるようにする。
【００５６】
次に、配線形成用の導体膜２’、すなわち、前記第１導体膜２０１及びその表面の第２導体膜２０２の不要な部分を除去し、図５（ｂ）に示すように、配線２を形成する。前記配線２は、一般に、ウェットエッチングにより形成するので、エッチングを行う際には、前記導体板３の表面にレジスト（エッチングレジスト）を形成してから行い、エッチング後に前記エッチングレジストを除去する。
【００５７】
次に、図６に示すように、半導体装置を製造するときに半導体チップを収容する凹部空間であるデバイスホール５を形成する。前記デバイスホール５は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４を開口するとともに、前記導体板３の、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部３Ａを形成する。このとき、前記絶縁性接着材料１の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａは、例えば、ルータを用いた座ぐり加工（ｓｐｏｔ ｆａｃｉｎｇ）により形成する。また、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、例えば、前記配線２の表面から前記凹部３Ａの底面までの距離が１００μｍ程度になるようにする。
【００５８】
その後、前記配線２の表面に、図２及び図３に示したように、接合材６及びはんだ保護膜などの保護膜７を形成すると、本実施形態１の配線板が得られる。前記接合材６及び前記保護膜７は、例えば、前記配線２のインナーリード部２Ａ及び前記外部端子部２Ｂにマスクをして前記保護膜７を形成した後、前記マスクを除去して、前記配線２の露出面に、金めっきなどの接合材６を形成する。
【００５９】
図７及び図８は、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図７は半導体チップを実装する工程の断面図、図８は半導体チップを封止して外部接続端子を形成する工程の断面図である。なお、図７及び図８の断面図は、図２と同じ断面で見たときの図である。
【００６０】
本実施形態１の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、図７に示したように、前記デバイスホール５の底面、すなわち、前記放熱板３の凹部３Ａの底面に、例えば、銀ペーストなどの接着剤８を用いて半導体チップ９を接着し、前記配線２のインナーリード部２Ｂと前記半導体チップ９の外部電極９０１をボンディングワイヤ１０で電気的に接続する。
【００６１】
次に、図８に示すように、前記半導体チップ９及び前記ボンディングワイヤ１０による接続部を絶縁樹脂（モールド樹脂）１１で封止し、前記配線２の外部端子部２Ｃにボール状の外部接続端子１２を形成する。
【００６２】
本実施形態１の配線板では、前記絶縁性接着材料（絶縁体）１の厚さを５０μｍ程度、前記放熱板３の厚さを１００μｍとしているので、前記配線板の厚さは１８０μｍから１９０μｍ程度になる。また、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置では、前記半導体チップ９を実装する面と、前記外部接続端子１２を形成する面が同じ面であるため、前記配線板に実装した半導体チップ９を封止する絶縁樹脂１１が、前記配線板から突出（隆起）していても、その高さは無視できる。すなわち、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の厚さＴ２は、前記配線板の厚さＴ１と前記ボール状の外部接続端子１２の高さ（直径）で決まる。そのため、前記ボール状の外部接続端子１２を形成するときに、例えば、直径が６５０μｍ程度のはんだボールを用いたとすると、本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の厚さＴ２は、８２０μｍから８３０μｍ程度にすることができる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態１の配線板の製造方法によれば、導体板（放熱板）３の表面に、絶縁性接着材料１で第１導体膜２０１を接着した積層体を用いるので、接着剤を用いて各材料を接着する工程は、前記導体板３の表面に前記第１導体膜２０１を接着する工程のみである。すなわち、本実施形態１の配線板の製造方法を用いることにより、例えば、従来の前記非特許文献１に記載された半導体装置に用いる配線板の製造方法と比べて、製造工程を減らすとともに、材料費を少なくすることができる。そのため、配線板の製造コストを低減することができる。
【００６４】
また、前記絶縁性接着材料１を用いて接着する導体の厚さを変えて、厚いほうの導体、すなわち、前記導体板３を放熱板として用いることにより、放熱板を有する配線板を容易に製造することができる。
【００６５】
また、本実施形態１の配線板は、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度、前記導体板（放熱板）３の厚さを１００μｍにすることができるので、本実施形態１の配線板を用いたＢＧＡ型の半導体装置の厚さＴ２を１ｍｍ以下にすることができる。そのため、例えば、従来の前記非特許文献１や前記特許文献１に記載された半導体装置に比べて、半導体装置の薄型化が容易になる。
【００６６】
また、本実施形態１の配線板では、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度としたが、これに限らず、前記絶縁性接着材料１の厚さは、１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記導体板（放熱板）３も、厚さが１００μｍのものに限らず、７５μｍから２５０μｍ程度のものを用いることができる。そのため、前記絶縁性接着材料１の厚さを２５μｍとし、前記導体板（放熱板）３の厚さを７５μｍとすれば、半導体装置の厚さＴ２をさらに薄くすることができる。
【００６７】
また、本実施形態１の配線板のように、前記配線２のうち、グラウンド電位（接地電位）などの等電位の配線と前記放熱板３を前記ビア２Ａで電気的に接続することにより、前記放熱板３をグラウンド層（面）にすることができる。そのため、前記配線板に、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を設けることができ、高周波信号（電流）を伝送するときのクロストークノイズ、伝送ロスや遅延を低減することができる。
【００６８】
また、前記絶縁性接着材料１として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、接着後の、前記導体膜及び前記絶縁性接着材料、ならびに前記導体板からなる積層体の厚さのばらつきを低減することができる。そのため、前記配線板のばらつきを低減することができ、前記半導体装置の厚さのばらつきを低減することができる。
【００６９】
（実施形態２）
図９乃至図１１は、本発明による実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、図９は配線板の平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ’線での断面図、図１１は図１０の部分拡大断面図である。
【００７０】
図９乃至図１１において、１は絶縁体（絶縁性接着材料）、２は配線、２Ａはビア、２Ｂは配線のインナーリード部、２０１は第１導体膜、２０２は第２導体膜、３は導体板（放熱板）、６Ａは第１接合材、６Ｂは第２接合材、１３は外部接続端子（ランド）である。
【００７１】
本実施形態２の配線板は、図９乃至図１１に示すように、絶縁体１の第１主面に配線（導体パターン）２が設けられており、前記絶縁体１の第１主面の裏面（以下、第２主面と称する）には、導体板３が設けられている。このとき、前記絶縁体１には、例えば、イミド系樹脂などの高耐熱性接着剤を用いる。以下、前記絶縁体１のことを、絶縁性接着材料と称する。
【００７２】
また、本実施形態２の配線板は、半導体チップを実装して半導体装置を製造するときに用いる配線板であり、前記絶縁性接着材料１は、半導体チップが実装される領域（チップ実装領域）４が開口している。
【００７３】
また、前記導体板３は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａを覆うように設けられており、且つ前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部（座ぐり）３Ａが設けられている。このとき、前記半導体チップは、前記導体板３の凹部３Ａの底面に接着される。すなわち、本実施例２の配線板を用いて半導体装置を製造するときには、前記絶縁性接着材料１の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａで構成される凹部空間（デバイスホール）５の内部に半導体チップを収容することになる。
【００７４】
またこのとき、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、前記配線２の表面から前記放熱板３の凹部３Ａの底面までの距離Ｄ２が１００μｍ程度になる深さであるとする。
【００７５】
また、前記導体板３は、本実施形態２の配線板を用いて半導体装置を製造したときに、前記半導体チップから発生する熱を外部に放出しやすくするために設けている。そのため、以下、前記導体板３を放熱板と称する。
【００７６】
また、本実施形態２の配線板では、前記絶縁性接着材料１の第２主面の、前記放熱板３の外側の領域に、前記放熱板３とは電気的に分離しており、且つ前記配線２と電気的に接続された外部接続端子（ランド）１３が設けられている。また、前記放熱板３は、図１０に示したように、前記配線２のうち、例えば、グラウンド電位（接地電位）や電源電位などの、特定の電位の配線と電気的に接続されているものとする。このとき、前記配線２と前記ランド１３、及び前記配線２と前記放熱板３は、前記絶縁性接着材料１の開口部（ブラインドビアホール）１Ｂの内部に設けられた導体（ビア）２Ａにより電気的に接続されている。
【００７７】
またこのとき、前記配線２は、例えば、図１１に示したように、第１導体膜２０１上に第２導体膜２０２が積層された状態になっており、前記絶縁性接着材料１のブラインドビアホール１Ｂ内には、前記第２導体膜２０２が埋め込まれた状態になっている。つまり、前記ビア２Ａは前記第２導体膜２０２でなる。
【００７８】
また、前記配線２は、例えば、半導体装置を製造したときに、半導体チップの外部電極と接続される領域（インナーリード部）２Ｂの表面に、金めっきなどの第１接合材６Ａが設けられている。また、前記配線２の、前記第１接合材６Ａが設けられた領域以外の領域の表面には、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜７が設けられている。また、前記外部接続端子１３及び前記放熱板３の表面には、例えば、金めっき、錫鉛合金めっき、錫銀合金めっきなどの第２接合材６Ｂが設けられている。
【００７９】
また、本実施形態２の配線板でも、前記絶縁性接着材料１の厚さは１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３には、例えば、厚さが７５μｍから２５０μｍの銅板を用いることができる。また、前記配線２は、前記第１導体膜２０１の厚さが１２μｍ程度であり、前記第２導体膜２０２の厚さが１５μｍ程度である。このとき、前記絶縁性接着材料１の厚さを２５μｍ、前記放熱板３の厚さを７５μｍとすれば、本実施形態２の配線板の厚さＴ３は、前記保護膜７や前記第２接合材６Ｂの厚さを考慮しても、１４０μｍから１５０μｍとなる。
【００８０】
図１２乃至図１４は、本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１２（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図１２（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図、図１３（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図１３（ｂ）は配線を形成する工程の断面図、図１４（ａ）は放熱板及び外部接続端子を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）はデバイスホールを形成する工程の断面図である。
【００８１】
以下、図１２乃至図１４に沿って、本実施形態２の配線板の製造方法について説明する。なお、前記実施形態１で説明した手順と同じ部分については、詳細な説明を省略する。
【００８２】
本実施形態２の配線板を製造するときには、まず、図１２（ａ）に示すように、導体板３’の一表面に、絶縁性接着材料１を用いて銅箔などの第１導体膜２０１を接着した積層板を形成する。前記積層板は、前記実施形態１で説明したような方法で形成する。
【００８３】
次に、図１２（ｂ）に示すように、前記第１導体膜２０１及び前記絶縁性接着材料１を貫通して前記導体板３’に達する開口部（ブラインドビアホール）１Ｂを形成する。その後、例えば、電気銅めっきにより、前記ブラインドビアホール１Ｂの内部及び前記第１導体膜２０１の表面に第２導体膜２０２を形成して、図１３（ａ）に示すように、配線形成用の導体膜２’及び前記配線形成用の導体膜２’と前記導体板３を電気的に接続する導体（ビア）２Ａを形成する。
【００８４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、前記配線形成用の導体膜２’、すなわち前記第１導体膜２０１とその表面の第２導体膜２０２の不要な部分を除去して配線２を形成する。前記配線２は、一般に、ウェットエッチングにより形成するので、前記エッチングを行う前に、前記導体板３’の表面に溶解を防ぐレジスト（エッチングレジスト）を形成し、エッチング後に前記エッチングレジストを除去する。
【００８５】
次に、図１４（ａ）に示すように、前記導体板３’の不要な部分を除去して、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成する。前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成するときも、ウェットエッチングで行うのが一般的であるため、エッチングを行う前に、前記配線２上にレジスト（エッチングレジスト）を形成し、エッチング後に前記エッチングレジストを除去する。
【００８６】
次に、図１４（ｂ）に示すように、半導体装置を製造するときに半導体チップを収容する凹部空間であるデバイスホール５を形成する。前記デバイスホール５は、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４を開口するとともに、前記放熱板３の、前記絶縁性接着材料１のチップ実装領域４の開口部１Ａと重なる領域に凹部３Ａを形成する。このとき、前記絶縁性接着材料１の開口部１Ａ及び前記導体板３の凹部３Ａは、例えば、ルータを用いた座ぐり加工（ｓｐｏｔ ｆａｃｉｎｇ）により形成する。また、前記導体板３の凹部３Ａの深さは、例えば、前記配線２の表面から前記凹部３Ａの底面までの距離が１００μｍ程度になるようにする。
【００８７】
その後、図１０及び図１１に示したように、前記配線２の表面に第１接合材６Ａ及びはんだ保護膜などの保護膜７を形成し、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３の表面に、第２接合材６Ｂを形成すると、本実施形態２の配線板が得られる。このとき、前記第１接合材４Ａと前記第２接合材４Ｂは、同種の材料を用いて形成してもよいし、異なる種類の材料を用いて形成してもよい。
【００８８】
図１５は、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式図である。
【００８９】
本実施形態２の配線板を用いて半導体装置を製造するときも、図１５に示すように、前記デバイスホール５の底面、すなわち、前記放熱板３の凹部３Ａの底面に、銀ペーストなどの接着剤８を用いて半導体チップ９を接着し、前記配線２のインナーリード部２Ｂと前記半導体チップ９の外部電極９０１をボンディングワイヤ１０で電気的に接続する。その後、前記半導体チップ９及び前記ボンディングワイヤ１０による接続部を絶縁樹脂（モールド樹脂）１１で封止する。
【００９０】
また、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置は、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる形態の半導体装置であり、実装基板などに実装するときには、前記外部接続端子１３を、前記実装基板の配線（端子）と直接接続することができる。このとき、前記外部接続端子１３は、前記放熱板３と同じ材料、すなわち、導体板を用いているため、表面の平坦性が高い。そのため、従来のＬＧＡ型の半導体装置に比べて、前記半導体装置を実装するときの実装性が向上する。
【００９１】
また、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の場合、前記半導体チップ９を実装する面の裏面に、前記外部接続端子１３が設けられている。そのため、本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の厚さＴ４は、図１５に示したように、前記配線板の厚さＴ３と、前記半導体チップ９が実装された領域の前記絶縁樹脂（モールド樹脂）１１の突出分（隆起分）の高さＴ５の和となる。このとき、前記絶縁性接着材料１の厚さが５０μｍ程度、前記放熱板３の厚さが１００μｍだとすると、前記配線板の厚さＴ３は、１８０μｍから１９０μｍ程度である。またこのとき、前記デバイスホール５の深さは１００μｍ程度であるので、厚さが１００μｍ程度の半導体チップ９を実装した場合、前記半導体チップ９は、ほぼ全体が前記デバイスホール５の内部に収容される。そのため、前記樹脂材料１１の、前記配線板から突出（隆起）した部分の高さＴ５は１００μｍから１２０μｍ程度にすることができ、半導体装置の厚さＴ４を３００μｍ程度にすることができる。
【００９２】
以上説明したように、本実施形態２の配線板の製造方法によれば、前記実施形態１の配線板の製造方法と同様に、接着剤を用いて各材料を接着する工程は、前記導体板３の表面に前記第１導体膜２０１を接着する工程のみである。そのため、例えば、従来のＬＧＡ型の半導体装置に用いられる配線板（両面配線板）の製造方法と比べて、製造工程の増加や、材料費の増加を防ぐことができる。また、本実施形態２の配線板の製造方法では、前記デバイスホール５を形成する工程を除けば、前記従来の両面配線板と同じ工程数で前記放熱板３も形成することができる。そのため、前記放熱板３が設けられた配線板を容易に製造することができる。
【００９３】
また、本実施形態２の配線板は、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度、前記導体板（放熱板）３の厚さを１００μｍにすることができるので、本実施形態２の配線板を用いたＬＧＡ型の半導体装置の厚さＴ４を１ｍｍ以下にすることができる。そのため、例えば、従来のＬＧＡ型の半導体装置に比べて、半導体装置の薄型化が容易になる。
【００９４】
また、本実施形態２の配線板では、前記絶縁性接着材料１の厚さを５０μｍ程度としたが、これに限らず、前記絶縁性接着材料１の厚さは、１０μｍから７５μｍ程度にすることができる。また、前記導体板（放熱板）３も、厚さが１００μｍのものに限らず、７５μｍから２５０μｍ程度のものを用いることができる。そのため、前記絶縁性接着材料１の厚さを１０μｍとし、前記導体板（放熱板）３の厚さを７５μｍとすれば、半導体装置の厚さＴ４をさらに薄くすることができる。
【００９５】
また、本実施形態２の配線板のように、前記配線２のうち、グラウンド電位（接地電位）などの等電位の配線と前記放熱板３をビア２Ａにより電気的に接続することにより、前記放熱板３をグラウンド層（面）にすることができる。そのため、前記配線板に、マイクロストリップと呼ばれる形態の伝送路を設けることができ、高周波信号（電流）を伝送するときのクロストークノイズ、伝送ロスや遅延を低減することができる。
【００９６】
なお、前記実施形態２の配線板の製造方法では、前記配線２を形成した後、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成したが、これに限らず、前記放熱板３及び前記外部接続端子１３を形成した後、前記配線２を形成してもよいことは言うまでもない。
【００９７】
また、前記絶縁性接着材料１として、フィルム状の絶縁板の両面に絶縁性の接着剤が形成された３層構造の接着フィルムを用いると、中央の前記フィルム状の絶縁板がコア（芯）の役割をするため、接着後の、前記導体膜及び前記絶縁性接着材料、ならびに前記導体板からなる積層体の厚さのばらつきを低減することができる。そのため、前記配線板のばらつきを低減することができ、前記半導体装置の厚さのばらつきを低減することができる。
【００９８】
以上、本発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００９９】
例えば、前記実施形態１及び前記実施形態２の配線板では、前記配線２と前記放熱板３、あるいは前記配線２と前記外部接続端子１３は、ビア２Ａ、すなわち、前記絶縁性接着材料（絶縁体）１に形成したブラインドビアホール１Ｂ内に充填された第２導体膜２０２により電気的に接続したが、これに限らず、めっきスルーホール（ｐｌａｔｅｄ ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｏｌｅ）により電気的に接続してもよい。
【０１００】
また、前記実施形態１及び前記実施形態２の配線板では、前記放熱板３をグラウンド層（面）として用いる例を示したが、例えば、高周波信号（電流）を扱わない場合などは、前記配線２と前記放熱板３を電気的に接続しなくてもよい。
【０１０１】
また、例えば、前記実施形態１及び前記実施形態２では、前記絶縁性接着材料１の第１主面に前記配線２を設け、前記絶縁性接着材料１の第２主面に前記放熱板３を設けた配線板、すなわち、配線層が２層の配線板（両面配線板）を例に挙げて説明したが、これに限らず、配線層が３層以上の多層配線板に、本発明を適用することもできる。前記多層配線板に適用する場合は、例えば、前記実施形態１で説明した手順に沿って前記配線２を形成した後、前記配線２が形成された面（第１主面）に、前記絶縁性接着材料１を用いて導体膜を接着し、前記導体膜を用いて新たな配線を形成すればよい。
【０１０２】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０１０３】
（１）放熱板を有する配線板の製造コストを低減することができる。
【０１０４】
（２）放熱板を有する配線板を用いた半導体装置の薄型化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、配線板の平面図である。
【図２】本実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】本実施形態１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図２の部分拡大断面図である。
【図４】本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図４（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図である。
【図５】本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図５（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は配線を形成する工程の断面図である。
【図６】本実施形態１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、デバイスホールを形成する工程の断面図である。
【図７】本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体チップを実装する工程の断面図である。
【図８】本実施形態１の配線板を用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体チップを封止して外部接続端子を形成する工程の断面図である。
【図９】本発明による実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、配線板の平面図である。
【図１０】本実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、図９のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図１１】本実施形態２の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１０の部分拡大断面図である。
【図１２】本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１２（ａ）は積層体を形成する工程の断面図、図１２（ｂ）はブラインドビアホールを形成する工程の断面図である。
【図１３】本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）は第２導体膜（ビア）を形成する工程の断面図、図１３（ｂ）は配線を形成する工程の断面図である。
【図１４】本実施形態２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は放熱板及び外部接続端子を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）はデバイスホールを形成する工程の断面図である。
【図１５】本実施形態２の配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１６】従来のＴＢＧＡ型の半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁体（絶縁性接着材料）
１Ａ チップ実装領域の開口部
１Ｂ ブラインドビアホール
２ 配線
２Ａ ビア
２Ｂ 配線のインナーリード部
２Ｃ 配線の外部端子部
２０１ 第１導体膜
２０２ 第２導体膜
３ 導体板（放熱板）
３Ａ 放熱板の凹部の底面
３’ 導体板
４ 半導体チップを実装する領域
５ 凹部空間（デバイスホール）
６ 接合材
６Ａ 第１接合材
６Ｂ 第２接合材
７ 保護膜
８ 接着剤
９ 半導体チップ
９０１ 半導体チップの外部電極
１０ ボンディングワイヤ
１１ 絶縁樹脂（モールド樹脂）
１２ ボール状の外部接続端子
１３ 外部接続端子（ランド）
１４ 絶縁基板
１５ 絶縁性接着剤
Claims (13)
- 絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が形成され、前記絶縁体の一表面に、放熱用の導体板が形成された配線板の製造方法であって、
前記導体板の一表面に、絶縁性接着材料を用いて導体膜を接着し、
前記導体膜の不要な部分を除去して前記配線を形成した後、
前記絶縁性接着材料のあらかじめ定められた領域を開口するとともに、前記導体板の、前記絶縁性接着材料との接着面側の、前記絶縁性接着材料の開口した領域と重なる領域に凹部を形成することを特徴とする配線板の製造方法。 - 前記配線を形成する前に、
あらかじめ定められた位置で、前記導体膜と前記放熱用の導体板を電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の配線板の製造方法。 - 前記配線を形成する前、もしくは前記配線を形成した後、
前記導体板の不要な部分を除去して、前記絶縁性接着材料の開口部を覆う放熱用の導体板と、前記放熱用の導体板と電気的に分離された外部接続端子（ランド）を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線板の製造方法。 - 前記絶縁性接着材料として、フィルム状の絶縁体の両面に絶縁性の接着剤が形成された接着フィルムを用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
- 絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられ、前記絶縁体の一表面に放熱用の導体板が設けられてなり、前記絶縁体は、あらかじめ定められた領域が開口しており、前記放熱用の導体板は、前記絶縁体の開口部を覆うように設けられ、且つ前記絶縁体との接着面側の、前記絶縁体の開口した領域と重なる領域に凹部が設けられた配線板であって、
前記配線は、前記放熱用の導体板の一表面上に、絶縁性接着材料で接着されていることを特徴とする配線板。 - 前記放熱用の導体板は、あらかじめ定められた配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の配線板。
- 前記絶縁性接着材料の、前記放熱用の導体板が設けられた面に、前記放熱用の導体板と電気的に分離され、且つ前記配線と電気的に接続された外部接続端子（ランド）が設けられていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の配線板。
- 前記絶縁性接着材料は、フィルム状の絶縁体の両面に絶縁性の接着剤が設けられた接着フィルムでなることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の配線板。
- 絶縁体の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられ、前記絶縁体の一表面に放熱用の導体板が設けられた配線板と、前記配線板上に設けられた半導体チップと、前記配線板の配線と前記半導体チップの外部電極とを電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、前記絶縁体は、あらかじめ定められた領域が開口しており、前記放熱用の導体板は、前記絶縁体の開口部を覆うように設けられ、且つ前記絶縁体との接着面側の、前記絶縁体の開口した領域と重なる領域に凹部が設けられており、前記半導体チップは、前記放熱用の導体板に設けられた前記凹部の底面に接着されている半導体装置であって、
前記配線は、前記放熱用の導体板の一表面上に、絶縁性接着材料で接着されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記放熱用の導体板は、あらかじめ定められた配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
- 前記配線の一端に、ボール状の外部接続端子が設けられていることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置。
- 前記絶縁性接着材料の、前記放熱用の導体板が設けられた面に、前記放熱用の導体板と電気的に分離され、且つ前記配線と電気的に接続された外部接続端子（ランド）が設けられていることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置。
- 前記絶縁性接着材料は、フィルム状の絶縁体の両面に絶縁性の接着剤が設けられた接着フィルムでなることを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
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