JP2005051012A - 高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】導体パターン形成用基材と放熱板間に後付けの接着材を用いなく、安価で、接合精度よく、小型で、薄い高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面側の導体配線パターン20を形成するための第1のCu箔11に接着用樹脂12が接合されて形成され、平面視して実質的中央部に半導体素子を搭載させるためのキャビティ部16用の切り欠き部17が穿設されて有するCu箔付き樹脂フィルム13と、半導体素子からの発熱を放熱するため、及び下面側の導体配線パターン20aを形成するための、厚さが第1のCu箔11と実質的に同等、又は厚い第2のCu箔14が接着用樹脂12で直接接合されて接合体15が形成され、しかも、上、下面間の電気的導通のためのビア19が形成された上、下面に導体配線パターン20、20aを有する。
【選択図】図1
【解決手段】上面側の導体配線パターン20を形成するための第1のCu箔11に接着用樹脂12が接合されて形成され、平面視して実質的中央部に半導体素子を搭載させるためのキャビティ部16用の切り欠き部17が穿設されて有するCu箔付き樹脂フィルム13と、半導体素子からの発熱を放熱するため、及び下面側の導体配線パターン20aを形成するための、厚さが第1のCu箔11と実質的に同等、又は厚い第2のCu箔14が接着用樹脂12で直接接合されて接合体15が形成され、しかも、上、下面間の電気的導通のためのビア19が形成された上、下面に導体配線パターン20、20aを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子搭載用の高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法に関し、より詳細には、半導体素子を搭載するためのキャビティ部の底面が高放熱基材からなる高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法に関する。
近年、半導体素子を搭載するためのプラスチックパッケージは、半導体素子の高性能化、小型化にともない、半導体素子からの発熱量の増大、外部と接続するための端子の多端子化、半導体素子の実装性、低コスト化、低インピーダンス化等の観点から、高放熱構造を有するBGA(Ball Grid Array)タイプ等の高放熱型プラスチックパッケージが多く用いられている。この高放熱型プラスチックパッケージには、片面又は両面にCu箔を接合するBT樹脂(ビスマイレイミドトリアジンを主成分にした樹脂)やポリイミド樹脂等からなる1層又は多層の高耐熱性の樹脂基板に、高熱伝導率を有するCu板からなる放熱板をプリプレグ等を介して接合したものである(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
また、放熱性が良好なBGA型のパッケージには、良好な放熱性を有する補強板に導体配線パターンが形成されたTAB(Tape Automated Bonding)テープを熱硬化性接着材で接合するパッケージが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
また、放熱性が良好なBGA型のパッケージには、良好な放熱性を有する補強板に導体配線パターンが形成されたTAB(Tape Automated Bonding)テープを熱硬化性接着材で接合するパッケージが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
図4(A)〜(D)を参照して、従来の高放熱型プラスチックパッケージ50の製造方法を説明する。図4(A)に示すように、両面に厚さ10〜20μmm程度のCu箔52が接合されているガラスクロスを含有する厚さ0.1〜0.2mm程度の樹脂基板51には、表、裏面の導通を取るためにスルーホール53用の貫通孔54を穿設し、表、裏面及び貫通孔54の壁面に無電解Cuめっき被膜を設け、更に、この無電解Cuめっき被膜に通電して電解Cuめっき被膜を設けてCuめっき被膜55を形成している。次に、図4(B)に示すように、このCuめっき被膜55上にドライフィルムを貼着し、パターンマスクを当接して露光、現像するフォトリソグラフィ法でエッチングレジストパターンを形成し、エッチングレジストパターンの開口部から露出するCuめっき被膜55及びCu箔52をエッチングで除去し、ドライフィルムを剥離除去して導体配線パターン56を形成している。次に、図4(C)に示すように、導体配線パターン56が形成された樹脂基板51に半導体素子を搭載するためのキャビティ部を形成するために、ルーター加工機を用いて平面視して実質的に矩形状からなる切り欠き部57を形成する。次に、図4(D)に示すように、樹脂基板51と、放熱性を確保するために0.2mm以上の厚みを有する比較的厚いCu板等からなる放熱板58を厚さ0.05〜0.1mm程度のプリプレグ等の接着材59を介して加熱圧着して接合し、高放熱型プラスチックパッケージ50を作製している。なお、樹脂基板51の上面側には、通常、必要な部分の導体配線パターン56が開口部から露出するソルダーレジスト膜60が形成されている。
特開平7−321250号公報
特開平10−308467号公報
特開2001−68512号公報
しかしながら、前述したような従来の高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法には、次のような問題がある。
(1)従来の高放熱型プラスチックパッケージは、導体配線パターン形成用基材に両面にCu箔が接合されているガラスクロスを含有する樹脂基板と、0.2mm以上の厚みを有する比較的厚いCu板等からなる放熱板を用い、導体配線パターン形成用基材と放熱板の接合に、後付けされる接着材が用いられて接合されているので、接合された後の全体の厚さが厚くなり、軽薄短小化が求められている、例えば、携帯電話やパソコン等の電子機器への利用の妨げとなっている。
(2)従来の高放熱型プラスチックパッケージは、通常、パッケージの一方の面側に放熱板が形成され、他方の面側に半導体素子を搭載して半導体素子との電気的導通のための導体配線パターンや、外部接続端子との接続のための導体配線パターン等が形成される片面のみの導体配線パターンの引き回しとなるので、パッケージの外形系寸法が大きくなり、高放熱型プラスチックパッケージの小型化の妨げとなっている。
(3)導体配線パターン形成用基材と、Cu板等からなる放熱板の接合に後付の接着材が用いられる場合には、樹脂基板、又は放熱板に接着材を精度よく塗布したり、あるいは接着シートを精度よく貼着したりする必要があるが、この塗布や貼着あるいは位置合わせにするのに、時間、工数、材料費、及び装置を必要とし、高放熱型プラスチックパッケージのコストアップとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、導体配線パターン形成用基材と放熱板の間に後付けの接着材を用いることなく、安価で、接合精度がよく、小型で、厚さの薄い高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
(1)従来の高放熱型プラスチックパッケージは、導体配線パターン形成用基材に両面にCu箔が接合されているガラスクロスを含有する樹脂基板と、0.2mm以上の厚みを有する比較的厚いCu板等からなる放熱板を用い、導体配線パターン形成用基材と放熱板の接合に、後付けされる接着材が用いられて接合されているので、接合された後の全体の厚さが厚くなり、軽薄短小化が求められている、例えば、携帯電話やパソコン等の電子機器への利用の妨げとなっている。
(2)従来の高放熱型プラスチックパッケージは、通常、パッケージの一方の面側に放熱板が形成され、他方の面側に半導体素子を搭載して半導体素子との電気的導通のための導体配線パターンや、外部接続端子との接続のための導体配線パターン等が形成される片面のみの導体配線パターンの引き回しとなるので、パッケージの外形系寸法が大きくなり、高放熱型プラスチックパッケージの小型化の妨げとなっている。
(3)導体配線パターン形成用基材と、Cu板等からなる放熱板の接合に後付の接着材が用いられる場合には、樹脂基板、又は放熱板に接着材を精度よく塗布したり、あるいは接着シートを精度よく貼着したりする必要があるが、この塗布や貼着あるいは位置合わせにするのに、時間、工数、材料費、及び装置を必要とし、高放熱型プラスチックパッケージのコストアップとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、導体配線パターン形成用基材と放熱板の間に後付けの接着材を用いることなく、安価で、接合精度がよく、小型で、厚さの薄い高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記目的に沿う本発明に係る高放熱型プラスチックパッケージは、上面側の導体配線パターンを形成するための第1のCu箔に接着用樹脂が接合されて形成され、平面視して実質的中央部に半導体素子を搭載させるためのキャビティ部用の切り欠き部が穿設されて有するCu箔付き樹脂フィルムと、半導体素子からの発熱を放熱するため、及び下面側の導体配線パターンを形成するための、厚さが第1のCu箔と実質的に同等、又は厚い第2のCu箔が接着用樹脂で直接接合されて接合体が形成され、しかも、上、下面間の電気的導通のためのビアが形成された接合体の上、下面に導体配線パターンを有する。
ここで、高放熱型プラスチックパッケージにおいては、接合体にCuめっきが施され、Cu箔の厚さにCuめっき被膜の厚さを加えたCu厚さが第2のCu箔のキャビティ部で最大となるのがよい。
ここで、高放熱型プラスチックパッケージにおいては、接合体にCuめっきが施され、Cu箔の厚さにCuめっき被膜の厚さを加えたCu厚さが第2のCu箔のキャビティ部で最大となるのがよい。
前記目的に沿う本発明に係る高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、第1のCu箔に接着用樹脂を接合して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、Cu箔の厚さが第1のCu箔の厚さより厚い第2のCu箔を接合する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、Cu箔付き樹脂フィルムに半導体素子を搭載するためのキャビティ部用の切り欠き部を穿孔して形成する工程と、Cu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂部分と、第2のCu箔を直接当接し加熱しながら圧着して貼り合わせて接合体を形成する工程と、接合体に上、下面間の電気的導通のためのビア用貫通孔を穿設した後、露出する外表面にCuめっきを施す工程と、第1のCu箔及びCuめっきと、第2のCu箔及びCuめっきのそれぞれにフォトリソグラフィ法とエッチングでそれぞれ導体配線パターンを形成する工程を有する。
ここで、高放熱型プラスチックパッケージの製造方法においては、第2のCu箔には厚さが30μmm以上有するものを用いるのがよい。
ここで、高放熱型プラスチックパッケージの製造方法においては、第2のCu箔には厚さが30μmm以上有するものを用いるのがよい。
前記目的に沿う本発明に係る高放熱型プラスチックパッケージの他の製造方法は、第1のCu箔に接着用樹脂を接合して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、Cu箔の厚さが第1のCu箔の厚さと実質的に同等の第2のCu箔を接合する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、Cu箔付き樹脂フィルムに半導体素子を搭載するためのキャビティ部用の切り欠き部を穿孔して形成する工程と、Cu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂部分と、予め第2のCu箔に剥離可能な接着剤を介して補強用Cu箔を貼り合わせた補強用Cu箔付きの第2のCu箔の第2のCu箔側を直接当接し、加熱しながら圧着して貼り合わせた後、補強用Cu箔を剥離除去してCu箔付き樹脂フィルムと第2のCu箔からなる接合体を形成する工程と、接合体に上、下面間の電気的導通のためのビア用貫通孔を穿設した後、露出する外表面にCuめっきを施す工程と、第1のCu箔及びCuめっきと、第2のCu箔及びCuめっきのそれぞれにフォトリソグラフィ法とエッチングでそれぞれ導体配線パターンを形成する工程を有する。
ここで、高放熱型プラスチックパッケージの他の製造方法においては、補強用Cu箔には厚さが20μmm以上有するものを用いるのがよい。
ここで、高放熱型プラスチックパッケージの他の製造方法においては、補強用Cu箔には厚さが20μmm以上有するものを用いるのがよい。
請求項1及びこれに従属する請求項2記載の高放熱型プラスチックパッケージは、Cu箔付き樹脂フィルムと、厚さが第1のCu箔と実質的に同等、又は厚い第2のCu箔が接着用樹脂で直接接合されて接合体が形成され、しかも、上、下面間の電気的導通のためのビアが形成された接合体の上、下面に導体配線パターンを有するので、Cu箔付き樹脂フィルムと、第2のCu箔の接合において、後付けの接着材を不要とすることで安価であり、接合精度をよくできる。また、厚さの厚い放熱板に代わって厚さの薄い第2のCu箔と、後付け接着材が不要となることで、接合後の全体の厚さを薄くすることができる。更に、上、下面に導体配線パターンが形成されることで、小型のキャビティアップのBGA型高放熱型プラスチックパッケージが提供できる。
特に、請求項2記載の高放熱型プラスチックパッケージは、接合体にCuめっきが施され、Cu箔の厚さにCuめっき被膜の厚さを加えたCu厚さが第2のCu箔のキャビティ部で最大となるので、半導体素子載置部の強度が向上し、半導体素子のダイアタッチ性を向上させることができる。
特に、請求項2記載の高放熱型プラスチックパッケージは、接合体にCuめっきが施され、Cu箔の厚さにCuめっき被膜の厚さを加えたCu厚さが第2のCu箔のキャビティ部で最大となるので、半導体素子載置部の強度が向上し、半導体素子のダイアタッチ性を向上させることができる。
請求項3及びこれに従属する請求項4記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、Cu箔付き樹脂フィルムと、Cu箔の厚さが第1のCu箔の厚さより厚い第2のCu箔を接合する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、Cu箔付き樹脂フィルムに半導体素子を搭載するためのキャビティ部用の切り欠き部を穿孔して形成する工程と、Cu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂部分と、第2のCu箔を直接当接し加熱しながら圧着して貼り合わせて接合体を形成する工程と、接合体にビア用貫通孔を穿設した後、露出する外表面にCuめっきを施す工程と、第1、第2のCu箔及びCuめっきのそれぞれにフォトリソグラフィ法とエッチングでそれぞれ導体配線パターンを形成する工程を有するので、パッケージを安価にすることができ、接合精度をよくできて、放熱板となる第2のCu箔に接合時に発生する皺防止のための補強を行った上で全体厚みを薄くできて、高精密な電子機器の軽薄短小化に対応することができるキャビティアップ型のBGA型高放熱型プラスチックパッケージを作製することができる。
特に、請求項4記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、第2のCu箔には厚さが30μmm以上有するものを用いるので、接着用樹脂の加熱圧着時に発生する第2のCu箔のキャビティ部に発生する皺を防止することができる。
特に、請求項4記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、第2のCu箔には厚さが30μmm以上有するものを用いるので、接着用樹脂の加熱圧着時に発生する第2のCu箔のキャビティ部に発生する皺を防止することができる。
請求項5及びこれに従属する請求項6記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、Cu箔付き樹脂フィルムと、Cu箔の厚さが第1のCu箔の厚さと実質的に同等の第2のCu箔を接合する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、Cu箔付き樹脂フィルムに半導体素子を搭載するためのキャビティ部用の切り欠き部を穿孔して形成する工程と、Cu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂部分と、予め第2のCu箔に剥離可能な接着剤を介して補強用Cu箔を貼り合わせた第2のCu箔側を直接当接し、加熱しながら圧着して貼り合わせた後、補強用Cu箔を剥離除去してCu箔付き樹脂フィルムと第2のCu箔からなる接合体を形成する工程と、接合体にビア用貫通孔を穿設した後、露出する外表面にCuめっきを施す工程と、第1、第2のCu箔とCuめっきのそれぞれにフォトリソグラフィ法とエッチングでそれぞれ導体配線パターンを形成する工程を有するので、パッケージを安価にすることができ、接合精度をよくできて、接合時に発生する放熱板となる第2のCu箔の皺防止のための補強用Cu箔で補強した上で接合した後、補強用Cu箔を剥離して皺を発生させることなく更に全体厚みを薄くできる高精密な電子機器の軽薄短小化に対応できるキャビティアップ型のBGA型高放熱型プラスチックパッケージを作製することができる。
特に、請求項6記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、補強用Cu箔には厚さが20μmm以上有するものを用いるので、接合時に第2のCu箔と補強用Cu箔の厚さを加えた厚さが30μmm以上となり、第2のCu箔に発生する皺を防止して作製することができる。
特に、請求項6記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、補強用Cu箔には厚さが20μmm以上有するものを用いるので、接合時に第2のCu箔と補強用Cu箔の厚さを加えた厚さが30μmm以上となり、第2のCu箔に発生する皺を防止して作製することができる。
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施するための最良の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1(A)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージの上面側斜視図、下面側斜視図、縦断面図、図2(A)〜(E)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージの製造方法の説明図、図3(A)〜(F)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージの他の製造方法の説明図である。
ここに、図1(A)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージの上面側斜視図、下面側斜視図、縦断面図、図2(A)〜(E)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージの製造方法の説明図、図3(A)〜(F)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージの他の製造方法の説明図である。
図1(A)〜(C)に示すように、本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10は、第1のCu箔11に接着用樹脂12が接合されて形成されたCu箔付き樹脂フィルム13と、この接着用樹脂12に加熱しながら加圧して接合される第2のCu箔14の接合体15で構成されている。このCu箔付き樹脂フィルム13は、厚さが10〜20μmm程度の第1のCu箔11に、剛性を高めるために、例えば、アラミド不織布等を骨材として混ぜ込んだ接着用樹脂12を厚さ50〜150μmm程度塗布してフィルム状に形成されている。Cu箔付き樹脂フィルム13には、平面視してパッケージの実質的中央部に半導体素子を搭載させるためのキャビティ部16用の切り欠き部17が穿設されて設けられている。
接合体15には、上、下面間を穿孔して設けた貫通孔18の壁面にCuめっきを施して設ける導体金属からなるビア19が形成されている。また、接合体15には、貫通孔18の壁面にCuめっきが施されると同時に、その他の部分である第1、第2のCu箔11、14面にもCuめっきが施された後、フォトリソグラフィ法とエッチングによって、それぞれ第1のCu箔11に上面側の導体配線パターン20と、第2のCu箔14に下面側の導体配線パターン20aが形成されている。この上面側の導体配線パターン20と、下面側の導体配線パターン20aは、ビア19によって、電気的導通が可能となっている。
第2のCu箔14は、これに形成された下面側の導体配線パターン20aとして用いられと同時に、半導体素子からの発熱を放熱させるためにも用いられている。また、第2のCu箔14は、Cu箔付き樹脂フィルム13と接合される時に発生する第2のCu箔14の皺を防止するために、厚さが第1のCu箔11と実質的に同等、又は厚く形成されている。なお、第2のCu箔14の厚さは、第1のCu箔11の厚さより下回ると、半導体素子を載置させるための強度を得ることができない。
第2のCu箔14のキャビティ部16は、接合体15にCuめっきが施された時に、Cu箔の厚さにCuめっき被膜の厚さを加えたCu厚さが他の部分より厚いのがよい。キャビティ部16のCu厚さを厚くすることで、半導体素子が載置される部分の強度が向上し、半導体素子のダイアタッチ性を向上させることができる。
第2のCu箔14のキャビティ部16は、接合体15にCuめっきが施された時に、Cu箔の厚さにCuめっき被膜の厚さを加えたCu厚さが他の部分より厚いのがよい。キャビティ部16のCu厚さを厚くすることで、半導体素子が載置される部分の強度が向上し、半導体素子のダイアタッチ性を向上させることができる。
この高放熱型プラスチックパッケージ10には、導体配線パターン20、20aが形成された面に、導体配線パターン20、20aの必要部分を開口部から露出させるためのソルダーレジスト膜21を設け、例えば、ボンディングワイヤを接続させるためのボンディングパッド22や、半田ボール等の外部接続端子を接続させるためのボールパッド23等が形成されている。この高放熱型プラスチックパッケージ10は、上面側のキャビティ部16に半導体素子が実装され、半導体素子と上面側に形成されたボンディングパッド22をボンディングワイヤで接続し、下面側に形成されたボールパッド23に半田ボール等の外部接続端子を接続するキャビティアップ型のパッケージを構成することができる。このキャビティアップ型の高放熱型プラスチックパッケージ10は、半導体素子からの発熱を効率よく放熱させると同時に、パッケージの両面を有効に利用して、パッケージの寸法を極めて小さし、放熱板として導体配線パターン20aを兼ねる第2のCu箔14を用い、しかも後付け接着材を用いないことでパッケージの厚さを極めて薄くできるので、携帯電話やパソコン等の電子機器に有効に活用できる。
図2(A)〜(E)を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10の製造方法を説明する。
図2(A)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10を作製するためのCu箔付き樹脂フィルム13は、例えば、12μmm程度の厚さの第1のCu箔11に、熱硬化型のBステージ状態の接着用樹脂12をドクターブレード法や、ロールコーター法等で、例えば、100μmm程度塗布してフィルム状に形成している。なお、Cu箔は、予め、還元性雰囲気で熱処理を行ったものを用いると、接着用樹脂12との接合強度を強固なものにすることができる。そして、図2(B)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム13には、半導体素子を搭載するためのキャビティ部16(図2(E)参照)用の切り欠き部17を打ち抜きプレス加工機や、ルーター加工機等で穿孔して設けている。
図2(A)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10を作製するためのCu箔付き樹脂フィルム13は、例えば、12μmm程度の厚さの第1のCu箔11に、熱硬化型のBステージ状態の接着用樹脂12をドクターブレード法や、ロールコーター法等で、例えば、100μmm程度塗布してフィルム状に形成している。なお、Cu箔は、予め、還元性雰囲気で熱処理を行ったものを用いると、接着用樹脂12との接合強度を強固なものにすることができる。そして、図2(B)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム13には、半導体素子を搭載するためのキャビティ部16(図2(E)参照)用の切り欠き部17を打ち抜きプレス加工機や、ルーター加工機等で穿孔して設けている。
次に、図2(C)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム13と、Cu箔の厚さが第1のCu箔11より厚い、厚さが30μmm以上有する、例えば、厚さ35μmm程度の第2のCu箔14は、Cu箔付き樹脂フィルム13の接着用樹脂12側と第2のCu箔14を直接当接させ、真空プレス等を用いて加熱圧着して接合体15を形成している。この真空プレス機を用いて接合体15を形成する場合には、例えば、真空度を50mmHg以下とし、温度170〜190℃、圧力2〜3MPa、175℃以上の温度中を40分以上加熱及び加圧を保持させて接着用樹脂12を硬化させて貼り合わせている。
次に、図2(D)に示すように、接合体15には、上、下面の第1と第2のCu箔11、14のそれぞれから形成されるそれぞれの導体配線パターン20、20a(図2(E)参照)間の電気的導通を形成するためのビア19用の貫通孔18をドリルマシーンや、パンチングマシーン等で穿孔して設けている。そして、切り欠き部17の壁面、貫通孔18の壁面、第1のCu箔11の外表面、及び第2のCu箔14の外表面には、無電解Cuめっき、及び電解CuめっきからなるCuめっき被膜(図示せず)を形成して、接合体15の上、下面及び孔の全ての露出する外表面にCu箔とCuめっき被膜、又はCuめっき被膜からなるCu層24を形成している。
次に、図2(E)に示すように、第1のCu箔11及びCuめっき被膜からなるCu層24と、第2のCu箔14及びCuめっき被膜からなるCu層24のそれぞれには、キャビティ部16やビア19の孔も塞ぐようにしてドライフィルムを貼着し、パターンマスクを当接して露光、現像するフォトリソグラフィ法でエッチングレジストパターンを形成し、エッチングレジストパターンの開口部から露出するCu層24をエッチングで除去した後、ドライフィルムを剥離除去してそれぞれ導体配線パターン20、20aを形成している。そして、それぞれの導体配線パターン20、20aが形成された面には、導体配線パターン20、20aの必要部分を開口部から露出させるためのソルダーレジスト膜21がスクリーン印刷や、フォトリソグラフィ法等で形成され、更に、ソルダーレジスト膜21の開口部から露出するそれぞれの導体配線パターン20、20aの必要部分にNiめっき及びAuめっき(図示せず)が施されて高放熱型プラスチックパッケージ10を作成している。なお、それぞれの導体配線パターン20、20aを形成するためのフォトリソグラフィ法とエッチングは、両面を1度に行ってよく、あるいは、上面の導体配線パターン20と、下面の導体配線パターン20aを別々に分けて行なってもよい。
ここで、この高放熱型プラスチックパッケージ10の製造方法で用いられる第2のCu箔14には、Cu箔の厚さが30μmm以上有するものを用いるのがよい。この製造方法で用いられる第2のCu箔14は、Cu箔付き樹脂フィルム13の接着用樹脂12と直接接合させてパッケージとして使用するので、30μmmを下まわると、Cu箔付き樹脂フィルム13との加熱圧着の接合時に、第2のCu箔14に皺が発生し、この皺によって、半導体素子をキャビティ部16の第2のCu箔14に搭載させる時のダイボンド性に問題が発生する。
図3(A)〜(F)を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10の他の製造方法を説明する。
図3(A)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10を作製するためのCu箔付き樹脂フィルム13は、実施例1の本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10の製造方法の場合と同様に、第1のCu箔11に、熱硬化型のBステージ状態の接着用樹脂12塗布したものを用いることができる。そして、図3(B)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム13には、前記の実施例1の場合と同様に、半導体素子を搭載するためのキャビティ部16(図3(F)参照)用の切り欠き部17を設けている。
図3(A)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10を作製するためのCu箔付き樹脂フィルム13は、実施例1の本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10の製造方法の場合と同様に、第1のCu箔11に、熱硬化型のBステージ状態の接着用樹脂12塗布したものを用いることができる。そして、図3(B)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム13には、前記の実施例1の場合と同様に、半導体素子を搭載するためのキャビティ部16(図3(F)参照)用の切り欠き部17を設けている。
次に、図3(C)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム13に貼り合わせるための第2のCu箔14には、Cu箔の厚さが第1のCu箔11の厚さと実質的に同等の厚さ、例えば、12μmm程度の厚さの第2のCu箔14に、剥離可能な接着剤を介して、厚さが20μmm以上有する、例えば、厚さ23μmmの補強用Cu箔25を貼り合わせた補強用Cu箔25付きの第2のCu箔14を予め準備している。Cu箔付き樹脂フィルム13と補強用Cu箔25付きの第2のCu箔14は、Cu箔付き樹脂フィルム13の接着用樹脂12側と、補強用Cu箔25付きの第2のCu箔14の第2のCu箔14側を直接当接させ、真空プレス等を用いて加熱圧着している。そして、図3(D)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム13と補強用Cu箔25付きの第2のCu箔14を貼り合わせた後は、補強用Cu箔25付きの第2のCu箔14から補強用Cu箔25を剥離除去して、Cu箔付き樹脂フィルム13と第2のCu箔14からなる接合体15を形成している。
次に、図3(E)に示すように、接合体15には、実施例1の場合と同様に、上、下面の第1と第2のCu箔11、14のそれぞれから形成されるそれぞれの導体配線パターン20、20a(図3(F)参照)間の電気的導通を形成するためのビア19用の貫通孔18を穿設している。そして、切り欠き部17の壁面、貫通孔18の壁面、第1のCu箔11の外表面、及び第2のCu箔14の外表面には、無電解Cuめっき、及び電解CuめっきからなるCuめっき被膜(図示せず)を形成して、接合体15の上、下面及び孔の全ての外表面にCu箔とCuめっき被膜、又はCuめっき被膜からなるCu層24を形成している。
次に、図3(F)に示すように、第1、第2のCu箔11、14、及びCuめっき被膜からなるCu層24のそれぞれには、実施例1の場合と同様に、ドライフィルムを貼着し、パターンマスクを当接して露光、現像するフォトリソグラフィ法でエッチングレジストパターンを形成し、エッチングレジストパターンの開口部から露出するCu層をエッチングで除去した後、ドライフィルムを剥離除去してそれぞれ導体配線パターン20、20aを形成している。そして、導体配線パターン20、20aが形成された面には、それぞれの導体配線パターン20、20aの必要部分を開口部から露出させためのソルダーレジスト膜21が形成され、更に、ソルダーレジスト膜21の開口部から露出する導体配線パターン20、20aの必要部分にNiめっき及びAuめっき(図示せず)が施されて高放熱型プラスチックパッケージ10を作成している。なお、それぞれの導体配線パターン20、20aを形成するためのフォトリソグラフィ法とエッチングは、両面を1度に、又は上、下面の導体配線パターン20、20aを別々に分けて行なってもよい。
ここで、この高放熱型プラスチックパッケージ10の他の製造方法で用いられる補強用Cu箔25には、Cu箔の厚さが20μmm以上有するものを用いるのがよい。この製造方法で用いられる補強用Cu箔25は、Cu箔付き樹脂フィルム13の接着用樹脂12と第2のCu箔14が接合される時に第2のCu箔14に接合しているので、第2のCu箔14の厚さと、補強用Cu箔25の厚さを加えたCu箔自体の厚さが30μmm以上となって厚くなり、第2のCu箔14に皺を発生させるのを防止して接合させている。補強用Cu箔25は、厚さが20μmmを下まわると、全体のCu箔の厚さが30μmmを下まわる場合が発生し、Cu箔付き樹脂フィルム13との加熱圧着の接合時に、第2のCu箔14にも皺が発生しやすくなり、この皺によって、半導体素子をキャビティ部16の第2のCu箔14に搭載させる時のダイボンド性に問題を発生させている。
本発明の活用例としては、高発熱量を擁する半導体素子からの熱を効率的に放熱させることができ、小型、且つ薄型で、安価なパッケージとすることができるので、半導体素子を搭載する電子機器、例えば、携帯電話や、ノートブック型のコンピューター等に適用することができる。
10:高放熱型プラスチックパッケージ、11:第1のCu箔、12:接着用樹脂、13:Cu箔付き樹脂フィルム、14:第2のCu箔、15:接合体、16:キャビティ部、17:切り欠き部、18:貫通孔、19:ビア、20、20a:導体配線パターン、21:ソルダーレジスト膜、22:ボンディングパッド、23:ボールパッド、24:Cu層、25:補強用Cu箔
Claims (6)
- 上面側の導体配線パターンを形成するための第1のCu箔に接着用樹脂が接合されて形成され、平面視して実質的中央部に半導体素子を搭載させるためのキャビティ部用の切り欠き部が穿設されて有するCu箔付き樹脂フィルムと、前記半導体素子からの発熱を放熱するため、及び下面側の導体配線パターンを形成するための、厚さが前記第1のCu箔と実質的に同等、又は厚い第2のCu箔が前記接着用樹脂で直接接合されて接合体が形成され、しかも、上、下面間の電気的導通のためのビアが形成された前記接合体の上、下面に前記導体配線パターンを有することを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージ。
- 請求項1記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいて、前記接合体にCuめっきが施され、Cu箔の厚さにCuめっき被膜の厚さを加えたCu厚さが前記第2のCu箔の前記キャビティ部で最大となることを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージ。
- 第1のCu箔に接着用樹脂を接合して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、Cu箔の厚さが前記第1のCu箔の厚さより厚い第2のCu箔を接合する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、
前記Cu箔付き樹脂フィルムに半導体素子を搭載するためのキャビティ部用の切り欠き部を穿孔して形成する工程と、
前記Cu箔付き樹脂フィルムの前記接着用樹脂部分と、前記第2のCu箔を直接当接し加熱しながら圧着して貼り合わせて接合体を形成する工程と、
前記接合体に上、下面間の電気的導通のためのビア用貫通孔を穿設した後、露出する外表面にCuめっきを施す工程と、
前記第1のCu箔及び前記Cuめっきと、前記第2のCu箔及び前記Cuめっきのそれぞれにフォトリソグラフィ法とエッチングでそれぞれ導体配線パターンを形成する工程を有することを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージの製造方法。 - 請求項3記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法において、前記第2のCu箔には厚さが30μmm以上有するものを用いることを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージの製造方法。
- 第1のCu箔に接着用樹脂を接合して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、Cu箔の厚さが前記第1のCu箔の厚さと実質的に同等の第2のCu箔を接合する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、
前記Cu箔付き樹脂フィルムに半導体素子を搭載するためのキャビティ部用の切り欠き部を穿孔して形成する工程と、
前記Cu箔付き樹脂フィルムの前記接着用樹脂部分と、予め前記第2のCu箔に剥離可能な接着剤を介して補強用Cu箔を貼り合わせた該補強用Cu箔付きの前記第2のCu箔の該第2のCu箔側を直接当接し、加熱しながら圧着して貼り合わせた後、前記補強用Cu箔を剥離除去して前記Cu箔付き樹脂フィルムと前記第2のCu箔からなる接合体を形成する工程と、
前記接合体に上、下面間の電気的導通のためのビア用貫通孔を穿設した後、露出する外表面にCuめっきを施す工程と、
前記第1のCu箔及び前記Cuめっきと、前記第2のCu箔及び前記Cuめっきのそれぞれにフォトリソグラフィ法とエッチングでそれぞれ導体配線パターンを形成する工程を有することを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージの製造方法。 - 請求項5記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法において、前記補強用Cu箔には厚さが20μmm以上有するものを用いることを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージの製造方法。
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KR101078729B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2011-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지용 기판 및 그의 제조방법과 상기 기판을 갖는 반도체 패키지 |
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2003
- 2003-07-28 JP JP2003280885A patent/JP2005051012A/ja active Pending
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