JP2004140004A - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004140004A JP2004140004A JP2004038297A JP2004038297A JP2004140004A JP 2004140004 A JP2004140004 A JP 2004140004A JP 2004038297 A JP2004038297 A JP 2004038297A JP 2004038297 A JP2004038297 A JP 2004038297A JP 2004140004 A JP2004140004 A JP 2004140004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic electroluminescent
- composition
- light emitting
- ink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】組成物の基板に対する吐出順序を、組成物を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料の数が少ない順とする。また、組成物のうち、これを構成する有機エレクトロルミネッセンス材料の数が同じである組成物については、基板に対する吐出順序を、組成物を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料が成膜後において相分離しにくい順とする。
【選択図】図6
Description
また、均一な発光層を有し、表示作成に優れた有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを課題とする。さらに、この有機エレクトロルミネッセンス装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
前記一方の前記組成物に含まれる有機エレクトロルミネッセンス材料の数と他方の前記組成物に含まれる有機エレクトロルミネッセンス材料の数が等しく、
前記一方の前記組成物が他方の前記組より層分離しやすいことを特徴とする
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス材料の数が多い組成物ほど相分離の問題を生じやすいことに着目し、その吐出成膜を、有機エレクトロルミネッセンス材料の数が少ない組成物よりも後から行うこととした。そのため、吐出成膜後の再溶解による相分離を防ぐことができ、表示特性の優れた有機エレクトロルミネッセンス装置を製造することができる。
前記2種類以上の組成物のうち、前記組成物を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料の数が同じである組成物の、基板に対する成膜順序を、前記組成物を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料が成膜後において相分離しにくい順とし、
連続する2回の組成物の成膜において、先に吐出した組成物を乾燥させた後、次の組成物を成膜することを特徴とする。
加熱は、例えばプラズマ処理室内にて基板10を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基板10を、例えば70〜80℃に加熱することにより行う。
がよい。
(隔壁形成工程)
ITOからなる透明画素電極上が開口するように、バンク層(隔壁)形成した。透明電極は70.5μmピッチでマトリクス状に形成されているので、バンク層(隔壁)の開口部も同様にマトリクス状に70.5μmピッチで形成されている。バンク層(隔壁)は、SiO2からなる無機物バンク層と、ポリイミドからなる有機物バンク層とを積層して形成した。それぞれのバンク層は、フォトリソグラフィ工程の後、エッチングすることにより形成した。バンク層の開口部の形状は円形とし、有機物バンク層の開口部の径は28μm、無機物バンク層の開口部の径は44μmとした。また、無機物バンク層の高さは、150nm、有機物バンク層の高さは2μmとした。
(プラズマ処理工程)
親インク化工程としてO2プラズマ処理を行った。O2プラズマ処理の条件は、室温、大気圧下で、パワー300W、電極−基板間距離1mm、酸素ガス流量100ccm、ヘリウムガス流量10SLM、テーブル搬送速度10mm/sで行った。続けて撥インク化工程としてCF4プラズマ処理を行った。CF4プラズマ処理の条件は、CF4ガス流量100SCCM、ヘリウムガス流量10SLM、テーブル搬送速度3mm/sの往復で行った。
(正孔注入/輸送層形成工程)
表1に示した正孔注入/輸送層用インク組成物(バイエル社製のバイトロンPと、ポリエチレンスルフォン酸の混合物)をインクジェットプリント装置のヘッド(エプソン社製MJ−930C)から15pl吐出しパターン塗布。真空中(1torr)、室温、20分という条件で溶媒を除去した。続けて、同じ正孔注入/輸送層用インク組成物を15pl吐出しパターン塗布した。真空中(1torr)、室温、20分という条件で溶媒を除去し、大気中、200℃(ホットプレート上)、10分の熱処理により正孔注入/輸送層を形成した。
1,2,3,4−テトラメチルベンゼンをインクジェットプリント装置(エプソン社製MJ−930C)から吐出して塗布し、その後、ホットプレート上において200℃以下の温度で加熱して乾燥させた。
(発光層形成工程)
表2〜表4に示すインク組成物を調製した。表2は発光層(緑色)組成物、表3は発光層(青色)組成物、表4は発光層(赤色)組成物を各々示すものである。なお、表中の化合物1,2.4.5は、各々[化1]〜[化5]として上述したものである。
(比較例)
まず、表2に示した1%(wt/vol)濃度の発光層(緑色)組成物をインクジェットプリント装置(エプソン社製MJ−930C)から、N2ガスをフローしながら20pl吐出してから25℃、1atmの条件で乾燥し、緑色発光層を得た。
(陰極形成工程)
陰極層として、蒸着法により2nmのLiF層を形成した後、さらに、蒸着法により20nmのカルシウム層を形成した。その後さらに陰極層としてスパッタリング法により200nmのアルミニウム層を形成した。
(封止工程)
陰極上の全面にエポキシ樹脂からなる封止材を塗布し、封止層を形成した。さらに、封止層上に封止用基板を積層し、各実施例、比較例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とした。
(評価)
図9に比較例と実施例1に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の緑色発光層の発光スペクトルを示す。図9(A)に示すように、比較例の緑色発光層は、化合物1由来の青色発光(430nm)が残り、斑のある水色発光を示した。
11.透明電極
12.バンク層
13.開口部
14.インクジェットヘッド
15.インク組成物(正孔注入/輸送用)
16.正孔注入/輸送層
17.インク組成物(発光層用)
18.発光層
19.陰極
20.封止層
Claims (5)
- 有機エレクトロルミネッセンス材料を含む組成物2種類以上を、基板に吐出成膜する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記組成物のうち一方の組成物を吐出及び乾燥させた後、他方の組成物を吐出する工程を備えてなり、
前記一方の前記組成物に含まれる有機エレクトロルミネッセンス材料の数と他方の前記組成物に含まれる有機エレクトロルミネッセンス材料の数が等しく、
前記一方の前記組成物が他方の前記組より層分離しやすいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、正孔注入/輸送層を形成する工程を更に有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 請求項1又は請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記エレクトロルミネッセンス装置は、隔壁によって隔てられた複数の画素領域を含んでおり、前記組成物が前記画素領域に吐出されることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 請求項1及び請求項3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を用いて得られた有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004038297A JP4285264B2 (ja) | 2000-11-28 | 2004-02-16 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000361559 | 2000-11-28 | ||
JP2004038297A JP4285264B2 (ja) | 2000-11-28 | 2004-02-16 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001353682A Division JP4021177B2 (ja) | 2000-11-28 | 2001-11-19 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004140004A true JP2004140004A (ja) | 2004-05-13 |
JP4285264B2 JP4285264B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=32472413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004038297A Expired - Fee Related JP4285264B2 (ja) | 2000-11-28 | 2004-02-16 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4285264B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006164905A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 有機el表示装置を製造するための塗布装置 |
JP2009277578A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Panasonic Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2011521416A (ja) * | 2008-05-15 | 2011-07-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電気活性層の形成方法 |
WO2012073754A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | パターン膜の製造方法、パターン膜、カラーフィルタ基板、液晶表示装置及び発光装置 |
JP2012519941A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電気活性層の形成方法 |
CN103842339A (zh) * | 2011-09-21 | 2014-06-04 | 默克专利有限公司 | 用于有机电致发光器件的咔唑衍生物 |
JP2015191739A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光素子の製造方法、発光装置および電子機器 |
US9209397B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-12-08 | Dupont Displays Inc | Process for forming an electroactive layer |
US9209398B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-12-08 | E I Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc | Process for forming an electroactive layer |
-
2004
- 2004-02-16 JP JP2004038297A patent/JP4285264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4636495B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-02-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 有機el表示装置を製造するための塗布装置 |
JP2006164905A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 有機el表示装置を製造するための塗布装置 |
KR101691773B1 (ko) | 2008-05-15 | 2016-12-30 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전기활성 층을 형성하기 위한 방법 |
JP2011521416A (ja) * | 2008-05-15 | 2011-07-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電気活性層の形成方法 |
US8778785B2 (en) | 2008-05-15 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for forming an electroactive layer |
US8907353B2 (en) | 2008-05-15 | 2014-12-09 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for forming an electroactive layer |
KR101491877B1 (ko) | 2008-05-15 | 2015-02-09 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전기활성 층을 형성하기 위한 방법 |
KR20160021897A (ko) * | 2008-05-15 | 2016-02-26 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전기활성 층을 형성하기 위한 방법 |
JP2009277578A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Panasonic Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2012519941A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電気活性層の形成方法 |
US8778708B2 (en) | 2009-03-06 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for forming an electroactive layer |
JP2015062900A (ja) * | 2009-03-06 | 2015-04-09 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | 電気活性層の形成方法 |
US9209398B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-12-08 | E I Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc | Process for forming an electroactive layer |
US9209397B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-12-08 | Dupont Displays Inc | Process for forming an electroactive layer |
WO2012073754A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | パターン膜の製造方法、パターン膜、カラーフィルタ基板、液晶表示装置及び発光装置 |
CN103842339A (zh) * | 2011-09-21 | 2014-06-04 | 默克专利有限公司 | 用于有机电致发光器件的咔唑衍生物 |
JP2015191739A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光素子の製造方法、発光装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4285264B2 (ja) | 2009-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4021177B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 | |
JP4048687B2 (ja) | 有機el素子および有機el素子の製造方法 | |
US7273637B2 (en) | Thin film, thin film manufacturing method, thin film manufacturing apparatus, organic EL device, organic EL device manufacturing method and electronic equipment | |
JP4731629B2 (ja) | 有機elデバイスの製造方法 | |
JP2000323276A (ja) | 有機el素子の製造方法、有機el素子およびインク組成物 | |
KR100706093B1 (ko) | 발광 재료 및 유기 el 장치와 그 제조 방법 | |
JP2002252083A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 | |
JP3951701B2 (ja) | 表示装置の製造方法、電子機器の製造方法、表示装置および電子機器 | |
JP4285264B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2009064642A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、および製造装置 | |
JP4765857B2 (ja) | 有機el発光材料、及び有機el装置の製造方法 | |
JP2005056614A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置及びその製造方法 | |
JP2003272840A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2008078181A (ja) | 有機el発光材料、及び有機el装置の製造方法 | |
JP2007095595A (ja) | 機能層の形成方法、有機半導体素子、発光素子及び電子機器 | |
JP4148085B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装置、電気光学装置を搭載した電子機器。 | |
JP4513800B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
Liu et al. | Improving film uniformity and interface solvent resistance to realize multilayer printing of OLED devices | |
JP2005100895A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装置、電気光学装置を搭載した電子機器、および液滴吐出装置 | |
JP4354674B2 (ja) | 薄膜製造装置 | |
JP2006156258A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2003249377A (ja) | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 | |
JP2005322436A (ja) | 有機el素子の製造方法及び装置、並びに有機el素子 | |
JP2003217843A (ja) | 表示装置の製造方法、電子機器の製造方法、表示装置および電子機器 | |
JP2006156848A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080403 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080801 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090303 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090316 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140403 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |