JP2004137473A - ボラジン系樹脂及びその製造方法、ボラジン系樹脂組成物、絶縁被膜及びその形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】　金属性不純物が少なくリーク電流の発生を十分に抑制できる絶縁被膜等を提供する。
【解決手段】　メモリキャパシタセル８に備わる層間絶縁膜５，７（絶縁被膜）は、シリコンウェハ１上に設けられたゲート電極３と対向電極８Ｃとの間に形成されたものである。層間絶縁膜５，７は、例えば有機ケイ素ボラジン系ポリマーとエチルベンゼンとを含んでおり、固形分濃度が０．５質量％以上であって且つ金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下とされたボラジン系樹脂組成物をスピンコートで塗布し乾燥させて得られる。
【選択図】　図５

Description

　本発明は、ボラジン系樹脂組成物及びその製造方法、絶縁被膜及びその形成方法、並びに電子部品に関する。

　昨今の通信機器の小型化、高出力化、及び信号の高速化に伴い、ＣＭＰによる膜平坦化の実現とも相俟って、電子部品の絶縁被膜（ＩＭＤ：メタル層間絶縁膜、ＩＬＤ：メタル下層間絶縁膜、ＰＭＤ：前メタル絶縁膜等）には、耐熱性、機械特性、吸湿性、接着性、成形性、高エッチ選択比、等の他、特に低比誘電率が求められている。

　これは一般に、配線の信号の伝搬速度（ｖ）と、配線材料が接する絶縁材料の比誘電率（ε）とは、ｖ＝ｋ／√ε（ｋは定数）で表される関係を有しており、信号の伝搬速度を高速化して配線遅延を低減するためには、使用する周波数領域を高くし、或いは、絶縁材料の比誘電率を極力低くする必要があるからである。

　このような絶縁被膜材料として量産ベースで現在実用化されている低誘電率材料としては、比誘電率が３．５程度のＳｉＯＦ膜（ＣＶＤ法）が挙げられ、その他に、比誘電率が２．５〜３．０の有機ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、有機ポリマー等の検討が進行中である。

　また、他の低誘電率材料としては、ベンゼンの炭素原子が窒素原子及びホウ素原子で置換された分子構造を有するボラジンは、ベンゼンに比して誘電率の計算値が低いことが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類と少なくとも２個以上のヒドロシリル基を有するケイ素化合物とを、白金触媒存在下で混合し、その溶液を塗布することによって得られる耐熱性のボラジン含有ケイ素ポリマー薄膜も知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２０００−３４０６８９号公報 特開２００２−１５５１４３号公報

　ところで、前述した有機ＳＯＧは低誘電率材料として有望であるものの、メモリ素子や論理素子といった半導体装置から成る電子部品の更なる微細化及び多層化に対応するには、更なる低誘電率化が熱望されている。これに対し、上記特開２００２−１５５１４３号公報のボラジン含有ケイ素ポリマー薄膜は、その高耐熱性及び低誘電率を発現することから、次世代の絶縁被膜として期待される。

　しかし、かかるボラジン含有ケイ素ポリマー薄膜は、上述したようにＢ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類とヒドロシリル基を有するケイ素化合物とを、白金触媒存在下で混合した溶液をそのまま塗布することにより製造されるため、薄膜中に白金触媒が不可避的に不純物として残留してしまう。例えば、層間絶縁膜中に金属性不純物が存在すると、リーク電流が発生し、絶縁膜としての性能が低下又は劣化する要因となり得る。よって、特開２００２−１５５１４３号公報の薄膜を層間絶縁膜に用いると、白金触媒が金属性不純物となってリーク電流が発生することが容易に想像される。

　そこで、本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、金属性不純物が少なくリーク電流の発生を十分に抑制できる絶縁被膜及びその製造方法、並びに、その絶縁被膜を有効に形成できるボラジン系樹脂組成物及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、リーク電流の発生を十分に抑制して特性の低下及び劣化を十分に防止できる電子部品を提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、所定のボラジン化合物と所定のケイ素化合物を金属触媒の存在下に重合させた後に、かかる金属触媒を一定の方法で有効に除去することができ、これにより触媒由来の金属性不純物を格段に低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明によるボラジン系樹脂の製造方法は、主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体を製造する方法であって、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類とヒドロシラン類とを、重合溶媒中で金属触媒の存在下に重合させる第１の工程と、第１の工程における重合系（重合液）に不溶であり、且つ、金属触媒由来の金属成分を吸着する粒子状のスカベンジャーを第１の工程を実施した後の重合系（重合液）に添加する第２の工程と、第２の工程を実施した後に、金属成分を吸着したスカベンジャーを濾別する第３の工程とを備えることを特徴とする。

　このような構成のボラジン系樹脂の製造方法では、第１の工程において、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類とヒドロシラン類とが重合され、有機ケイ素ボラジン系ポリマーが形成される。この時点で、重合系（重合液）には、金属触媒に由来する金属成分が残留しているが、第２の工程で添加された粒子状のスカベンジャーによって重合液から分離・除去される。こうして金属成分を吸着したスカベンジャーは、重合液に溶解せずしかも粒子状であるので、第３の工程において容易に濾別される。その結果、金属成分が十分に除去された有機ケイ素ボラジン系ポリマーが得られる。

　また、このようなスカベンジャーを用いることにより、金属触媒として均一系触媒を用いた場合にも触媒を有効に回収できる。よって、反応活性の高い均一系触媒を少量用いて効率的に反応を進め、さらにこれを回収して触媒を再利用することが簡易となり、経済性の向上及び資源の有効利用を促進できる。

　具体的には、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類が、下記式（１）；

で表されるものであると好ましい。ここで、式中、Ｒ¹はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、Ｒ²はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示す。

　より具体的には、ヒドロシラン類が、下記式（２）；

又は下記式（３）；

で表されるものであると有用である。ここで、式中、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アリール基、アラルキル基及び水素原子の中から選ばれる同一又は異なる１価の基を示し、Ｒ⁵は置換若しくは未置換の芳香族の２価の基、オキシポリ（ジメチルシロキシ）基、又は酸素原子を示し、Ｒ⁶はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、ｎは２以上の整数を示す。

　また、本発明によるボラジン系樹脂組成物は、主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体と、その重合体を溶解可能な溶剤とを含んでおり、固形分濃度が０．５質量％以上（上限は好ましくは８０質量％）であり、且つ、金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする。そして、その重合体は、本発明によるボラジン系樹脂の製造方法により製造されて成るボラジン系樹脂であって、低比誘電率を発現するものであり、溶剤に溶解された状態で半導体基板等の基体上に簡便に塗布できる。

　このボラジン系樹脂組成物中の固形分濃度が０．５質量％未満となると、基体上に塗布する場合に、１回の塗布で得られる塗膜の厚さが薄くなり、当該膜の強度や耐熱性、及び乾燥させて絶縁被膜としたときの絶縁特性の信頼性が低下するといった不都合がある。また、金属不純物含有量が３０ｐｐｍを超えると、このボラジン系樹脂組成物を例えば極微細構造を成す多層配線の層間絶縁膜として用いたときに要求される低比誘電率を達成できないことがあり、或いはリーク電流の発生が顕著となってしまい、素子等のデバイス特性の悪化を生じるおそれがある。なお、「固形分濃度」とは、ボラジン系樹脂組成物において溶剤等の揮発成分を乾燥させた後に残留する成分の当該ボラジン系樹脂組成物に対する濃度を示す。

　さらに、重合体が下記式（４）；

で表される繰り返し単位を有するものであると、成膜性及び化学的安定性の観点から好ましい。

　ここで、式中、Ｒ¹はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、Ｒ²はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アリール基、アラルキル基及び水素原子の中から選ばれる同一又は異なる１価の基を示し、Ｒ⁵は置換若しくは未置換の芳香族の２価の基、オキシポリ（ジメチルシロキシ）基、又は酸素原子を示し、Ｒ⁶はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、ａは正の整数を示し、ｂは０又は正の整数を示し、ｐは０又は正の整数を示し、ｑは０又は正の整数を示す。

　また、本発明による絶縁被膜の形成方法は、基体上に絶縁被膜を形成する方法であって、本発明によるボラジン系樹脂組成物を基体上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を乾燥せしめることを特徴とする。

　また、本発明による絶縁被膜は、基体上に設けられており、本発明による絶縁被膜の形成方法により形成されて成り、特に、基体上に設けられた複数の導電性層のうち互いに隣設された導電性層の間に形成されたもの、すなわち、リーク電流を十分に低減する必要がある層間絶縁膜として有用である。

　そして、本発明による電子部品は、本発明による絶縁被膜が形成されて成る電子部品、半導体装置や液晶装置といった電子デバイスを構成するものである。

　本発明のボラジン系樹脂及びその製造方法並びにボラジン系樹脂組成物によれば、金属性不純物が少なくリーク電流の発生を十分に抑制できる絶縁被膜を形成できる。また、本発明の絶縁被膜及びその製造方法によれば、リーク電流の発生を十分に抑制できると共に、耐熱性等の諸特性を向上できる。さらに、本発明の電子部品によれば、リーク電流の発生を十分に抑制して特性の低下及び劣化を十分に防止できる。

　本発明によるボラジン系樹脂組成物は、主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体と、この重合体を溶解可能な溶剤とを含んでおり、固形分濃度が０．５質量％以上であり、且つ、金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下である。以下、本発明のボラジン系樹脂組成物、その製造方法、そのボラジン系樹脂組成物を用いた絶縁被膜及びその形成方法、並びに、その絶縁被膜を用いた電子部品の好適な実施形態について説明する。

〈重合体（Ａ成分；以下単に「Ａ」と記す。）〉
　本発明のボラジン系樹脂組成物に含まれる主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体（Ａ）は、主鎖又は側鎖に置換又は無置換のボラジン骨格を有する重合体であればよく、例えば、Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　誌、ｖｏｌ　９０、ｐｐ．７３〜９１（１９９０）．やＣＨＥＭＴＥＣＨ　誌、１９９４年７月、ｐｐ．２９〜３７．記載の重合体等を挙げることができる。具体的には以下に示す重合体が好適である。

　重合体（Ａ）の分子量（Ｍｎ；ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリスチレンの検量線を使用して換算した値の数平均分子量）は、好ましくは５００〜５００００００、より好ましくは１０００〜１００００００である。この分子量（Ｍｎ）が過度に低く、例えば５００未満の場合、耐熱性、及び後述する絶縁被膜の機械特性が劣る傾向にあり、例えば、かかる絶縁被膜を層間絶縁膜として用いるときにプリベークが困難となったり、成膜後の平坦化をＣＭＰで行うときに剥離等を生じ易くなるおそれがある。これに対し、この分子量（Ｍｎ）が過度に高く、例えば５００００００を超えると、絶縁被膜の加工性が悪化し、例えば、かかる絶縁被膜にＷ等の金属プラグ形成用のヴィアホール等を所望の形状に制御し難くなるおそれがある。

　また、重合体（Ａ）としては、前述したものの他に、下記式（４）又は式（５）；

で表される繰り返し単位を有してなる有機ケイ素ボラジン系ポリマーが、成膜性、化学的安定性に優れており、かかる観点より一層好適な例として挙げることができる。

　なお、式（４）及び（５）において、

は、以下のいずれかを示し、

これと同様に、

は、以下のいずれかを示す。

　そして、

は、以下のいずれかを示す。

　また、式（４）における破線は、ボラジン残基におけるアルキニル基由来の炭素に結合が生じていることを意味し、式（５）における破線は、ボラジン残基におけるアルケニル基由来の炭素に結合が生じていることを意味する。

　また、式（４）及び（５）において、Ｒ¹はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示す。この場合、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。また、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。さらに、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ¹として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、水素原子等が挙げられ、これらの中では、メチル基、エチル基、フェニル基又は水素原子がより好ましい。

　また、式（４）及び（５）において、Ｒ²はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。この場合、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。また、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ²として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基、フルオレニル基等のアラルキル基、水素原子等が挙げられ、これらの中では、メチル基、フェニル基又は水素原子がより好ましい。

　さらに、式（４）及び（５）において、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子の中から選ばれる同一又は異なる１価の基を示し、これらの中では、アルキル基、アリール基又は水素原子がより好ましい。この場合、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。また、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。さらに、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ³及びＲ⁴として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、水素原子等が挙げられ、これらの中ではメチル基、フェニル基又は水素原子がより好ましい。

　またさらに、式（４）及び（５）において、Ｒ⁵は置換若しくは未置換の芳香族の２価の基、オキシポリ（ジメチルシロキシ）基、又は酸素原子を示す。この場合、芳香族の２価の基の炭素数は６〜２４、好ましくは６〜１２である。この芳香族の２価の基には、２価芳香族炭化水素基（アリーレン基等）の他、酸素等のヘテロ原子を連結基として含むアリーレン基等が含まれる。また、この芳香族の２価の基に結合していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。より具体的には、基Ｒ⁵として、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等のアリーレン基、ジフェニルエーテル基等の置換アリーレン基、酸素原子等が挙げられ、これらの中ではフェニレン基、ジフェニルエーテル基又は酸素原子がより好ましい。

　さらにまた、式（４）及び（５）において、Ｒ⁶はアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。この場合、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。また、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。さらに、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ⁶として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。

　また、式（４）及び（５）において、ａ及びｂは、それぞれ繰り返し単位数を表し、ａは正の整数であって、好ましくは１〜２００００、より好ましくは３〜１００００であり、特に好ましくは５〜１００００である。また、ｂは０又は正の整数であって、好ましくは０〜１０００、より好ましくは０〜１００である。ただし、ａ及びｂはそれらの構成比率を示すものであって、結合状態（ブロック共重合、ランダム共重合等）のいずれかの形態に限定されるものではない。

　このような共重合体において、ａとｂとのそれぞれの個数の比（ａ：ｂ）は特に制限されず、ａ／ｂ比がより大きい、つまり高分子主鎖中の鎖状構造の割合が比較的多い場合、溶媒に対する共重合体の溶解度が高められ且つ融点が低くなることにより、共重合体の加工性が向上すると予想される。一方、ａ／ｂ比がより小さい、つまり高分子主鎖中の架橋構造の割合が比較的多い場合、共重合体の耐熱性、耐燃焼性が向上すると予想される。したがって、用途等に応じて、或いは、共重合体の各モノマーユニットの構造及びその組み合わせに応じて、良好な加工性及び耐熱性、耐燃焼性を与える共重合体の最適なａ／ｂ比の範囲を適宜設定することができる。

　さらに、式（４）及び（５）において、ｐは０又は正の整数、ｑは０又は正の整数を示し、後述するｎとは、ｐ＋ｑ＋２＝ｎの関係を有する。ｐの好ましい範囲は０〜１０であり、より好ましくは１〜８である。また、ｑの好ましい範囲は０〜１０であり、より好ましくは１〜８である。

　またさらに、式（４）及び（５）において、Ｚ¹は下記式（６）；

又は下記式（７）；

で表される２価の基であり、同一分子鎖において、Ｚ¹が式（６）又は（７）のいずれか一方の構造で構成されていても、或いは、両方の構造が同一分子鎖内に含まれていても構わない。なお、式（６）及び（７）におけるＲ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、ｐ及びｐは前述したものと同様である。

　そして、本発明によるボラジン系樹脂の製造方法においては、前記式（４）で表される繰り返し単位を有する有機ケイ素ボラジン系ポリマーは、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類（ｘ成分；以下単に「ｘ」と記す。）とヒドロシラン類（ｙ成分；以下単に「ｙ」と記す。）とを重合溶媒（ｓ成分；以下単に「ｓ」と記す。）中、金属触媒（ｚ成分；以下単に「ｚ」と記す。）の存在下に重合させ（第１の工程）、重合後、この重合系に不溶で金属触媒由来の金属成分を吸着することができる粒子（メタルスカベンジャー）（ｗ成分；以下単に「ｗ」と記す。）を添加し（第２の工程）、その後更に金属成分を吸着したメタルスカベンジャーを濾別する（第３の工程）ことによって製造される。
〈Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類（ｘ）〉

　Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類（ｘ）は、下記式（１）；

で表される。

　上記式（１）において、Ｒ¹はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示す。この場合、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。また、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。さらに、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ¹として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、水素原子等が挙げられ、これらの中ではメチル基、エチル基、フェニル基又は水素原子がより好ましい。

　また、式（１）において、Ｒ²はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示す。この場合、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。また、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。さらに、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ²として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基、フルオレニル基等のアラルキル基、水素原子等が挙げられ、これらの中ではメチル基、フェニル基又は水素原子がより好ましい。

　式（１）で表されるＢ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類（ｘ）を更に具体的に例示すると、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニルボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリ（１−プロピニル）ボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリフェニルエチニルボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリフェニルエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリフェニルボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリフェニルエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリフェニルボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−エチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリベンジルボラジン、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリス（１−プロピニル）−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジン等が挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。また、１種のＢ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類を単独で用いることもできるが、２種以上のＢ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類を組み合わせて用いてもよい。

〈ヒドロシラン類（ｙ）〉
　ヒドロシラン類（ｙ）は、下記式（２）；

又は下記式（３）；

で表される。

　式（２）において、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子の中から選ばれる同一又は異なる１価の基を示し、これらの中では、アルキル基、アリール基又は水素原子がより好ましい。この場合、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。また、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。さらに、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ3及びＲ4として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、水素原子等が挙げられ、これらの中ではメチル基、フェニル基又は水素原子がより好ましい。

　また、式（２）において、Ｒ⁵は置換若しくは未置換の芳香族の２価の基、オキシポリ（ジメチルシロキシ）基、又は酸素原子を示す。この場合、芳香族の２価の基の炭素数は６〜２４、好ましくは６〜１２である。この芳香族の２価の基には、２価芳香族炭化水素基（アリーレン基等）の他、酸素等のヘテロ原子を連結基として含むアリーレン基等が含まれる。また、この芳香族の２価の基に結合していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。より具体的には、基Ｒ⁵として、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等のアリーレン基、ジフェニルエーテル基等の置換アリーレン基、酸素原子等が挙げられ、これらの中ではフェニレン基、ジフェニルエーテル基又は酸素原子がより好ましい。

　さらに、式（３）において、Ｒ⁶はアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。この場合、アルキル基の炭素数は１〜２４、好ましくは１〜１２である。また、アリール基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１０である。さらに、アラルキル基の炭素数は７〜２４、好ましくは７〜１２である。より具体的には、基Ｒ⁶として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。

　またさらに、式（３）において、ｎは２以上の正の整数を示す。前出の式（４）におけるｐ及びｑとは、ｐ＋ｑ＋２＝ｎの関係を有する。ｎの好ましい範囲は２〜１０であり、より好ましくは３〜８である。ｎが過度に大きく（換言すれば、環が大きく）、例えば１０を超えると、耐熱性、後述する絶縁被膜の機械特性が不都合な程に低下する傾向にある。

　式（２）又は（３）で表されるヒドロシラン類（ｙ）には、ビス（モノヒドロシラン）類、ビス（ジヒドロシラン）類、ビス（トリヒドロシラン）類、ポリ（ヒドロシラン）類が含まれる。具体例としては、ｍ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ナフタレン、１，５−ビス（ジメチルシリル）ナフタレン、ｍ−ビス（メチルエチルシリル）ベンゼン、ｍ−ビス（メチルフェニルシリル）ベンゼン、ｐ−ビス（メチルオクチルシリル）ベンゼン、４，４'−ビス（メチルベンジルシリル）ビフェニル、４，４'−ビス（メチルフェネチルシリル）ジフェニルエーテル、ｍ−ビス（メチルシリル）ベンゼン、ｍ−ジシリルベンゼン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７−テトラエチルシクロテトラシロキサン、１，３，５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラベンジルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。

　これらの中では、ｍ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン又は１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンがより好ましい。また、１種のヒドロシラン類（ｙ）を単独で用いることもできるが、２種以上のヒドロシラン類（ｙ）を組み合わせて用いてもよい。

〈金属触媒（ｚ）〉
　式（４）で表される有機ケイ素ボラジン系ポリマーを製造する際に使用する金属触媒（ｚ）は、一般にアセチレン類やオレフィン類のヒドロシリル化に使用されるものを用いることができる。このような金属触媒（ｚ）としては、白金ジビニルテトラメチルジシロキサン、白金環状ジビニルメチルシロキサン、塩化白金酸、ジクロロ白金、トリス（ジベンジリデンアセトン）二白金、ビス（エチレン）テトラクロロ二白金、シクロオクタジエンジクロロ白金、ビス（シクロオクタジエン）白金、シクロオクタジエンジメチル白金、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロ白金、テトラキス（トリフェニルホスフィン）白金等、又は、Ｂ．Ｍａｒｃｉｎｉｅｃ編、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｎ　Ｈｙｄｒｏｓｉｌｙｌａｔｉｏｎ、Ｐｅｒｇａｍｏｎ　Ｐｒｅｓｓ（１９９２）に記載された化合物等が挙げられる。

　また、金属触媒（ｚ）の他の具体例として、白金粉末、パラジウム粉末、ニッケル粉末等の金属単体粉末、白金炭素、白金アルミナ、白金シリカ、パラジウム炭素、パラジウムアルミナ、パラジウムシリカ、ロジウム炭素、ロジウムアルミナ、ロジウムシリカ等の坦持金属単体、ラネーニッケル、又は、Ｂ．Ｍａｒｃｉｎｉｅｃ編、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｎ　Ｈｙｄｒｏｓｉｌｙｌａｔｉｏｎ、Ｐｅｒｇａｍｏｎ　Ｐｒｅｓｓ（１９９２）やＰｏｌｙｍｅｒ　Ｊｏｕｒｎａｌ、３４、９７−１０２（２００２）に記載のポリマー坦持ロジウム触媒（ｐｏｌｙｍ−ＰＰｈ₂・ＲｈＣｌ（ＰＰｈ₃）₃、ｐｏｌｙｍ−ＰＰｈ₂・ＲｈＣｌ₃、ｐｏｌｙｍ−ＣＨ₂Ｃｌ₂・ＲｈＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ₃）₂など）やポリマー坦持白金触媒（Ｐｏｌｙｍ−ＣＨ₂ＳＨ／Ｈ₂ＰｔＣｌ₆）（ここで、ｐｏｌｙはポリ（スチレン−ｃｏ−ジビニルベンゼン）等の主鎖骨格を意味する。）、表面官能基化シリカゲル坦持白金触媒（Ｓｉｌｉｃａ−（ＣＨ₂）₃−ＳＨ／Ｈ₂ＰｔＣｌ₆）等も挙げられる。

　これらの金属触媒（ｚ）は単独で用いてもよく、或いは、複数を組み合わせて使用してもよい。

〈重合溶媒（ｓ）〉
　式（４）で表される有機ケイ素ボラジン系ポリマーを製造する際、系の流動性を保つこと、及び、重合後、金属触媒（ｚ）由来の金属成分が付着したメタルスカベンジャー（ｗ）の除去を容易にすべく、重合溶媒（ｓ）が用いられる。重合溶媒（ｓ）としては、原料と反応するものを除いた種々の溶媒を用いることができる。具体的には、芳香族炭化水素系、飽和炭化水素系、脂肪族エーテル系、芳香族エーテル系等の溶媒が挙げられ、より具体的には、トルエン、ベンゼン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジフェニルエーテル等が挙げられる。これらの重合溶媒は単独で用いてもよく、また、複数を組み合わせて使用してもよい。

　ここで、式（４）で表される有機ケイ素ボラジン系ポリマーを製造する際のＢ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類（ｘ）とヒドロシラン類（ｙ）の仕込みモル比は、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類１モルに対して、ヒドロシラン類が０．１〜１０モルの範囲であると好適であり、より好ましくは、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類１モルに対して、ヒドロシラン類が０．２〜５モルの範囲である。

　また、式（４）で表される有機ケイ素ボラジン系ポリマーを製造する際の金属触媒（ｚ）の使用量は、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類又はヒドロシラン類のうちモル量の少ない方の原料化合物に対する金属原子のモル比が０．０００００１〜５の範囲であると好適である。

　さらに、式（４）で表される有機ケイ素ボラジン系ポリマーを製造する際の重合溶媒（ｓ）の使用量は、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類及びヒドロシラン類の総量１００重量部に対して重合溶媒（ｓ）を５０〜１０００００重量部使用することが望ましい。

　またさらに、式（４）で表される有機ケイ素ボラジン系ポリマーを製造する際の反応温度及び反応時間は、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類とヒドロシラン類とが重合し、所望の分子量を有する有機ケイ素ボラジン系ポリマーが得られる条件であれば特に制限されない。具体的には、原料の反応性や触媒の活性によって異なるが、反応温度は−２０℃〜２００℃の範囲で冷却又は加熱することができる。より好ましい反応温度としては０℃〜１５０℃、更に好ましくは０℃〜１００℃の範囲とされる。一方、反応時間は好ましくは１分〜１０日であり、より好ましくは１時間〜１０日、特に好ましくは２時間〜７日の範囲とされる。

　なお、重合反応は乾燥窒素やアルゴン等の不活性雰囲気下で行うことが望ましく、装置構成を簡略化する観点から、大気下でも行うことが可能である。

〈メタルスカベンジャー（ｗ）〉
　有機ケイ素ボラジン系ポリマーの合成後、重合系に不溶で金属触媒由来の金属成分を吸着することができる粒子（メタルスカベンジャー（ｗ））を重合系（重合液）に添加し、その後、重合液中に残留する金属成分が吸着したメタルスカベンジャーを濾別することによって、金属触媒（ｓ）に由来する金属成分を除去することができる。

　メタルスカベンジャー（ｗ）としては、重合系中の金属成分を吸着（配位）して重合系から分別することが可能な粒子である。具体的には、「組み合わせ化学（コンビナトリアルケミストリー）」で用いられる以下に示すような表面修飾粒子が挙げられる。

　また、他のメタルスカベンジャー（ｗ）として、陽イオン交換樹脂、シリカゲル粒子、アルミナ粒子、セライト、活性炭素粉末等を例示できる。

　メタルスカベンジャー（ｗ）の使用量は、重合に用いた金属触媒（ｚ）の使用量、及び／又はメタルスカベンジャー（ｗ）が金属を吸着（配位）する能力によって異なるものの、概ね、反応溶液の総量（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ）１００重量部に対してメタルスカベンジャー（ｗ）を０．０１〜１００重量部使用することが好ましい。

　そして、メタルスカベンジャー（ｗ）を重合系に加え、その液を攪拌することによって、メタルスカベンジャーが効率よく金属を吸着（配位）する（第２の工程）。メタルスカベンジャー（ｗ）に金属触媒（ｚ）由来の金属を吸着させるための時間（接触時間）は、金属触媒（ｚ）の使用量及びメタルスカベンジャー（ｗ）が金属を吸着する能力によって異なるものの、概ね１０分〜２４時間程度である。

　さらに引き続き、反応液を濾過して金属成分が吸着したメタルスカベンジャー（ｗ）を除去することにより、金属不純物含有量が低減された有機ケイ素ボラジン系ポリマーを含んだ濾液を得る（第３の工程）。このとき、濾別の方法としては、一般的に用いられる自然濾過、吸引濾過、加圧濾過等の濾過法を用いることができる。また、濾材には濾紙、濾布、樹脂膜等を使用でき、さらに、自然沈降や遠心分離等によって金属成分が吸着したメタルスカベンジャー（ｗ）を除去することも本発明の「濾別」の態様に含まれる。

　このようにして得た有機ケイ素ボラジン系ポリマーを含んだ濾液は、このままボラジン系樹脂組成物（Ｃ成分；以下単に「Ｃ」と記す。）となる。また、かかる濾液を減圧濃縮又は加熱濃縮することにより溶媒を除去し、固形状のポリマーとしてボラジン系樹脂組成物（Ｃ）の原料とすることもできる。さらに、再沈殿、ゲル濾過カラム、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラム）カラム等により分取したもの等をボラジン系樹脂組成物（Ｃ）の原料とすることも可能である。

〈溶剤（Ｂ）〉
　本発明のボラジン系樹脂組成物を構成する溶剤（Ｂ）は、主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体（Ａ）と反応せずに、重合体（Ａ）を溶解せしめるものである。具体的には、トルエン、ベンゼン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ヘキシルベンゼン、テトラリン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の炭化水素系溶剤、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン、キノリン等の含窒素溶剤、クロロホルム等のハロゲン系溶剤、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。

　これらの溶剤（Ｂ）は単独で用いてもよく、或いは、複数組み合わせて使用してもよい。溶剤（Ｂ）の使用量は、重合体（Ａ）の固形分濃度が好ましくは０．５〜８０質量％、より好ましくは１〜７０質量％、更に好ましくは２〜６０質量％となるようにすると好適である。この固形分濃度が０．５質量％未満であると、基体上に塗布する場合に、１回の塗布で得られる塗膜の厚さが薄くなり、当該膜の強度や耐熱性、及び乾燥させて絶縁被膜としたときの絶縁特性の信頼性が低下する傾向にある。一方、その固形分濃度が８０質量％を超えると、ボラジン系樹脂組成物（Ｃ）の粘性が過度に高められ、均一な薄膜を形成させることが困難な傾向にある。

〈ボラジン系樹脂組成物（Ｃ）〉
　本発明のボラジン系樹脂組成物（Ｃ）は、以上説明した主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体（Ａ）と溶剤（Ｂ）の混合物（実質的に均一混合物）である。ボラジン系樹脂組成物（Ｃ）は、前述した有機ケイ素ボラジン系ポリマーを製造する過程で得た、金属成分が吸着したメタルスカベンジャー（ｗ）を濾別した後の濾液、その濾液に重合溶媒より高沸点の溶剤を加えて低沸点の重合溶媒を留去したもの（したがって、かかる高沸点の溶剤と有機ケイ素ボラジン系ポリマーの混合物となる。）、又は、固形状の有機ケイ素ボラジン系ポリマーを溶剤中に溶解したもの等が挙げられ、それぞれの方法を用いても製造することができる。

　このように構成されたボラジン系樹脂組成物（Ｃ）は、金属触媒（ｚ）に由来する金属成分、更にはハロゲン等の不純物含有量が十分に低減されたものである。ボラジン系樹脂組成物（Ｃ）中の不純物含有量は、絶縁被膜の製造装置に悪影響を及ぼさず、かかる絶縁被膜を層間絶縁膜として使用する際に、リーク電流が発生したり、誘電率等の絶縁膜としての特性が低下したりしない観点から、好ましくはボラジン系樹脂組成物（Ｃ）中３０ｐｐｍ以下が好ましく、１０ｐｐｍ以下がより好ましく、５ｐｐｍ以下が更に好ましい。

　ところで、ボラジン系樹脂組成物（Ｃ）中の不純物濃度の低減を図る他の方法として、不純物濃度が極めて小さい溶媒でボラジン系樹脂組成物（Ｃ）を希釈するといった方法も想定される。しかし、この方法では、絶縁被膜の製造装置に与える損傷を軽減することができるが、ボラジン系樹脂組成物（Ｃ）中の固形物濃度も同時に低下させてしまうといった不都合があり、また、実質的に固形物濃度に対する不純物濃度の割合を低減することにはならない。

　このようなボラジン系樹脂組成物（Ｃ）を用いて本発明による絶縁被膜を形成する方法としては、以下を例示できる。まず、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法等によってシリコンウェハ、金属基板、セラミック基板等の基体上にボラジン系樹脂組成物（Ｃ）を塗布して塗膜を形成する。それから、６０〜５００℃、１０秒〜２時間程度、空気中又は窒素等の不活性ガス中でその塗膜を加熱乾燥して溶剤を除去する。これにより、ベタツキのない薄膜から成る絶縁被膜を得ることができる。この絶縁被膜の膜厚は特に制限されないものの、耐熱性等の観点から、好ましくは０．０５〜５０μｍ、より好ましくは０．１〜１０μｍ、特に好ましくは０．２〜５μｍとされる。

　また、このように形成される絶縁被膜を用いた本発明による電子部品としては、半導体素子、液晶素子、多層配線板等の絶縁被膜を有するもの等が挙げられる。本発明の絶縁被膜は、半導体素子においては、表面保護膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜といった絶縁膜等として、液晶素子においては表面保護膜、絶縁膜等として、多層配線基板においては、層間絶縁膜として好ましく用いることができる。

　具体的には、半導体素子としては、ダイオード、トランジスタ、キャパシタ、化合物半導体素子、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体素子、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリ）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、フラッシュメモリー等の記憶（メモリ）素子、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ等の理論（回路）素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子、発光素子、半導体レーザ素子等が挙げられる。また、多層配線基板としては、ＭＣＭ等の高密度配線基板等が挙げられる。

　ここで、図４は、本発明による電子部品の好適な一実施形態を示す模式断面図である。メモリキャパシタセル８（電子部品）は、拡散領域１Ａ，１Ｂが形成されたシリコンウェハ１（基体）上に酸化膜から成るゲート絶縁膜２Ｂを介して設けられたゲート電極３（ワード線として機能する。）と、その上方に設けられた対向電極８Ｃとの間に二層構造の層間絶縁膜５，７（絶縁被膜）が形成されたものである。ゲート電極３の側壁には、側壁酸化膜４Ａ，４Ｂが形成されており、また、ゲート電極の側方における拡散領域１Ｂにはフィールド酸化膜２Ａが形成され、素子分離がなされている。

　層間絶縁膜５は、これらのゲート電極３及びフィールド酸化膜２Ａ上に被着されており、本発明のボラジン系樹脂組成物（Ｃ）をスピンコートして形成されたものである。層間絶縁膜５におけるゲート電極３近傍にはビット線として機能する電極６が埋め込まれたコンタクトホール５Ａが形成されている。さらに、平坦化された層間絶縁膜５上には平坦化された層間絶縁膜７が被着されており、両者を貫通するように形成されたコンタクトホール７Ａには蓄積電極８Ａが埋め込まれている。層間絶縁膜７は、層間絶縁膜５と同様に本発明のボラジン系樹脂組成物（Ｃ）をスピンコートして形成されたものである。そして、蓄積電極８Ａ上に高誘電体から成るキャパシタ絶縁膜８Ｂを介して対向電極８Ｃが設けられている。なお、層間絶縁膜５，７は同一の組成を有していても異なる組成を有していてもよい。

　このように構成された本発明の絶縁被膜が形成されたメモリキャパシタセル８等の電子部品によれば、絶縁被膜の比誘電率が従来に比して十分に低減されるので、信号伝搬における配線遅延時間を十分に短縮できると共に、リーク電流の発生を有効に防止できる。その結果、素子の高性能化を達成できると同時に高信頼性をも実現できる。

　以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〈実施例１〉
（ボラジン系樹脂組成物１の製造）
　Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジン０．１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）、ｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン０．１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）をエチルベンゼン８ｍｌに溶解し、白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）１０μｌを加え、窒素下室温で３日間撹拌した。反応液の一部を取り出し、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析を行ったところ、モノマーであるＢ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジンのピークが殆ど消失し、また、ｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンのピークが消失していることが確認された。

　図１は、この重合開始直後の反応液のガスクロマトグラムを示すグラフであり、図２は、重合開始から３日間攪拌後の反応液のガスクロマトグラムを示すグラフである。図１における「ａ」は、ｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンに対応するピークであり、図１及び２における「ｂ」は、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジンに対応するピークである。

　また、ＧＰＣ分析から生成物の分子量（標準ポリスチレン基準）は、Ｍｎ＝４３００（Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５）であった。図３は、得られた重合体のＧＰＣチャートを示すグラフである。次に、この反応液に下記式（８）で表されるメタルスカベンジャー（３−（ジエチレントリアミノ）プロピル−官能基化シリカゲル、アルドリッチ社製）０．２ｇを加え、室温で２時間攪拌した。その後、白金が吸着したメタルスカベンジャーをＡＤＶＡＮＴＥＣ社製ディスポーザブルメンブランフィルターユニットで濾過し、本発明のボラジン系樹脂組成物１を得た。

〈実施例２〉
（ボラジン系樹脂組成物２の製造）
　実施例１と同様にして、白金ジビニルテトラメチルジシロキサン触媒存在下、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジンとｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを重合した。この反応液に下記式（９）で表されるメタルスカベンジャー（３−メルカプトプロピル−官能基化シリカゲル、アルドリッチ社製）０．２ｇを加え、室温で２時間攪拌した。その後、白金が吸着したメタルスカベンジャーをＡＤＶＡＮＴＥＣ社製ディスポーザブルメンブランフィルターユニットで濾過し、本発明のボラジン系樹脂組成物２を得た。

〈実施例３〉
（ボラジン系樹脂組成物３の製造）
　Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジン０．１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン０．１２ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）をエチルベンゼン８ｍｌに溶解し、白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）１０μｌを加え、窒素下室温で３日間撹拌した。反応液の一部を取り出し、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析を行ったところ、モノマーであるＢ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジンと１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンのピークが消失していることが確認された。

　また、ＧＰＣ分析から生成物の分子量（標準ポリスチレン基準）は、Ｍｎ＝４５００（Ｍｗ／Ｍｎ＝２．６）であった。次に、この反応液に上記式（８）で表されるメタルスカベンジャー（３−（ジエチレントリアミノ）プロピル−官能基化シリカゲル、アルドリッチ社製）０．２ｇを加え、室温で２時間攪拌した。その後、白金が吸着したメタルスカベンジャーをＡＤＶＡＮＴＥＣ社製ディスポーザブルメンブランフィルターユニットで濾過し、本発明のボラジン系樹脂組成物３を得た。

〈実施例４〉
（ボラジン系樹脂組成物４の製造）
　実施例１と同様にして、白金ジビニルテトラメチルジシロキサン触媒存在下、Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジンと１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを重合した。この反応液に上記式（９）のメタルスカベンジャー（３−メルカプトプロピル−官能基化シリカゲル、アルドリッチ社製）０．２ｇを加え、室温で２時間攪拌した。その後、白金が吸着したメタルスカベンジャーをＡＤＶＡＮＴＥＣ社製ディスポーザブルメンブランフィルターユニットで濾過し、本発明のボラジン系樹脂組成物４を得た。

〈実施例５〉
（ボラジン系樹脂組成物５の製造）
　Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（１’−プロピニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジン３．６ｇ（１５ｍｍｏｌ）、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン３．６ｇ（１５ｍｍｏｌ）をメシチレン１５０ｍｌに溶解し、白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）３０μｌを加え、窒素下４０℃で１日間攪拌した。そこへ白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）３０μｌを追加し、窒素下４０℃で１日間攪拌した。続いて、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン０．３６ｇ（１．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素下４０℃で１日間攪拌した。反応液の一部を取り出し、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析を行なったところ、モノマーであるＢ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（１’−プロピニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンと１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンのピークが消失していることを確認した。

　図４は、得られた重合体のＧＰＣチャートを示すグラフである。ＧＰＣ分析から生成物の分子量（標準ポリスチレン基準）は、Ｍｎ＝１１０００（Ｍｗ／Ｍｎ＝２９）であった。
この反応液に上記式（９）のメタルスカベンジャー（３−メルカプトプロピル−官能基化シリカゲル、アルドリッチ社製）１．０ｇを加え、室温で２時間攪拌した。その後、白金が吸着したメタルスカベンジャーをＡＤＶＡＮＴＥＣ社製ＰＴＦＥメンブランフィルター上で濾過し、本発明のボラジン系樹脂組成物５を得た。

〈比較例１〉
（ボラジン系樹脂組成物６の製造）
　Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジン０．１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）、ｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン０．１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）をエチルベンゼン８ｍｌに溶解し、均一系金属触媒の白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）１０μｌを加え、窒素下室温で３日間撹拌した。この反応液をボラジン系樹脂組成物６とした。

〈比較例２〉
（ボラジン系樹脂組成物７の製造）
　Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジン０．１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン０．１２ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）をエチルベンゼン８ｍｌに溶解し、白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）１０μｌを加え、窒素下室温で３日間撹拌した。この反応液をボラジン系樹脂組成物７とした。

〈比較例３〉
（ボラジン系樹脂組成物８の製造）
　Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（１’−プロピニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジン１．２ｇ（５ｍｍｏｌ）、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン１．２ｇ（５ｍｍｏｌ）をメシチレン５０ｍｌに溶解し、白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）１０μｌを加え、窒素下４０℃で１日間攪拌した。そこへ白金ジビニルテトラメチルジシロキサンのキシレン溶液（白金２％含有）１０μｌを追加し、窒素下４０℃で１日間攪拌した。続いて、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン０．１２ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素下４０℃で１日間攪拌した。この反応液をボラジン系樹脂組成物８とした。

〈実施例６〉
（絶縁被膜１の製造）
　実施例１で得たボラジン系樹脂組成物１をフィルター濾過し、濾液を低抵抗率シリコンウェハ（基体；抵抗率＜１０Ωｃｍ）上に滴下してスピンコートした。次いで、このシリコンウェハを窒素雰囲気中ホットプレートで２００℃で１時間加熱した後、３００℃で３０分、４００℃で３０分間ベークして、本発明の絶縁被膜１を得た。

〈実施例７〉
（絶縁被膜２の製造）
　ボラジン系樹脂組成物１の代わりに実施例２で得たボラジン系樹脂組成物２を用いたこと以外は実施例６と同様にして本発明の絶縁被膜２を得た。

〈実施例８〉
（絶縁被膜３の製造）
　ボラジン系樹脂組成物１の代わりに実施例３で得たボラジン系樹脂組成物３を用いたこと以外は実施例６と同様にして本発明の絶縁被膜３を得た。

〈実施例９〉
（絶縁被膜４の製造）
　ボラジン系樹脂組成物１の代わりに実施例４で得たボラジン系樹脂組成物４を用いたこと以外は実施例６と同様にして本発明の絶縁被膜４を得た。

〈実施例１０〉
（絶縁被膜５の製造）
　ボラジン系樹脂組成物１の代わりに実施例５で得たボラジン系樹脂組成物５を用いたこと以外は実施例６と同様にして本発明の絶縁被膜５を得た。

〈比較例４〉
（絶縁被膜６の製造）
　ボラジン系樹脂組成物１の代わりに比較例１で得たボラジン系樹脂組成物６を用いたこと以外は実施例６と同様にして絶縁被膜６を得た。

〈比較例５〉
（絶縁被膜７の製造）
　ボラジン系樹脂組成物１の代わりに比較例２で得たボラジン系樹脂組成物７を用いたこと以外は実施例６と同様にして絶縁被膜７を得た。

〈比較例６〉
（絶縁被膜８の製造）
　ボラジン系樹脂組成物１の代わりに比較例３で得たボラジン系樹脂組成物８を用いたこと以外は実施例６と同様にして絶縁被膜８を得た。

〈比誘電率測定〉
　各実施例及び各比較例で得た各絶縁被膜の比誘電率を測定した。ここで、本発明における絶縁被膜の「比誘電率」とは、２３℃±２℃、湿度４０±１０％の雰囲気下で測定された値をいい、Ａｌ金属とＮ型低抵抗率基板（Ｓｉウエハ）間の電荷容量の測定から求められる。

　具体的には、各実施例及び各比較例で絶縁被膜を形成した後、絶縁被膜上に、真空蒸着装置でＡｌ金属を直径２ｍｍの円で、厚さ約０．１μｍになるように真空蒸着する。これにより、絶縁被膜がＡｌ金属と低抵抗率基板との間に配置された構造が形成される。次に、この構造体の電荷容量を、ＬＦインピーダンスアナライザー（横河電機社製：ＨＰ４１９２Ａ）に誘電体テスト・フィクスチャー（横河電機製：ＨＰ１６４５１Ｂ）を接続した装置を用い、使用周波数１ＭＨｚにて測定した。

　そして、電荷容量の測定値を下記式；
絶縁被膜の比誘電率＝３．５９７×１０^-2×電荷容量（ｐＦ）×絶縁被膜の膜厚（μｍ）、
に代入し、絶縁被膜の比誘電率を算出した。なお、絶縁被膜の膜厚としては、ガートナー製のエリプソメーターＬ１１６Ｂで測定した値を用いた。

　表１にボラジン系樹脂組成物１〜８の白金含有量を示す。この白金含有量は、一定量試料を酸分解し、セイコーインスツルメンツ製ＳＰＱ９０００型ＩＣＰ−ＭＳにより測定した。また、表２に、絶縁被膜１〜８の比誘電率、及びリーク電流値の測定結果を示す。

　表１より、重合後にメタルスカベンジャー処理を施したボラジン系樹脂組成物１〜５の白金含有量は、未処理のもの（比較例で得たボラジン系樹脂組成物６〜８）に比して格段に低減されていることが確認された。また、表２より、金属性不純物含有量が低いボラジン系樹脂組成物１〜５でそれぞれ形成した絶縁被膜被膜１〜５の比誘電率及びリーク電流は、ボラジン系樹脂組成物６〜８でそれぞれ形成した絶縁被膜６〜８に比して十分に低減されていることが判明した。

実施例１における重合開始直後の反応液のガスクロマトグラムを示すグラフである。 実施例１における重合開始から３日間攪拌後の反応液のガスクロマトグラムを示すグラフである。 実施例１で得られた重合体のＧＰＣチャートを示すグラフである。 実施例５で得られた重合体のＧＰＣチャートを示すグラフである。 本発明による電子部品の好適な一実施形態を示す模式断面図である。

符号の説明

　１...シリコンウェハ（基体）、１Ａ，１Ｂ...拡散領域、２Ａ...フィールド酸化膜、２Ｂ...ゲート絶縁膜、３...ゲート電極、４Ａ，４Ｂ...側壁酸化膜、５，７...層間絶縁膜（絶縁被膜）、５Ａ，７Ａ...コンタクトホール、６...ビット線、８...メモリセルキャパシタ（電子部品）、８Ａ...蓄積電極、８Ｂ...キャパシタ絶縁膜、８Ｃ...対向電極、ａ...ｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンに対応するピーク、ｂ...Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリエチニル−Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリメチルボラジンに対応するピーク。

Claims (10)

1. 主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体を製造する方法であって、
   　Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類とヒドロシラン類とを、重合溶媒中で金属触媒の存在下に重合させる第１の工程と、
   　前記第１の工程における重合系に不溶であり、且つ、前記金属触媒由来の金属成分を吸着する粒子状のスカベンジャーを前記第１の工程を実施した後の重合系に添加する第２の工程と、
   　前記第２の工程を実施した後に、前記金属成分を吸着した前記スカベンジャーを濾別する第３の工程と、
   を備えるボラジン系樹脂の製造方法。
2. 前記Ｂ，Ｂ'，Ｂ"−トリアルキニルボラジン類が、下記式（１）；
   

   

   （式中、Ｒ¹はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、Ｒ²はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示す）、
   で表されるものである、請求項１記載のボラジン系樹脂の製造方法。
3. 前記ヒドロシラン類が、下記式（２）；
   

   

   （式中、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アリール基、アラルキル基及び水素原子の中から選ばれる同一又は異なる１価の基を示し、Ｒ⁵は置換若しくは未置換の芳香族の２価の基、オキシポリ（ジメチルシロキシ）基、又は酸素原子を示す）、又は下記式（３）；
   

   

   （式中、Ｒ⁶はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、ｎは２以上の整数を示す。）、
   で表されるものである、請求項１記載のボラジン系樹脂の製造方法。
4. 主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体と、該重合体を溶解可能な溶剤とを含んでおり、固形分濃度が０．５質量％以上であり、且つ、金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下である、ボラジン系樹脂組成物。
5. 前記重合体が請求項１〜３のいずれか一項に記載のボラジン系樹脂の製造方法により製造されて成るボラジン系樹脂である、
   請求項４記載のボラジン系樹脂組成物。
6. 前記重合体が下記式（４）；
   

   

   （式中、Ｒ¹はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、Ｒ²はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アリール基、アラルキル基及び水素原子の中から選ばれる同一又は異なる１価の基を示し、Ｒ⁵は置換若しくは未置換の芳香族の２価の基、オキシポリ（ジメチルシロキシ）基、又は酸素原子を示し、Ｒ⁶はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は水素原子を示し、ａは正の整数を示し、ｂは０又は正の整数を示し、ｐは０又は正の整数を示し、ｑは０又は正の整数を示す。）、
   で表される繰り返し単位を有するものである、
   請求項４又は５記載のボラジン系樹脂組成物。
7. 基体上に絶縁被膜を形成する方法であって、
   　請求項４〜６のいずれか一項に記載のボラジン系樹脂組成物を基体上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を乾燥せしめる、絶縁被膜の形成方法。
8. 基体上に設けられており、請求項７記載の絶縁被膜の形成方法により形成されて成る絶縁被膜。
9. 当該絶縁被膜は、前記基体上に設けられた複数の導電性層のうち互いに隣設された導電性層の間に形成されたものである、請求項８記載の絶縁被膜。
10. 請求項８又は９に記載の絶縁被膜が形成されて成る電子部品。
    

Images