JP2003077908A - 芳香族ポリカルボシランを含む層間絶縁膜及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
芳香族ポリカルボシランを含む層間絶縁膜及びこれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低誘電率であって、耐熱性、熱伝導性及び機
械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属
の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成
された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置
を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） （式中、Ｒ１及び Ｒ２は、それぞれ置換基を有してい
ても良い２価の芳香族基を示す。ｎ＝２〜５００００の
整数である。）で表される芳香族ポリカルボシランを含
む重合体を用いて形成された層間絶縁膜である。この層
間絶縁膜は、低誘電率であるから、半導体装置に用いる
と高集積化及び高速化に有益である。
械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属
の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成
された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置
を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） （式中、Ｒ１及び Ｒ２は、それぞれ置換基を有してい
ても良い２価の芳香族基を示す。ｎ＝２〜５００００の
整数である。）で表される芳香族ポリカルボシランを含
む重合体を用いて形成された層間絶縁膜である。この層
間絶縁膜は、低誘電率であるから、半導体装置に用いる
と高集積化及び高速化に有益である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ケイ素ポリマ
ーを用いた低誘電率の層間絶縁膜及びその膜を用いて構
成される半導体装置に関するものである。
ーを用いた低誘電率の層間絶縁膜及びその膜を用いて構
成される半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置の層間絶縁膜として
は、気相薄膜形成法（ＣＶＤ法 ）によって形成される
ＳｉＯ２膜（誘電率ｋ＞４．０）が用いられているが、
さらに低誘電率化を目指した材料として、ＳｉＯ２系の
ＳＯＧ（スピンオングラス）材料に代表される無機高分
子材料やポリアリーレンエーテルに代表される有機高分
子材料が知られている。
は、気相薄膜形成法（ＣＶＤ法 ）によって形成される
ＳｉＯ２膜（誘電率ｋ＞４．０）が用いられているが、
さらに低誘電率化を目指した材料として、ＳｉＯ２系の
ＳＯＧ（スピンオングラス）材料に代表される無機高分
子材料やポリアリーレンエーテルに代表される有機高分
子材料が知られている。
【０００３】超ＬＳＩの高集積化、高速化がますます要
求されている中で、チップのより一層の微細化及び高集
積化を計るために、配線材料の細線化、配線距離の増大
及び配線構造の多層化などが推進されている。ところ
が、これらにより引き起こされる配線抵抗及び寄生容量
の増大は、チップ性能を左右する信号遅延をもたらすこ
とから、これらの問題を解消させることが重要な課題と
なっている。このようなチップの信号遅延を抑制するた
め、使用材料及びプロセス技術等の面から研究開発が行
われており、従来のＡｌ配線よりも低抵抗なＣｕ配線を
用いることや、より誘電率の低い層間絶縁膜材料の開発
が求められている。
求されている中で、チップのより一層の微細化及び高集
積化を計るために、配線材料の細線化、配線距離の増大
及び配線構造の多層化などが推進されている。ところ
が、これらにより引き起こされる配線抵抗及び寄生容量
の増大は、チップ性能を左右する信号遅延をもたらすこ
とから、これらの問題を解消させることが重要な課題と
なっている。このようなチップの信号遅延を抑制するた
め、使用材料及びプロセス技術等の面から研究開発が行
われており、従来のＡｌ配線よりも低抵抗なＣｕ配線を
用いることや、より誘電率の低い層間絶縁膜材料の開発
が求められている。
【０００４】従来のＣＶＤ法により得られたＳｉＯ２膜
を用いた層間絶縁膜では、誘電率が高くなり、超ＬＳＩ
の高集積化、高速化を進展させる際、信号遅延を引き起
こす要因となっている寄生容量を低減しなければなら
ず、そのためには層間絶縁膜の低誘電率化を図ることが
不可欠である。また、配線材料である金属の絶縁膜中へ
の拡散が生じるため、これを抑制するためのバリアー膜
を設ける必要があるなどの問題があった。
を用いた層間絶縁膜では、誘電率が高くなり、超ＬＳＩ
の高集積化、高速化を進展させる際、信号遅延を引き起
こす要因となっている寄生容量を低減しなければなら
ず、そのためには層間絶縁膜の低誘電率化を図ることが
不可欠である。また、配線材料である金属の絶縁膜中へ
の拡散が生じるため、これを抑制するためのバリアー膜
を設ける必要があるなどの問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における上記のような問題を解決するためになされたも
のである。すなわち、本発明の目的は、低誘電率であ
り、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数
が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制
できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、その層間絶
縁膜を半導体装置に適用することにより、高集積化及び
高速化を達成し得る半導体装置を提供することにある。
における上記のような問題を解決するためになされたも
のである。すなわち、本発明の目的は、低誘電率であ
り、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数
が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制
できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、その層間絶
縁膜を半導体装置に適用することにより、高集積化及び
高速化を達成し得る半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の層間絶縁膜は、
下記一般式（１）
下記一般式（１）
【化４】
（式中、Ｒ１及び Ｒ２は、それぞれ置換基を有してい
ても良い２価の芳香族基を示す。ｎ＝２〜５００００の
整数である。）で表される芳香族ポリカルボシランを含
む重合体を用いて形成されたことを特徴とする。
ても良い２価の芳香族基を示す。ｎ＝２〜５００００の
整数である。）で表される芳香族ポリカルボシランを含
む重合体を用いて形成されたことを特徴とする。
【０００７】その層間絶縁膜の作製に用いる芳香族ポリ
カルボシランとしては、下記一般式（２）
カルボシランとしては、下記一般式（２）
【化５】
（式中、Ｒ１は前記したと同意義を有する。）で表され
るエチニル基を２個有する芳香族化合物と、下記一般式
（３）
るエチニル基を２個有する芳香族化合物と、下記一般式
（３）
【化６】
（式中、 Ｒ２は前記したと同意義を有する。）で表さ
れるジメチルシリル基を２個有する芳香族化合物とを、
反応させて得られるものであることが好ましい。その反
応は、白金系触媒の存在下に行うものであることがより
好ましい。また、本発明の半導体装置は、絶縁体として
上記の層間絶縁膜を用いて構成されるものである。
れるジメチルシリル基を２個有する芳香族化合物とを、
反応させて得られるものであることが好ましい。その反
応は、白金系触媒の存在下に行うものであることがより
好ましい。また、本発明の半導体装置は、絶縁体として
上記の層間絶縁膜を用いて構成されるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における層間絶縁膜は、ケ
イ素原子を繰り返し構造単位（ユニット）の主鎖に持つ
有機ケイ素ポリマーであって、さらに、その主鎖中に芳
香環ユニットと炭素−炭素二重結合ユニットを持つ一般
式（１）で表される芳香環ポリカルボシラン化合物を含
む重合体を用いて作製されるものであって、誘電率が低
く、かつ耐熱性などの諸特性に優れていることから、高
集積で高速の半導体装置における絶縁膜として有益であ
る。
イ素原子を繰り返し構造単位（ユニット）の主鎖に持つ
有機ケイ素ポリマーであって、さらに、その主鎖中に芳
香環ユニットと炭素−炭素二重結合ユニットを持つ一般
式（１）で表される芳香環ポリカルボシラン化合物を含
む重合体を用いて作製されるものであって、誘電率が低
く、かつ耐熱性などの諸特性に優れていることから、高
集積で高速の半導体装置における絶縁膜として有益であ
る。
【０００９】本発明の層間絶縁膜に含まれる芳香族ポリ
カルボシランは、下記一般式（１）で表されるものであ
る。
カルボシランは、下記一般式（１）で表されるものであ
る。
【化７】
上記式中のＲ１及びＲ２は、それぞれ置換基を有してい
ても良い２価の芳香族基であるが、その芳香族基の炭素
数としては、６〜２４個の範囲、好ましくは６〜１２個
のものである。その芳香族基の具体例としては、フェニ
レン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等のアリーレン
基及びフェニレンオキシフェニレン等の酸素等のヘテロ
原子を連結基として含む置換アリーレン基等が挙げられ
る。また、前記芳香族基に結合していても良い置換基と
しては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が含
まれる。
ても良い２価の芳香族基であるが、その芳香族基の炭素
数としては、６〜２４個の範囲、好ましくは６〜１２個
のものである。その芳香族基の具体例としては、フェニ
レン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等のアリーレン
基及びフェニレンオキシフェニレン等の酸素等のヘテロ
原子を連結基として含む置換アリーレン基等が挙げられ
る。また、前記芳香族基に結合していても良い置換基と
しては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が含
まれる。
【００１０】本発明に用いられる一般式（１）で表され
る芳香族ポリカルボシランは、式中の繰り返し構造単位
を示すｎが、２〜５００００の整数、好ましくは５〜２
００００の整数の範囲の重合体である。
る芳香族ポリカルボシランは、式中の繰り返し構造単位
を示すｎが、２〜５００００の整数、好ましくは５〜２
００００の整数の範囲の重合体である。
【００１１】本発明における芳香族ポリカルボシラン
は、その製造原料として、一般式（２）で表されるエチ
ニル基を２個有する芳香族化合物と一般式（３）で表さ
れるジメチルシリル基を２個有する芳香族化合物とを反
応させること、好ましくは白金系触媒の存在下に反応さ
せることにより容易に得ることができる。
は、その製造原料として、一般式（２）で表されるエチ
ニル基を２個有する芳香族化合物と一般式（３）で表さ
れるジメチルシリル基を２個有する芳香族化合物とを反
応させること、好ましくは白金系触媒の存在下に反応さ
せることにより容易に得ることができる。
【００１２】前記一般式（２）で表されるエチニル基を
２個有する芳香族化合物としては、Ｒ１ は前記したと
同意義を有するものであり、その具体例としては、ｍ−
ジエチニルベンゼン、ｐ−ジエチニルベンゼン、１，４
−ジエチニルナフタレン、１，５−ジエチニルナフタレ
ン、４，４’− ジエチニルビフェニル、ビス（４−エ
チニルフェニル）エーテル等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。また、これらの１種を単独で
用いても又は２種以上を併用しても良い。
２個有する芳香族化合物としては、Ｒ１ は前記したと
同意義を有するものであり、その具体例としては、ｍ−
ジエチニルベンゼン、ｐ−ジエチニルベンゼン、１，４
−ジエチニルナフタレン、１，５−ジエチニルナフタレ
ン、４，４’− ジエチニルビフェニル、ビス（４−エ
チニルフェニル）エーテル等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。また、これらの１種を単独で
用いても又は２種以上を併用しても良い。
【００１３】また、前記一般式（３）で表されるジメチ
ルシリル基を２個有する芳香族化合物としては、Ｒ２は
前記したと同意義を有するものであり、その具体例とし
ては、ｍ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ｐ−ビス
（ジメチルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチル
シリル）ナフタレン、１，５−ビス（ジメチルシリル）
ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルシリル）ビフェ
ニル、ビス｛４−（ジメチルシリル）フェニル｝エーテ
ル等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。また、これらの１種を単独で用いても又は２種以上
を併用しても良い。
ルシリル基を２個有する芳香族化合物としては、Ｒ２は
前記したと同意義を有するものであり、その具体例とし
ては、ｍ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ｐ−ビス
（ジメチルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチル
シリル）ナフタレン、１，５−ビス（ジメチルシリル）
ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルシリル）ビフェ
ニル、ビス｛４−（ジメチルシリル）フェニル｝エーテ
ル等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。また、これらの１種を単独で用いても又は２種以上
を併用しても良い。
【００１４】その製造に用いられる白金系触媒として
は、白金単独、坦持白金、白金塩、白金錯体などの従来
公知のものを適宜使用することができる。その使用量
は、適宜採択されるが、原料モルに対し、０．００００
１〜０．５の範囲が好ましい。
は、白金単独、坦持白金、白金塩、白金錯体などの従来
公知のものを適宜使用することができる。その使用量
は、適宜採択されるが、原料モルに対し、０．００００
１〜０．５の範囲が好ましい。
【００１５】その反応は、−５０〜２５０℃、好ましく
は−２０〜１５０℃の温度で行う。また、この反応は溶
媒の存在下でも非存在下でも実施できるが、溶媒を用い
る場合、エチルベンゼン、ベンゼン、トルエン等の炭化
水素溶媒やエーテル系溶媒などのほか、本反応に関与し
ない各種の有機溶媒を用いることができる。
は−２０〜１５０℃の温度で行う。また、この反応は溶
媒の存在下でも非存在下でも実施できるが、溶媒を用い
る場合、エチルベンゼン、ベンゼン、トルエン等の炭化
水素溶媒やエーテル系溶媒などのほか、本反応に関与し
ない各種の有機溶媒を用いることができる。
【００１６】本発明の層間絶縁膜を得るには、上記一般
式（１）で表される芳香環ポリカルボシラン化合物から
なる重合体を有機溶媒に溶かした樹脂溶液を基材に展開
する、キャスト法、スピンコート法、バーコート法等の
通常の塗工方法を用いて行う。その有機溶媒としては、
上記重合体を溶解し得る溶剤であれば何ら制限なく使用
可能であって、これを例示すれば、テトラヒドロフラ
ン、トルエン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、メチ
ルエチルケトン、ヘキサメチルジシロキサン等が挙げら
れる。また、基材としては、塗工により被膜を形成でき
る材質、形状、構造体であれば使用可能である。その材
質としては、プラスチック、無機材料、有機材料、金属
が挙げられ、またその形状としては、シート状物、板状
物、管状物、線状物等が挙げられ、具体的には、板状ガ
ラス、シリコンウエファー、各種の形状に加工したプラ
スチック、金属板等が挙げられる。
式（１）で表される芳香環ポリカルボシラン化合物から
なる重合体を有機溶媒に溶かした樹脂溶液を基材に展開
する、キャスト法、スピンコート法、バーコート法等の
通常の塗工方法を用いて行う。その有機溶媒としては、
上記重合体を溶解し得る溶剤であれば何ら制限なく使用
可能であって、これを例示すれば、テトラヒドロフラ
ン、トルエン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、メチ
ルエチルケトン、ヘキサメチルジシロキサン等が挙げら
れる。また、基材としては、塗工により被膜を形成でき
る材質、形状、構造体であれば使用可能である。その材
質としては、プラスチック、無機材料、有機材料、金属
が挙げられ、またその形状としては、シート状物、板状
物、管状物、線状物等が挙げられ、具体的には、板状ガ
ラス、シリコンウエファー、各種の形状に加工したプラ
スチック、金属板等が挙げられる。
【００１７】また、層間絶縁膜の作成条件としては、大
気中又は窒素ガス等の不活性ガス中において、上記の溶
液を基材の表面に塗布等によって展開した後、適宜の時
間、即ち、１分〜５０時間、好ましくは３分から１０時
間にわたり、加熱処理して溶媒を乾燥除去することによ
り被膜が形成される。その加熱温度は、４０〜５００℃
の範囲が望ましい。
気中又は窒素ガス等の不活性ガス中において、上記の溶
液を基材の表面に塗布等によって展開した後、適宜の時
間、即ち、１分〜５０時間、好ましくは３分から１０時
間にわたり、加熱処理して溶媒を乾燥除去することによ
り被膜が形成される。その加熱温度は、４０〜５００℃
の範囲が望ましい。
【００１８】本発明に用いる一般式（１）で表される芳
香環ポリカルボシラン化合物は、上記の方法で有機溶媒
に溶解させた塗布液を用いて塗工することにより容易に
被膜を形成できる。この膜厚としては、０．０１〜２０
μｍ、好ましくは０．１〜５μｍである。この被膜は、
誘電率が低い上に、二重結合の架橋などによって強固な
膜を形成することができると共に、その主鎖にケイ素原
子及び芳香環を持つ重合体であるという化学構造から、
機械的特性及び耐熱性などの優れた諸特性を有するか
ら、半導体等の層間絶縁膜などに有利に使用できる。
香環ポリカルボシラン化合物は、上記の方法で有機溶媒
に溶解させた塗布液を用いて塗工することにより容易に
被膜を形成できる。この膜厚としては、０．０１〜２０
μｍ、好ましくは０．１〜５μｍである。この被膜は、
誘電率が低い上に、二重結合の架橋などによって強固な
膜を形成することができると共に、その主鎖にケイ素原
子及び芳香環を持つ重合体であるという化学構造から、
機械的特性及び耐熱性などの優れた諸特性を有するか
ら、半導体等の層間絶縁膜などに有利に使用できる。
【００１９】
【実施例】実施例１
ｍ−ジエチニルベンゼン１モルとｐ−ビス ジメチルシ
リルベンゼン１モルとのヒドロシリル化重合を、エチル
ベンゼン溶媒中、窒素雰囲気下、白金触媒（Ｐｔ２（ｄ
ｖｓ）３、ｄｖｓは１，３−ジビニル−１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ジシロキサン）の存在下、５
０℃において約２時間反応を行った。この反応生成物中
の未反応残存モノマーについてガスクロマトグラフィを
用いて測定し、残存モノマーが０％であることを確認し
て反応を終了した。得られた均一状態のポリカルボシラ
ン溶液をスピンコート法を用いてウエハ上に塗布した。
次に、その塗布ウエハを電気炉中、アルゴンガス雰囲気
下で、２００℃において１時間、さらに３００℃におい
て３０分間加熱処理した。得られた薄膜の膜厚は約３０
００Åであった。この薄膜の電気特性及び熱特性を調べ
た結果、比誘電率は２．８８の値が得られ、また、これ
を窒素中で加熱したところ、５％重量減少の温度は５３
６℃であった。
リルベンゼン１モルとのヒドロシリル化重合を、エチル
ベンゼン溶媒中、窒素雰囲気下、白金触媒（Ｐｔ２（ｄ
ｖｓ）３、ｄｖｓは１，３−ジビニル−１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ジシロキサン）の存在下、５
０℃において約２時間反応を行った。この反応生成物中
の未反応残存モノマーについてガスクロマトグラフィを
用いて測定し、残存モノマーが０％であることを確認し
て反応を終了した。得られた均一状態のポリカルボシラ
ン溶液をスピンコート法を用いてウエハ上に塗布した。
次に、その塗布ウエハを電気炉中、アルゴンガス雰囲気
下で、２００℃において１時間、さらに３００℃におい
て３０分間加熱処理した。得られた薄膜の膜厚は約３０
００Åであった。この薄膜の電気特性及び熱特性を調べ
た結果、比誘電率は２．８８の値が得られ、また、これ
を窒素中で加熱したところ、５％重量減少の温度は５３
６℃であった。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ケイ素系高分子化合物
の主鎖中に芳香環ユニットと炭素−炭素二重結合ユニッ
トを導入した重合体を絶縁膜として用いるから、低誘電
率化され、かつ耐熱性及び機械的特性の向上した層間絶
縁膜を提供することができる。また、本発明によれば、
特定の芳香族ポリカルボシラン化合物からなる低誘電率
材料を半導体装置の層間絶縁膜として用いることによ
り、半導体装置の配線構造における配線の寄生容量を低
減できるから、半導体装置の高集積化及び高速化を実現
可能とすると共に、その工業的生産性の向上に貢献でき
る。
の主鎖中に芳香環ユニットと炭素−炭素二重結合ユニッ
トを導入した重合体を絶縁膜として用いるから、低誘電
率化され、かつ耐熱性及び機械的特性の向上した層間絶
縁膜を提供することができる。また、本発明によれば、
特定の芳香族ポリカルボシラン化合物からなる低誘電率
材料を半導体装置の層間絶縁膜として用いることによ
り、半導体装置の配線構造における配線の寄生容量を低
減できるから、半導体装置の高集積化及び高速化を実現
可能とすると共に、その工業的生産性の向上に貢献でき
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｑ
Ｆターム(参考） 4F071 AA65 AF14 AF40 AF44 AF45
AF62 AH12 BA02 BB02 BC02
4J035 JA02 JB03 LA03 LB20
5F033 RR21 SS03 SS22 XX00 XX24
XX28
5F058 AA10 AC03 AF04 AG01 AH02
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ１及び Ｒ２は、それぞれ置換基を有してい
ても良い２価の芳香族基を示す。ｎ＝２〜５００００の
整数である。）で表される芳香族ポリカルボシランを含
む重合体を用いて形成されたことを特徴とする層間絶縁
膜。 - 【請求項２】 前記芳香族ポリカルボシランが、一般式
（２） 【化２】 （式中、Ｒ１は前記したと同意義を有する。）で表され
るエチニル基を２個有する芳香族化合物と、一般式
（３） 【化３】 （式中、 Ｒ２は前記したと同意義を有する。）で表さ
れるジメチルシリル基を２個有する芳香族化合物とを反
応させて得られるものであることを特徴とする請求項１
に記載の層間絶縁膜。 - 【請求項３】 前記反応が、白金系触媒の存在下に行わ
れたものであることを特徴とする請求項２に記載の層間
絶縁膜。 - 【請求項４】 請求項１に記載の層間絶縁膜を用いて構
成される半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001269768A JP3785452B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 芳香族ポリカルボシランを含む層間絶縁膜及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001269768A JP3785452B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 芳香族ポリカルボシランを含む層間絶縁膜及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077908A true JP2003077908A (ja) | 2003-03-14 |
| JP3785452B2 JP3785452B2 (ja) | 2006-06-14 |
Family
ID=19095525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001269768A Expired - Lifetime JP3785452B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 芳香族ポリカルボシランを含む層間絶縁膜及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3785452B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007238658A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 含ケイ素低誘電材料及びその製造方法 |
| KR100763828B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2007-10-05 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 실릴페닐렌계 폴리머 함유 중간층 형성용 조성물 및 그것을 사용한 패턴 형성방법 |
| JP2017504950A (ja) * | 2013-12-09 | 2017-02-09 | サンパワー コーポレイション | イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域製造 |
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2001
- 2001-09-06 JP JP2001269768A patent/JP3785452B2/ja not_active Expired - Lifetime
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