KR100428199B1 - 저유전률 보라진-규소계 고분자로 이루어진 층간절연막 및이것에 의해 구성된 반도체 장치 - Google Patents

저유전률 보라진-규소계 고분자로 이루어진 층간절연막 및이것에 의해 구성된 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

(ⅰ)백금 촉매의 존재하에, 둘 이상의 히드록실일 기(hydrosilyl group)기를 가지는 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질(substance)과
(ⅱ)백금 촉매하에서, 둘 이상의 히드로실일 기를 가지는 방향족 적어도 두 히드록실일 기를 가지는 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하여 구성되는 저유전률 층간절연막. 저유전률 층간절연막을 가지는 반도체 장치. 고분자 물질 (ⅰ) 및/또는 (ⅱ)를 포함하여 구성되는 저굴절률 재료.

Description

저유전률 보라진-규소계 고분자로 이루어진 층간절연막 및 이것에 의해 구성된 반도체 장치{LOW-DIELECTRIC-CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM COMPOSED OF BORAZINE-SILICON-BASED POLYMER AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 저유전률 층간 절연막에 관한 것이다. 본 발명은 또한 저유전률 층간절연막을 활용하는 반도체 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 저굴절률 재료에 관한 것이다.
현재, 기상 박막형성(화학증착(CVD))에 의해 얻어진 SiO2막(유전률 k〉4.0)은 반도체 장치의 층간절연막으로서 사용된다. 또한, 더 낮은 유전률을 목표로 하는 재료로서, SiO2계 SOG(spin on glass)재료로 대표되는 무기고분자재료 및 폴리아릴렌에테르로 대표되는 유기고분자재료가 있다.
보다 높은 집적과 작동속도를 가지는 ULSI가 크게 요구되는 상황에서, 정교하고 고집적칩을 제공하기 위하여, 배선재료의 게이지는 작게 되고, 배선거리는 증가되며 배선구조에서 층의 수는 증가된다. 이는 배선저항과 기생용량(parasitic capacity)을 증가시키고, 차례로 칩성능을 변화시키는 시그널지연을 일으킨다; 그러므로, 이들을 해결하는 것이 중요하게 된다. 재료와 공정기술의 관점에서 시그널지연을 억제하기 위해서는, 저저항 배선재료와 저유전률을 가지는 층간 절연막을 위한 재료를 삽입하는 것이 필수불가결하다. 따라서, 층간절연막으로서 종래의 Al 배선과 저유전률 재료보다 낮은 저항을 가지는 Cu 배선이 요구된다.
기상박막형성(CVD)에 의해 형성된 SiO2막으로 이루어진 종래의 층간절연막은 높은 유전률을 가진다; 그러므로 USLIDML 집적과 작동속도를 보다 증가시키는 경우, 시그널지연을 일으키는 요인인 기생용량은 감소되어야만 한다. 즉, 층간절연막의 유전률을 낮출 것이 요망된다. 또한, 배선재료에서 금속은 절연막으로 확산하기 때문에, 배리어막이 확산을 억제하기 위하여 제공되어야만 하는 문제를 발생시킨다.
본 발명은 저유전률 층간절연막에 관한 것으로서,
(ⅰ)백금 촉매의 존재하에, 식(1):
(식(1) 중, R1및 R2는 동일하거나 달라도 좋고, 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 및 수소원자로 구성된 군으로부터 선택된 일가의 기를 나타내며, R3은 치환체, 산소원자, 또는 옥시폴리(디메틸실록시)기로 임의로 치환될 수 있는 이가의 방향족기를 나타낸다)
로 나타내어진 둘 이상의 히드록실일 기를 가지는 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질과
(ⅱ)백금 촉매하에서, 식(2) :
(식 (2) 중, R4은 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타내며, n은 3 이상의 정수이다.)
로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일 기를 가지는 방향족 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하여 구성되는 저유전률 층간절연막이다.
또한, 본 발명은 상술한 바와 같은, 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅰ) 및/또는 (ⅱ)로 구성되는 층간절연막을 포함하여 구성되는 반도체 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상술한 바와 같은, 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅰ) 및/또는 (ⅱ)를 포함하여 구성되는 저굴절률 재료에 관한 것이다.
본 발명의 다른 특징은 이하의 설명에 의해 보다 충분히 나타내어질 것이다.
본 발명에 따라, 이하의 수단이 제공된다:
(1) (ⅰ)백금 촉매의 존재하에, 식(1):
(식(1) 중, R1및 R2는 동일하거나 달라도 좋고, 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 및 수소원자로 구성된 군으로부터 선택된 일가의 기를 나타내며, R3은 치환체, 산소원자, 또는 옥시폴리(디메틸실록시)기로 임의로 치환될 수 있는 이가의 방향족기를 나타낸다)
로 나타내어진 둘 이상의 히드록실일 기를 가지는 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질과
(ⅱ)백금 촉매하에서, 식(2) :
(식 (2) 중, R4은 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타내며, n은 3 이상의 정수이다.)
로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일 기를 가지는 방향족 규소 화합물과 B, B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하여 구성되는 저유전률 층간절연막;
(2) 상기 (1)에 기재된 바와 같은 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질(ⅰ) 및/또는 (ⅱ)로 구성되는 층간절연막을 포함하여 구성되는 반도체 장치.
(3) 상기 (2)에 따른 반도체 장치에 있어서, 층간절연막이 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질(ⅰ)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치; 및
(4) 상기 (2)에 따른 반도체 장치에 있어서, 층간절연막이 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질(ⅱ)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(5) 상기 (2)에 기재된 바와 같은 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질(ⅰ) 및/또는 (ⅱ)을 포함하여 구성되는 저굴절률 재료.
본 발명은 이하에 기술될 것이다.
본 발명자는 층간절연막용 재료의 유전률을 낮추는 데에 있어서, 규소계 고분자의 주사슬에 보라진 고리 유니트를 삽입시킴으로써 얻어질 수 있는 특정 구조를 가지는 보라진-규소계 고분자 물질은 내열성이 증가되고 얻어지는 고분자의 유전률을 낮출 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는, 둘 이상의 하이드로실일 기를 가지는 규소 화합물은 예컨대, 식(1)에 의해 나타내어진 화합물이다.
상기 식(1)에서, R1및 R2는 동일하거나 달라도 좋고, 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 및 수소원자로 구성되는 군으로부터 선택된 일가의 기를 나타낸다. 알킬기는 일반적으로 1 내지 24 탄소원자, 바람직하게는 1 내지 12 탄소원자를 가진다. 아릴기는 일반적으로 6 내지 20 탄소원자를, 바람직하게는 6 내지 10 탄소원자를 가진다. 아랄킬기는 일반적으로 7 내지 24 탄소원자, 바람직하게는 7 내지 12 탄소원자를 가진다.
상기 R1및 R2의 예는 알킬기, 즉, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, t-부틸기 및 옥틸기; 아릴기, 즉 페닐기, 나프틸기 및 비페닐기; 아랄킬기 즉, 벤질기 및 페네틸기; 수소원자 등을 포함한다.
또한, 상기 식(1)에서, R3은 치환체, 산소원자 또는 옥시폴리(디메틸실록시)기에 의해 임의적으로 치환될 수 있는 이가 방향족기를 나타낸다. 이가 방향족기는 일반적으로 6 내지 24 탄소원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소원자를 가진다. 이가 방향족기는 가교기로서 산소원자와 같은 헤테로원자드을 포함하는 아릴렌기 뿐만 아니라 이가 방향족 하이드로카본기(즉, 아릴렌기)를 포함한다. 상기 이가 방향족기에 임의적으로 가교될 수 있는 치환체의 예는 알킬기, 아릴기 및 아랄킬기를 포함한다.
상기 R3의 예들은 아릴렌기, 즉 페닐렌기, 나프틸렌기 및 비페닐렌기; 치환된 아릴렌기 즉, 디페닐에테르기; 산소원자; 옥시폴리(디메틸실록시)기 등을 포함한다.
상술한 하나 이상의 치환체와, 하나 이상의 히드로실일기를 가지며, 식(1)로 나타내어지는 규소화합물은, 비스(모노히드로실란)스, 비스(디히드로실란)스, 및 비스(트리히드로실란)스를 포함하는 비스(히드로실란)화합물을 포함한다. 이들 비스(히드로실란) 화합물의 특정예들은 m-비스(디메틸실일)벤젠, p-비스(디메틸실일)벤젠, 1,4-비스(디메틸실일)나프탈렌, 1,5-비스(디메틸실일)나프탈렌, m-비스(메틸에틸실일)벤젠, m-비스(메틸페닐실일)벤젠, p-비스(메틸옥틸실일)벤젠, 4,4'-비스(메틸벤질실일)비페닐, 4,4'-비스(메틸페네틸실일)디페닐 에테르, m-비스(메틸실일)벤젠, m-디실일벤젠, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산, 히드로디메틸실록시폴리(디메틸실록시)디메틸실란 등을 포함한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
또한, 본 발명에서, 둘 이상의 히드로실일기를 가지는 방향족 규소 화합물은 예를 들면, 식(2)로 나타내어지는 것들이다.
상기 식(2)에서, R4은 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. 알킬기의 탄소원자수는 일반적으로 1 내지 24, 바람직하게는 1 내지 12 이다. 아릴기의 탄소원자 수는 일반적으로 6 내지 20, 바람직하게는 6 내지 10이다. 아랄킬기의 탄소원자 수는 일반적으로 7 내지 24, 바람직하게는 7 내지 12 이다.
상기 R4의 예들은 알킬기 즉, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, t-부틸기 및 옥틸기; 아릴기 즉, 페닐기, 나프틸기 및 비페닐기; 아랄킬기 즉, 벤질기 및 페네틸기 등을 포함한다. 또한, n은 3 이상의 정수, 바람직하게는 3 내지 10, 보다 바람직하게는 3 내지 6이다.
둘 이상의 히드로실일기를 가지는 방향족 규소 화합물의 특정예들은 1,3,5,7 -테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라테닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라벤질시클로테트라실록산 등을 포함한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되어서는 안된다.
둘 이상의 히드로실일기를 가지는 규소 화합물은 단일적으로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 결합하여 둘 이상의 규소화합물의 사용도 본 발명의 유리한 측면에서 포함된다.
둘 이상의 히드로실일기를 가지는 방향족 규소 화합물은 단일적으로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 결합하여 둘 이상의 방향족 규소화합물의 사용도 본 발명의 유리한 측면에서 포함된다.
본 발명에서, B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진(이하에서 "화합물 A"로 칭한다)에 대한 식(1) 또는 식(2)로 나타내어지는 규소 화합물의 몰비는바람직하게는 0.1 내지 10, 보다 바람직하게는 0.3 내지 3 이다.
화합물 A 와 식(1) 또는 식(2)로 나타내어지는 화합물과의 반응과 반응에 의해 얻어질 수 있는 보라진-규소계 고분자는 이하의 반응식으로 나타내어진다.
R5= 일가 유기기로 구성된 말단기
R5= 일가 유기기로 구성된 말단기
상기 식에서, R1내지 R4및 n은 각각 상술한 바와 같은 동일한 의미를 가진다; a 및 b는 모두가 동시에 0(zero)가 아니도록 0 또는 양의 정수이다; c 및 d는 모두가 동시에 0(zero)가 아니도록 0 또는 양의 정수이다; p 및 q는 0 또는 양의 정수이다.
보라진-규소계 고분자를 제조하기 위한 본 발명에서 사용될 수 있는 백금촉매는 예를 들면, pt2(dvs)3를 포함하며, "dvs"는 1,3-디비닐(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산)을 나타낸다.
이들 보라진-규소계 고분자의 구조 및 이들을 제조하는 방법은, 이하에 참조로서 그 내용이 혼합되어진 일본특허번호 3041423 및 일본특허출원번호 2001-68771에 구체적으로 기술된다.
상술한 반응에 의해 얻어진 보라진-규소계 고분자는 저유전률을 나타내며 이들은 저유전률을 가지는 종래에 알려진 절연재료를 사용하는 대신에, 반도체 장치를 구성하는 층간절연막으로서 사용될 수 있다. 이하에, 용어 "저유전률"은 마르젠(Maruzen)에 의해 발행된 "Jikken Kagaku Koza, 3판, vol.5, Kiso-Gijutu 4 Den ki"에서 정의된 바와 같이, 일반적으로 4 내지 1, 바람직하게는 3 내지 1의 유전률을 의미한다. 본 발명에서, 층간절연막의 두께는 피막이 다양한 용도, 예컨대, 반도체 장치에서 층간절연막에서 충분한 효과를 제공하도록 충분한 두께를 가지는 한 특별히 제한되지는 않는다. 일반적으로, 층간절연막의 두께는 0.04 내지 2 ㎛, 바람직하게는 0.04 내지 1㎛이다.
또한, 상술한 반응에 의해서 얻어진 보리진-규소계 고분자는 저유전률에 부가하여 저굴절률을 나타내며, 종래에 알려진 저굴절률 재료를 사용하는 대신에 이들은 다양한 광학적 용도로 사용될 수 있다. 이하에, 용어 "저굴절률"은 일반적으로 2 내지 1, 바람직하게는 1.6 내지 1의 굴절률을 나타낸다.
본 발명의 층간절연막은 우수한 내열성, 열전도성 및 기계 강도 뿐만 아니라 저유전률을 가지며, 작은 열팽창계수를 가지고, 절연막으로 배선재료의 금속의 확산을 억제할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는 저유전률 층간절연막을 사용함으로써, 집적 및 얻어지는 반도체 장치의 작동속도를 증가시킬 수 있다.
이하에서 삽입된 보라진 고리 유니트를 가지는 규소계 고분자로 구성된 본 발명의 절연막은 저유전률을 가지며 또한 우수한 내열성을 가진다.
또한, 본 발명에 따라서, 반도체 장치의 층간절연막으로서 보라진-규소계 고분자로 구성된 저유전률을 가지는 재료의 사용은 반도체 장치의 배선구조에서 기생용량을 감소시키는 효과를 일으킨다.
또한, 본 발명에 따라서, 배선은 감소된 기생용량을 가지며 그러한 배선재료의 사용은 얻어지는 반도체 장치의 집적 및 작동속도를 증가시키는 데에 효과적이다.
또한, 이하에서 삽입된 보라진 고리 유니트를 가지는 규소계 고분자로 구성된 본 발명의 저굴절률 재료는 상술한 바와 같은 특성 뿐만 아니라 저굴절률을 가지며, 다양한 광학요소로서 응용에서 유효하다.
이하에서, 본 발명은 이하의 실시예에 의해 보다 상세히 설명될 것이지만,본 발명은 이에 한정되어서는 안된다.
실시예
실시예 1
B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진(1몰)과 p-비스(디메틸실일)벤젠(1몰)을 백금촉매 (Pt2(dvs)3, dvs는 1,3-디비닐(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산을 나타낸다)의 존재하, 50℃에서 질소분위기하 에틸벤젠용매에서 히드로실일화 중합을 행하였다. 미반응의 잔류모노머의 양을 가스크로마토그라피를 사용하여 모니터하였다. 약 2시간의 반응후에, 잔류모노머의 양이 0%인 것을 확인한 후, 반응을 담금질하였다. 겔화 전에 종결되어야 할 반응이 진행된다. 균일용액 상태로 꺼내진 이하에 삽입된 보라진 유니트를 가지는 폴리카르보실란의 얻어지는 용액은 스핀코터를 사용함으로써 웨이퍼에 코팅되었다.
다음에, 가교반응을 진행하기 위하여, 코팅된 웨이퍼(이하에서 "샘플"로서 칭한다)를 200℃에서 1시간동안 가열하고 전기로에서 아르곤 가스 분위기하 300℃에서 30분간 더욱 가열하였다. 그리하여 얻어진 두께 0.3㎛를 가지는 박막을 전기특성 및 열적 특성을 시험하였다. 그 결과, 2.4 내지 2.6인 상대유전률의 값이 얻어졌다. 질소하에 가열함으로써 발생된 5% 중량감소에서의 온도는 563℃였다. 박막의 경도는 1.0 GPa였고, 박막의 탄성을 나타내는 탄성계수는 15GPa였다.
선택적으로, 상기 샘플을 아르곤 가스 분위기하에서, 200℃에서 1시간 동안 가열한 다음 300℃에서 30분간 가열하였고, 400℃에서 30분간 더욱 가열하였다.그 결과, 2.2 내지 2.4의 상대유전률의 값을 얻었다. 선택적으로, 상기 샘플을 아르곤 가스 분위기하에서, 200℃에서 1시간 동안 가열한 다음 300℃에서 30분간 가열하고 500℃에서 30분간 더욱 가열하였다. 그 결과, 1.7 내지 2.1의 상대유전률의 값을 얻었다.
실시예 2
B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진(1몰)과 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산(1몰)을 백금촉매 (Pt2(dvs)3, dvs는 1,3-디비닐(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산을 나타낸다)의 존재하, 50℃에서 질소분위기하 에틸벤젠용매에서 히드로실일화 중합을 행하였다. 미반응의 잔류모노머의 양을 가스크로마토그라피를 사용하여 모니터하였다. 약 2시간의 반응을 수행한 후에, 잔류모노머의 양이 0%인 것을 확인한 후, 반응을 종결하였다. 겔화 전에 종결되어야 할 반응이 진행된다. 균일용액 상태로 꺼내진 이하에 삽입된 보라진 유니트를 가지는 폴리실록산의 얻어지는 용액은 스핀코터를 사용함으로써 웨이퍼에 코팅되었다. 가교반응을 진행하기 위하여, 코팅된 웨이퍼를 200℃에서 1시간동안 가열하고 전기로에서 아르곤 가스 분위기하 300℃에서 30분간 더욱 가열하였다. 그리하여 얻어진 두께 0.3㎛를 가지는 박막을 전기특성 및 열적 특성을 시험하였다. 그 결과, 2.8인 상대유전률의 값이 얻어졌다. 질소하에 가열함으로써 발생된 5% 중량감소에서의 온도는 564℃였다. 박막의 굴절률을 파장 250nm 내지 830nm의 범위에서 타원편광법에 기초하여 측정하였다. 그 결과, 파장 633nm에 대하여, 얻어진 굴절률은 1.46이었다.
본 실시예에 관련한 본 발명의 기술에 있어서, 본 발명은 상세한 설명의 어느 것에 의하여 한정되지 않으며, 달리 특정하지 않는 한, 첨부하는 특허청구의 범위에 나타낸 정신 및 범위 내에서 넓게 해서되어야 할 것이다.
본 발명의 층간절연막은 우수한 내열성, 열전도성 및 기계 강도 뿐만 아니라 저유전률을 가지며, 작은 열팽창계수를 가지고, 절연막으로 배선재료의 금속의 확산을 억제할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는 저유전률 층간절연막을 사용함으로써, 집적 및 얻어지는 반도체 장치의 작동속도를 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따라서, 반도체 장치의 층간절연막으로서 보라진-규소계 고분자로 구성된 저유전률을 가지는 재료의 사용은 반도체 장치의 배선구조에서 기생용량을 감소시키는 효과를 일으킨다.
또한, 본 발명에 따라서, 배선은 감소된 기생용량을 가지며 그러한 배선재료의 사용은 얻어지는 반도체 장치의 집적 및 작동속도를 증가시키는 데에 효과적이다.
본 발명의 저굴절률 재료는 상술한 바와 같은 특성 뿐만 아니라 저굴절률을 가지며, 다양한 광학요소로서 응용에서 유효하다.

Claims (19)

  1. (ⅰ)백금 촉매의 존재하에, 식(1):
    (식(1) 중, R1및 R2는 동일하거나 달라도 좋고, 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 및 수소원자로 구성된 군으로부터 선택된 일가의 기를 나타내며, R3은 치환체, 산소원자, 또는 옥시폴리(디메틸실록시)기로 임의로 치환될 수 있는 이가의 방향족기를 나타낸다)
    로 나타내어진 둘 이상의 히드록실일 기를 가지는 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질과
    (ⅱ)백금 촉매하에서, 식(2) :
    (식 (2) 중, R4은 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타내며, n은 3 이상의 정수이다.)
    로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일 기를 가지는 방향족 규소 화합물과B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하여 구성되는 저유전률 층간절연막.
  2. 제 1 항에 있어서, 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅰ)을 포함하여 구성되는 저유전률 층간절연막.
  3. 제 1 항에 있어서, R1및 R2는 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, t-부틸기 및 옥틸기, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 벤질기, 페네틸기 또는 수소원자를 나타내는 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  4. 제 1 항에 있어서, R3는 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기, 디페닐에테르기, 산소원자 또는 옥시폴리(디메틸실록시)기를 나타내는 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  5. 제 1 항에 있어서, 식(1)로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일기를 가지는 규소화합물은, 비스(모노히드로실란)스, 비스(디히드로실란)스, 및 비스(트리히드로실란)스로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  6. 제 1 항에 있어서, 식(1)로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일기를 가지는 규소화합물은, m-비스(디메틸실일)벤젠, p-비스(디메틸실일)벤젠, 1,4-비스(디메틸실일)나프탈렌, 1,5-비스(디메틸실일)나프탈렌, m-비스(메틸에틸실일)벤젠, m-비스(메틸페닐실일)벤젠, p-비스(메틸옥틸실일)벤젠, 4,4'-비스(메틸벤질실일)비페닐, 4,4'-비스(메틸페네틸실일)디페닐 에테르, m-비스(메틸실일)벤젠, m-디실일벤젠, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산 및 히드로디메틸실록시폴리(디메틸실록시)디메틸실란으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  7. 제 1 항에 있어서, B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진 1몰에 대한 식(1)로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일기를 가지는 규소화합물의 몰비는 0.1 내지 10인 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  8. 제 1 항에 있어서, 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅱ)를 포함하여 구성되는 저유전률 층간절연막.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 식(2)에서 R4는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, t-부틸기, 옥틸기, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 벤질기 또는 페네틸기를 나타내는 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  10. 제 1 항에 있어서, 식(2)에서 n은 3 내지 10인 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  11. 제 1 항에 있어서, 식 (2)로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일기를 가지는 방향족 규소 화합물은 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라테닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라벤질시클로테트라실록산으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  12. 제 1 항에 있어서, B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진 1몰에 대한 식(2)로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일기를 가지는 방향족 규소화합물의 몰비는 0.1 내지 10인 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  13. 제 1 항에 있어서, 백금 촉매는 Pt2(dvs)3이고, dvs는 1,3-디비닐(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산)을 나타내는 것을 특징으로 하는 저유전률 층간절연막.
  14. 층간절연막을 포함하여 구성되는 반도체 장치에 있어서, 층간절연막은 (1) (ⅰ)백금 촉매의 존재하에, 식(1):
    (식(1) 중, R1및 R2는 동일하거나 달라도 좋고, 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 및 수소원자로 구성된 군으로부터 선택된 일가의 기를 나타내며, R3은 치환체, 산소원자, 또는 옥시폴리(디메틸실록시)기로 임의로 치환될 수 있는 이가의 방향족기를 나타낸다)
    로 나타내어진 둘 이상의 히드록실일 기를 가지는 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질과
    (ⅱ)백금 촉매하에서, 식(2) :
    (식 (2) 중, R4은 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타내며, n은 3 이상의 정수이다.)
    로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일 기를 가지는 방향족 규소 화합물과B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하여 구성되는 저유전률 층간절연막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 층간절연막은 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅰ)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 층간절연막은 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅱ)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  17. (ⅰ)백금 촉매의 존재하에, 식(1):
    (식(1) 중, R1및 R2는 동일하거나 달라도 좋고, 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 및 수소원자로 구성된 군으로부터 선택된 일가의 기를 나타내며, R3은 치환체, 산소원자, 또는 옥시폴리(디메틸실록시)기로 임의로 치환될 수 있는 이가의 방향족기를 나타낸다)
    로 나타내어진 둘 이상의 히드록실일 기를 가지는 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질과
    (ⅱ)백금 촉매하에서, 식(2) :
    (식 (2) 중, R4은 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타내며, n은 3 이상의 정수이다.)
    로 나타내어진 둘 이상의 히드로실일 기를 가지는 방향족 규소 화합물과 B,B',B''-트리에티닐-N,N',N''-트리메틸보라진의 반응에 의해 얻어질 수 있는 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하여 구성되는 저굴절률 재료.
  18. 제 17 항에 있어서, 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅰ)을 포함하여 구성되는 저굴절률 재료.
  19. 제 17 항에 있어서, 저유전률 보라진-규소계 고분자 물질 (ⅱ)를 포함하여 구성되는 저굴절률 재료.
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